TFT薄膜晶体管的工作原理
tft lcd工作原理
tft lcd工作原理
TFT（薄膜晶体管）LCD（液晶显示器）是一种基于薄膜晶体
管技术的液晶显示器。
其工作原理如下：
1. 像素结构：TFT LCD由一系列的像素组成，每个像素都包
含了红、绿、蓝三个基色的液晶单元和一个薄膜晶体管。
液晶单元根据电压的变化来控制光的透过程度，从而实现颜色的显示。
薄膜晶体管则负责控制电流的开关。
每个像素中的液晶单元和薄膜晶体管都被附着在透明的玻璃基板上。
2. 薄膜晶体管的作用：薄膜晶体管是TFT LCD的核心部件，
它负责控制电流的开关。
当电流通过薄膜晶体管时，它会改变液晶单元的电场，从而改变其透光性质。
薄膜晶体管的开关控制是通过将其上的栅极电压调高或调低来实现的，进而控制液晶单元的透光程度。
3. 光的透过过程：当液晶单元处于关闭状态时，它不能透过光，显示为黑色。
当液晶单元处于开启状态时，根据电场的变化，液晶分子会重新排列，使光线通过透射，显示为不同的颜色和亮度。
4. 控制信号：为了控制TFT LCD的每个像素，需要向每个像
素提供控制信号。
这些控制信号是通过一些线路和电路驱动器传递的，以确保每个像素都能准确显示所需的颜色和亮度。
总结来说，TFT LCD的工作原理是通过控制薄膜晶体管来调
节液晶单元的透光性质，从而显示不同的颜色和亮度。
通过像
素的排列和控制信号的传递，TFT LCD可以呈现出清晰、亮丽的图像。
tft液晶屏工作原理
tft液晶屏工作原理
TFT液晶屏是一种由薄膜晶体管（Thin Film Transistor）驱动
的液晶显示技术。
它是一种主动矩阵式显示技术，其工作原理涉及液晶分子、透明电极、薄膜晶体管、光源等组件的相互作用。
工作原理如下：
1. 薄膜晶体管（TFT）：TFT是TFT液晶屏的核心组件之一，它用于驱动每个像素点的液晶单元。
TFT将输入信号转换成控制信号，通过控制液晶单元的开关状态来控制每个像素点的亮度和颜色。
2. 透明电极：液晶分子位于两片透明电极之间。
透明电极负责施加电场，改变液晶分子的排列方式，从而改变光线的透过性。
3. 液晶分子：液晶分子是一种介于液相和晶体之间的有机化合物。
它们为长而细长的分子，可以呈现不同的排列方式。
在没有电场作用时，液晶分子的排列方式由于其特殊的物理性质呈现相对无规则的状态。
当电场作用于液晶分子时，它们会按照电场的方向重新排列，从而改变光线的通过程度。
4. 偏振器：TFT液晶屏中通常配有两片偏振器，其中一片是纵向偏振器，另一片是横向偏振器。
它们有助于过滤和调节光线的方向，并确保光线只以特定的方向通过液晶分子，从而形成图像。
5. 光源：TFT液晶屏背后通常有一个光源，如冷光源或LED 背光源，用于提供背光。
背光通过液晶分子的调节，在前面形成可见图像。
当TFT液晶屏工作时，TFT通过电子信号控制液晶的像素点的亮度和颜色，液晶分子根据所施加的电场排列，通过偏振器调节光线的方向，从而形成清晰的图像。
tft薄膜晶体管的工作原理
tft薄膜晶体管的工作原理
TFT（薄膜晶体管）是一种用于控制液晶显示屏中像素点的晶
体管。
它通过操作薄膜晶体管中的电流来控制液晶分子的取向，从而实现液晶屏的显示功能。
TFT薄膜晶体管的工作原理如下：
1. 薄膜晶体管的结构：TFT薄膜晶体管通常由一个绝缘层和数个金属层组成。
绝缘层上有一个控制门电极（Gate）、一个介质层和一个源/漏端电极。
液晶分子被封装在介质层中。
2. 控制电路：通过控制电路，向控制门电极施加一个特定的电压，从而形成一个电场。
3. 电场作用：当控制门电极上施加电压时，形成的电场会影响介质层中的液晶分子。
液晶分子的取向会受到电场的影响，改变液晶分子的取向将改变光的传播方式。
4. 信号传输：当控制电路中的信号经过控制电门电极时，会改变电场的特性。
这样，电场中的液晶分子的取向将发生变化，进而改变光的透射或反射性质。
5. 显示效果：当液晶分子的取向发生变化时，液晶屏的显示效果也会发生相应的变化，从而实现显示功能。
通过不同的电流和电压信号，可以控制每个像素点的液晶分子取向，从而在液晶屏上实现不同的显示效果。
薄膜晶体管(tft)作用 工作原理 材料工艺
薄膜晶体管(tft)作用工作原理材料工艺薄膜晶体管（Thin-Film Transistor，简称TFT）是一种用于电子显示器和面板的非晶硅制造技术。
它是一种重要的半导体器件，用于控制显示像素的亮度和颜色。
TFT晶体管的作用、工作原理和材料工艺会在下文中详细阐述。
一、薄膜晶体管的作用薄膜晶体管作为电子显示器的关键组件，主要用于控制每个像素的亮度和颜色。
在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管显示器（OLED）等显示技术中广泛应用。
TFT晶体管类似于一个电子开关，可以打开和关闭每个像素的电流，从而控制其亮度。
TFT晶体管还可以精确地控制每个像素的亮度，使得显示器能够产生清晰、细腻和真实的图像。
二、薄膜晶体管的工作原理TFT晶体管的工作原理可以简单地理解为：通过控制栅极电压来控制漏极和源极之间的电流流动，进而控制每个像素的亮度。
TFT晶体管由四个主要部分组成：栅极、源极、漏极和沟道。
当栅极电压为低电平时，沟道中的导电层不会被激活，从而阻断了源极到漏极之间的电流。
当栅极电压为高电平时，控制电压作用于沟道中的导电层，使它导电，从而允许电流流动。
三、薄膜晶体管的材料工艺1. TFT的制造材料主要的材料是非晶硅（a-Si）或多晶硅（poly-Si）薄膜。
非晶硅具有较高的电子迁移率，且制备过程相对简单，适用于较低分辨率的液晶显示器。
而多晶硅具有更高的电子迁移率，适用于高分辨率和高速刷新率的显示器。
2. TFT的制造过程（1）基板清洗：通过清洗去除基板表面的杂质、油脂和顶层材料等。
（2）锗沉积：在基板表面沉积一层锗，提供后续的结合层。
（3）透明导电氧化锌（TCO）沉积：沉积一层透明导电氧化锌薄膜，用于制作栅极。
（4）非晶硅或多晶硅沉积：在TCO层上沉积非晶硅或多晶硅薄膜，用于制作薄膜晶体管的主体部分。
（5）金属电极沉积：用金属沉积技术在非晶硅或多晶硅层上制作源极和漏极。
（6）栅极沉积：利用光刻和蒸发技术将栅极沉积在金属电极上。
tft晶体管工作原理
tft晶体管工作原理TFT晶体管工作原理TFT（薄膜晶体管）是一种非常常见的显示技术，广泛应用于液晶显示屏和电子设备。
它通过控制晶体管的导电性来实现像素点的亮灭，从而显示出图像和文字。
那么，TFT晶体管是如何工作的呢？1. 基本结构TFT晶体管由四个主要组件组成：源极（Source）、漏极（Drain）、栅极（Gate）和通道（Channel）。
通道是一个具有导电性的薄膜，通常由多晶硅制成。
栅极位于通道上方，源极和漏极分别位于通道的两侧。
在通道和栅极之间有一个非导电的绝缘层，称为栅介质层。
2. 导电的控制当给栅极施加电压时，栅极和通道之间的栅介质层会形成电场。
该电场会改变通道的导电性，使其从不导电状态变为导电状态。
通道的导电性由栅极电压的大小决定，当栅极电压达到一定值时，通道会开始导电。
3. 控制像素点源极和漏极之间的导电性取决于通道的导电性。
当通道导电时，源极和漏极之间形成一条导电路径，电流可以顺利通过。
这时，像素点会显示为亮的状态。
反之，当通道不导电时，源极和漏极之间没有导电路径，电流无法通过，像素点显示为暗的状态。
4. 精确控制为了实现精确的像素控制，TFT晶体管通常与一个电容器连接。
当栅极电压改变时，电容器会存储电荷，使得栅极电压保持稳定。
这样可以确保通道的导电性能精确地控制像素的亮度。
5. 色彩显示对于彩色显示，每个像素点通常由三个次像素点（红、绿、蓝）组成。
每个次像素点都有一个对应的TFT晶体管。
通过控制每个次像素点的亮度，可以混合出各种颜色，实现彩色显示。
总结一下，TFT晶体管通过控制通道的导电性来实现像素点的亮灭，从而显示出清晰的图像和文字。
它的工作原理主要包括给栅极施加电压形成电场，控制通道的导电性，以及通过电容器确保精确的像素控制。
这种技术广泛应用于液晶显示屏和电子设备，为我们带来了丰富多彩的视觉体验。
tft工作原理
tft工作原理
TFT（薄膜晶体管）是一种基于薄膜技术的半导体器件，常用
于液晶显示器（LCD）平面面板的驱动。
以下是TFT的工作
原理：
1. TFT结构：TFT是由多个薄膜层组成的结构。
其中包括透明导电层（一般为透明的氧化铟锡涂层，ITO层），绝缘层（一般为二氧化硅或硅氧化铝），以及半导体层（多晶硅或非晶硅）。
2. 偏压施加：在TFT中，电场通过透明导电层施加在半导体
层上，可以调节半导体层的导电性。
3. 管道形成：由于施加的电压，半导体层中部分区域的导电特性会发生变化，形成了导电通道。
这个导电通道可以控制液晶的透过性，从而控制显示器上的像素显示。
4. 控制信号：通过在透明导电层上施加不同的控制信号，可以调节TFT中的电场大小，从而控制液晶的偏振状态。
5. 灯光透过：控制液晶的偏振状态会影响灯光通过液晶显示层的方式。
通过透明的导电层和绝缘层，光线可以透射到显示面板中。
6. 显示亮度：液晶显示层通过调节透光性来控制像素的亮度。
当电压施加到TFT时，液晶分子会扭曲并影响光线的透过性。
这种扭曲可以通过不同的信号施加来控制，从而达到调节亮度
的效果。
综上所述，TFT通过控制透明导电层和半导体层之间的电场来调节液晶的偏振状态，从而控制显示器的像素亮度和透明性。
lcd器件中tft工作原理
lcd器件中tft工作原理TFT（薄膜晶体管）是液晶显示器（LCD）的关键技术之一，它作为一种主动矩阵显示技术，广泛应用于平板电视、电脑显示器等各种显示设备中。
TFT的工作原理是通过控制薄膜晶体管的导通与截止，实现像素点的开关控制，从而控制液晶层的透光与否，进而完成图像的显示。
TFT技术的工作原理主要由三个关键部分组成：像素电路、驱动电路和背光源。
让我们来看看TFT的像素电路。
每个像素点都由一个薄膜晶体管和一个液晶电容组成。
薄膜晶体管有源极、漏极和栅极三个端口，通过控制栅极与漏极之间的电流流动情况，可以实现晶体管的导通和截止。
当薄膜晶体管导通时，液晶电容会被充电，液晶分子会发生旋转，使得光线可以透过液晶层，形成亮点；而当薄膜晶体管截止时，液晶电容会被放电，液晶分子回到初始状态，使得光线无法透过液晶层，形成暗点。
通过对每个像素点的控制，可以形成图像的显示。
驱动电路是TFT的重要组成部分。
驱动电路主要负责控制薄膜晶体管的导通和截止，从而实现像素点的开关控制。
驱动电路通常由扫描电路和数据电路组成。
扫描电路负责逐行激活每个像素点，确保图像的连续性和稳定性；而数据电路则负责向像素点提供图像信号，通过调节信号的大小和频率，可以实现图像的亮度和色彩的调节。
驱动电路的设计和优化对于TFT的性能和图像质量具有重要影响。
背光源是TFT显示器中提供光源的组件。
背光源通常采用冷阴极灯管（CCFL）或LED灯作为光源。
背光源的主要作用是提供足够的光亮度，使得图像可以在背光源的照射下清晰可见。
背光源的设计和调节对于TFT显示器的亮度、对比度和色彩表现等方面有着重要影响。
TFT的工作原理是通过控制薄膜晶体管的导通与截止，实现像素点的开关控制，从而控制液晶层的透光与否，进而完成图像的显示。
TFT技术的关键在于像素电路、驱动电路和背光源的协同工作。
通过精确控制和调节这三个部分的参数和信号，可以实现高质量的图像显示。
TFT技术的不断发展和创新，为液晶显示器的进一步提升和发展提供了坚实的基础。
多晶硅tft的结构与工作原理
多晶硅tft的结构与工作原理
多晶硅薄膜晶体管（TFT）是一种关键的半导体器件，广泛应用
于液晶显示屏、OLED显示屏和柔性电子设备中。
它的结构和工作原
理对于理解现代电子技术的发展具有重要意义。
多晶硅TFT的结构通常包括一个绝缘衬底（通常是玻璃基板）、源极和漏极之间的多晶硅薄膜、栅极和绝缘层。
多晶硅薄膜通常是
通过化学气相沉积（CVD）或其他类似的方法在绝缘衬底上生长而成。
栅极和源/漏极之间的绝缘层通常是二氧化硅或氮化硅，用于隔离栅
极和薄膜之间的电荷。
多晶硅TFT的工作原理基于栅极对薄膜中的电荷进行控制。
当
电压施加在栅极上时，栅极和薄膜之间的绝缘层会产生电场，这个
电场会影响薄膜中的载流子的分布。
在有源极和漏极之间施加电压时，控制栅极的电压会影响薄膜中的电荷传输，从而控制TFT的导
电性能。
多晶硅TFT的优点包括制造工艺成本低、制作工艺简单、尺寸小、响应速度快等。
由于这些优点，多晶硅TFT在现代电子设备中
得到了广泛的应用，特别是在平面显示器和柔性电子设备中。
同时，
随着技术的不断进步，多晶硅TFT的性能也在不断提高，为电子设备的发展提供了有力支持。
总的来说，多晶硅TFT的结构和工作原理对于理解现代电子技术的发展和应用具有重要意义。
它的广泛应用和不断改进也为电子设备的发展和创新提供了有力支持。
tft 工作原理
tft 工作原理
TFT（Thin Film Transistor，薄膜晶体管）是一种用于液晶显
示器的关键技术，其工作原理主要涉及薄膜晶体管的操作方式和液晶分子的取向控制。
在TFT液晶显示器中，每个像素点都对应着一个薄膜晶体管，这种晶体管一般采用非晶硅或多晶硅材料制成。
晶体管的作用是根据控制信号来控制液晶分子的排列方式，从而实现像素点的亮度和颜色的改变。
薄膜晶体管由四个主要部分组成：源极、栅极、漏极和薄膜。
液晶显示器中的每个像素点都有一个对应的薄膜晶体管，通过控制这些晶体管的开关状态，可以控制液晶分子的取向。
具体来说，液晶分子可以根据电场的方向调整自身的取向。
当薄膜晶体管处于导通状态时，电流会流过源极和漏极之间的通道，形成一个电场。
这个电场会使得液晶分子排列成垂直于平面的方式，从而使得光无法通过液晶分子。
当薄膜晶体管被关闭时，通道中的电流停止流动，液晶分子会逐渐恢复到一种可以让光通过的排列方式。
通过控制晶体管的开关状态，可以改变液晶分子的排列方式，进而实现对像素点亮度和颜色的控制。
除了薄膜晶体管，TFT液晶显示器中还包括其他关键元件，如面板基板、扫描电路和数据电路等。
这些元件共同作用，使得TFT液晶显示器能够准确地显示出图像和文字。
总的来说，TFT液晶显示器的工作原理是通过控制薄膜晶体管的开关状态来调整液晶分子排列方式，从而实现像素点的亮度和颜色的改变。
tft pgu 工作原理
TFT（薄膜晶体管）PGU（像素生成单元）是液晶显示器中的重要组成部分，它的工作原理如下：
1. TFT（薄膜晶体管）：TFT是一种用于控制液晶显示器中每个像素的开关的晶体管。
每个像素都有一个对应的TFT，它可以控制液晶的透明度，从而控制像素的亮度。
2. PGU（像素生成单元）：PGU是液晶显示器中的一个电路单元，它负责将输入的图像信号转换为每个像素的亮度值。
PGU包含了一个数字-模拟转换器（DAC），它将输入的数字信号转换为模拟电压信号。
这些模拟电压信号通过TFT控制液晶的透明度，从而生成每个像素的亮度。
具体的工作过程如下：
1. 输入信号：图像信号通过输入接口进入PGU。
2. 数字-模拟转换：PGU中的DAC将输入的数字信号转换为模拟电压信号。
每个像素对应一个DAC，它根据输入信号的亮度值生成相应的模拟电压。
3. TFT控制：模拟电压信号通过TFT控制液晶的透明度。
TFT
是一种开关，它可以控制液晶的通断状态。
当TFT导通时，液晶透明度较高，像素显示较亮；当TFT断开时，液晶透明度较低，像素显示较暗。
4. 像素显示：根据TFT的控制，液晶显示器中的每个像素显示相应的亮度。
所有像素的亮度组合在一起，形成完整的图像。
总结起来，TFT PGU的工作原理是通过数字-模拟转换和TFT 控制液晶的透明度，将输入的图像信号转换为每个像素的亮度值，从而实现图像的显示。
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本章主要内容
6.1 薄膜晶体管的半导体基础 6.2 MOS场效应晶体管 6.3 薄膜晶体管的工作原理
6.4 薄膜晶体管的直流特性
6.5 薄膜晶体管的主要参数
6.1 TFT的半导体基础
本征半导体及杂质半导体 能带、施主与受主
载流子及散射
电导现象、迁移率、电导率
6.1 TFT的半导体基础
VG>0
6.3 薄膜晶体管的工作原理
输出特性曲线
2.5x10 2.0x10
-6
线性区
VGS4
-6
饱和区
夹断
IDS(A)
1.5x10 1.0x10 5.0x10
-6
饱和区 线性区
VGS3 VGS2 VGS1
-6
-7
0.0
0
5
10 15 VDS(V)
20
沟道区
夹断区
6.4 薄膜晶体管的直流特性 线性区
3 1 2 1
4
非晶硅中有大量的缺陷（1.悬键；2.弱键；3.空位；4.微孔）
6.3 薄膜晶体管的工作原理 非晶硅半导体材料的特点
扩展态 局域态
EC E 导带 EC EV 价带 (b) g(E) 扩展态 (a)
EC'
E EC EA EF EB
E 扩展态
局域态
EV
扩展态 (c) g(E)
6.3 薄膜晶体管的工作原理 TFT的工作原理
-5
0
VGS（V）
5
10
15
20
25
6.4 薄膜晶体管的直流特性 迁移率和阈值电压
1.6x10 -3 1.4x10 -3 1.2x10 -3 1.0x10 -4 8.0x10 -4 6.0x10 -4 4.0x10 -4 2.0x10 0.0
-4 -3
I DS
测试曲线1/2 拟合曲线
B
W C ox VGS VTH 2L
IDS （A )
1/2
1/2
B
W C ox 2L
A B *VTH
VTH A B
-2.0x10
-15 -10 -5
0
A 5 10
15
20
25
2B 2 W L Cox
VGS（V）
利用饱和区的漏极电流公式，对转移特性曲线做IDS1/2~VGS曲线，对直线段进行拟合，
（空穴） （电子） （空穴） （电子）
电导率：反映半导体材料导电能力的物理量。 它由载流子密度和迁移率来决定。
6.1 TFT的半导体基础
迁移率
载流子在电场中的漂移速度： vd = [(±q) /m*] E = E 上式表明，载流子的漂移速度与外电场平行，且成比例。比例系数通常称 为载流子的迁移率。
栅
源
-漏
p+
n type Si 衬底
p+
6.2 MOS场效应晶体管
MOSFET工作原理
当Vs=0，Vd<0时：Vg<0，空穴反型 pn结连在一起，形成导电沟道
栅 源
电流很大 开态
-
-漏
p+
n type Si 衬底
p+
6.2 MOS场效应晶体管
MOSFET工作原理小结
1.TFT属于半导体器件中—— MOS场效应晶体管 2.MOSFET表现开关作用依靠的电极是—— 栅极
6.4 薄膜晶体管的直流特性 转移特性曲线
10 10 10 10
-5 -6 -7 -8 -9
线性区 饱和区 线性区
IDS（A)
10 10 10 10 10
亚阈值区
截止区
VDS=5V VDS=10V VDS=15V VDS=20V
饱和区 亚阈值区 截止区
-10 -11 -12 -13
-15 -10
迁移率
6.2 MOS场效应晶体管
晶体管 双极型晶体管 场效应晶体管 JFET MOSFET——TFT
n型衬底 两个p区 SiO2绝缘层 金属铝 P型导电沟道 p+
n type Si
衬底 栅 源 漏
p+
p-MOSFET
6.2 MOS场效应晶体管
p-MOSFET晶体管 垂直方向—— 栅控器件 水平方向—— 电导器件
VS=0 VD>0
Source Insulator Gate
Drain a-Si:H
Source Insulator
Drain a-Si:H
Source Insulator Gate
Drain a-Si:H
-- - ---
-- - --glass
Gate glass
++++++
glass
VG<0
VG=0
0
d
0
P+
n
P+
n型硅
P+
p
P+
6.2 MOS场效应晶体管
MIS结构定义
MOS结构相当于一个电容 金属与半导体之间加电压 在金属与半导体相对的两个表面上就充 上等量异号的电荷 在金属一侧，分布在一个原子层厚度内 在半导体一侧，分布在空间电荷区 d
金属
绝缘层
n型硅 欧姆接触
半导体
6.2 MOS场效应晶体管
6.4 薄膜晶体管的直流特性 饱和区
x z y
L W 源 漏 半导体层 绝缘层 栅
当VDS=Vsat时，在漏极处沟道电荷为零，这时沟道开始夹断；
当VDS继续增大，增加的电压将降落到夹断区上，夹断区是已耗尽空穴 的空间电荷区，对沟道电流没有贡献。
I DS
W 2 C ox VGS VTH 2L
6.1 TFT的半导体基础 n型半导体和p型半导体
价电子填补空位 多余价电子 空穴 空位
Si
Si P Si
Si Si
Si
B Si B Si
Si Si
Si Si
Si Si
自由电子的数量大大增加 N 型半导体
空穴的数量大大增加 P 型半导体
6.1 TFT的半导体基础
费米能级
Ec EF Ev 本征半导体 Ei Ec EF Ei Ec Ei EF Ev p型半导体
从外推曲线斜率可以提取出迁移率μ和阈值电压VTH。
6.4 薄膜晶体管的直流特性 亚阈值区
10 10 10 10
-5 -6 -7 -8 -9
10 10 10 10 10
-10 -11 -12 -13
dVGS 1 S B d (log I DS )
S
-5 0 VGS（V） 5 10 15 20 25
Gradual channel approximation
2 VDS W C ox VGS VTH VDS L 2
I DS
当VDS很小时，漏源之间存在贯穿全沟道的导电的N型沟道。
当VDS增加时，栅极与漏极的电位差减少，在接近漏极处，沟道电荷 逐渐减少；
6.1 TFT的半导体基础
电导现象
I
R
在半导体样品两端加电压，其内部则产生电场。载流子被电场所加速 进行漂移运动，在半导体中引起一定电流，这就是电导现象。
6.1 TFT的半导体基础
电导率
空穴和电子的速度： vp = p E vn = n E 空穴和电子的电导率： p = q p p n = q n n
亚阈值斜率S，从Log IDS 对VGS 图提取;
半导体类型，P-沟道 或 n-沟道也可以从IDS-VDS or IDS-VGS 图获得.
迁移率(cm2/Vs) ：不仅反映导电能力的强弱，而且直接决 定载流子漂移和扩散运动的快慢。
6.1 TFT的半导体基础
小结
1.非晶硅薄膜晶体管—— 弱n型半导体
2.薄膜晶体管的能带——
费米能级接近禁带中心 在禁带中心线之上
3.主导薄膜晶体管的半导体现象—— 电导现象 4.影响薄膜晶体管性质参数——
IDS（A)
(V/dec)
-15 -10
亚阈值斜率（S）可以从对数坐标下的转移特性曲线中提取。在对数坐标下，对 亚阈值区进行直线拟合，拟合的直线斜率为B，亚阈值斜率S为直线斜率的倒数
6.4 薄膜晶体管的直流特性
参数小结
迁移率 μ，从 IDS1/2 对 VGS 图 提取;
阈值电压VTH，从 IDS1/2 对 VGS 图提取; 开关比Ion/Ioff， 从 Log IDS 对VGS 图提取;
自由电子 共价键 空穴
本征半导体
本征半导体就是完 全纯净的、具有晶 体结构的半导体。
本征半导体中自由 电子和空穴的形成 Si Si
Si
Si
6.1 TFT的半导体基础
电子移动方向
本征半导体
可见在半导体中有
Si Si
S电。
空穴移动方向
Si Si
Si
Si
外电场方向
MIS结构表面电荷的变化
Vg＞0
Vg＜0 金属
绝缘层 d + + d
Vg<<0
d
+
+
n型硅
欧姆接触
半导体
n型硅
+ + n型硅
+
+
(a)积累
(b)耗尽
(c)反型
6.2 MOS场效应晶体管
MOSFET工作原理
当Vs=0，Vd<0时：Vg=0，pn结反偏 电流很小 关态
Vg>0，电子积累，pn结反偏
3.MOSFET表现电导现象依靠的电极是—— 源、漏电极
4.MOSFET导电沟道是——