晶体管结构与工作原理
晶体管工作原理
晶体管工作原理晶体管是一种半导体器件，它在现代电子技术中起着至关重要的作用。
晶体管的工作原理是通过控制电场来控制电流，从而实现信号放大、开关控制等功能。
它的发明和应用对电子技术的发展产生了深远的影响。
本文将从晶体管的结构、工作原理和应用等方面进行介绍。
首先，晶体管的结构包括P型半导体、N型半导体和栅极等部分。
P型半导体和N型半导体之间形成PN结，当加上一定电压时，PN结会形成电场，从而控制电流的流动。
栅极则用来控制电场的形成，进而控制电流的流动。
晶体管的结构简单，但是却能实现复杂的功能，这也是它被广泛应用的重要原因之一。
其次，晶体管的工作原理是基于半导体材料的特性。
半导体材料在特定条件下能够表现出导电或者绝缘的特性，这种特性可以通过控制电场来实现。
晶体管的工作原理是通过控制栅极电压来改变PN结的电场强度，从而控制电流的流动。
这种电场控制电流的特性使得晶体管能够实现信号放大、开关控制等功能。
最后，晶体管在现代电子技术中有着广泛的应用。
它被广泛应用于放大电路、开关电路、逻辑电路等各种电子设备中。
晶体管的小尺寸、高可靠性和低功耗等特点使得它成为现代电子设备中不可或缺的部分。
同时，随着半导体技术的不断发展，晶体管的性能也在不断提高，为电子技术的发展提供了强大的支持。
综上所述，晶体管作为一种半导体器件，其工作原理是通过控制电场来控制电流，从而实现信号放大、开关控制等功能。
它的结构简单，但却能实现复杂的功能，这也是它被广泛应用的重要原因之一。
晶体管在现代电子技术中有着广泛的应用，成为电子设备中不可或缺的部分。
随着半导体技术的不断发展，晶体管的性能也在不断提高，为电子技术的发展提供了强大的支持。
单结晶体管工作原理
单结晶体管工作原理单结晶体管是一种常见的电子器件，广泛应用于集成电路和电子设备中。
它是一种半导体器件，由单个晶体材料制成，具有优异的电子性能和稳定性。
本文将详细介绍单结晶体管的工作原理。
一、结构组成单结晶体管由三个主要部分组成：基底、源极和栅极。
基底是单晶硅材料，它提供了整个器件的机械支撑和电流传输的通道。
源极是与基底相连的区域，它负责控制电流的注入和排出。
栅极是位于源极和基底之间的绝缘层，它通过控制栅极电压来控制源极和基底之间的电流流动。
二、工作原理当单结晶体管处于关闭状态时，栅极和基底之间的电压为零，此时源极和基底之间的电流无法流动。
当栅极施加正向电压时，栅极和基底之间形成电场，使得基底中的电子被吸引到栅极附近。
由于栅极和基底之间的绝缘层的存在，电子无法通过绝缘层流向源极，因此电流无法形成。
当栅极施加负向电压时，栅极和基底之间的电场被抑制，电子无法被吸引到栅极附近，此时源极和基底之间的电流仍然无法形成。
当栅极施加适当的正向电压时，栅极和基底之间的电场被适度放大，使得基底中的电子能够克服绝缘层的阻挡，从而流向源极。
这样就形成了从源极到基底的电流，也称为漏极电流。
栅极电压的大小决定了漏极电流的大小，从而控制了单结晶体管的工作状态。
三、特性与应用单结晶体管具有以下特点和应用：1. 高频特性：由于单结晶体管的尺寸小且结构简单，使得它具有较高的工作频率和响应速度。
因此，它广泛应用于无线通信、雷达、微波等高频电子设备中。
2. 低功耗：单结晶体管的工作电流较低，使得它具有较低的功耗特性。
这使得它适用于便携式电子设备和低功耗电路。
3. 可靠性：单结晶体管由单个晶体材料制成，具有较高的稳定性和可靠性。
它能够在广泛的温度范围内工作，并且不易受到外界干扰。
4. 集成度高：单结晶体管可以通过微细加工技术实现高度集成，从而在小尺寸芯片上实现复杂的电路功能。
这使得它成为现代集成电路的重要组成部分。
总结：单结晶体管是一种重要的电子器件，具有优异的电子性能和稳定性。
晶体管的结构和工作原理
晶体管的结构和工作原理晶体管是一种半导体器件，它是现代电子技术中最重要的组成部分之一。
它可以放大和控制电流，是计算机、电视、手机等电子设备的基础。
了解晶体管的结构和工作原理对于理解现代电子技术至关重要。
晶体管的结构主要由三个区域构成：发射区（Emitter）、基区（Base）和集电区（Collector）。
这三个区域通过不同的掺杂方式形成PN结（正负电荷结），从而形成晶体管的特殊性能。
晶体管的工作原理可以简单地描述为：当发射区的P型半导体与基区的N型半导体通过PN结相连时，PN结处形成了耗尽层。
此时，发射区的P型区域中存在着自由电子，而基区的N型区域中存在着正电子。
发射区的自由电子因为浓度较高，会向基区的耗尽层扩散。
而在基区的耗尽层中，因为电子的浓度较低，电子会进一步向集电区的N型区域扩散。
这个过程中，电子会被发射区的电压所吸引，进而形成电流。
晶体管的工作可以分为两个阶段：截止区和放大区。
在截止区，当发射区的电压很低时，PN结处的耗尽层会阻断电流的流动，晶体管处于关闭状态。
而在放大区，当发射区的电压逐渐增加时，耗尽层逐渐变窄，电流开始流动。
此时，发射区的电流会通过基区的控制，进一步控制集电区的电流。
晶体管在放大区的工作原理就是通过控制发射区的电流，进而控制集电区的电流，实现对电流的放大和控制。
晶体管的工作原理可以通过一个简单的模型进行理解。
假设晶体管是一个自控的电阀，发射区相当于阀门的控制杆，基区相当于阀门的控制电路，集电区相当于阀门的出水口。
当控制杆的位置改变时，会进一步控制阀门的开关和水流的大小。
同样地，当基区的电流改变时，会进一步影响集电区的电流。
这种通过控制杆来控制阀门开关的原理，与晶体管通过控制发射区电流来控制集电区电流的原理是相似的。
通过对晶体管的结构和工作原理的理解，我们可以看到晶体管在现代电子技术中的重要作用。
它不仅可以放大电流，还可以控制电流的大小。
这使得晶体管成为现代电子设备中的关键元件。
晶体管的工作原理和讲解
晶体管的工作原理和讲解
晶体管是一种半导体器件，用于控制电流流动，实现信号放大、开关和逻辑运算等功能。
它是现代电子设备的基础组成部分之一。
晶体管的工作原理基于三个区域的P-N结构，这三个区域分别被称为发射区（Emitter）、基区（Base）和集电区（Collector）。
晶体管通常有两种类型：NPN型和PNP型。
在NPN型晶体管中，发射区是N型材料，基区是P型材料，集电区是N型材料。
而在PNP型晶体管中，发射区是P型材料，基区是N型材料，集电区是P 型材料。
晶体管的工作原理可以简单地解释为：
1. 漏极电流（Collector Current）：当在基极（Base）和发射极（Emitter）之间施加一个正向电压时，发射区会注入大量的电子进入基区。
这些电子由于基区的薄弱性，会进一步扩散到集电区，形成漏极电流。
2. 基极电流（Base Current）：当在基极和发射极之间施加一个正向电压时，通过基极电流，控制发射极电流的大小。
基极电流的变化会导致发射区电流的变化，进而影响整个晶体管的工作状态。
3. 放大作用：晶体管的基本功能之一是放大电流。
当基极电流增加时，发射区电流也会相应增加，进而影响漏极电流。
这样，晶体管可以将一个较小的输入电流信号放大为一个较大的输出电流信号。
4. 开关作用：当基极电流非常小或为零时，晶体管处于关断状态，漏极电流接近于零。
当基极电流达到一定阈值时，晶体管处于导通状态，漏极电流可流动。
总之，晶体管的工作原理是基于控制发射区电流的大小来实现信号放大和开关功能。
这使得晶体管成为现代电子设备中广泛使用的元件之一。
tft晶体管工作原理
tft晶体管工作原理TFT晶体管工作原理TFT（薄膜晶体管）是一种非常常见的显示技术，广泛应用于液晶显示屏和电子设备。
它通过控制晶体管的导电性来实现像素点的亮灭，从而显示出图像和文字。
那么，TFT晶体管是如何工作的呢？1. 基本结构TFT晶体管由四个主要组件组成：源极（Source）、漏极（Drain）、栅极（Gate）和通道（Channel）。
通道是一个具有导电性的薄膜，通常由多晶硅制成。
栅极位于通道上方，源极和漏极分别位于通道的两侧。
在通道和栅极之间有一个非导电的绝缘层，称为栅介质层。
2. 导电的控制当给栅极施加电压时，栅极和通道之间的栅介质层会形成电场。
该电场会改变通道的导电性，使其从不导电状态变为导电状态。
通道的导电性由栅极电压的大小决定，当栅极电压达到一定值时，通道会开始导电。
3. 控制像素点源极和漏极之间的导电性取决于通道的导电性。
当通道导电时，源极和漏极之间形成一条导电路径，电流可以顺利通过。
这时，像素点会显示为亮的状态。
反之，当通道不导电时，源极和漏极之间没有导电路径，电流无法通过，像素点显示为暗的状态。
4. 精确控制为了实现精确的像素控制，TFT晶体管通常与一个电容器连接。
当栅极电压改变时，电容器会存储电荷，使得栅极电压保持稳定。
这样可以确保通道的导电性能精确地控制像素的亮度。
5. 色彩显示对于彩色显示，每个像素点通常由三个次像素点（红、绿、蓝）组成。
每个次像素点都有一个对应的TFT晶体管。
通过控制每个次像素点的亮度，可以混合出各种颜色，实现彩色显示。
总结一下，TFT晶体管通过控制通道的导电性来实现像素点的亮灭，从而显示出清晰的图像和文字。
它的工作原理主要包括给栅极施加电压形成电场，控制通道的导电性，以及通过电容器确保精确的像素控制。
这种技术广泛应用于液晶显示屏和电子设备，为我们带来了丰富多彩的视觉体验。
晶体管简介与工作原理
集电区少子空 穴向基区漂移 基区少子电子向 集电区漂移 少子漂移形成反 向饱和电流ICBO
IE
N
P
N
IC
c
e
ICBO
U BE
b
U CB
IB
RE
VEE
VCC
RC
e. 集电区、基区少子相互漂移
晶体管的电流分配关系动画演示
IE
N
P
N
IC
c
e
ICBO
U BE
b
U CB
IB
定义
IC IE
iC/ mA
4 3
100 μ A 80
饱和区
60
2
放大区
40 20 0
(3) 截止区
a. IB≈0 b. IC≈0
1 0 2 4 6 8
uCE/ V
2.1.4 晶体管的主要电参数 1. 直流参数 (1) 共基极直流电流放大系数
(2) 共射极直流电流放大系数 (3) 集电极——基极间反向饱和电流ICBO (4) 集电极——发射极间反向饱和电流ICEO
N型半导体(电子型半导体)
在硅或锗晶体（四价）中掺 入少量的五价元素磷，使自 由电子浓度大大增加。
磷原子
+4 +4
+5
+4
多子(Majority)：自由电子(Free Electron)
---由掺杂形成，取决于掺杂浓度
多余电子
少子(Minority)：空
穴(Hole)
---由热激发形成，取决于温度。
2. 交流参数 (1) 共基极交流电流放大系数α (2) 共射极交流电流放大系数β
晶体管的结构和原理
晶体管的结构和原理
晶体管是一种电子器件，被广泛应用于现代电子技术中。
晶体管由三个区域构成，分别是P型半导体、N型半导体和一块绝缘层。
晶体管主要包括结型晶体管和场效应晶体管两种类型。
结型晶体管有两个PN结组成，其中一个PN结为基极区，另一个PN结为集电区。
这两个PN结之间的N型半导体区域为发射区。
当PN结接收到一些信号时，会在N型半导体区域内产生电子-空穴复合，使电子进入P型区域，发射区产生电流，最终进入集电区，因此实现了从基极到集电区的电流放大。
场效应晶体管包括源极、栅极和漏极。
源极和漏极之间有一段N型半导体通道，塞隆区通常用来控制源极和漏极之间的电流。
当栅极施加电压时，可以通过电子引入通道的电场来控制通道的导电性能。
这些技术可以实现信号放大以及在许多电子设备中完成控制和开关操作。
晶体管具有很多优点，例如占用空间小、高速度、低功耗、工作稳定、价格低廉等。
晶体管的应用范围非常广泛，包括计算机、计算器、电视、手机、电脑等电子设备，以及通信、医疗、航空航天、军事和科学研究等领域。
cpu晶体管工作原理
cpu晶体管工作原理CPU（Central Processing Unit）是计算机的核心部件，负责执行指令和处理数据。
而CPU中最重要的组成部分就是晶体管。
本文将从晶体管的工作原理入手，介绍晶体管在CPU中的作用及其工作原理。
一、晶体管的作用晶体管是一种半导体器件，主要用于放大和开关电信号。
在CPU中，晶体管的作用是对电子信号进行控制和处理，实现计算机的运算和数据处理功能。
二、晶体管的结构晶体管由三个区域组成：发射区（Emitter）、基极区（Base）和集电区（Collector）。
发射区和集电区是N型半导体，基极区是P型半导体。
这种结构被称为NPN型晶体管。
三、晶体管的工作原理晶体管的工作原理可以简单地分为两种模式：放大模式和开关模式。
1. 放大模式当晶体管处于放大模式时，基极和发射区之间的电流非常小，称为基极电流（IB）。
此时，集电区和发射区之间的电流（集电电流IC）会被放大。
这是因为当正向电压施加在基极和发射区之间时，P型基极区的空穴会向N型发射区扩散，形成一个薄的耗尽区域。
同时，发射区的电子也会向基极区扩散。
在这种情况下，发射区的电子和基极区的空穴会进行复合，形成一个电流放大的效应。
2. 开关模式当晶体管处于开关模式时，基极电流（IB）会增大，使得集电电流（IC）也增大。
这是因为当正向电压施加在基极和发射区之间时，P 型基极区的空穴会被压倒性地吸引到基极，同时发射区的电子也会被压倒性地吸引到集电区。
这样，晶体管就处于导通状态，集电区的电流会增大。
四、晶体管的工作过程晶体管的工作过程可以简单地描述为以下几个步骤：1. 输入信号：输入信号通过基极区的电流（IB）控制晶体管的导通和截止状态。
2. 放大或开关：根据输入信号的强弱，晶体管可以处于放大模式或开关模式。
在放大模式下，晶体管可以放大输入信号的电流。
在开关模式下，晶体管可以控制电流的通断。
3. 输出信号：根据晶体管的放大或开关状态，输出信号的电流会相应地被放大或截断。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
晶体三极管知识晶体三极管作为重要的半导体器件，其基本结构和工作原理需要掌握。
下面具体介绍。
三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面，如图1所示，可有pnp和npn两种组合。
三个接出来的端点依序称为射极( emitter, E )、基极(base, B)和集极(collector, C)，名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。
图中也显示出npn与pnp三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体,和二极体的符号一致。
在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。
(a) (b)图1 pnp(a)与npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。
三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里我们先讨论最常用的所谓 "正向活性区” (forwad active)，在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。
图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。
EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。
图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图。
三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。
以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例，射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。
当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。
IC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。
基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec,与由基极注入射极的电子流InB? E (这部分是三极管作用不需要的部分) 。
InB? E在射极与与电洞复合，即InB? E=I Erec o pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地在图3(a)中看出。
耗尽区I位能无外加偏压电洞IV能分布—电子位能分布图2 (a)一pnp三极管偏压在正向活性区；(b)没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图比较。
图3 (a) pnp 三极管在正向活性区时主要的电流种类; 注入的情形；(c)电子的电位能分布及注入的情形。
一般三极管设计时，射极的掺杂浓度较基极的高许多，如此由射极注入基极 的射极主要载体电洞(也就是基极的少数载体)IpE? B 电流会比由基极注入射极的载体电子电流InB? E 大很多，三极管的效益比较高。
图3(b)和(c)个别画出电洞和电子的电位能分布及载体注入的情形。
同时如果基极中性区的宽度WB 愈窄，电洞通过基极的时间愈短，被多数载体电子复合的机率愈低，到达集电极的有效电 洞流IpE? C 愈大，基极必须提供的复合电子流也降低，三极管的效益也就愈高。
集电极的掺杂通常最低，如此可增大 CB 极的崩溃电压，并减小BC 间反向偏压的pn 接面的反向饱和电流，这里我们忽略这个反向饱和电流。
由图4(a),我们可以把各种电流的关系写下来：射极电流 I E =I P E? B+ IErec = IpE? B+ InB? E =IpE? C+ I Brec + InB? E (1a) 基极电流IB= InB? E + I Brec = IErec + I Brec (1b) 集电极电流l c =IpE? C= I E - I Erec - I Brec = I E - I B (1c) 式1c 也可以写成I E = I C + I B射极注入基极的电洞流大小是由EB 接面间的正向偏压大小来控制，和二极体的情形类似，在启动电压附近，微小的偏压变化，即可造成很大的注入电流变 化。
更精确的说，三极管是利用V EB (或V BE )的变化来控制IC ，而且提供之IB 远 比IC 小。
npn 三极管的操作原理和 pnp 三极管是一样的，只是偏压方向，电流方 向均相反，电子和电洞的角色互易。
pnp 三极管是利用 VEB 控制由射极经基极、入射到集电极的电洞，而 npn 三极管则是利用 V BE 控制由射极经基极、入射到集电极 的电子，图4是二者的比较。
a(b)电洞电位能分布及经过上面讨论可以看出，三极管的效益可以由在正向活性区时，射极电流中有多少比例可以到达集电极看出，这个比例习惯性定义作希腊字母(b)图4 pnp三极管与npn三极管在正向活性区的比较。
而且a 一定小于1。
效益高的三极管，a可以比0.99大，也就是只有小于1%的射极电流在基极与射极内与基极的主要载体复合，超过99%的射极电流到达集电极！了解正向活性区的工作原理后，三极管在其他偏压方式的工作情形就很容易理解了。
表1列出三极管四种工作方式的名称及对应之BE和BC之pn接面偏压方式。
反向活性区(reverse active)是将原来之集电极用作射极，原来的射极当作集电极，但由于原来集电极之掺杂浓度较基极低，正向偏压时由原基极注入到原集电极之载体远较原集电极注入基极的多，效益很差，也就是说和正向活性区相比，提供相同的基极电流，能够开关控制的集电极电流较少，a较小。
在饱和区(saturation)，两个接面都是正向偏压，射极和集电极同时将载体注入基极，基极因此堆积很多少数载体，基极复合电流大增，而且射极和集电极的电流抵销，被控制的电流量减小。
在截止区(cut off)，BE和BC接面均不导通，各极间只有很小的反向饱和电流，三极间可视作开路，也就是开关在关的状态。
名称正向活性区反向活性区饱和区截止区(forward active)(reverse active)(saturati on)(cut off )BE接面正向偏压反向偏压正向偏压反向偏压BC接面反向偏压正向偏压正向偏压反向偏压用途线性信号放大器数字电路开关电路很少使用数字电路开关电路数字电路开关电路电流方向I C：E图5三极管截止状态 饱合状态饱合(saturation)状态：如图6所示，当三极管之基极加入驶大的电流时，因为IC =IE= px IB 射极和集极的电流亦非常大，此时，集极与射极之间的电压降非常低 (VCE 为0.4V 以下)，其意义相 当于集极与射极之间完全导通，此一状态称为三极管饱合。
工作模式 射极结面 极集结面 饱和 正向偏压 正向偏压 线性 正向偏压 反向偏压 反向 反向偏压 正向偏压 截止反向偏压反向偏压表中同时列出了四种工作方式的主要用途。
三极管在数字电路中的用途其实就是开关，利用电信号使三极管在正向活性区(或饱和区)与截止区间切换，就 开关而言，对应开与关的状态，就数字电路而言则代表0与1 (或1与0)两个二进位数字。
若三极管一直维持偏压在正向活性区，在射极与基极间微小的电信 号(可以是电压或电流)变化，会造成射极与集电极间电流相对上很大的变化，故 可用作信号放大器。
下面在介绍完三极管的电流电压特性后，会再仔细讨论三极管 的用途。
三极管截止与饱合状态截止状态三极管作为开关使用时，仍是处于下列两种状态下工作。
1•截止(cut off)状态:如图5所示，当三极管之基极不加偏压或 加上反向偏压使BE 极截止时(BE 极之特性和二极管相同，须加 上大于0.7V 之正向偏压时才态导通)，基极电流IB=0，因为IC=3 IB ,所以IC=IE=0，此时CE 极之间相当于断路，负载无电流。
a)基极(B)不加偏压使基极电流IB 等于零(b)基极(B)加上反向偏压使基极电流IB 等于零(c)此时集极(C)与射极(E) 之间形同段路，负载无 电流通过-晶体管的电路符号和各三个电极的名称如下三极管的特性曲线1输入特性图2 （b ）是三极管的输入特性曲线，它表示 lb随Ube 的变化关系，其特点是：1）当Uce 在0-2伏范围内，曲线位置和形状与 Uce 有关，但当Uce 高于2伏后，曲线Uce 基本无关 通常输入特性由两条曲线（I 和H ）表示即可。
2） 当Ube v UbeR 时，lb 〜O 称（0〜UbeR ）的区段为“死区”当Ube > UbeR 时，lb 随Ube 增加而增加，放大时，三极管工作在较直线的区段。
3） 三极管输入电阻，定义为：rbe=（△ Ube/A Ib ）Q 点，其估算公式为： rbe=rb+（ 3 +1）（26 毫伏 /le 毫伏） rb 为三极管的基区电阻，对低频小功率管， rb 约为300欧。
2、输出特性输出特性表示lc 随Uce 的变化关系（以lb 为参数）从图9 （C ）所示的输出特性可见，它 分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。
截止区当Ube v 0时，贝U lb -0，发射区没有电子注入基区，但由于分子的热运动，集电集 仍有小量电流通过，即lc=lceo 称为穿透电流，常温时Iceo 约为几微安，锗管约为几十微安 至几百微安，它与集电极反向电流Icbo 的关系是：lcbo=（1+ 3 ）lcbo图6 （a ）基极加上足够的顺向（b ）此时C-E 极之间视同导通状态常温时硅管的Icbo小于1微安，锗管的Icbo约为10微安，对于锗管，温度每升高12C, Icbo数值增加一倍，而对于硅管温度每升高8 C, Icbo数值增大一倍，虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈，但由于锗管的Icbo值本身比硅管大，所以锗管仍然受温度影响较严重的管，放大区，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，Ic随Ib近似作线性变化，放大区是三极管工作在放大状态的区域。
饱和区当发射结和集电结均处于正偏状态时，Ic基本上不随Ib而变化，失去了放大功能。
根据三极管发射结和集电结偏置情况，可能判别其工作状态。
图9三极管的主要参数1、直流参数(1)集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路(le=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。
良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1〜10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安培，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。
(2)集电极一发射极反向电流lceo(穿透电流)基极开路(Ib=0 )时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。
Iceo大约是Icbo的B倍即lceo=(1+ 3 )Icbo o Icbo 和Iceo受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。