《电子技术基础》第一章 半导体器件的基础知识习题册
第一章 半导体器件的基础知识
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在本征半导体中掺入三价元素，可形成P型半导体。（ ）
（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）
（3）半导体中的空穴带正电。（ ）
（4）二极管的最高反向工作电压就是该二极管的反向击穿电压。（ ）
（5）用万用表不同的电阻挡测量正反向电阻，读数是不同的。（ ）
（6）二极管具有单向导电性。（ ）
（7）硅二极管的反向漏电电流比锗二极管的反向漏电电流大。（ ）
二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽
（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏
（4）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体。
A. 五价 B. 四价 C. 三价
（5）在本征半导体中加入 元素可形成P型半导体。
A. 五价 B. 四价 C. 三价
（7）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。
A. 83 B. 91 C. 100
（8）当环境温度升高时，二极管的反向电流将（ ）。
A、增大 B、减小 C、不变
（9）在二极管特性的正向导通区，二极管相当于（ ）。
A、大电阻 B、接通的开关 C、断开的开关
（9）在二极管特性的反向截止区，二极管相当于（ ）。
A、大电阻 B、接通的开关 C、断开的开关
（10）二极管正向导通的条件是其正向电压值（ ）。
A、大于0 B、大于0.3V C、大于0.7V D、大于死区电压
（11）当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（ ）。
A、很小的电阻 B、很大的电阻 C、短路
（12）P型半导体中的多数载流子是
。
A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子
（13）N型半导体中的多数载流于是 。 A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子
（14）当温度升高时，杂质半导体中
浓度明显增加。
A.载流子 B.多数载流子 C.少数载流子
（15）硅二极管的正向导通压降比锗二极管
。
A.大 B.小 C.相等
（16）硅二极管的反向饱和电流比锗二极管 。
A.大 B.小 C.相等
（17）温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 。
A.增大 B.减小 C.不变
（18）温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下反向电流
。
A.增大 B.减小 C.不变
三、填空题
1、半导体是一种导电能力介于 与 之间的物质。
2、PN结具有 性能，即加正向电压时 ，形成的电流称为 ；加反向电压时 ，形成的电流称为 。
3、二极管导通后，硅管管压降约为 ，锗管管压降约为 。
4、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，电流会突然增大，此现象被叫做
现象。
5、当晶体管工作在放大区时，各极电位关系为：NPN管的uC uB uE，PNP管uC uB
uE；工作在饱和区时iC iB；工作在截止区时，若忽略ICBO和ICEO，则iB 0，iC 0。
6、晶体管通过改变 来控制 ，所以是一种电流控制器件。
7、物质按导电能力的强弱可分为 、 和 三大类。
8、在纯净的半导体（通常称本征半导体）中掺入极其微量的杂质，则它的导电能力将- 。
9、温度升高，将使半导体的导电能力大大增强，称为半导体的 性。
10、对半导体施加光线照射时，光照越强，导电能力越强，称为半导体的 性。
11、N型半导体的特点：自由电子数量 ，空穴数量 ，参与导电的主要是 。
12、P型半导体的特点：空穴数量 ，自由电子数量 ，参与导电的主要是 。
13、二极中，从P区引出的电极作为 ，从N区引出的电极作为 。
14、如果将电源正极与二极管的正极相连，电源负极与二极管的负极相连，称为 偏置，与此相反时，称为 偏置。
15、二极的参数IF称为 ，是二极管 时允许通过的最大直流电流。 16、二极的参数VRM称为 ，指二极管正常使用时所允许加的最高 。
17、加在二极管两端的 与流过二极管的 的关系曲线称为 曲线。
18、外加电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流几乎为零，称作 电压。一般硅二极管的死区电压约为 ,锗二极管约为 。
19、“正的”的英文是 ，所以取第一个字母P表示以空穴为多数载流子的半导体。
20、“负的”的英文是 ，所以取第一个字母N表示以空穴为多数载流子的半导体。
21、晶体三极管是由两个相距很近的 组成的，它有三个区： 区、 区和
区。
22、晶体三极管三个区各自引出一个电极分别称为 极、 极和 极。
23、晶体三极管三个区各自引出一个电极用字母表示为 、 、 。
24、根据晶体三极管内部三个区域半导体 的不同，可分为 型和 型两大类。
25、每个三极管内部都有两个PN结，称为 结和 结。
26、晶体三极管以工作频率分类，有 管和 管。
27、晶体三极管以半导体材料分类，有 管和 管。
28、晶体三极管以用途分类，有 管和 管等。
29、三极管工作时，通常在它的发射结加 电压，集电结加 电压。
30、如图T1中，V为三极管，GC为 电源，GB为 电源，Rb为 电阻又称 电阻，Rc为 电阻。
31、晶体三极管的基本联接方式有 接法， 接法， 接法。
32、参数ICBO 表示发射极开路时， 反向饱和电流。
33、参数ICBO 表示基极开路时， 反向饱和电流。
34、参数β（hFE ）称为 系数。
35、参数ICM称为 允许电流，在技术上规定使β值下降到正常值的 时的集电极电流称为ICM。
36、参数PCM称为集电极最大允许 功率，计算公式为 。
37、三极管中电流分配关系用公式可表示为 。
38、在三极管电流中，IC表示 ，IB表示 ，IE表示 。
39、当IB有 变化时，就能引起IC 的变化，这种现象称为三极管的
放大作用。用公式可表示为 。
40、三极管的电流放大作用，实质上是用较小的 信号去控制 的大电流信号，是 的作用，而不是 的放大。
41、使三极管起电流放大作用的外部条件是发射结加 电压，集电结加 T1 电压。
42、在共发射极电路中，三极管 极与 极电压VBE和 电流IB之间的相应数量关系，称为三极管的 特性。
43、、当VBE很小时，IB为 ，三极管是截止的，只有在VBE大于死区电压时才能导通，这个电压硅管约 ，锗管约 。
44、在一个固定的IB值时， 与 的电压VCE与 电流IC之间的关系称为三极管的 特性。
45、可以把输出特性分成三个工作区，分别是 、 、 。
46、当三极管的发射结和集电结 或VBE小于 电压时，三极管即处于
状态，这时的特征是 为零。
47、三极管工作在放大状态时具有 特性。
48、当三极管的发射结和集电结 时，三极管即处于 状态，这时IC不受IB控制。
49、三极管饱和时的VCE值称为 压降，小功率硅管约为 ，锗管约为 。
四、综合题
1、某晶体管的输出特性曲线如图T2所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。
图T2
2、电路如图T3所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问：
（1）Rb＝50kΩ时，UO＝？
（2）若T临界饱和，则Rb≈？
图T3 3、根据下面二极管测试记录数据，绘制二极管伏安特性曲线。
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
12
UV（V）
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
IV（mA）
0
0
0
0
0
1
2
5
10
20
30
40
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
UV（V）
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-17
-17.5
-18
IV（mA）
0
0
0
0
0
0
0
0
0
-1
-5
-50
根据测量数据在图中描点，连成曲线。(正反向特性曲线坐标标度可以不一致)
4、根据下面三极管测试记录数据，绘制三极管输入特性曲线（VCE=10V）
《电子技术基础》复习题(模拟)
一、填空题：
1—1—1 半导体是一种导电能力介于 导体 与
绝缘体 之间的物质。常用的半导体单晶材料是 硅
和 锗
，还有部分金属与氧、硫、磷、砷等元素组成的 氧化物 。
1—1—2 利用半导体材料的某种敏感特性，如 热敏
特性和 光敏 特性可制成热敏电阻和光敏元件。
1—1—3 在本征半导体中，自由电子浓度 等于
空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度 小于
空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度 大于 空穴浓度。
1—1—4 半导体中的电流是 电子电流 与 空穴电流 的代数和。杂质半导体中的多数载流子是由 掺杂 产生的；少数载流子是由 本证激发 产生的。
1—1—5 使PN结正偏的方法是：将P区接 高
电位，N区接 低 电位。正偏时PN结处于 导通 状态，反偏时PN结处于 截止 状态。
1—1—7 反向电压引起反向电流剧增时的PN结处于 击穿 状态，该状态是 稳压
二极管的工作状态，是
普通 二极管的故障状态。
1—1—9 整流二极管的最主要特性是 单项导电性 ，它的两个主要参数是： 最大平均整流电流 和 最高反向工作电压 。
1—1—10 在常温下，硅二极管的开启电压(死区电压)约为
0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7
V；锗二极管的开启电压(死区电压)约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.3 V。
1—1—11 理想二极管正向导通时，其压降为 0 V, 反向截止时，其中电流为 0 A。这两种状态相当于一个 开关 。
《电子技术基础》复习要点
《电子技术基础》复习要点
课程名称：《电子技术基础》
适用专业：2018级电气工程及其自动化（业余）
辅导教材：《电子技术基础》张志恒 主编 中国电力出版社
复习要点
第一章 半导体二极管
1.本征半导体
单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。
导电能力介于导体和绝缘体之间。
特性：光敏、热敏和掺杂特性。
本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。
空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。
在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2．杂质半导体
在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。
N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。
杂质半导体的特性
载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
3.PN结
在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。
PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
《电子电路基础》习题解答第1章
第一章习题解答
题1.1 电路如题图1.1所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出ＡＯ两端的电压ＵＡＯ。设二极管是理想的。
解：
分析：二极管在外加正偏电压时是导通，外加反偏电压时截止。正偏时硅管的导通压降为0.6～0.8V。锗管的导通压降为0.2～0.3V。理想情况分析时正向导通压降为零，相当于短路；反偏时由于反向电流很小，理想情况下认为截止电阻无穷大，相当于开路。
分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”，即：先假设二极管所在支路断开，然后计算二极管的阳极（P端）与阴极（N端）的电位差。若该电位差大于二极管的导通压降，该二极管处于正偏而导通，其二端的电压为二极管的导通压降；如果该电位差小于导通压降，该二极管处于反偏而截止。如果电路中存在两个以上的二极管，由于每个二极管的开路时的电位差不等，以正向电压较大者优先导通，其二端电压为二极管导通压降，然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。一般情况下，对于电路中有多个二极管的工作状态判断为：对于阴极（N端）连在一起的电路，只有阳极（P端）电位最高的处于导通状态；对于阳极（P端）连在一起的二极管，只有阴极（N端）电位最低的可能导通。
图（a）中，当假设二极管的VD开路时，其阳极（P端）电位PU为-6V，阴极（N端）电位NU为-12V。VD处于正偏而导通，实际压降为二极管的导通压降。理想情况为零，相当于短路。所以VUAO6；
图（b）中，断开VD时，阳极电位VUP15，阴极的电位VUN12，
∵ NPUU
∴ VD处于反偏而截止
∴ VUAO12；
图（c），断开VD1,VD2时
∵ VUP01 VUN121 11NPUU
VUP152 VUN122 22NPUU
∴ VD1处于正偏导通，VD2处于反偏而截止
VUAO0；
或，∵ VD1，VD2的阴极连在一起
电子技术基础试题库(1-6章)
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电子技术基础第一学期试题库（1~6章）
一、填空题：（每空1分）
1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为 ， 和 三类。
答：导体、半导体、绝缘体。
2、半导体具有 特性， 特性和 特性。
答：热敏、光敏、掺杂。
3、PN结具有 特性，即加正向电压时 ，加反向电压时 。
答：单向导电、导通、截止。
4、硅二极管导通时的正向管压降约 v,锗二极管导通时的管压降约 v。
答： 0.7V、0.3V。
（中）5、使用二极管时，应考虑的主要参数是 和 。
答：最大整流电流、最高反向工作电压。
5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常 锗二极管的反向饱和
电流，所以硅二极管的热稳定性 。
答：小于、较好。
6、发光二极管将 信号转换成 信号；光电二极管将 信号转
换成 信号。
答：电、光、光、电。
7、三极管有三个电极，即 极、 极和 极。
答：集电极、基极、发射极。
8、半导体三极管有 型和 型。
答： NPN、PNP。
（中）9、三极管基极电流IB的微小变化，将会引起集电极电流IC的较大变化，这说明三极管具有
作用。
答：电流放大。
10、硅三极管发射结的死区电压约 v，锗三极管的死区电压约 v。晶体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为 v，锗管约为 v。
半导体的基本知识
10-11学年第1学期电子技术基础教案（09技师机电1班） 刘凯
- 1 - 1-1半导体的基本知识
课 题：半导体基本知识
教学目的、要求：1、了解半导体的导电特性；
2、掌握PN结及其单向导电性。
教学重点、难点：1、PN结形成的过程；（难点）
2、PN结的单向导电性。（重点）
授 课 方 法：多媒体课件讲授，提纲及重点板书。
授 课 提 纲：
教 学
内 容：
组织教学
准备教学材料，清点学生人数。（课前2分钟）
引入新课
半导体器件是用半导体材料制成的电子器件。常用的半导体器件有二极管、三极管、场效应晶体管等。半导体器件是构成各种电子电路最基本的元件。
从本节课开始，我们先从半导体的基本知识开始，介绍常用的半导体器件。要求大家本征半导体的特点，掌握PN结的形成及单向导电性。（2分钟）
进入新课
第一章 常用半导体器件
§1-1
半导体的基本知识【板书】
一、什么是半导体【板书】
1、物质按导电能力的分类【标题板书+内容多媒体】（8分钟）
自然界中的物质按其导电能力可以分为三大类：导体、绝缘体和半导体。物质的导电特性取决于原子结构。
⑴导体：一般为低价元素，如铜、铁、铝等金属，其最外层电子受原子核的束缚力很小，因而极易挣脱原子核的束缚成为自由电子。因此在外电场作用下，这些电子产生定向移动形成电流，呈现出较好的导电特性。
⑵绝缘体：高价元素（如惰性气体）和高分子物质（如橡胶，塑料）最外层电子受原子核的束缚力很强，极不易摆脱原子核的束缚成为自由电子，所以其导电性极差, 可作为绝缘材料。
⑶半导体：半导体材料最外层电子既不像导体那样极易摆脱原子核的束缚,成为自由电子,也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧,因此，半导体的导电特性介于二者之间。 第一章 常用半导体器件
§1-1 半导体的基本知识
一、什么是半导体
《模拟电子技术基础》典型习题解答
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精选文档. 半导体器件的基础知识
1.1 电路如图P1.1所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1
解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b）所示，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。
图P1.2
解：uO的波形如解图P1.2所示。 .
精选文档. 解图P1.2
1.3 已知稳压管的稳定电压UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZMR的取值范围。
图P1.3
解：稳压管的最大稳定电流
IZM＝PZM/UZ＝25mA
电阻R的电流为IZM～IZmin，所以其取值范围为
k8.136.0ZZI～IUUR
1.4 UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
（1） 别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值；
（2） 若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
图P1.4
解：（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
V33.3ILLOURRRU
当UI＝15V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
LOIL5VRUURR
《模拟电子技术基础》(童诗白)课后习题答案
模拟电子技术基础
1.1 选择合适答案填入空内。 第 1 章 常用半导体器件
(l) 在本征半导体中加入( A )元素可形成 N 型半导体，加入( C )元素可形成 P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价
(2) 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小
(3) 工作在放大区的某三极管，如果当 IB 从 12 uA 增大到 22 uA 时，IC 从 lmA 变为 2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83 B.91 C.100
(4) 当场效应管的漏极直流电流 ID 从 2mA 变为 4mA 时,它的低频跨导 gm 将( A ) 。
A.增大； B.不变； C.减小
1.2 电路如图 P1.2 所示，已知ui = 10sinωt (V)，试画出 ui 与 uo 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。
图 P1.2 解图 P1.2
解： ui 与uo 的波形如解图 Pl.2 所示。
1.3 电路如图 P1.3 所示，已知ui = 5sinωt (V)，二极管导通电压 UD=0.7V。试画出 ui 与 uo 的波形图，并标出幅值。
图 P1.3 解图 P1.3
1.4 电路如图 P1.4 所示, 二极管导通电压 UD=0.7V,常温下UT ≈ 26mV ，电容 C 对交流信号可
视为短路； u i 为正弦波，有效值为 10mV。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？ 2 解：二极管的直流电流
ID = (V −UD ) / R = 2.6mA
其动态电阻:
rD ≈UT / ID =10Ω 图 P1.4
故动态电流的有效值： Id = Ui / rD ≈1mA
1.5 现有两只稳压管，稳压值分别是 6V 和 8V，正向导通电压为 0.7V。试问：
(1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？
(2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？
电子技术基础与技能训练试题
电⼦技术基础与技能训练试题
电⼦技术基础(模拟篇)
第⼀章半导体⼆极管
⼀、单选题1.当温度升⾼时，⼆极管正向特性和反向特性曲线分别（）。
A. 左移，下移
B. 右移，上移
C. 左移，上移
D. 右移，下移
2.在PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。
A. ⼩于，⼤于
B. ⼤于，⼩于
C. ⼤于，⼤于
D. ⼩于，⼩于
3.设⼆极管的端电压为U，则⼆极管的电流⽅程为（）
A. U
I e
S B. T U
U
I e S C. )1
e(
S
－T
U
U
I D. 1
e
S
－T
U
U
I
4.下列符号中表⽰发光⼆极管的为（）。
A B C D
5.稳压⼆极管⼯作于正常稳压状态时，其反向电流应满⾜( )。
A. I D = 0
B. I D < I Z且I D > I ZM
C. I Z > I D > I ZM
D. I Z < I D < I ZM
6.杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。
A. 少⼦
B. 多⼦
C. 杂质离⼦
D. 空⽳
7.从⼆极管伏安特性曲线可以看出，⼆极管两端压降⼤于（）时处于正偏导通状态。
A. 0
B. 死区电压
C. 反向击穿电压
D. 正向压降
8.杂质半导体中多数载流⼦的浓度主要取决于（）。
A. 温度
B. 掺杂⼯艺
C. 掺杂浓度
D. 晶体缺陷
9. PN结形成后，空间电荷区由（）构成。
A. 电⼦和空⽳
B. 施主离⼦和受主离⼦
C. 施主离⼦和电⼦
D. 受主离⼦和空⽳
10.硅管正偏导通时，其管压降约为（）。
A 0.1V
B 0.2VC 0.5V
D 0.7V
11.⽤模拟指针式万⽤表的电阻档测量⼆极管正向电阻，所测电阻是⼆极管的电阻，由于不同量程时通过⼆极管的电流，所测得正向电阻阻值。A. 直流，相同，相同
B. 交流，相同，相同
C. 直流，不同，不同
D. 交流，不同，不同
12.在25oC时，某⼆极管的死区电压U th≈0.5V，反向饱和电流I S≈0.1pA，则在35oC时，下列哪组数据可能正确：（）。
A U th≈0.525V，I S≈0.05pA
模拟电子技术基础学习指导与习题解答第一章
第一章 思考题与习题解答
1-1 名词解释
半导体、载流子、空穴、自由电子、本征半导体、杂质半导体、N型半导体、P型半导体、PN结。
解 半导体——导电能力介乎于导体与绝缘体之间的一种物质。例如硅(Si)和锗(Ge)，这两种半导体材料经常用来做晶体管。
载流子——运载电流的粒子。在导体中的载流子就是自由电子；半导体中的载流子有两种，就是自由电子与空穴，它们都能参加导电。
空穴——硅和锗均为共价键结构，属于四价元素。最外层的四个电子与相邻原子最外层电子组成四个共价键，每一个共价键上均有两个价电子运动。当环境温度升高(加热或光照)时，价电子获得能量摆脱原子核与共价键对它的束缚进入自由空间成为自由电子，在原来的位置上就出现一个空位，称为空穴。空穴带正电，具有吸引相邻电子的能力，参加导电时只能沿着共价键作依次递补式的运动。
自由电子——位于自由空间，带负电，参加导电时，在自由空间作自由飞翔式的运动，这种载流子称为自由电子。
本征半导体——不掺任何杂质的半导体，也就是指纯净的半导体，称为本征半导体。
杂质半导体——掺入杂质的半导体称为杂质半导体。
N型半导体——在本征硅(或锗)中掺入微量五价元素(如磷P)，就形成含有大量电子的N型杂质半导体，又称电子型杂质半导体，简称N型半导体。
P型半导体——在本征硅(或锗)中掺入微量的三价元素(如硼B)，就形成含大量空穴的P型杂质半导体，又称空穴型杂质半导体，简称P型半导体。
PN结——将一块P型半导体与一块N型半导体放在一起，通过一定的工艺将它们有机地结合起来，在其交界面上形成一个结，称为PN结。
1-3 选择填空(只填a、b…以下类同)
(1)在PN结不加外部电压时，扩散电流 漂移电流。(a.大于，b.小于，c.等于)
(2)当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流。(a1.大于，b1.小于，c1.等于)此时耗尽层。(a2.变宽，b2.变窄，c2.不变)
《电子技术基础与技能》单元复习题(一、二单元)
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《电子技术基础与技能》单元复习题
第一单元 二极管及其应用
一、 单项选择题
1．在本征半导体中加入（ )元素可形成 P型半导体,加入( ）元素可形成N型半导体。
A．五价 B．四价 C．三价 D．二价
2．P型半导体中的带电粒子是（ ），N型半导体中的带电粒子是（ )。
A．自由电子 B．空穴 C．载流子 D．中子
3．在杂质半导体中，少子的浓度主要取决于（ )，而多子的浓度则受( )的影响最大。
A．温度 B．掺杂浓度 C．掺杂工艺 D．晶体缺陷
4．PN结加正向电压时，空间电荷区将( ）。
A．变窄 B．变宽 C．基本不变 D．不确定
5．如果用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大，则二极管（ ）.
A．特性良好 B．已被击穿 C．内部开路 D．功能正常
6．桥式整流电路由4只二极管组成，故流过每只二极管的电流为（ ).
A．Io/4 B．Io/3 C．Io/2 D．Io
7．在桥式整流电路中，已知 U2 =10V，若某一个二极管开路，则此时的输出电压Uo=（ ）。
A．12V B．9V C．4.5V D．3V
8．当温度升高时，二极管的正向电压将（ )，反向饱和电流将（ ）。
A．增大 B．減小 C．基本不变 D．以上选项都正确
9．稳压管的稳压区是工作在（ ）状态。
A．反向截止 B．正向导通 C．反向击穿 D．不确定
10．发光二极管发光时，其工作在（ ）区。
A．反向截止 B．正向导通 C．反向击穿 D．不确定
11．整流的目的是( ).
A．将交流变为直流 B．将直流变为交流