大学二年级2003年模拟电子技术期末考题
电子技术考题(2003秋季学期)
哈工大2003 年秋季学期电工技术试题一、1. 电路及参数如图1所示。
(10分)试求：（1）I1、I2和I3 。
（2）恒压源和恒流源的功率，并表明是吸收还是发出功率。
图12. 有源二端网络N的开路电压U0为9V，若联接如图2 (a)所示，则得电流为1A。
若联接成(b)图所示，当电流源电流为1A，求电路中的电流I为多少？(8分)图2（a）（b）二、1. 电路如图3所示，I1=10A, U ab=100V, X C1= X C2＝10Ω, R=X L=5Ω。
试求：（1）I2、I和U。
（2）电路的功率因数及消耗的有功功率P。
（7分）图32. 电路如图4所示，已知R=R1=R2=10Ω, L=31.8mH, C=318uF, 电源频率f=50Hz ，uω10t=。
Vsin2试求：（1）i1、i2及i。
(2) 电路的有功功率P及无功功率Q 。
（10分）三、有一三相对称负载，联接成星形Y。
Z＝8＋j6Ω,电源电压U L＝380V。
试求：（1）I P、I l及三相平均功率。
（2）若将负载接成Δ，求I P、I l及三相平均功率。
（5分）四、电路如图5所示，换路前电路已稳定，求t ≧0 时，A 点电位A v 的变化规律。
（10分）图5五、1．有一RLC 串联电路，R =16Ω, L =0.3mH ,C =204pF, 当发生谐振时f 0 = , 当频率高于谐振频率时，电路是（电容性 电感性）。
2．有一交流铁心线圈，如将铁心截面积加倍，线圈的匝数和电源电压保持不变，则铁心中的磁感应强度（加倍 不变 减半）、线圈中的电流（加倍 不变 减半）。
3．图示电路中，用箭头标示出当开关闭合时副边电流的实际方向。
4．一台三相交流电动机的功率为20kW ，电压为380V ，功率因数0.9，额定转速为1480r/min ，效率为85％。
额定转矩为_______牛米，线电流为_____安培。
额定转差率为_____%。
5．电动机的继电接触器控制系统中一般含有_____保护、_____保护和_____保护环节。
北京科技大学2003-2004电子技术试题题目
《电子技术》期末考试试卷（A 卷）
学院 班级
（时间120分钟）
学号
姓名
题号
一
二
三
四
得分
评阅
审核
题号
得分 评阅 审核
卷面实际 评分
பைடு நூலகம்卷面分
平时成绩
占总分 % 占总分 %
成绩总分
得分
一、简答题（每题6分，共30分）
在下图的各电路中，设二极管均为理想二极管。试判断各二极管是否导通，并求uo的值。
5.边沿触发型JK触发器及其J、K输入端的波形如图，试画出Q端的波形。
得分 二、计算题（每题6分，共30分）
6.如图是稳压管电路，已知Ui=22v，Iz为2-100mA，Uz=10v，R＝100Ω，求稳压管正常工作时， RL允许变化的范围。
7.有一乙类互补对称功率放大电路（图省略），直流电源UCC=UEE=25V，负载电阻RL=6Ω，忽略管 子的饱和压降，求电路的最大输出功率，电源提供的最大功率、效率。
8. 电路如图所示，试求出输出电压表达式。
9.数制转换： 将（9A6B.3C）H转化为二进制数；（2）将（748）D转化为十六进制数 10.某D/A转化器电路，二进制数为B=1001010101，满刻度输出电压Um=5V，试求最小分辨率电 压ULSB，分辨率和基准电压UR。
得分 三、综合推理题（共18分）
2.已知一三极管的三极电流流向如图所示，I1=-1.2mA，I2=-0.03mA，I3=1.23mA，试判断其各
−
个管脚，晶体管类型和 β 大小。
3.试从下面几个方面比较场效应管和晶体管的异同：载流子、控制方式、输入电阻、热稳定性、 工艺。 4. 电路如图所示，试判断各引入了什么类型的反馈，并指出对放大电路的输入和输出电阻的影 响。
《 模拟电子技术 》试卷A-附答案(华南理工大学)
诚信应考,考试作弊将带来严重后果！华南理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A (2011.07.04)1. 考前请将密封线内填写清楚；2. 闭卷考试；所有题均直接答在试卷纸上；选择题(在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。
每小题2分，共20分) ．二极管D 的正偏电压D 0.62V U =，电流D 1mA I =，其交流电阻d r = ( )。
A ．620ΩB ．13ΩC ．26ΩD ．310Ω．集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( )。
A ．抑制温漂B ．增大放大倍数C ．展宽频带D ．降低输出电阻 ．已知图1所示电路中 V CC ＝12V ，R c ＝3kΩ，静态管压降 CEQ ＝6 V ；输出端负载电阻 R L =3 kΩ，若发现电路输出电( )。
A ．R W 减小 B ．R c 减小C ．V CC 减小D ．R b 减小．用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻 R e ，将使电路的( )。
A ．差模放大倍数增大B ．对共模信号抑制能力增强C ．差模输入电阻增大D ．输出电阻降低．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )，而低频信号作用时放( ) 。
A ．耦合电容和旁路电容的存在B ．半导体管极间电容和分布电容的存在。
C ．半导体管的非线性特性D ．放大电路的静态工作点不合适图16．欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 ( )。
A ．电压串联负反馈B ．电压并联负反馈C ．电流串联负反馈D ．电流并联负反馈7．欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用( )；将方波电压转换成三角波电压，应选用( )。
A ．积分运算电路B ．微分运算电路C ．反相比例运算电路D ．乘方运算电路8．如图2所示框图，要使由基本放大电路及正反馈网络构成的电路能产生正弦波振荡，其起振条件是( )。
(n 为整数)A. πA F n ϕϕ+=，1=F AB. 2πA F n ϕϕ+=，1>F AC. 2πA F n ϕϕ+=，1=F AD. πA F n ϕϕ+=，1>F A9．若图3所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U CES │， 则最大输出功率 P om ＝( )。
2007-2008第二学期模拟电子技术期末试卷A详细答案
2007 - 2008学年第二学期《模拟电子技术》期末试卷（A）姓名：学号：专业班级：__________（请考生注意，本试卷共6页）8小题,每空1分, 总计20分）1. PN结的伏安特性方程 i =I S(e U/UT-1)，表明PN结呈现单向导电性。
2. 放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为 U A= -9V，U B= -6.2V，U C= -6V，则该三极管是锗PNP 型三极管，A为集电极；B为基极；C为发射极。
3. 对于下图所示的电压跟随器，其输出电压与输入电压的关系是 u o＝u i，输入电阻趋于零；输出电阻趋于无穷大，该电路是电压串联类型反馈电路（反馈组态）。
4．多级放大电路与各单级放大电路比较，多级放大电路压增益大，单级放大电路通頻带宽。
5．双端输入、双端输出差动放大电路如下所示，已知静态时V O=V C1-V C2=0，设差模电压增益|A VD|=100，共模电压增益A VC=0，V i1=10mV，V i2=5mV，则差模输入电压V id为 5mV ，共模输入电压V ic为7.5mV ，输出电压|V o|= 0.5V 。
6.所示放大电路中引入的反馈组态是电流串联负反馈。
该反馈能稳定电路的输出电__流_。
7．场效应管（FET）用于放大时，应工作在恒流区。
8．为了稳定放大器的静态工作点，应引入直流负反馈；为了稳定放大器的交流性能，应引入交流负反馈。
v o二、选择题（共10小题，每题1分，总计10分）1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ C ]A．温度 B．掺杂工艺的类型C．杂质浓度 D．晶体中的缺陷2.滞回比较器有2个阈值电压，因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，其输出状态将发生次跃变。
［ A ］A. 1B. 2C. 3D. 03.当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为。
[ C ］A. 反向偏置但不击穿B. 正向偏置但不击穿C. 反向偏置且被击穿D. 正向偏置且被击穿4.双极型晶体管工作在饱和区的偏置条件是 [ A ]A．发射结正偏；集电结正偏 B．发射结正偏；集电结反偏C．发射结反偏；集电结正偏 D．发射结反偏；集电结反偏5.组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
2003模拟2试题 123
（1）解：电压并联负反馈
（2）
4、稳压管稳压电路如图3-4所示。已知稳压管稳压值为5伏，稳定电流范围为10mA~50mA，
限流电阻R=500 。试求：
（1） 当
（2）当
答案：D1截止D2导通，U0=-6
2、请标示出图2-2中的理想运放的输出电压的大小。
答案：4v
3、请指出图2-3中的电路是何种电路。
4、请简要回答集成运算放大器在信号运算方面的应用有哪些？
三、综合计算题（50分）
1、请对图3-1中的电路做以下分析：
设Q1的参数UBEQ、 和 为已知，请
（1）作出电路的直流、交流通路图；
A B C — D
5、当我们将两个带宽均为BW的放大器级联后，级联放大器的带宽[ ]。
A小于BW B等于BW C大于BW D不能确定
6、在放大器中引入不同反馈可以改变放大器的不同性能。当我们希望达到稳定输出电流时应该引入[D]。
A电压正反馈B电压负反馈C电流正反馈D电流负反馈
7、为了有效地放大 ~ 频段的信号（ > ）而抑制其它频率的信号，放大器应该具有的幅频响应曲线是[D]。
2003年《模拟电子技术基础（2）》期末试题A卷
一、单项选择题：20分（10个 2分/个）请从每小题所给的四个选项中选择出正确一项，将其字母填在题后的括号内。
1、对于稳压二极管，它正常工作时是处于[B]状态。
A正向导通B反向击穿C截止D随外加电压变化而变化
2、当一个NPN三极管工作于放大状态时，其三个电极的偏置电压满足关系式[C]。
A耦合电容和旁路电容等大电容的影响B晶体管极间电容和分布电容等小电容的影响
C晶体管的非线性特性D放大电路的静态工作点设置不合适
2003模拟电子技术基础试题A
学号：
命题
李继凯
6．稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿 ． ． ． 7．设硅稳压管 DZ1 和 DZ2 的稳定电压分别为 5V 和 8V，正向压降均为 0.7V，可求出 图中电路的输出电压 Vo 为____C_____。 A．4.3V B. 8V C. 5V D. 0.7V ．
（1）电容虚焊，UO（AV）≈ 电容虚焊， 18 V。 电容虚焊 V。 （2）负载电阻开路，UO（AV）≈ 28 负载电阻开路， 负载电阻开路 （3）电路正常，UO（AV）≈ 电路正常 24 V。 电路正常， A．18 B. 28 C. 24 ．
D. 9
15． 在单级共集电极放大电路中， 若输入电压为正弦波形， vo 和 vi 的相位_____A____。 则 A．同相 B. 反相 C. 相差 90 度 D. 不确定 ． 16．在甲类放大电路中，放大管的导通角等于____B_____。在乙类放大电路中，放大 管的导通角等于____A_____。 A. 180o B. 360o C. 270o
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。 信
电路。
班
11、 测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示， 由此可知该管为 A A．Ge，PNP 管 B．Ge，NPN 管 C．Si，PNP 管 D．Si，NPN 管 ． ， ． ， ． ， ． ，
。
12． 如果希望减小放大电路从信号源获取的电流 ， 同时希望增加该电路的带负载能力， 则应引入____B_____。 A. 电流串联负反馈 B. 电压串联负反馈 C. 电流并联负反馈 D. 电压并联负反馈 电压并联负反馈 。 13．石英晶体发生串联谐振时，呈现 B A．电感性 B．纯阻性 C．电容性 ． ． ． 14．图示电路，已知变压器副边电压有效值 U2 为 20 伏，RLC≥3T/2。在下列三种情况 下，求出输出电压平均值 UO（AV） ，选择正确答案填入空内：
(完整版)模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
模拟电子技术复习题及答案
模拟电⼦技术复习题及答案⼀、填空题：1、电⼦电路中常⽤的半导体器件有⼆极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如硅和锗等。
半导体中中存在两种载流⼦：电⼦和空⽳。
纯净的半导体称为本征半导体，它的导电能⼒很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：N型半导体——多数载流⼦是电⼦；P型半导体——多数载流⼦是空⽳。
当把P型半导体和N型半导体结合在⼀起时，在两者的交界处形成⼀个PN结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：截⽌区、放⼤区区和饱和区。
为了对输⼊信号进⾏线形放⼤，避免产⽣严重的⾮线形性失真，应使三极管⼯作在放⼤区内。
当三极管的静态⼯作点过分靠近截⽌区时容易产⽣截⽌失真，当三极管的静态⼯作点靠近饱和区时容易产⽣饱和失真。
3、半导体⼆极管就是利⽤⼀个PN结加上外壳，引出两个电极⽽制成的。
它的主要特点是具有单向性，在电路中可以起整流和检波等作⽤。
半导体⼆极管⼯作在反向击穿区时，即使流过管⼦的电流变化很⼤，管⼦两端的电压变化也很⼩，利⽤这种特性可以做成稳压管。
4、场效应管利⽤栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流，是⼀种电压控制器件。
场效应管分为结型型和绝缘栅型两⼤类。
5、多极放⼤电路常⽤的耦合⽅式有三种：阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。
6、在本征半导体中加⼊ 5 价元素可形成N型半导体，加⼊ 3 价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常⽤的偏置电路有镜像电流源、⽐例电流源和微电流源等。
8、不同类型的反馈对放⼤电路产⽣的影响不同。
正反馈使放⼤倍数提⾼；负反馈使放⼤倍数降低；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作⽤是稳定静态⼯作点，交流负反馈能够改善放⼤电路的各项动态技术指标。
9、电压负反馈使输出电压保持稳定，因⽽减⼩了放⼤电路的输出电阻；⽽电流负反馈使输出电流保持稳定，因⽽增⼤了输出电阻。
串联负反馈增⼤了放⼤电路的输⼊电阻；并联负反馈则减⼩了输⼊电阻。
大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(二)
大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1、当PN结外加正向电压时，P区接电源极，N区接电源极，此时，扩散电流漂移电流。
2、二极管最主要的特性是。
3、一个放大电路的对数幅频特性如图所示。
由图1-3可知，中频放大倍数|A vm|=__ __。
图1-3 图1-74、乙类放大器中每个晶体管的导通角是_ __，该放大器的理想效率为__ __，每个管子所承受的最大电压为__ _____。
5、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_ _作用和对共模信号的_ _作用。
6、小功率直流稳压电源由变压、、__ __、四部分组成。
7、图1-8 (a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为___________ 型和___________型，用半导体材料___________和___________制成，电流放大系数β分别为___________和___________。
二、选择题图2-3 图2-8 图2-9 图2-101、图2-3所示复合管中，下列答案正确的是( )。
A NPN 型B PNP 型C 不正确 2、N 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。
A 空穴 B 三价元素 C 五价元素 3、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝2Ｖ，V 2＝2.7Ｖ， V 3＝6Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：e 、2：b 、3：cB 1：c 、2：e 、3：bC 1：c 、2：b 、3：eD 其它情况4、用万用表直流电压档测得电路中PNP 型晶体管各极的对地电位分别是：V b ＝－12.3Ｖ，V e ＝－12Ｖ，V c ＝－18Ｖ。
则三极管的工作状态为（ ）。
A 放大B 饱和C 截止5、判断图2-5电路中的反馈组态为（ ）。
A 电压并联负反馈B 电压串联负反馈C 电流串联负反馈D 电流并联负反馈6、已知降压变压器次级绕组电压为12V ，负载两端的输出电压为10.8V ，则这是一个单相( )电路．A 桥式整流B 半波整流C 桥式整流电容滤波D 半波整流电容滤波7、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（ ）。
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2003年模拟电子技术期末试题（A卷）
一、选择题（四选一）（本题满分16分，其中2分/题）
1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（）
A 电子
B 空穴
C 三价硼元素
D 五价磷元素
2、晶体三极管用于放大时，应使发射结、集电结处于（）
A 发射结正偏、集电结反偏
B 发射结正偏、集电结正偏
C 发射结反偏、集电结正偏
D 发射结反偏、集电结反偏
3、为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（）
A 共射电路
B 共集电路
C 差动放大电路
D 乙类放大电路
4、场效应管本质上是一个（）
A 电流控制电流源器件B电流控制电压源器件
C 电压控制电流源器件D电压控制电压源器件
5、负反馈所能抑制的干扰和噪声是（）
A 输入信号所包含的干扰和噪声
B 反馈环内的干扰和噪声
C 反馈环外的干扰和噪声
D 输入信号中的干扰和噪声
6、所谓放大器工作在闭环状态，是指（）
A 考虑信号源内阻
B 有反馈网络
C 接入负载
D 信号源短路
7、与甲类功率放大器比较，乙类功率放大器的主要优点是（）
A 不用输出变压器
B 不用输出大电容
C 效率高
D 无交越失真
8、双端输出的差动放大电路能抑制零点漂移的主要原因是（）
A 电压放大倍数高
B 电路和参数对称性好
C 输入电阻大
D 采用了双极型电源
二、填空（本题满分14分，其中1分/空）
1、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，
B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为型管，A为极，B为极，C为极。
2、工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1m A增大到2m A，它的β为，α为。
3、由于不易制造大容量电容，集成电路采用耦合。
4、负反馈放大电路产生自激振荡的幅值平衡条件是，相位平衡条件是。
5、乙类功率放大器在理论上最高效率为，它存在的主要问题是。
6、在差动放大电路中，若Ui1=20mV,Ui2=0mV，则电路的差模输入电压为，共模输入电压为。
分）
1、判断下列各电路能否正常地放大正弦交流信号？若不能，指出其中的错误，并
加以改正（在原图上加以改正，或文字说明均可）。
（6分）
a图b图
2、判断下图各电路能否产生正弦振荡。
（4分）
a图b图
四、(本题满分20分)
已知电路如下图所示，晶体管的β=100，r bb’=100 ，U BE=0.7V。
1、计算静态工作点
2、画出微变等效电路
3、计算电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
五、（本题满分14分）
电路如下图所示，管子的β=50，r bb’=100 ，R1上的压降可以忽略，U BE=0.7V。
计算：1、静态时的I c1 、I c2、U c1、U c2
2、计算差模电压放大倍数A d、差模输入电阻R id 、差模输出电阻R od 。
六、（本题满分10分）
已知电路如下图所示，
1、说明电路引入哪两种级间反馈，是直流反馈还是交流反馈？还是两者兼有？
2、试判断交流反馈的极性和类型。
3、在满足深度负反馈的条件下，估算电压放大倍数。
七、（本题满分16分）
已知电路如图所示
1、说明A1、A
2、A
3、A4各组成什么电路
2、试求出Uo1、Uo2、Uo
3、Uo4对Ui1、Ui2、Ui3的运算关系。
02/03学年第二学期《模拟电子技术》试题答案
一、选择：（16分 其中：2分/题）
1、D
2、A
3、C
4、C
5、B
6、B
7、C
8、B
二、填空：（14分 其中：1分/空）
1、 PNP 锗 e b c
2、 100 1
3、 直接
4、 AF=1 △фAF=±（2n+1）π 其中n=整数
5、 78.5% 交越失真
6、 10mV 10mV
三、（10分 其中： 1题6分，2题4分）
1、a 图：不能放大交流信号
改正：—Vcc 改为+Vcc ，加上集电极电阻Rc
b 图：不能放大交流信号
改正：把电阻R B 接地的一端接上直流电压+Vcc
2、a 图：不能产生正弦振荡
b 图：不能产生正弦振荡
四、（20分）
1、V U B 2125
255=⨯+= mA I CQ 1= mA I BQ 01.0= V U CE 7.5=
2、略
3、2.8-=u A Ω=k R i 7.3
五、（14分）
1、mA I I C C 26.021==
V U C 4.21= V U C 152=
2、2.47-=d A
Ω=K R id 6.10
Ω=K R od 30
六、（10分）
1、1F R 是交直流型的级间反馈，2F R 是直流型的级间反馈。
2、电压串联负反馈
3、=u A 1+1
1
E F R R
七、（16分）
1、 A1是同相比例运算电路 A2是反向求和电路
A3是差动运算电路 A4是反向积分运算电路 2、113i O U U =
=2O U —（322i i U U +） )(2123O O O U U U -= t U U U U i i i O )23(2.03214++=。