2020年硅光行业分析
中国硅钢行业发展现状及进出口分析
中国硅钢行业发展现状及进出口分析一、硅钢综述磁性材料是指由过渡元素铁、钴、镍及其合金等组成的能够直接或间接产生磁性的物质。
常用的分类是按照功能来划分，主要包括永磁材料、软磁材料和功能性磁材。
其中永磁材料和软磁材料既包括金属类，又包括铁氧体类，功能磁性材料主要有磁致伸缩材料、磁记录材料、磁电阻材料、磁泡材料、磁光材料，旋磁材料以及磁性薄膜材料等。
硅钢是又称为电工钢，按含硅量不同，硅钢分为低硅片（中低牌号）和高硅片（高牌号）两种。
低硅片具有一定的机械强度，主要用于制造电机，俗称电机硅钢片；高硅片磁性好，但是较脆，主要用于制造变压器铁芯，俗称变压器硅钢片。
按生产工艺不同，硅钢分为热轧和冷轧两种，冷轧硅钢又根据内部晶粒朝向分为取向硅钢和无取向硅钢。
取向硅钢的晶粒基本朝一个方向，含硅量较高，主要用于变压器制造。
无取向硅钢晶粒分布杂乱无章，含硅量较低，主要用于电机制造。
冷轧片厚度均匀，表面质量好，磁性较高，因此，随着工业的发展，热轧片有被冷轧片取代的趋势。
二、硅钢行业市场发展现状供给侧结构性改革政策的推动下，我国钢铁产能取得显著成效，行业内企业布局优化，加大了对取向电工钢产品的供应，行业产能利用率稳步提升。
据统计，2020年中国硅钢行业产能为1276万吨，产量为1118.11万吨，产能利用率为87.60%。
从细分产品市场来看，据统计，2020年中国硅钢片市场，无取向电工钢产量为960.49万吨，取向电工钢产量为157.62万吨。
其中其中，中低牌号无取向硅钢约760.2万吨，同比增长0.03%，占比79.15%；高牌号无取向硅钢约146.7万吨，同比增长35%，占比15.27%。
中低牌号仍占绝对地位，高牌号快速增长。
无取向硅钢主要用于家用电器、工业领域电机、大型电机、新能源汽车等领域。
据统计，2020年家用电器占比40%居下游需求首位。
伴随着工业电机及新能源行业发展，有望拉动硅钢需求持续攀升。
三、硅钢行业进出口量情况从进出口数量来看，2017年，我国从电工钢净进口国成为净出口国，完全摆脱了长期依赖进口的局面。
硅片和硅基材料行业发展分析与投资前景分析报告
行业市场规模
在全球电子信息行业发展加快背景下，全球信息电子行业产品将迎来新一轮变革。新一代物联网、人工智能等高科技产业的发展将推动全球半导体产业崛起，成为推动全球半导体硅片和硅基市场行业发展的主要动力，半导体硅片和硅基销售规模有望进一步扩大。除此之外，在中国政府鼓励半导体材料国产化的政策导向下，本土硅片和硅基材料厂商不断提升硅片和硅基研发能力和产品技术水平，逐渐打破了国外半导体厂商的垄断格局，推进中国硅片和硅基国产化进程。随着本土硅片和硅基厂商在8-12英寸硅片产能逐步释放，本土品牌企业有望迅速壮大，逐步进入全球硅片和硅基市场，促进全球硅片和硅基材料行业的发展。未来全球硅片和硅基材料行业市场将持续增长，到2023年全球硅片和硅基材料市场销售规模有望达到127.5亿美元，全球半导体硅片和硅基材料行业存在较大增长空间。
2）本土硅片和硅基材料企业的研发技术不断提高，逐渐发展扩大，丰富了硅片和硅基材料行业产品的种类，扩大了市场规模；
行业得以保持快速增长，主要因为受到以下三个因素的影响：
1）硅片和硅基材料行业的发展需要大量科学实验的支持，拉动产品的需求提升；
3）相关政策的逐渐完善，使得硅片和硅基材料的监管愈加完善，生产、消费、使用流程得到安全保障，促进了行业的发展。
中国当前的环境下，挑战与危机并存，中国正面临着最好的发展机遇期，在风险中寻求机遇，抓住机遇，不断壮大自己。自改革开放以来，政治体系日趋完善、法治化进程也逐步趋近完美，市场经济体系也在不断蓬勃发展；虽在一些方面上弊端漏洞仍存，但在整体上，我国总体发展稳中向好，宏观环境稳定繁荣，二十一世纪的华夏繁荣美好，对于青年人来说，也是机遇无限的时代。
半导体硅片和硅基是集成电路、光电器件、分立器件、传感器行业制造环节中的关键材料。受益于全球半导体厂商积极推进集成电路、光电器件、分立器件、传感器生产线扩张，全球半导体硅片和硅基市场需求得到快速释放。在经历了2013年-2014年连续增长后，2015年全球半导体硅片和硅基市场呈现下滑趋势，其主要原因是硅片和硅基厂商技术相对成熟，产品技术提升缓慢。与此同时，受经济危机影响，半导体行业的应用终端市场接近饱和致使应用终端市场增速放缓，导致半导体硅片和硅基市场低迷，硅片和硅基供需情况出现恶化。直到2016年下半年，全球经济回暖，通信、计算机、汽车产业、消费电子需求带动半导体硅片和硅基销量增加上升。2017年全球半导体硅片和硅基市场销售规模87.1亿美元，较2016年增长20.5%。2018年，随着全球半导体硅片和硅基厂商扩产产能逐步释放，6-8英寸半导体硅片出货量稳定。与此同时，物联网、云计算产业的崛起带动半导体硅片和硅基需求增长，2018年全球半导体硅片销售规模达到112亿元。但自2018年4月以来，受中美贸易战影响，半导体终端应用市场需求紧缩，芯片厂商囤货，导致半导体硅片和硅基市场销售规模下跌，2019年半导体硅片和硅基市场销售规模为110.6亿美元。
四大硅料公司对比
四大硅料公司对比一、产能对比根据Solarzoom数据，截至2020年底硅片企业产能为189GW，预计2021年将扩产至283.5GW，同比增长50%，按2021年单瓦硅耗2.9g计算，对应所需硅料为82.2万吨。
而从供给端来看，2020年底全球多晶硅产能60.9万吨，2021年新增产能主要集中在头部企业，且在四季度释放，有效产能为64.9万吨，供需格局明显错配。
四家公司目前产能规模相当，年底完成扩产后通威的产能规模会明显领先。
而从节奏来看21年随着硅片企业的频繁扩产以及下半年装机旺季来临，硅料的紧缺程度逐季度加深二、成本对比成本优势是未来扩产的保障：通威＜大全＜新特＜保利协鑫，过去两年行业惨淡，只有成本最低的通威敢大规模扩产三、利润弹性以通威股份为例，21年硅料出货在11.5万吨，平均生产成本39.5元/kg，其中新产能平均生产成本36.5元/kg。
硅料价格每上涨5元/kg，公司对应硅料利润可增加4.38亿元，具体弹性如下：四、回归市值估算：1、新特能源（1月14公告有意以发行A股的方式回归A股，参考福莱特玻璃）新特能源股份有限公司（股票代码：1799.HK）是特变电工股份有限公司（600089.SH）的控股子公司，成立于 2008 年，当年即开始投产多晶硅产能，目前最主要业务仍然是多晶硅生产及销售，同时公司也是新能源解决方案提供商，参与风能、光能的开发运营。
新特能源于2015 年12 月在港交所正式挂牌上市。
股东简介：特变电工股份有限公司为新特能源母公司及最大股东，持有 65.33%股。
IPO 时引入瓴睿一带一路投资公司、钥石集团、新疆能源投资及 Union Sky （史玉柱全资）四个基石投资者，首次发行总募集14.8亿港元，大部分资金用于自建新能源发电站运营（BOO）项目。
业务简介：新特能源共有四个业务分部，其中占主导地位的是多晶硅的生产及销售，占 2020 年上半年收入 41%；第二大收入来源是 ECC 项目（光伏、风力发电项目的建设承包），包含 EPC 及 BT 模式；第三部分业务为 BOO 项目（发电站的运营）；其他收入主要包括逆变器、 SVG 的生产销售以及其他零星业务。
半导体行业：2020年三季度机构持仓分析-Q3半导体配置仓位新高，进口替代趋势不变
Q3半导体配置仓位新高，进口替代趋势不变2020年三季度机构持仓分析►股票仓位维持高点，制造业整体超配从各类资产仓位来看，公募基金股票仓位环比些微下降，但整体维持高点，股票资产占资产总值的比例由2020年Q2的77.7%上升至2020年Q3的75.44%，环比下降2.16个pct。
整个三季度来看，由于欧美等海外地区第二、第三波疫情复发，加上美国总统大选将至，风险偏好有所下降，上证综指由三季度初的3025点上涨至三季度末的3218点，上涨193点，相较于二季度的涨幅有所收窄。
根据公募基金公布的中报数据显示，以证监会行业划分来看，公募基金股票仓位持仓中制造业的市值最高，占股票投资总市值的62.64%。
从超配情况来看，公募基金股票持仓在制造业中超配的比例最高，制造业股票市场标准行业配置比例为52.12%，公募基金超配10.52个百分点。
►基金重仓行业偏好轮动，电子重仓股市值维持第三2020年三季度公募基金重仓持股市值排名来看，前5大重仓行业分别为食品饮料、医药生物、电子、电气设备、非银金融，行业重仓配置占比分别为16.93%、14.31%、13.33%、8.02%、6.67%。
在公募基金重仓持股市值前40的个股中，医药生物有7家，食品饮料行业有6家，电子有6家，电气设备有5家，非银金融有3家，家用电器2家，银行2家，房地产2家，传媒2家，交通运输1家、化工1家，机械设备1家，休闲服务1家，有色金属1家。
贵州茅台是重仓持股总市值最高的个股，重仓持股总市值最高的电子股是立讯精密、海康威视、歌尔股份、三安光电、兆易创新和紫光国微，重仓持股总市值分别为604.41亿元、183.69亿元、165.36亿元、151.19亿元、149.80亿元、130.40亿元。
►半导体行业逆势增长，集成电路在基金重仓配置电子行业中的占比持续提升从申万电子二级分类角度来看，半导体重仓持股市值环比增加，创下12个季度以来历史新高，半导体行业重仓持股的行业配置比例也由2020年二季度的3.53%提升至2020年三季度的3.98%。
硅光子晶体结构参数对其带隙宽度影响分析
硅光子晶体结构参数对其带隙宽度影响分析作者：王婷婷杨运兴李支新孙晶来源：《科技创新与应用》2020年第24期摘 ;要：借助光子晶体的理论知识和平面波展开法理论方法，依托Matlab、Comsol等计算分析软件，分析了二维三角晶格硅光子晶体结构参数对带隙宽度的影响。
就基元形状与旋转角度等结构参数调整对光子带隙宽度的影响进行模拟以及研究。
结果发现，在一种固定晶格的光子晶体中，其他条件为定量时，基元形状所占的空间比例越大，光子带隙显现出的结构越好;基元面积固定时，其旋转角度的改变只和带隙宽窄有关，而对带隙的中心频率无影响，或者影响不大。
关键词：硅光子晶体;二维三角晶格;结构参数;带隙宽度;平面波展开法中图分类号：O734 文献标志码：A ; ; ; ; 文章编号：2095-2945（2020）24-0020-03Abstract： Based on the theoretical knowledge of photonic crystals and the theoretical method of plane wave expansion method， the influence of the structural parameters of two-dimensional triangular lattice silicon photonic crystals on the band gap width is analyzed by using Matlab，Comsol and other kinds of calculation and analysis software. The influence of structural parameters such as element shape and rotation angle on photonic band gap width is simulated and studied. The results show that in a fixed lattice photonic crystal， when other conditions are quantitative， the larger the proportion of space occupied by the primitive shape， the better the structure of the photonic band gap appears; when the element area is fixed， the change of its rotation angle is only related to the width of the bandgap， but has no or little effect on the center frequency of the band gap.Keywords： silicon photonic crystal; two-dimensional triangular lattice; structural parameter; width of the bandgap; plane wave expansion method1 概述目前电子领域发展面临集成和微型化极限，颇难突破瓶颈，急需通过选择其他有良好性能且符合需求的器件材料实现性能提升[1-2]。
硅光子晶体结构参数对其带隙宽度影响分析
2020年24期创新前沿科技创新与应用Technology Innovation and Application硅光子晶体结构参数对其带隙宽度影响分析*王婷婷，杨运兴，李支新，孙晶*（吉首大学物理与机电工程学院，湖南吉首416000）1概述目前电子领域发展面临集成和微型化极限，颇难突破瓶颈，急需通过选择其他有良好性能且符合需求的器件材料实现性能提升[1-2]。
在经过大量的尝试和探索后发现，硅基光子晶体有以下几点特性：一是损耗低；二是成本少；三是能效高；四是易制备。
因此，这类晶体凭借其多种优良的特性得以发展[3]。
光子晶体内部光子受到周期性的约束和影响，且其具有光子带隙[4-6]（photonic band gap ，PBG ）。
PBG 中是禁止任何光入射并传播的，其对于光子晶体掌控光的能力起决定性作用，它的宽度越宽，表明光子晶体掌控光的频域范围越大。
针对此，结构参数是PBG 的一个重大影响因素，通过对预先设计好的光子晶体结构改变参数变量并不断优化，得到更为理想的PBG ，从而达到满足高集成、小尺寸的工艺目标。
但面对硅光子晶体器件结构的设计和应用以及实现部分功能的问题上，由于缺乏相关结构参数的理论研究分析，研究过程显得尤为缓慢[7-8]。
本文首先通过光子晶体的理论基础和平面波展开法，建立了二维三角晶格硅光子晶体模型；定量分析了三角晶格内基元形状以及旋转角度等结构参数因素对其带宽的影响；最后总结了模拟计算得出的结果分析并对今后实验研究提供一定的参考依据。
2理论方法在模拟计算光子晶体内光子带隙时，平面波展开法[9]将电磁场量与介电常数以傅里叶级数展开，并用平面波形式表达，再利用一个特征方程代替转化的Maxwell 方程组，求解该特征方程的特征值得到其带隙特征，有如下形式：光子晶体对应于一些倒格子矢量的周期介电函数（对于所有二维的晶体周期而言，i=1，2）。
在这种情况下，周期特征问题的布洛赫-弗洛凯定理表明方程的解：（1）可以被表达为包含有特征值（2）在每个布洛赫波矢k ⭢处的倒格子上产生一个不同的埃尔米特本征问题。
江苏苏州亨通光电-硅光模块研发及量产项目可行性研究报告
江苏苏州亨通光电-硅光模块研发及量产项目可行性研究报告100G/400G硅光模块研发及量产项目1、项目概况本项目为硅光模块产品新建项目，项目设计年产能为120 万只100G 硅光模块和60 万只400G 硅光模块。
本项目总投资110,475 万元，包括建设投资95,732 万元，铺底流动资金14,743万元。
本次发行募集资金拟投入86,500 万元。
2、项目必要性（1）符合国家战略，响应国家产业政策本项目从事的产业为国家鼓励类产业，属于《产业结构调整指导目录（2019年本）》鼓励类第二十八类“信息产业”的第21 项“新型电子元器件制造”，属于《战略性新兴产业分类（2018）》（国家统计局令第23 号）“1 新一代信息技术产业”之“1.2 电子核心产业”。
属于《鼓励外商投资产业目录（2019 年版）》（国家发改委、商务部2019 年底27 号令）中全国鼓励外商投资产业目录制造类第二十二条第294 项“新型电子元器件制造”。
项目涉及的产品属于《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录（2016 版）》中的“1 新一代信息技术产业”之“1.3电子核心产业”中。
亨通光电作为光通信行业的领军企业之一，形成光纤通信和量子通信全产业链及自主核心技术，并不断拓展新的战略空间，致力于打造“产品+运营+服务”全价值链综合服务商，所从事的大部分产业领域，均属于国家战略性新兴产业。
本项目的实施，将有望填补国内高速硅光子芯片集成模块量产的空白，推动国家战略性新兴产业健康、绿色、可持续发展。
（2）提升光通信行业技术水平，追赶国际一流目前，硅光子技术已经发展起步，基本由国外公司掌握，相应产品绝大部分的市场份额被国外公司垄断。
我国的半导体激光器产业化水平是光通信产业链中最薄弱的环节，高端激光器芯片几乎全部依赖进口。
可工程化的Ⅲ-Ⅴ族材料工艺和硅基光电子工艺平台能力是研发25Gb/s激光器芯片、硅基相干光收芯片、WSS 芯片以及配套的半导体集成电路所需要的，是制约国内企业与研究机构在核心芯片上快速创新的瓶颈，也是制约国产芯片大规模应用的主要瓶颈。
光伏产业分析报告
光伏产业分析报告光伏，是指利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术。
目前光伏技术路线大体可分为二类，即晶硅与薄膜,其中晶硅又分为单晶与多晶路线。
晶硅光伏产业链基本上是由五个环节构成,分别为晶体硅原料生产、硅片切割、电池片制造、组件及系统封装与应用集成。
下图为光伏产业链基本结构。
图：光伏晶硅产业链的基本结构一、多晶硅环节(一）行业介绍多晶硅是光伏产业的关键原材料，位于产业链上游环节,其生产工艺即是硅的提纯工艺。
按照纯度的不同，多晶硅可分为电子级和太阳能级。
目前硅的纯度主要用N级来表述，太阳能级多晶硅的纯度主要在6N-11N间（99.9999%—99。
999999999％），电子级多晶硅主要在9N以上.电子级多晶硅的主要制备方法是改良西门子法和硅烷法;太阳能级多晶硅的制备方法主要有西门子法、改良西门子法、硅烷法、冶金法等。
多晶硅行业主要的参与企业有美国Hemlock公司、美国MEMC（现为SunEdison) 、德国WACKER（瓦克）、挪威REC、日本Tokuyama、韩国OCI、中国的江苏中能（GCL控股)、特变电工TBEA、洛阳中硅、重庆大全新能源、宜昌南玻、亚洲硅业、四川瑞能、曲靖云冶等等。
（二)行业发展趋势从区域分布来看，相较于硅片、组件，多晶硅是光伏制造端壁垒较高的环节，表现在生产技术复杂、投产周期长等,多晶硅生产技术长期以来掌握在美欧日韩企业手中。
由于国内企业技术突破，近几年来,多晶硅逐渐形成中、美、韩、德四国竞争的情形.我国多晶硅产能大约占全球的43％，预计未来这一比例将逐年上升，未来几年多晶硅制造商将持续减少,集中度会进一步增加.从产品需求来看，短期内我国多晶硅略有缺口，仍然需要大量进口，因为国产多晶硅与进口多晶硅的品质方面存在较大的差距。
2014年我国多晶硅进口量为10.2万吨，2015年上半年多晶硅进口量已达6万吨.从技术工艺来看，改良西门子法以及流化床（FBR，生产出的硅料为颗粒料）技术持续进步。
2019-2020年中国半导体行业市场现状与发展前景分析报告
设备；IC封测主要用封测产进行采购，
包括拣选、测试、贴片、键合等环节。 目前，中国半导体设备国产化低于
20%，国内市场被国外巨头垄断。
9
10 11
减薄机
检测设备 分选机
国产化程度小于20%
国产化程度小于20% 国产化程度小于20%
产业链中游游集成电路产业分析
2017全年中国集成电路产量达到1564.9亿块，与2016年相比增长17.8%。在一系列政策措施扶持
u1.2 半导体分类 u2.半导体产业链分析 u2.1 产业链构成 u2.2 产业链上游材料及设备分析 u2.3 产业链中游集成电路产业分析 u2.4 产业链下游需求分析 u3.半导体行业发展环境分析 u3.1 政策环境分析 u3.2 经济环境分析 u3.3 技术环境分析
目 录
CONTENTS
u4.半导体行业发展现状
u4.1 u4.2 u4.3 u4.4
全球半导体销售额情况 中国半导体销售额情况 中国半导体进出口情况 中国半导体市场规模
u5.行业主要企业分析 u5.1 银禧科技 u5.2 南风股份 u5.3 银邦股份 u5.4 东睦股份 u5.5 先临三维 u6.行业发展前景分析
01
半导体行业简介
半导体产业转移历程
中游制造产业
分器件
光电子
下游应用产业
通信及智能手机 PC/平板电脑
传感器 集成电路 工业/医疗 消费电子 IC 设 计 IC 制 造 IC 封 测 其他
PVD
光刻机
检测设备
其他
产业链上游材料及设备分析
1.半导体材料市场规模及构成情况
半导体材料是指电导率介于金属和绝缘 体之间的材料，半导体材料是制作晶体管、集 成电路、光电子器件的重要材料。半导体材料 主要应用在晶圆制造和芯片封测阶段。 在半导体材料市场构成方面，大硅片占 比最大，占比为32.9%，其次为气体，占比为 14.1%，光掩膜排名第三，占比为12.6%，其后
硅基光电子集成技术前沿报告
硅基光电子集成技术前沿报告目录一、微电子技术、光电子技术与硅光技术 (1)二、硅光技术定义与特点 (3)（一）超高兼容性 (3)（二）超高集成度 (4)（三）强大的集成能力 (5)（四）超大规模制造能力 (6)三、国内外硅光技术和产业发展现状 (7)四、硅光技术中微电子与光电子融合的难题和挑战 (10)(一)急需构建适用于大规模光电集成芯片的元器件库 (10)(二)急需加强光电子融合芯片的工艺能力和基础积累 (11)(三)急需强化光电子融合芯片的架构设计能力 (11)(四)急需增强光电子融合芯片的封装及调控技术 (11)五、硅光技术发展前景展望以及相关政策建议 (12)一、微电子技术、光电子技术与硅光技术自从1958年第一颗集成电路，特别是Intel CPU发明以来，微电子技术便一直遵循着摩尔定律发展，已经成为信息社会发展的主要驱动力之一。
在过去的半个世纪里，微电子芯片的集成规模提升了十亿倍以上。
据悉，采用5nm CMOS工艺的苹果处理器芯片A14内部已集成了150亿颗晶体管，其运算性能可比肩目前性能最强的MacBook 笔记本电脑。
我们生活中的每个角落都充斥着各种各样的微电子芯片，它们感知、处理并产生了海量的信息，让人类社会变得越来越智能和便捷，但是这些数字化信息的传递和通信成为一大难题。
为了解决信息传输问题，人们注意到了另一种信息载体——光子。
光子可以以宇宙中最高的速度传输，其传输速率不会随着传输通道变窄而变慢，而且不易发生串扰，因此十分适合信号的通信和传输。
相比于电导线互连，光通信技术具有超高速率、超大容量、超长传输距离和超低串扰等显著优势，因而被广泛地应用在电信网络、卫星通信、海底通信、数据中心和无线基站等通信设备中。
目前，人类社会超过95%的数字信息需要经过光通信技术来传播，其重要性不言而喻。
光通信系统所必需的光源、调制（电信号转换为光信号）、传输、控制、探测（光信号转换为电信号）等功能都需要通过光电子器件来实现。
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2020年硅光行业分析
一、流量驱动硅光技术迫在眉睫 (2)
二、分离器件光芯片及电芯片瓶颈，硅光成为大势所趋 (4)
三、光模块标准收敛,硅光产业化具备标准基础 (6)
传统激光器芯片速率、成本受限；复杂调制电芯片价格昂贵；800G以上光模块技术规范收敛提升硅光规模化市场空间；硅光成为下一代光通信技术的大势所趋。
硅光带来市场变化：1）硅光技术极大降低光模块的封装技术难度，硅光引擎将会成为竞争重点；2）传统激光器芯片多采用IDM模式，硅光技术产业链有望进入FABLESS模式，比利时IMEC、新加坡AMF、格芯半导体等都具备了硅光芯片的制造能力；3）硅光规模化后将极大降低对某些无源器件的需求，降低封装成本。
目前硅光市场集中度高，Intel和Luxtera沉浸该行业多年，实现了硅光模块的小批量出货。
尽管硅光行业出现了不少初创公司，但无论是出货数量还是成本都无法与Intel和Luxtera竞争。
国内方面：中距离方案部分厂家实现了单片集成，如SiFotonics 与亨通光电；长距离方案集成难度大，硅光方案以SiFotonics为代表，混合EML方案以光迅科技、剑桥科技为代表，另外博创科技通过参股Sicoya，天孚通信通过定增布局硅光引擎。
一、流量驱动硅光技术迫在眉睫
5G推动了超大规模云数据中心对400 Gb/s光网络连接的需求，数据中心交换机速率正依摩尔定律不断加倍。
数据流量高速增长，成为硅光技术需求的原生动力，但目前光模块仍面临如下问题：三五族半导体激光调制间距受限，25Gbps成为传输速率瓶颈；
随着速率提高，光芯片成本递增，电芯片DSP复杂度提高
6。