微波与等离子体合成
《微波辐照煤焦低温等离子体的形成机理》范文

《微波辐照煤焦低温等离子体的形成机理》篇一一、引言随着科技的不断进步,等离子体技术在煤焦领域的应用日益广泛。
微波辐照煤焦技术作为其中一种新兴的技术手段,以其独特的优势引起了广泛的关注。
本文主要探讨了微波辐照煤焦低温等离子体的形成机理,旨在为相关研究提供理论基础。
二、微波辐照煤焦的基本原理微波辐照煤焦技术是指利用微波辐射对煤焦进行加热和改性的一种技术。
微波辐射具有高频、高能、非接触式等特点,能够快速、均匀地加热煤焦,从而引发一系列的物理和化学变化。
三、低温等离子体的基本概念低温等离子体是一种特殊的气体状态,其中的电子和离子温度较高,而气体分子温度较低。
在微波辐照下,煤焦中的气体分子可以发生电离,形成低温等离子体。
低温等离子体具有极强的氧化性和还原性,能够有效地改善煤焦的结构和性质。
四、微波辐照下煤焦低温等离子体的形成机理在微波辐照下,煤焦中的有机物质会受到微波电磁场的作用,发生分子振动和内部热运动。
这种作用会使煤焦内部产生大量的自由基和活性物质。
当这些自由基和活性物质与气体分子发生碰撞时,会引发气体分子的电离和激发,从而形成低温等离子体。
具体来说,微波辐射的电磁场会使气体分子中的电子受到激发,使其跃迁到高能级。
这些高能级电子在与其他气体分子碰撞时,会传递能量并使其电离,产生更多的电子和离子。
同时,由于微波辐射的加热作用,煤焦内部的温度会逐渐升高,进一步促进了气体分子的电离和等离子体的形成。
五、影响微波辐照下煤焦低温等离子体形成的因素影响微波辐照下煤焦低温等离子体形成的因素主要包括微波功率、辐照时间、气氛条件等。
微波功率越大,对煤焦的加热效果越明显,有利于气体分子的电离和等离子体的形成。
辐照时间越长,煤焦内部的温度越高,有利于提高等离子体的浓度和稳定性。
此外,气氛条件也会影响等离子体的形成,如氧气、氮气等气体的存在会促进气体分子的电离和等离子体的形成。
六、结论本文通过分析微波辐照煤焦的基本原理和低温等离子体的基本概念,探讨了微波辐照下煤焦低温等离子体的形成机理。
微波ECR等离子体增强磁控溅射制备SiNx薄膜及其性能分析

微波ECR 等离子体增强磁控溅射制备SiN x 薄膜及其性能分析3丁万昱 徐 军 李艳琴 朴 勇 高 鹏 邓新绿 董 闯(大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室,大连 116024)(2005年5月24日收到;2005年9月12日收到修改稿) 利用微波ECR 磁控反应溅射法在室温下制备无氢S iN x 薄膜.通过傅里叶红外光谱、X 射线电子谱、膜厚仪、纳米硬度仪、原子力显微镜等分析手段,分析了N 2流量、S i 靶溅射功率等实验参数对S iN x 薄膜结构、化学配比以及机械性质的影响.结果表明,S iN x 薄膜中S i 2N 结构、化学配比及机械性质与等离子体中的S i 元素含量关系密切,随着N 2流量的增加或者S i 靶溅射功率的降低,等离子体中的S i 元素含量降低,S iN x 薄膜结构、化学配比及硬度发生变化,红外光谱发生偏移,硬度下降,沉积速率降低.关键词:SiN x ,磁控溅射,傅里叶变换红外吸收光谱,X 射线电子谱PACC :6855,6860,7830L3国家自然科学基金重大项目(批准号:50390060)资助的课题. E -mail :xujun @11引言SiN x ,由于它具有硬度高、抗腐蚀、耐高温、导热性与绝缘性好、光电性能优良等优点,因而在微电子领域、微机械系统、材料表面改性等诸多领域都得到广泛的应用[1—5].最近,Y en 等人发现SiN x 薄膜的膜厚极限非常低,达到115nm 厚度时仍能形成连续的薄膜,非常适用于计算机高密度磁盘保护膜[6],因此,对SiN x 薄膜的研究再一次在国内外引起重视.由于薄膜中成分配比将直接影响到SiN x 薄膜的性能,所以研究影响SiN x 薄膜成分配比的工艺参数也就具有重要意义.SiN x 薄膜的制备方法有多种,其中最常用的有物理气相沉积(PVD )法、离子束增强沉积(I BE D )法[7]和化学气相沉积(C VD )法[8—10]等.本实验利用微波ECR 等离子体增强磁控反应溅射法制备SiN x 薄膜[11].微波ECR 磁控反应溅射法是PVD 方法中的一种,它兼备了磁控溅射和反应溅射的优点,与C VD 方法相比较,可以在低温环境下(室温)制备SiN x 薄膜,解决了反应温度过高限制SiN x 薄膜应用问题,如SiN x 薄膜作为计算机磁盘保护膜[12,13];并且大大降低薄膜中的H 含量,提高薄膜机械性质,如硬度[12,13].此外,本方法在制备SiN x 薄膜过程中易于控制薄膜结构和成分,薄膜的许多性能可以与用C VD 方法、I BE D 方法制得的薄膜相媲美.21实 验本实验制备SiN x 薄膜设备采用自行研制的微波ECR 磁控溅射系统,关于该系统的详细描述请参阅相关文献[11,14,15].基片材料采用经过抛光处理的(100)取向单晶硅片,依次经过丙酮、酒精、去离子水超声清洗,然后吹干,最后固定在加射频偏压(RF )的载物台上.沉积前先对基片进行溅射清洗(Ar =20sccm ,-400V RF ,10min ),以去除单晶硅基片表面的氧化层,溅射靶材选取纯度为99199%的单晶硅靶,溅射硅靶同样加射频偏压.工作气体为高纯N 2(991999%)和高纯Ar (991999%);在实验过程中,真空室的本底真空抽至510×10-3Pa ;反应气压为012Pa 左右;微波功率为850W.本实验通过改变参数制备出不同的SiN x 薄膜.利用美国尼高利(Nicolet )仪器公司生产的智能型AVAT AR360傅里叶变换红外光谱仪(FT 2IR )(该仪器扫描范围在400—4000cm-1之间,扫描步长为第55卷第3期2006年3月100023290Π2006Π55(03)Π1363206物 理 学 报ACT A PHY SIC A SI NIC AV ol.55,N o.3,March ,2006ν2006Chin.Phys.S oc.2cm -1)、美国Acton 公司的SP 2305型单色仪、英国VG 公司MKII 型X 射线光电子能谱仪等设备分析薄膜的结构及成分,通过MTS XP 纳米硬度仪、Surfcorder ET 4000M 型膜厚仪、NanoScope Ⅲ原子力显微镜(AFM )等仪器分析薄膜的机械性质和表面形貌.实验参数如下表1所示,通过改变N 2流量或者Si 靶溅射功率,制备出不同成分、结构及化学配比的SiN x 薄膜.在改变N 2流量或者Si 靶溅射功率时,薄膜的沉积时间皆为120min ,载物台加的沉积偏压皆为-100V (RF ).表1 实验参数表样品N 2流量ΠsccmAr 流量ΠsccmS i 靶溅射功率ΠW111220350222035034203504820350515203506301035074203008420250942020010420150114205031结果与讨论3111红外光谱图1为在不同N 2流量下沉积的SiN x 薄膜的傅里叶变换红外光谱,图中各条谱线旁边的数字为样品编号.1号谱线为N 2流量为112sccm 时沉积的SiN x 薄膜的傅里叶红外变换光谱(FT 2IR ),从光谱中可以看到,谱线在611135cm -1,896178cm -1,110311cm -1处出现吸收峰,它们分别对应的是,Si 基底、Si 2N 伸缩振动峰、Si 2O 伸缩振动峰[16—18].其中Si 2O 伸缩振动峰主要是由于背底真空中或者样品在空气中吸附的O 2或者H 2O.从谱线中可以发现,与其他方法制备SiN x 薄膜的红外光谱相比较[16—18],本实验的光谱在2200cm -1和3400cm -1处并不存在明显的Si 2H 和N 2H 的伸缩振动峰[16,17],这表明利用本系统制备的SiN x 薄膜中H 杂质含量很低,同时也显示本方法对比PEC VD 方法的优势.从图1还可以发现,随着N 2流量的增加,在870cm -1处的Si -N 伸缩振动峰强度逐渐减弱,但是在1080cm -1处的Si 2O 伸缩振动峰强度逐渐增强,主图1 不同N 2流量下制备的S iN x 薄膜傅里叶变换红外光谱峰逐渐由870cm -1处转移至1080cm -1处,这说明随着N 2气流量的增加,薄膜中的O 含量逐渐增加,当N 2气流量超过15sccm 时,Si 2O 伸缩振动峰变为主峰,即此时薄膜以Si 2O 结构为主[11].这种现象可以解释为如下原因:首先,由于背底真空中有少量的O 2分子,并且O 元素活泼性要远高于N 元素,因此,被溅射出来的Si 原子在沉积过程中首先与O 元素结合,形成SiO 2结构;其次,等离子体中引入N 元素会在Si 靶表面形成氮硅化合物,导致靶中毒现象.随着N 2流量的增加,靶中毒现象加剧,导致Si 靶溅射率降低.综合这两个原因,随着N 2流量增加,到达基片的Si 原子数量在减小,并且到达基片的Si 原子,首先与背底真空中残余的O 2反应形成SiO 2,这样就间接导致薄膜中的Si 2O 键含量增加而Si 2N 键含量减少,从而导致薄膜红外光谱主峰位置由870cm -1向1080cm -1处转移.同时,这种现象也说明利用本系统可以在N 2流量很小的情况下制备出优异的SiN x 薄膜,大大的提高了N 2的利用率,仅2sccm N 2流量就可以在红外光谱上产生强烈的Si 2N 伸缩振动峰.图2为在不同溅射功率下制备的SiN x 薄膜红外光谱,图中各条谱线旁边的数字为样品编号.从光谱中依然可以得出相同规律,即随着Si 靶溅射功率的降低,在SiN x 薄膜的红外光谱中,870cm -1处的Si 2N 伸缩振动峰强度逐渐减弱,但1080cm -1处的Si 2O伸缩振动峰强度逐渐增强.这种现象验证了由上文所提到的那两个原因,随Si 靶溅射功率的降低,Si 靶的溅射速率降低,即到达薄膜生长表面的溅射Si 原子密度减少,其效果等同于靶中毒.上述结果说明4631物 理 学 报55卷等离子体中Si 元素的密度是影响SiN x 薄膜成分和结构的重要条件.图2 不同溅射偏压下制备的S iN x 薄膜傅里叶变换红外光谱为了进一步验证等离子体中Si 元素密度的变化对薄膜成分和结构的影响,利用美国Acton 公司的SP 2305型单色仪发射光谱法(OES )对等离子体中Si 元素密度进行定性测量,结果如图3所示.图3中63312nm ,63417nm 处谱峰分别对应Si ,Si +的发射光谱谱峰[19],从图3中可以看出,随着Si 靶溅射功率的降低,等离子体中Si 元素的发射光谱谱峰强度单调降低,说明随着Si 靶溅射功率的降低,等离子体中Si 元素的密度单调降低,这与FT 2IR 结果中关于等离子体中Si 元素密度的推测很好地符合.同样,在图3中可以看出,随着N 2流量的增加,等离子体中Si 元素发射光谱谱峰强度单调降低,即等离子体中Si 元素的密度也相应降低,这也与FT 2IR 结果中关于等离子体中Si元素密度的推测很好地符合.通过这两个发射光谱检测结果,可以很好地验证FT 2IR 的结论,也与随后的XPS 结论相符合,从而直接验证了等离子体中Si 元素的密度是影响SiN x 薄膜成分和结构的重要条件.3121X 射线电子能谱为了进一步了解SiN x 薄膜的结构与成分,我们对薄膜进行了X 射线电子能谱(XPS )检测.通过对Si 2p 的高分辨XPS 谱进行解谱,可以发现三个高斯峰,结合能分别为9915eV ,10119eV 和10314eV ,这三个高斯峰分别对应Si 2Si 键结构、Si 2N 键结构、Si 2O 键结构[20—23],如图4所示.通过对不同N 2流量下制备的SiN x 薄膜的Si 2p 高分辨XPS 谱解谱比较(图4),可以发现,在N 2流图3 等离子体中S i 元素发射光谱谱峰强度随S i 靶溅射功率、N 2流量的变化图4 不同N 2流量下制备的S iN x 薄膜中S i 2p 的高分辨XPS 谱及其解谱量较小时(112sccm ),SiN x 薄膜中Si 2Si 键结构含量较高,并且Si 2N 键结构中N ΠSi 比值偏小,见表2,薄膜呈现富Si 态.随着N 2流量的增加,SiN x 薄膜中的Si 2Si 键结构在减少,间接导致薄膜中的Si 2N 键结构相对含量增加,在N 2流量为4sccm 时,薄膜中的Si 2N 键结构相对含量达到最大值,此时通过对Si 2p 和N 1s 的高分辨XPS 谱面积计算并用灵敏度因子校56313期丁万昱等:微波ECR 等离子体增强磁控溅射制备S iN x 薄膜及其性能分析正,计算得出此时薄膜的Si 2N 键中N ΠSi 值为1133,与Si 3N 4的化学配比相符合,如表2所示,此时的薄膜也显示出了最好的红外光谱图像以及最好的机械性质.继续增加N 2流量,薄膜中Si 2O 结构相对增加.当N 2流量超过15sccm 时,薄膜由以SiN x 结构为主转变为以SiO 2结构为主,薄膜的红外光谱及机械性质也相应地逐渐向SiO 2结构转变.XPS 结果与FT 2IR 结果很好地符合,进一步证明了在SiN x 薄膜的沉积过程中,等离子体中Si 元素的密度直接影响薄膜的化学配比和机械性质.表2 在不同N 2流量下制备的S iN x 薄膜中S i 2p 的不同结构含量及S i 2N 结构中的N ΠS i 比值S i 2S iS i 2N S i 2O N ΠS i N 11220951692317900187N 44771675015431133N 858818651242111383131生长速率利用Surfcorder ET 4000M 型膜厚仪采用台阶法测得薄膜厚度,经计算可得到薄膜的生长速率.图5为SiN x 薄膜生长速率随N 2流量、溅射功率变化曲线.由图中可以得出,随着N 2流量的增加,SiN x 薄膜的生长速率单调降低;并且,随着Si 靶溅射偏压的降低,SiN x 薄膜的生长速率也单调降低.这种现象同样可以解释为随着N 2流量的增加,或者随着Si 靶溅射功率的降低,都会直接导致Si 靶表面溅射率降低,从而导致等离子体中Si 元素的含量降低,最终导致SiN x 薄膜沉积速率降低.综合薄膜的红外光谱和生长速率这两个结果,我们可以得出,Si 靶单位面积的溅射率,也就是等离子体中Si 元素的密度,在SiN x 薄膜沉积过程起着重要作用.314 薄膜硬度图6为SiN x 薄膜硬度随N 2流量、Si靶溅射功率变化曲线.从图中可以看出,随着Si 靶溅射功率的降低,SiN x 薄膜的硬度单调降低.这种现象同SiN x 薄膜的红外光谱相结合,可以解释为,当Si 靶溅射功率降低时,间接导致到达基片的Si 原子数量降低,薄膜SiN x 结构含量减少,薄膜的主要成分变为SiO 2结构.因此,薄膜硬度会降低,由SiN x 结构硬度转变为SiO 2结构硬度.随着N 2流量的增加,SiN x 薄膜硬度先增加后减小,在N 2流量为4sccm 时,图5 S iN x 薄膜生长速率随N 2流量、S i 靶溅射功率变化曲线图6 S iN x 薄膜硬度随N 2流量、S i 靶溅射功率变化曲线SiN x 薄膜得到最大硬度,为2219G Pa ,这一值与其他研究小组所得结果一致[6,12,13].结合SiN x 薄膜的XPS 及FT 2IR 结果,这种现象可以解释为,在N 2流量很小时,SiN x 薄膜呈现富Si 态,此时薄膜硬度是SiN x ,SiO 2,非晶硅三者的混合硬度,因此硬度值介于较软的SiO 2、非晶硅和较硬的SiN x 之间.随着N 2流量的增加,薄膜中的SiN x 含量逐渐增加,当N 流量为4sccm 时,薄膜中的N ΠSi 比例达到最佳的1133,因此薄膜硬度达到最大值,2219G Pa.继续增加N 2流量,由于靶中毒现象增加导致薄膜中SiN x 含量降低,薄膜由以SiN x 结构为主逐渐向以SiO 2结构为主转变,因此薄膜硬度随之向SiO 2硬度转变.当N 2流量增加至35sccm 时,薄膜中SiO 2含量较高,同时Si 2N 键结构中的N ΠSi 比值偏离标准值1133,薄膜的硬度也降低至11G Pa 左右,接近于SiO 2的硬度[24].6631物 理 学 报55卷图7 不同N 2流量下制备的S iN x 薄膜表面形貌3151薄膜表面形貌由AFM 观测得到SiN x 薄膜的表面形貌及表面粗糙度.图7为在不同N 2流量下制备的SiN x 薄膜表面形貌,从图中可以看出薄膜表面光滑,没有明显的岛状生长模式.但是随着N 2流量的增加,薄膜的表面粗糙度程度增大.图8为由以上各图片得到的SiN x 薄膜表面粗糙度随N 2流量变化曲线.从图中可以看出,随着N 2流量的增加,薄膜的表面粗糙度略有增加,但总体保持在012nm 以下,这说明利用本技术制备的SiN x 薄膜可以达到在原子尺度上平滑.由本系统沉积的SiN x 薄膜的表面粗糙度低于由电弧离子镀、LPC VD 或者PEC VD 等其他方法制备的SiN x 薄膜的表面粗糙度1—2个数量级[21].这种现象是由于利用本系统沉积的SiN x 薄膜具有较低的生长速率(与电弧离子镀或者C VD 相比较),因此薄膜具有较低的表面粗糙度.图8 S iN x 薄膜表面粗糙度随N 2流量变化曲线41结 论由微波ECR 磁控溅射系统在室温下制备出具有较好结构及性能的无氢SiN x 薄膜.利用FT 2IR ,76313期丁万昱等:微波ECR 等离子体增强磁控溅射制备S iN x 薄膜及其性能分析XPS,纳米硬度仪,AFM,轮廓仪等设备对薄膜进行了结构和性能分析,结果表明,SiNx薄膜的结构和性能强烈依赖于等离子体中Si元素的含量.增加N2流量或者降低Si靶溅射功率,都会导致等离子体中Si元素含量减少,并最终改变SiN x薄膜的结构及化学配比,降低薄膜的机械性质.在N2流量为4sccm,溅射功率为350W时,等离子体中Si元素含量达到最大值,此时,SiNx薄膜的化学配比达到最佳,x值为1133,薄膜硬度亦达到最高值2219G Pa,同时薄膜显示出了最好的红外吸收光谱以及较低的表面粗糙度.[1]Skordas S,S irinakis G,Y u W et al2000Mater.Res.Soc.Symp.Proc109606[2]M orosanu C E1980Thin.Solid.Films17165[3]French P J,Sarro P M,M alle′e R et al1997Sens.Actuator s A14958[4]Bustillo J M,H owe R T1998Muller.R.S.Proc.IEEE861552[5]Eaton W P,Sm ith J H1997Smart.Mater.Struct6530[6]Y en B K,White R L,W altman R J et al2003J.App.Phys.938704[7]Xu D,Zhu H,T ang L J et al1995Acta.Meta.Sin.431(inChinese)[徐 东、朱 宏、汤丽娟等1995金属学报431] [8]Chen J F,Wu X Q,W ang D Q et al1999Acta.Phys.Sin.481310(in Chinese)[陈俊芳、吴先球、王德秋等1999物理学报481310][9]Zhang G W,Long F2001Semi.Opt.22201(in Chinese)[张顾万、龙 飞2001半导体光电22201][10]Y u W,Liu L H,H ou H H et al2003Acta.Phys.Sin.52687(inChinese)[于 威、刘丽辉、侯海虹等2003物理学报52687][11]Ding W Y,Xu J,Piao Y et al2005Chin.Phys.Lett.222332[12]Vila M,Ca′ceres D,Prieto C et al2003J.App.Phys.947868[13]Savall C,Bruyera J C,S toquert J P et al1995Thin.Solid.Films260174[14]Li X,T ang Z A,M a GJ et al2003Chin.Phys.Lett.20692[15]Xu J,M a T C,Lu W Q et al2000Chin.Phys.Lett.17586[16]Y ota J,Hander J,Saleh A A2000J.Vac.Sci.T echnol A18(2)372[17]Vargheese J K D,Rao G M2001J.Vac.Sci.Technol.A191336[18]Lu Z,Santos2Filho P,S tevens G et al2001J.Vac.Sci.Technol.A191336[19]NIST Atom ic S pectrum Database,ver.310,http:ΠΠphysics.nist.g ov[20]M oulder J F,S tickle W F,S obol P E et al1995Handbook o f X2rayPhotoelectron Spectroscopy,Physical Electronics Inc,page57and253[21]Y ang G R,Zhao Y P,Hu Y Z et al1998Thin.Solid.Films333219[22]Bustarret E,Bens ouda M,Habrard M C et al1988Phys.Revi.B388171[23]Xu S H,X in Y,Ning Z Y et al2003Acta.Phys.Sin.521287[24]Scanlon M R,Cammarata R C1994J.Appl.Phys.763387Characterization of silicon nitride films prepared byMW2ECR magnetron sputtering3Ding W an2Y u Xu Jun Li Y an2Qin Piao Y ong G ao Peng Deng X in2Lü D ong Chuang (State K ey Laboratory o f Material Modification by Laser,Ion and Electron Beams,Dalian Univer sity o f Technology Dalian 116024,China)(Received24M ay2005;revised manuscript received12September2005)AbstractHydrogen2free silicon nitride films were deposited at room tem perature by m icrowave electron cyclotron resonance(ECR) plasma source enhanced unbalanced magnetron sputtering system.F ourier2trans form in frared spectroscopy and X2ray photoelectron spectroscopy were used to study the bond type,the change of bond structures,and the stoichiometry of the silicon nitride films.Atom ic2force m icroscopy and nano2indentation were used to study the m orphological features and mechanical characteristics of the films.The results indicate that the structure and characteristics of the films deposited by this technique depend strongly on the density of sputtered S i in plasma and the films deposited at4sccm N2flow show excellent stoichiometry and properties.K eyw ords:silicon nitride,W M2ECR plasma sputtering,FT2IR,XPSPACC:6855,6860,7830L3Project supported by the National Natural Science F oundation of China(G rant N o.50390060).E-mail:xujun@8631物 理 学 报55卷。
微波与等离子体

*工业、科学和医学用的频率有 433 MHz 、915
MHz 、2450 MHz 、5800 MHz 、22125 MHz 。 目前国内用于工业加热的常用频率为915 MHz和 2450 MHz 。
灭菌
4.3 微波在无机化学中的应用
合成催化材料
在分子筛催化剂合成方面引入了微波加热方法,在 其它工艺条件相同时,所用时间仅为传统加热方式的 1/30-1/40.
• 3.6 信息性
由于微波频率很高,其可用的频带很宽, 可达数百甚至上千兆赫兹,这意味着微波 的信息容量大,所以现代多路通信系统, 包括卫星通讯系统,都是工作在微波波段。
4 微波的应用
雷达和通讯
加热和灭菌 在无机化学中的应用
4.1 雷达和通讯
卫星通讯
4.2 加热和杀菌 *对食物加热的频率:2450 MHz(波长为 12.24cm)
光刻胶刻蚀
首先,使光刻胶 层顶部曝光形成 图形。第二步, 将光刻胶暴露在 含硅的气体中使 光刻胶被硅化。 最后一步,用氧等 离子体把光刻胶 各向异性地刻蚀 掉。
1.3 按热力学平衡分类
根据离子温度与电子温度是否达到热平衡,可 把等离子体分为三类:
*完全热力学平衡等离子体:当整个等离子体系统
T> 5000K时,体系处于热平衡状态,各种粒子的 平均动能都相同,这种等离子体称为热力学平衡 等离子体,简称平衡等离子体;
*局域热力学平衡等离子体:就是局部处于热力学
超短波
红外光
2 微波的产生
微波通常由直流电或50Hz交流电通过一特殊的 器件来获得。 产生微波的器件有许多种,但主要分为两大类: 半导体器件和电真空器件。电真空器件是利用电 子在真空中运动来完成能量变换的器件,或称之 为电子管。在电真空器件中能产生大功率微波能 量的有磁控管、多腔速调管、微波三、四极管、 行波管等。在目前微波加热领域特别是工业应用 中使用的主要是磁控管及速调管。
微波激发等离子体原理

微波激发等离子体原理微波激发等离子体是一种常见的无接触式加热和激发等离子体的技术,广泛应用于等离子体物理研究、医疗领域以及工业应用中。
其原理是通过在磁场中加入高频电磁波,使电子加热并获得足够的能量逃逸自原子,从而形成等离子体。
微波激发等离子体的原理是基于电子受到高频电场的驱动而运动形成等离子体的现象。
在一个均匀磁场中,这个系统呈现一个简谐振动的结构。
当加入高频的电磁波时,电子受到电场的驱动,开始在垂直于磁场方向上运动。
在这个运动过程中,电子受到高频电场力的作用,会产生一个哈密顿量在与高频电场频率相同的共振频率上的震荡条件。
这个震荡条件是通过磁场和电场对电子的双重作用实现的。
首先,电子在磁场中受到洛伦兹力的作用,使其沿着磁场方向上的速度不变。
其次,电子在高频电场的驱动下,会有类似于谐振子的运动,其频率与高频电场频率相同。
这两个力的平衡条件可以写成准经典的欧姆&middle分[b+→]轨道方程:m*d2x/dt2 = q*(v×B) - q*E*sin(ωt)其中,m是电子的质量,x是电子在垂直于磁场的方向上的位移,t是时间,q是电子的电荷,v是电子的速度,B是磁场的磁感应强度,E是高频电场的电场强度,ω是高频电场的角频率。
通过解这个方程,可以得到电子在高频电场的驱动下的位移和速度的表达式,其中关键的是电子受到高频电场力的强度,即E*sin(ωt)项。
当电子受到足够强的高频电场力的驱动时,它会获得能量并克服静电能量障壁,逃逸自原子,形成新的自由电子。
这些获得足够能量的电子被称为等离子体电子,它们由于能量的增加而呈现出更高的速度。
与此同时,底层原子失去了电子,形成正离子。
通过适当调节高频电场的频率和磁场强度,可以控制等离子体中电子和离子的数量和能量。
由于微波激发等离子体具有非常高的温度和能量,因此在工业应用中,它可以用于加热和熔化材料、杀菌和干燥物体等。
微波激发等离子体技术有着许多优点,例如高效率、可控性和无接触等。
微波消解电感耦合等离子体

微波消解电感耦合等离子体微波消解电感耦合等离子体(Microwave Plasma Inductively Coupled Plasma,简称MP-ICP)是一种常用于样品消解的技术。
它利用等离子体发生器将气体放电后产生的高温高能量等离子体,用于加热和分解样品中的有机、无机物及重金属等,使其分解成离子。
离子在高温等离子体中被激发,发出光谱线,通过分光光度法检测其中含量,从而实现样品分析。
MP-ICP样品消解技术有以下优点:首先,消解速度快,样品处理时间短。
其次,样品容易处理,能够消解各种类型的样品。
此外,消解获得的溶液纯度较高,能够在低浓度下精确测得目标元素。
最后,消解的过程中减少了实验操作过程对特定元素污染的风险,提高了实验数据的质量和可靠性。
MP-ICP样品消解技术主要应用于环境监测,食品安全检测、地质矿产分析、医学诊断等领域。
以下以环境监测领域为例,介绍MP-ICP的应用。
1. 大气污染检测MP-ICP能够快速、高效地检测大气污染物的元素。
通过样品的消解,可将元素转化为离子,并通过光谱分析获得目标元素的浓度。
这种方法可以分析大气中的重金属和有机化合物元素,为环境污染数据提供依据。
土壤中的重金属、有机化合物等物质的检测一直是环境污染监测领域的难点之一。
使用MP-ICP样品消解技术,可以快速、准确地对土壤中的重金属、半金属、有机化合物进行分析。
MP-ICP同样适用于水体监测。
水中的污染物通常是溶解态的,因此要将其固定到离子态。
通过MP-ICP的消解技术,离子可以被激发发出光谱线,通过光谱线的强度和波长,获得目标元素的定量信息,为水体污染数据提供科学依据。
MP-ICP样品消解技术,是目前化学分析领域中应用较广泛的一种技术,其优点在于快速、准确、检测范围广、样品数量小、操作简便以及绿色、环保。
随着科学技术的发展,MP-ICP样品消解技术将在各领域发挥更大的作用。
微波等离子体化学气相沉积原理

微波等离子体化学气相沉积原理咱们先来说说啥是化学气相沉积。
简单来讲呢,就是让一些气体发生化学反应,然后在某个表面上形成一层薄膜。
就好比你给一个东西穿上一层特制的衣服一样。
这层薄膜可有大用处啦,可以让这个东西变得更耐磨、更耐腐蚀,或者有一些特殊的光学、电学性能。
那微波等离子体又是什么鬼呢?想象一下,微波就像是一种超级能量波。
当我们把它加到一些气体里面的时候,就会发生神奇的事情。
气体里的原子和分子就像是一群被老师点名的小朋友,突然变得超级活跃。
这个时候,这些气体就变成了等离子体。
等离子体可不是一般的东西哦,它里面有很多自由电子、离子,就像是一个充满活力的小宇宙。
在微波等离子体化学气相沉积这个过程里,微波就像是一个超级指挥家。
它指挥着那些气体分子和原子,让它们在一个特定的空间里欢快地跳舞。
那些作为原料的气体,在微波的作用下,原子和分子之间的化学键开始松动,就像小伙伴们之间松开了拉着的小手。
然后呢,这些松动的原子和分子就开始重新组合啦。
它们像是在玩搭积木的游戏,按照一定的规则组合在一起,形成我们想要的物质。
这个过程就像是魔法一样,原本是一些简单的气体,在这个特殊的环境下,就变成了一层漂亮又实用的薄膜,附着在我们预先准备好的基底上。
你知道吗?这个过程里还有很多有趣的小细节。
比如说,微波的功率大小就像是音乐的音量一样,会影响到整个反应的节奏。
如果功率太大,就像是音乐放得太响,那些气体分子可能会被吓得不知所措,反应就会变得很混乱。
要是功率太小呢,就像音乐声音太小,气体分子们又没什么活力,反应就会慢吞吞的。
而且呀,那些作为原料的气体种类也很重要呢。
不同的气体就像是不同性格的小伙伴。
有的气体很活泼,一进入这个微波等离子体的环境,就迫不及待地参与反应。
有的气体就比较害羞,需要别人拉一把才能开始反应。
这个微波等离子体化学气相沉积技术在很多地方都有大用处。
在电子行业里,它可以给芯片穿上一层薄薄的保护膜,让芯片变得更稳定、更可靠。
微波等离子体法合成SrAl2O4:Eu2+,Dy3+中激活剂的浓度猝灭研究

孙 文周 , 王 兵 蒋 亮 韩 非 马建 军 , , ,
绵 阳 6 11 ) 2 0 0
摘要 : 采用微波 等离子体法合成 SA: E “ , y 长余 辉发光材料 , rI :u D ¨ 0 通过对掺杂不同激活剂浓度 的产物 的光谱 性能 、 辉性 能、 组成结 余 相
作者 简介 : 孙文周 ( 9 3一) 18 ,女 , 士 , 硕 助教 ; 研究方 向:功能材料
杂离 子 的浓 度 超 过 某 一 个 范 围后 ,所 合 成 材 料 的
掺杂量的增加对 S 1 E ¨ , y r : :u D 光谱性能 、 A 0 余
辉性 能 、物相 结构 的影 响 , 一步 探讨 浓 度猝 灭 现 进
象 的机 制 。
1 实 验
1 1 样 品 的合 成 .
第2 7卷
第 6期
中 国 稀
土 学 报
20 09年 l 2月
De . 0 C 2 09
u 2 No 6 l 7 ,
J OURNAL OF T I tE C l ENE E RARE EARTH OCI t S S gT
…
微 波 等 离 子 体 法 合 成 SA2 r I04: u +, y +中激 活 剂 的浓 度 E2 D3
收稿 日期 : 0 9— 5—1 ;修订 日期 :20 0 2 20 0 8 09— 6— 0
率 、升 降 速率 、气体 压 力 、加 热 时 间等 工 艺 参数 一 定 的条件 下 , 过 改 变 激 活 剂 E : 的掺 杂 浓 度 , 通 u0
、
基金 项 目: 宁夏自治区国家民委省部共建“ 粉体材料与特种陶瓷” 重点实验室项 目 ( o) 四川省应用基础研究项 目 (4 093 - 资助 o4, 8 0J 2- 0 ) Y 1 2 6
微波与等离子体合成

利用微波能量激发气体分子,形成等离子体,通过调节微波功率和气体压力等参数,实现高效、环保的合成。
激光诱导等离子体合成
利用激光能量将固体材料表面加热至高温,形成等离子体,通过控制激光参数和扫描速度等条件,实现材料表面的改性和合成。
利用等离子体合成技术制备各种功能材料,如陶瓷、复合材料、薄膜材料等。
该技术具有高效、环保、节能等优点,可广泛应用于陶瓷、金属、复合材料等领域。
高功率微波等离子体合成技术的研究重点在于优化微波源、气体流动和反应条件,以提高合成效率和材料性能。
低温微波等离子体合成是指在低温环境下利用微波激发气体,产生等离子体,从而实现材料的合成和改性。
该技术特别适用于对温度敏感的材料,如生物材料、高分子材料等。
03
02
01
微波等离子体的特性
利用微波等离子体的高温、高密度和高活性特性,可实现材料的高效合成。
材料合成
通过微波等离子体处理材料表面,可改善材料的表面性能。
表面处理
利用微波等离子体的强氧化性,可有效去除空气中的有害气体和颗粒物。
环境治理
微波等离子体的应用
03
等离子体合成技术
等离子体合成利用等离子体的热力学和动力学特性,通过加热、电离、活化等过程,将原料转化为所需的物质或材料。
脉冲微波等离子体合成技术的研究重点在于优化脉冲波形、频率和能量,以及反应条件,以提高合成效率和材料性能。
脉冲微波等离子体合成
05
微波等离子体合成的挑战与前景
面临的主要挑战
等离子体稳定性问题:在微波等离子体合成过程中,等离子体的稳定性对合成效率和产品质量具有重要影响。然而,由于各种因素(如电源波动、气体流量变化、反应器结构设计等)的影响,等离子体容易发生不稳定,导致合成过程受阻或产品质量下降。
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3.
累积电离:分子先被激励成激发态,再经自由电子撞击而电离的
过程。
A e A*e
A*e A e e
b) 亚稳态粒子的作用及Penning电 离
• 亚稳态粒子的生成机制: 亚稳态
X e X m e
基态
X * X m hv(辐射跃迁)
X * e X m e( 无辐射跃迁)
基元过程,包括: a) 电子碰撞电离 b) 亚稳态粒子的作用及Penning电离 c) 离子碰撞电离 d) 光电离
a) 电子碰撞电离
• 根据电离机制,可以分为:
1. 直接电离:分A子 e受 (高高速速自) 由电子A撞 击e 而 e电 (离低的速过) 程;
2.
离解电离:多原子分子受到撞击发生离解电离的过程;
-
1.2 沸石分子筛的合成
• 沸石分子筛:
水热法 —— 能耗多,反应条件苛刻,周期长,回收率低;
微波辐射晶化法 —— 反应条件温和,能耗低,反应速率快, 粒径均一细小。
• 合成方法
NaA沸石的合成
• A型沸石:吸附剂,用于脱水、脱氨等等,可用于制备无磷洗衣
粉。
• 微波辐射合成条件:2450 MHz,65 ~ 325 W,5 ~ 20 min;
3. 正负离子碰撞复合 电荷交换复合:X Y X *Y *
三体复合: X Y M XY M KE
2.1.4 附着和离脱
电子
• 放电等离子体中的荷电粒子
正离子 负离子
• 附着:原子或分子捕获电子生成负离子的过程;
• 离脱:附着的逆过程。
• 附着机制:包括电子附着,辐射附着,三体附着,离解附着,等等。
1. 节省时间; 2. 降低能耗。
APO-5和APO-C的微波合成
• 磷酸铝分子筛:
• 合成方法:
在一定原料配比范围,可得到水热法不能得到的纯APO-5产物;
1. 水热法;
降低模板剂量及微波功率,缩短微波辐射时间,可获得APO-C。
2. 微波法
1.3 沸石分子筛的离子交换
1. 在微波作用下,水分子和稀土离子比使用一般
• 加热
微波与材料的相互作用
• 根据材料对微波的反射和吸收的情况不同可以分为四种类型:
1. 良导体 —— 金属物质,能反射微波,可用作微波屏蔽,也可用于传播微波能量
(如黄铜或铝波导管);
2. 绝缘体 —— 玻璃,云母,部分陶瓷材料等,可以被微波穿透,几乎不吸收微波
能量;
3. 微波介质 —— 能够不同程度地吸收微波能而被加热,特别是含水物质吸能升温
• 等离子体类型:
1. 热等离子体(高温等离子体)—— 焊弧,电弧炉,等等; 2. 冷等离子体(低温等离子体)—— 辉光放电,微波等离子体,等等。
2.2 等离子体中主要基元反应过程
1. 电离; 2. 激发; 3. 复合过程; 4. 附着和离脱。
2.1.1 电离过程
• 电离是形成微波等离子体(低温等离子体)必不可少的
效果明显;
4. 磁性化合物 —— 微波加热效果主要来自交变电磁场对材料的极化作用。交变电
磁场使材料内部的偶极子反复调转,产生更强的振动和摩擦,使材料升温。
1. 微波辐射法在无机合成中的应用
• 1986年,Gedye等人首次将微波技术应用于有机
合成;
• 1988年,Baghurst和Mingos等人首次用微波法进
(晶态 / 非晶态 / 玻璃体)
1.5 多孔晶体材料上无机盐的高度 分散
• 目的:使催化剂在高比表面积的载体上充分分散。
• CuCl2 / NaZSM-5的制备:
• 常规方法:在某温度下加热数小时或数十小时完成反应; • 微波法:家用微波炉6 ~ 10 min。
• 微波法的优势:
1. 可以获得高负载量的CuCl2; 2. 制备时间显著缩短; 3. 工艺过程简单。
行无机化合物和超导陶瓷材料的合成,以及之 后进行的有机金属化合物、配合物、嵌入化合 物的合成。
1.1 微波加热和加速反应机理
• 微波加热原理:介质材料一般可分为极性材料和非极性材料。在
微波电磁场作用下,极性分子从原来的热运动状态转向依照电磁场 的方向交变而排列取向,产生类似摩擦热,在这一微观过程中交变 电磁场的能量转化为介质内的热能,使介质温度出现宏观上的升高, 这就是对微波加热,即微波加热是介质材料自身损耗电磁场能量而 发热。
备
产业化应用与发展前景
• 新材料加工 • 微电子技术 • 航空航天工业
小结:无机合成制备方法
• 高温合成 • 低热固相合成 • 低温合成与分离 • 水热与溶剂热合成 • 高压合成
• 电解合成 • 无机光化学合成 • 化学气相沉积合成 • 微波与等离子体无机合成
微波辐射法:PbO2,500 W,30 min
• Pb3O4的制备 ——
• 碱金属偏钒酸盐的制备:
• 传统方法:碱金属碳酸盐200℃预热2h,混料,700~950℃,12~14h; • 微波辐射法:200~500 W,数分钟;
CuFe2O4的制备
CuO +
Fe2O3
研磨混合
微波辐射 (350 W,30 min)
样品质量、压紧密度、微波功率、反应物颗粒大小、添加剂种类和数量
2 微波等离子体化学
• 等离子体 —— 物质的第四态
加热
直流放电
放电
射频放电
光激励
• 获得方法
微波放电
微波等离子体的优势
• 属于无电极放电,不存在电极污染问题;
• 电动高能离温很度物大高质而,的气电制体子备分浓,子度 在温大 温度, 和较电 条低子 件和 下—气 完—体 成适的 通合温 常于度 需非比 要若高T稳e温/定T高g物压很种的大的反,合应即成;电,子
跃迁
光学允许跃迁 光学禁阻跃迁 —— 亚稳跃迁
2.1.3 复合过程
• 复合是电离的逆过程 —— 电离产生的正负荷电粒
子重新结合成中性原子或分子的过程,包括:
1. 三体碰撞复合
A e e A*e A* A hv
A*e A e hv
2. 辐射复合
e A A hv
辐射复合:
X Y XY hv
B A B A e
• 在辉光放电等离子体中该过程较不重要。
d) 光电离
• 分子受光照而电离的过程。
• 发生条件:设某种粒子的电离能为Ei,要求光子能
量满足
入射光 等离子体辐射
• 激发源
hv > Ei。
2.1.2 激发过程
• 在弱电离等离子体中,中性粒子的激发主要由
电子碰撞引起。
自由电子
基态原子 非弹性碰撞
CuFeO4 (四方或立方结构)
传统方法:23 h
La2CuO4的制备
CuO +
La2O3
研磨混合
微波辐射 (500 W,9 min)
La2CuO4
传统方法:12 ~ 24 h
YBa2CuO7的制备
CuO +
Y2O3 +
Ba(NO3)2
研磨
微波辐射
(500 W,5 min)
研磨
微波辐射
(130 ~ 500 W,15 min)
加热方法时运动速率更快,动能更大,离子能 够进入到较难交换的位置,离子交换更为充分;
2. 微波作用下,离子交换量更大;
3. 微波作用下,离子交换速率更快。
1.4 微波辐射法在无机固相反应中 的应用
• 微波辐射法:直接穿透样品,实现体加热 —— 热能利用率50 ~
70%
传统方法:PbO,470℃,30 h;
激发态
X
m
2X
X
m 2
X
亚稳态粒子参与的电离过程
• 亚稳态粒子的累积电离:
X m e X e e
• Penning电离:中性粒子与亚稳态粒子撞击而电离的过
程;
X m Y X Y e
• 亚稳态粒子间的碰撞电离:
X m X m X X e
c) 离子碰撞电离
• 分子受粒子撞击而电离的过程:
1. 合成产物相与原料配比密切相关; 2. 提高微波功率可以缩短辐射时间; 3. 原料化合物的搅拌和陈化对产物相有关键影响。
NaX沸石的微波合成
• NaX沸石:低硅铝比八面体结构,一般在低温水热条件下合成,
晶化时间为数小时至数十小时。
• 微波辐射合成条件: 2450 MHz,65 ~ 195 W,30 min; • 优势:
热惯性极小,配用微机控制特别适宜于加热过程的 热惯性大,操控精度差 自动化控制
无污染微波能自身不会对食品污染,在保持食品营
-
养成份的同时能在较低的温度下杀死细菌
对不同性质的物料有不同作用,非常适合于干燥
-
(注意有些物质温度愈高吸收性愈好,造成恶性循
环,出现局部温度急剧上升造成过干甚至炭化的情
况)
无废水、废气、废物产生,无辐射遗留物存在
研磨
排除NO2
微波辐射 (25 ~ 50 min)
YBa2Cu3O7-x (正交结构 —— 超导特性)
缓慢冷却
YBa2Cu3O7-x (四方结构)
稀土磷酸盐发光材料的微波合成
• 原料:以稀土离子磷酸盐为基质,某些稀土元素为激活
剂;
• 合原成料:
微波辐射7 ~ 10 min
稀土磷酸盐发光体
(溶液 / 凝胶)
等离子体的反应类型
A(s) B(g) C(g)
A(g) B(g) C(s) D(g)
集成电路中的等离子体刻蚀; 等离子体灰化去除光刻胶;
分析化学中的有机物样品低温灰 化; 等离子体化学气相输运,等等。
等离子体化学气相沉积; 溅射制膜,等等。