晶体管_工作原理_输出
晶体管的工作原理和应用
晶体管的工作原理和应用晶体管是一种电子器件，广泛应用于电子技术领域。
它以其小巧、高效等特点而备受关注。
本文将介绍晶体管的工作原理以及其在电子设备中的应用。
一、晶体管工作原理一般而言，晶体管由三个不同类型的半导体材料构成，分别是N型半导体、P型半导体以及P-N结。
晶体管通过控制电流的流动来实现电子信号的放大和开关的控制。
晶体管的工作原理主要基于PN结的正向偏置和反向偏置。
当PN 结处于正常工作区域，也就是PN结正向偏置时，电流可以在PN结中自由流动。
而当PN结反向偏置时，电流流动受到一定限制。
在晶体管中，有三个电极：发射极（Emitter）、基极（Base）以及集电极（Collector）。
当开放输入信号时，电流从发射极流向基极，这一过程导致发射区域局部增加电子浓度。
而由于基区较薄，电流便进一步到达集电区，形成电流放大。
二、晶体管的应用晶体管的应用范围非常广泛，下面将介绍其中几个主要领域。
1. 放大器晶体管在放大器中起到放大电子信号的作用。
通过合适的电路连接，晶体管能够放大输入信号，使其达到更高的输出功率。
在音频放大器、射频放大器等设备中，晶体管被广泛使用。
2. 开关晶体管的另一个重要应用是作为开关。
通过控制基极输入电流的大小，晶体管可以实现电流的开关控制。
在计算机、通信设备等各种电子产品中，晶体管被广泛用于数字信号的开关控制。
3. 时钟电路在电子产品中，如计算机、手机等，晶体管也被用于时钟电路。
时钟电路可以提供一个稳定的时钟信号，用于同步各个电子元件的工作。
4. 逻辑电路晶体管的可控性使其非常适合用于逻辑电路。
逻辑电路是数字电子电路的基础，通过晶体管的开关能力，逻辑电路可以实现各种逻辑运算和控制。
总结：晶体管作为一种重要的电子器件，在现代科技中起到了举足轻重的作用。
通过了解晶体管的工作原理和应用，我们可以更好地理解它在电子设备中的重要性。
随着科技的不断发展，晶体管的应用将会更加广泛，为我们的生活带来更多便利。
单结晶体管工作原理
单结晶体管工作原理单结晶体管（Single Crystal Transistor，SCT）是一种基于单晶材料制造的晶体管，其工作原理与普通晶体管相似，但由于采用了单晶材料，具有更好的电子迁移率和更低的漏电流，因此在高频和高速应用中具有更好的性能。
单结晶体管的工作原理主要包括三个方面：电子注入、电子传输和电子输出。
1. 电子注入当单结晶体管处于关闭状态时，基极（Base）与发射极（Emitter）之间的电压较低，导致发射极与基极之间的空间区域形成一个带电荷的屏蔽区。
当向基极施加正向电压时，电子从发射极注入到基极，通过热激发或光激发的方式，使得基极区域的电子浓度增加。
2. 电子传输注入到基极的电子会受到基极与集电极（Collector）之间的电压作用力，向集电极方向移动。
在单结晶体管中，由于单晶材料的特性，电子的迁移率较高，因此电子能够快速地通过基极区域，达到集电极。
3. 电子输出当电子通过基极区域到达集电极时，集电极与发射极之间的电压较高，形成一个电子输出电路。
在这个电路中，电子会从集电极流出，进入外部电路，完成电流的输出。
单结晶体管的工作原理可以通过以下步骤来总结：1. 当单结晶体管处于关闭状态时，发射极与基极之间形成一个带电荷的屏蔽区。
2. 当向基极施加正向电压时，电子从发射极注入到基极，增加基极区域的电子浓度。
3. 注入到基极的电子受到电压作用力，向集电极方向移动。
4. 电子快速地通过基极区域，到达集电极。
5. 集电极与发射极之间形成一个电子输出电路。
6. 电子从集电极流出，进入外部电路，完成电流的输出。
单结晶体管的工作原理使得其在高频和高速应用中具有较好的性能，例如在通信领域中的射频放大器、混频器和频率合成器等电路中广泛应用。
此外，由于单结晶体管具有较低的漏电流，还可以用于低功耗的电子器件和集成电路中。
总之，单结晶体管是一种基于单晶材料制造的晶体管，其工作原理主要包括电子注入、电子传输和电子输出。
晶体管工作原理
晶体管工作原理
晶体管工作原理
1、电子效应：晶体管是利用电子的能量来控制信号的输出和输入的。
当信号输入到晶体管的电极之一时，会出现电子效应。
这个电子效应
相当于在另一个电极上将信号出现反向电压，使得另一端电极上产生
电压。
而晶体管电压决定了晶体管是导通还是不导通。
2、增益：晶体管工作时会有一定的增益，这个增益主要决定了输入信
号到输出信号的放大程度。
3、晶体管特性：晶体管具有一些特殊的特性，如低介电常数，高介电
常数，低绝缘电阻，高绝缘电阻等。
4、晶体管元器件：晶体管是由一些元器件组合而成的，如晶体管结，
中央晶体穴，电容，变压器等，它们都起到了很重要的作用。
5、控制功能：晶体管有控制功能，可以将外部输入的信号放大，转换，并有选择地输出电压或电流，从而实现信号的控制。
6、存储功能：晶体管还具有一定的存储功能，可以将输入的信号存储，在特定的条件下释放出来，从而形成控制环节。
7、稳定性：晶体管还具有很高的稳定性，可以有效的抑制外界的干扰，保证信号的准确传达。
8、应用：晶体管的应用非常广泛，可以用于电脑，电视，手机，数字
时钟等电子设备中。
总结：晶体管是一种功能强大的电子元件，利用电子效应，具有增益、特性、控制、存储等功能，并具有良好的稳定性，广泛用于各种电子
设备。
晶体管的工作原理和讲解
晶体管的工作原理和讲解
晶体管是一种半导体器件，用于控制电流流动，实现信号放大、开关和逻辑运算等功能。
它是现代电子设备的基础组成部分之一。
晶体管的工作原理基于三个区域的P-N结构，这三个区域分别被称为发射区（Emitter）、基区（Base）和集电区（Collector）。
晶体管通常有两种类型：NPN型和PNP型。
在NPN型晶体管中，发射区是N型材料，基区是P型材料，集电区是N型材料。
而在PNP型晶体管中，发射区是P型材料，基区是N型材料，集电区是P 型材料。
晶体管的工作原理可以简单地解释为：
1. 漏极电流（Collector Current）：当在基极（Base）和发射极（Emitter）之间施加一个正向电压时，发射区会注入大量的电子进入基区。
这些电子由于基区的薄弱性，会进一步扩散到集电区，形成漏极电流。
2. 基极电流（Base Current）：当在基极和发射极之间施加一个正向电压时，通过基极电流，控制发射极电流的大小。
基极电流的变化会导致发射区电流的变化，进而影响整个晶体管的工作状态。
3. 放大作用：晶体管的基本功能之一是放大电流。
当基极电流增加时，发射区电流也会相应增加，进而影响漏极电流。
这样，晶体管可以将一个较小的输入电流信号放大为一个较大的输出电流信号。
4. 开关作用：当基极电流非常小或为零时，晶体管处于关断状态，漏极电流接近于零。
当基极电流达到一定阈值时，晶体管处于导通状态，漏极电流可流动。
总之，晶体管的工作原理是基于控制发射区电流的大小来实现信号放大和开关功能。
这使得晶体管成为现代电子设备中广泛使用的元件之一。
单结晶体管工作原理
单结晶体管工作原理引言概述：单结晶体管是一种重要的电子器件，其工作原理对于理解现代电子技术的发展具有重要意义。
本文将详细介绍单结晶体管的工作原理，包括电荷输运、电流控制和场效应等方面。
一、电荷输运1.1 空穴和电子的运动单结晶体管中的电荷输运是通过空穴和电子的运动实现的。
空穴是正电荷的载流子，电子是负电荷的载流子。
当外加电压施加在单结晶体管的源极和漏极之间时，空穴和电子将在导体中形成电流。
1.2 空穴和电子的扩散在单结晶体管的PN结处，空穴和电子会发生扩散现象。
当PN结正偏时，空穴和电子会向PN结的中心区域扩散，形成电流。
这种扩散现象是单结晶体管中电荷输运的重要过程。
1.3 PN结的反向偏置当PN结反向偏置时，空穴和电子将被PN结的电场推向远离PN结的方向，从而阻挠电流的形成。
这种反向偏置是单结晶体管工作中的关键步骤，可以控制电流的流动。
二、电流控制2.1 基极电流的控制在单结晶体管中，基极电流是控制电流的关键。
当基极电流增大时，单结晶体管的电流也会增大；当基极电流减小时，单结晶体管的电流也会减小。
通过控制基极电流的大小，可以实现对单结晶体管的电流控制。
2.2 集电极电流的放大单结晶体管具有电流放大的特性。
当基极电流较小时，单结晶体管可以将其放大到较大的集电极电流。
这种电流放大效应使得单结晶体管在电子技术中得到广泛应用，例如放大器和开关等方面。
2.3 饱和区和截止区单结晶体管的电流控制是通过将其工作在饱和区或者截止区实现的。
当单结晶体管处于饱和区时，其电流将达到最大值；当单结晶体管处于截止区时，其电流将为零。
通过调整基极电流的大小，可以将单结晶体管控制在不同的工作区域。
三、场效应3.1 栅极电压的调节单结晶体管中的场效应是通过栅极电压的调节实现的。
当栅极电压增大时，单结晶体管中的电流也会增大；当栅极电压减小时，单结晶体管中的电流也会减小。
通过调节栅极电压的大小，可以实现对单结晶体管的电流控制。
3.2 导电沟道的形成在单结晶体管中，栅极电压的变化会导致导电沟道的形成。
《晶体管》 讲义
《晶体管》讲义一、什么是晶体管在现代电子世界中，晶体管是最为关键的元件之一。
简单来说，晶体管是一种用于控制电流流动的半导体器件。
它就像是电子电路中的一个“开关”，能够根据输入的信号来决定电流是否通过，以及通过的大小。
晶体管的出现彻底改变了电子技术的发展进程。
在晶体管诞生之前，电子设备主要依赖体积庞大、效率低下且容易发热的真空管。
而晶体管体积小、重量轻、功耗低，性能却更为出色，这使得电子设备能够变得更加小巧、高效和可靠。
二、晶体管的工作原理要理解晶体管的工作原理，首先需要了解一些半导体的知识。
半导体材料，如硅和锗，其导电性能介于导体（如铜、铝）和绝缘体（如橡胶、塑料）之间。
晶体管主要有两种类型：双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。
双极型晶体管是由两个 PN 结组成的。
PN 结是在一块半导体材料中，通过特殊的工艺使一部分成为 P 型半导体（富含空穴），另一部分成为 N 型半导体（富含电子），它们的交界处就形成了 PN 结。
当给双极型晶体管的基极施加一个小电流时，就能够控制从集电极到发射极的大电流流动。
这是因为基极电流的微小变化会引起集电极和发射极之间电流的较大变化，从而实现电流的放大作用。
场效应晶体管则是通过电场来控制电流的流动。
根据结构的不同，场效应晶体管又分为结型场效应管（JFET）和金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。
以 MOSFET 为例，它有一个栅极、源极和漏极。
栅极上的电压能够改变沟道的导电能力，从而控制源极和漏极之间的电流。
三、晶体管的分类晶体管的分类方式多种多样。
按照导电类型，可分为 NPN 型和 PNP 型双极型晶体管，以及 N 沟道和 P 沟道场效应晶体管。
按照材料，可分为硅晶体管和锗晶体管。
按照封装形式，常见的有塑料封装、金属封装、陶瓷封装等。
按照功率大小，可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。
不同类型的晶体管在性能、用途等方面都有所差异，需要根据具体的应用场景来选择合适的晶体管。
三极管npn的工作原理
三极管npn的工作原理
NPN三极管是一种常用的双极型晶体管，在电子器件中应用广泛。
它由三个掺杂不同类型的半导体材料构成，分别是N 区（负电荷载流子区）、P区（正电荷载流子区）和N区（负电荷载流子区）。
NPN三极管的工作原理如下：
1. 开关状态：当无外加电压时，NPN三极管处于关闭状态，没有电流流过。
此时，基区没有电流通过，无法使集电极和发射极之间产生足够的电压来放大输入信号。
2. 放大状态：当在基极和发射极之间施加一个电压时，基区会形成电流，这个电流也称为基电流。
当基电流足够大时，它会将NPN三极管推至工作状态，这时集电极和发射极之间存在较大的电压差，从而形成放大效应。
通过调节基电流的大小，可以调整NPN三极管的放大倍数。
具体工作过程如下：
1. 输入：将输入信号（例如电压或电流）加到基极，通过控制基电流的大小来控制NPN三极管的放大倍数。
2. 放大：当正向偏置电压（例如外加电压）施加到集电极和发射极之间时，电子从发射极流向基极，同时由于浓度差异，少数载流子空穴从基极进入集电极，形成电流放大效应。
3. 输出：输出信号从集电极取出。
总之，NPN三极管的工作原理是基于控制基电流从而控制集电极和发射极之间的电压差，以实现信号放大的效果。
晶体管工作原理
晶体管工作原理
晶体管是一种半导体元件，用于控制和放大电流。
它由三个不同类型的半导体材料组成：P型半导体、N型半导体和掺杂的
中间层（一般用砷或氮等元素掺杂的硅材料）。
晶体管的工作原理基于PN结的特性，即P型和N型半导体之间形成的界面。
在晶体管中，有三个区域：发射区（Emitter）、基极区（Base）和集电区（Collector）。
发射区和集电区都是N型半导体，而基极区是P型半导体。
当正向偏置电压施加在PN结上时，形
成一个正电荷在P型半导体和N型半导体之间的空间，这使
得发射区的电流开始流动。
当一个信号电流施加在基极区时，这会改变PN结上的空间电
荷层，从而影响发射区和集电区之间的电流。
这是因为基极区的信号电流能够控制PN结的电流通过，并进一步影响整个晶
体管的电流传输。
当信号电流增加时，发射区的电流也相应增加。
晶体管的放大效果是通过控制基极区的信号电流和集电区的电压来实现的。
基极区的电流负责控制晶体管的输出，并将输入信号放大。
当信号电流增加时，集电区之间的电流也会增加。
因此，晶体管可以实现信号的放大效果。
总的来说，晶体管的工作原理是利用PN结的性质来控制和放
大电流。
通过控制基极区的电流和集电区的电压，晶体管可以放大输入信号。
这使得晶体管广泛应用于各种电子设备中，如计算机、电视、电话等。
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实验二晶体管测试一、实验目的：1．熟悉晶体二极管、晶体管晶体管和场效应管的主要参数。
2．学习使用万用电表测量晶体管的方法。
3．学习使用专用仪器测量晶体管的方法。
二、实验原理：（一）晶体管的主要参数：晶体管的主要参数分为三类：直流参数、交流参数和极限参数。
其中极限参数由生产厂规定，可以在器件特性手册查到，直接使用。
其它晶体管参数虽然在手册上也给出，但由于半导体器件的参数具有较大的离散性，手册所载参数只能是统计大批量器件后得到的平均值或范围，而不是每个器件的实际参数值。
因为使用晶体管时必须知道每个管子的质量好坏和某些重要参数值，所以，测量晶体管是必须具备的技术。
下面结合本次实验内容，简介晶体管的主要参数。
1．晶体二极管主要参数：使用晶体二极管时需要了解以下参数：（1）大整流电流I F ：二极管长期运行时允许通过的大正向平均电流，由手册查得。
（2）正向压降V D ：二极管正向偏置，流过电流为大整流电流时的正向压降值，可用电压表或晶体管图示仪测得。
（3）晶体管大反向工作电压V R ：二极管使用时允许施加的大反向电压。
可用电压表或晶体管特性图示仪测得反向击穿电压V(BR) 后，取其1∕2即是。
（4）反向电流I R：二极管未击穿时的反向电流值。
可用电流表测得。
（5）高工作频率f M ：一般条件下较难测得，可使用特性手册提供的参数。
（6）特性曲线：二极管特性曲线可以直观地显示二极管的特性。
由晶体管特性图示仪测得。
2．稳压二极管主要参数：稳压二极管正常工作时，是处在反向击穿状态。
稳压二极管的参数主要有以下几项：（1）稳定电压V Z：稳压管中的电流为规定电流时，稳压管两端的电压值。
手册虽然给出了每种型号稳压二极管的稳定电压值，但此值的离散性较大，所以手册所给只能是一个范围。
此值必须测定后才能使用稳压二极管。
可用万用电表或晶体管特性图示仪测量。
（2）稳定电流I Z：稳压管正常工作时的电流值，参数手册中给出。
使用晶体管特性图示仪测量此项参数比较方便，可直接观察到晶体管稳压管有较好稳压效果时对应的电流值，便是此值。
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3．晶体管主要参数：（1）直流电流放大系数-β：可用电流表或晶体管特性图示仪测得集电极电流I C 和基极电流I B 后算出，也可用数字万用表的H FE 档测得。
计算公式：BCE C I I I -=β-式中I CE0是晶体管的穿透电流。
当此值很小时，可以使用下式：BCI I ≈β-数字万用表的H FE 档是专用来测量晶体管-β值的。
其提供的测试条件为：基极电流I B约10μA 、VCC 约2.8V 。
其测得值不太精确，只能作为参考。
（2）穿透电流I CE0 ：基极开路时的I C 值，此值反映了晶体管的热稳定性，越小越好。
用电流表测得。
（3）交流电流放大系数β ：I C 与I B 的变化量之比。
可由电流表或晶体管特性图示仪测得ΔI C 和ΔI B 后根据下式计算：BCI I ∆∆=β 该参数也可表为h fe 。
两者略有区别：β是指对应实际工作条件时的ΔI C 与ΔI B 之比，而h fe 是指在给定条件下（一般由生产厂给定）的ΔI C 与ΔI B 之比。
β与h fe 的值基本相等，所以在使用时常常不予区别。
（4）反向击穿电压BV CE0 ：基极开路时，C 、E 之间的击穿电压。
也可表示为 U （BR ）CE0 。
在使用中是一项重要的参数，可由电流表、电压表配合测得。
使用晶体管特性图示仪测量十分方便。
测量时应注意集电极功耗电阻应取10K 以上，避免击穿时集电极电流过大，使被测晶体管因功耗过大烧毁。
（5）其它参数或在一般条件下不易测得，或在使用中意义不大，不再介绍。
如果在使用中用到，可由晶体管参数手册查阅。
4．场效应管的主要参数（1）饱和漏电流（I DSS ）：这是结型（JFET ）或耗尽型场效应管（MOSFET ）的一项重要参数，是指场效应管栅源电压（V GS ）为零时的漏极电流（I D ）。
可用电流表或晶体管图示仪测得。
（2）夹断电压（V P 或U GS(off)）：结型或耗尽型场效应管的重要参数，是指当结型场效应管栅—源之间加足够高的负偏压时，导电沟道完全闭合，漏极电流近似为零时的栅源电压（V GS ），可用万用表或晶体管图示仪测得。
实测时，为便于测量，规定V P 对应的小漏极电流值。
（3）开启电压（V on 或U GS(th)）：这是增强型MOS 场效应管的一项重要参数，是指漏源电压（V DS ）为固定数值条件下，能建立导电沟道，产生漏极电流（I D ）所需的小GS V 值。
（4）低频跨导（g m ）：这是反映场效应管放大能力的一项参数，可用万用表或晶体管图示仪测得。
定义：在V DS 为固定值的条件下，GSDm V I g ∆∆=（S 或mA ∕V ）其它参数的定义和测试方法与晶体管差不多。
（二）使用万用电表电阻档测量晶体管：指针式万用电表（500型）的“电阻档”，可测量元件的电阻值。
其原理为：万用表内部电池作为测量电源，流过被测元件的电流使指针偏转，根据欧姆定律制作表盘的“电阻档”刻度，因此可以根据表盘刻度直接读出被测器件的电阻值。
当被测电阻的阻值为零时，指针偏转大（满度）。
万用表Ω×1～Ω×1K 档使用内部的1.5V 电池，Ω×10K 档使用内部的9V 电池。
由图2.1可以看出，万用表的黑表笔连接内部电池的正极，红表笔连接内部电池的负极，使用时应该注意。
使用指针式万用电表测量半导体器件，是借用万用电表内部的电池作为测量电源，根据指针偏转的情况判断晶体管的某些参数。
由于“电阻档”不是专门为测量晶体管而设计的，所以其电阻档的读数没有实际意义，只能作定性的判别。
数字式万用表（890型）具有专门测量晶体二极管和晶体管的功能，它的。
))) 档可用于测量二极管PN 结的单向导电性。
该档的显示值大约等于二极管正向导通压降（mV ）。
测试条件为：正向电流约1mA ，开路电压约2.8V 。
数字万用表的表笔颜色与内部电池的极性一致，即：红表笔接内部电池的正极，黑表笔接内部电池的负极。
数字万用表的H FE 档用于测量晶体管的-β值，测试条件为：I B ≈10μA ，VCC ≈2.8V 。
1．二极管的测量：一个质量好的二极管，应该是反向电阻趋于无穷大，正向电阻越小越好。
（1）使用指针式万用表：使用指针式万用表测量二极管，通过测量二极管PN 结的单向导电性来判断二极管的引脚极性和质量好坏。
使用Ω×1K 档，测量二极管的正、反向电阻，测得的电阻值越小，说明电路中的电流越大，导电性能越好；电阻值大，说明电路中的电流小，导电性能差。
当电阻值小时，二极管处于正向导通状态，这时黑表笔连接的引脚是二极管的正极。
见示意图2.2 。
好的硅二极管应该是反向电阻无穷大，正向电阻小于10K Ω。
（2）使用数字万用表：使用数字万用表的。
)))档，可以测量二极管的正向导通电压。
当电表指示数字高位为“1”，其它位空白时，表示被测电路的电阻无穷大，晶体管处于反向截止状态；当指示为3位数时，为正向导通状态，其显示的数值约等于二极管的正向导通电压毫伏（mV ）值。
在正向导通状态，红表笔连接的是二极图2.1 万用表....图 2.2 测量二管正极。
2．稳压管的测量：在外加反向电压小于“反向击穿电压”时，稳压管的特性如普通二极管，可用上述方法检测其正、反向电阻，来判断是否损坏，以及判断引脚极性。
由于500型指针万用表的Ω×10K 档使用9V 电池，因此对于稳压值小于9V 的稳压管，如果使用Ω×10K 档来测量，则正、反向都会导通。
3．发光二极管（LED ）的测量：同普通二极管。
但由于发光二极管的正向导通电压约2V ，因此使用指针式万用表测量时，必须使用Ω×10K 档。
如果使用Ω×1K 档测量，正、反向都不导通。
4．晶体管的测量：晶体管是由两个PN 结（发射结、集电结）组成的器件，一般具有3个引脚（某些型号晶体管（例如3DG56型）具有四只引脚，其中一个脚接管壳，供接地屏蔽用）。
使用万用表可以判别晶体管的极性（NPN 或PNP 型）、管脚（e 、b 、c ）和估计晶体管的性能好坏。
图2.3所示为NPN 和PNP 型晶体管的PN 结结构。
根据图示结构，可以使用万用电表区分出晶体管的极性和接脚。
以下的测量方法适用于数字表和指针表。
（1）区分晶体管的基极b ：由图2.4可以看出，如果在c 、e 之间加测量电压，无论电源方向如何，总有一个PN 结处于反向偏置状态，电路不会导通。
测量方法：用万用表的红、黑表笔分别接触晶体管的任意两个管脚，测量一次后，如果电阻值无穷大（指针表的表针不动；数字表只显示“1”），则将红、黑表笔交换，再测这两个管脚一次。
如果两次测得的电阻值都是无穷大，说明被测的两个管脚是集电极c 和发射极e ，剩下的一个则是基极b 。
如果在两次测量中，有一次的阻值不是无穷大，则换一个管脚再测，直到找出正、反向电阻都大的两个管脚为止。
（如果在三个管脚中找不出正、反向电阻都大的两个管脚，说明晶体管已经损坏，至少有一个PN 结已经击穿短路。
）图2.3 晶体三极管内部PN 结结构NP Nebc（a）NPN 型三极管.PN Pebc（b）PNP 型三极管.图2.4测量三极管PN 结（a）NPN 型三极管.（b）PNP 型三极管.红表笔黑表笔红表笔黑表笔要想区别e 和c ，需要测出晶体管的极性后再进一步测量。
（2）区分晶体管的极性（NPN 、PNP ）： 测出晶体管的基极b 后，通过再次测量来区分晶体管是NPN 型还是PNP 型。
由图2.5可知：当在基极加测量电压的正极时，NPN 管的基极对另外两个极都是正向偏置，而PNP管的基极对另外两个极都是反向偏置。
所以测量方法如下：将万用表的正表笔（指针表的黑表笔；数字表的红表笔）接触已知的基极，用另一支表笔分别接触另外两个管脚，如果另外两个管脚都导通，说明被测管是NPN 型，否则是PNP 型。