二级管的分类及特性
二极管的分类与特性参数
二极管的分类与特性参数二极管是一种最简单的电子器件，它由一个p型半导体和一个n型半导体组成。
它具有一个正向电压下导通的特性，也就是只允许电流从p端流向n端，不允许从n端流向p端。
根据不同的应用需求，二极管可以分为多种类型，每种类型的二极管都有其独特的特性参数。
首先是整流二极管，也称为标准二极管。
整流二极管用来将交流电转换为直流电，常见的有1N4007、这类二极管的特性参数主要包括峰值反向电压（VRRM）、电流（IFAV）、瞬时峰值电流（IFSM）和导通电压（VF）。
其中，VRRM表示二极管可以承受的最大反向电压，IFAV表示二极管的最大平均整流电流，IFSM表示二极管可以承受的最大瞬时反向电流。
导通电压VF则展示了二极管在正向电压下的压降。
其次是稳压二极管，也称为Zener二极管。
稳压二极管用于提供稳定的电压。
它的特性参数主要包括稳压电压（VZ）、稳压电流（IZ）和动态电阻（rZ）。
稳压电压VZ表示二极管正向电压下的稳定值，IZ表示在VZ 下流过的稳压电流，rZ则表示在不同电流下二极管的变化率。
再次是肖特基二极管，也称为Schottky二极管。
肖特基二极管具有快速开关的特性，其特性参数主要包括正向峰值电压（VFM）和正向漏电流（IR）。
正向峰值电压VFM表示肖特基二极管在正向电压下的压降，正向漏电流IR则表示在给定电压下二极管正向导通时的漏电流。
最后是光电二极管，也称为光敏二极管。
光电二极管能将光能转换为电能，其特性参数主要包括光电流（IL）和光电流灵敏度（S）。
光电流IL表示光电二极管在给定光照下的输出电流，光电流灵敏度S则表示光电二极管输出电流和光照强度之间的比例关系。
综上所述，二极管的分类与特性参数多种多样，不同类型的二极管具有不同的应用场景和特点。
通过了解和掌握这些特性参数，可以更好地选择和应用二极管，满足电子器件设计和应用的需求。
五种二极管用途分类原理及应用
五种二极管用途分类原理及应用二极管是一种两端只能导通电流一个方向的电子器件，广泛应用于电子电路中。
下面将对五种不同类型的二极管的用途、分类原理及应用进行详细介绍。
一、整流二极管整流二极管是最常见的二极管类型之一，也被称为普通二极管。
它具有只允许电流在一个方向上流动的特性，常用于将交流电转换为直流电的整流电路。
其实现原理是基于半导体材料的PN结，当PN结的P端接在正电压（高电位）上，N 端接在负电压（低电位）上时，PN结处形成耗尽区，电流无法通过。
当P端接在负电压上，N端接在正电压上时，PN结处不再形成耗尽区，电流得以通过。
整流二极管的应用包括电源转换器、电动机驱动、充电电路等。
二、肖特基二极管肖特基二极管是一种由金属与半导体接触形成的二极管。
它具有低电压损失、快速开关速度和低反向电流等特点。
肖特基二极管的工作原理是基于肖特基接触，即由于金属和半导体之间的电子互相扩散而形成的电势垒。
与整流二极管相比，肖特基二极管具有更低的开启电压且反向耐压较低。
它广泛应用于高频电路、开关电源、闭环控制电路等领域。
三、快恢复二极管快恢复二极管是一种在有源区恢复更快的二极管，常用于高频和高功率电路中。
其主要特点是恢复时间短，能够较快地提供导通状态，从而减小电压压降和功率损耗。
快恢复二极管的核心技术是降低PN结的耗尽层宽度，以实现更快的恢复速度。
快恢复二极管常用于电源开关电路、光伏逆变器、军事雷达等高性能电源和高频电路。
四、肖特基势垒调制二极管肖特基势垒调制二极管（Schottky Barrier Diode，SBD）是一种工作在高频范围内的二极管。
它的优点在于具有快速开关速度、低正向电压丢失和低反向电流。
肖特基势垒调制二极管的工作原理是利用了金属与半导体之间的Schottky接触，形成了一种比PN结更快和更高效的电子注入和排出方式。
典型应用包括射频电路中的混频器、变频器以及开关电源。
五、发光二极管发光二极管（Light Emitting Diode，LED）是一种可以将电能转化为可见光的二极管。
二极管的种类
二极管的种类二极管是电子元件中最基本和最常见的一种。
它是一种基于半导体材料制成的控制电流流动方向的器件。
二极管具有两个电极，分别是阳极（Anode，A）和阴极（Cathode，K）。
通过对二极管施加正向电压（正向偏置），就可以促使电流经过二极管；而当施加反向电压时（反向偏置），二极管则会阻止电流的流动。
根据不同的应用场景和电学性能，二极管可以分为多种不同的类型。
下面就让我们来具体了解一下这些二极管的分类和特点。
1. 硅二极管：硅二极管是最常见且使用最广泛的二极管类型之一。
它以硅材料制造，具有较高的工作温度和较低的漏电流。
硅二极管的正向电压降较大，约为0.6-0.7伏特。
在低频和高频电路中，硅二极管经常用作检测、整流和开关器件。
2. 锗二极管：锗二极管是最早被发明和使用的二极管类型之一。
它以锗材料制造，与硅二极管相比，锗二极管具有较低的工作温度和较高的漏电流。
锗二极管的正向电压降约为0.2-0.3伏特。
由于其特殊的电学性能，锗二极管广泛应用于放大器、检波器和高速开关等领域。
3. 快恢复二极管：快恢复二极管（Fast Recovery Diode）具有较高的响应速度和较短的恢复时间。
它们被设计用于需要频繁开关的电路，以减少开关过程中的能量损失。
快恢复二极管通常采用多晶硅材料合金制造，以实现更高的频率响应和更低的开关损耗。
4. 肖特基二极管：肖特基二极管（Schottky Diode）是一种由金属和半导体材料组成的二极管。
它具有较低的正向电压降和较快的开关速度，适用于高频应用。
肖特基二极管在整流器、混频器和功率放大器等电路中发挥重要作用。
5. 整流二极管：整流二极管主要用于将交流信号转换为直流信号。
它们被广泛应用于电源和电子设备中，用于将电源交流电转换为供电设备所需的直流电。
整流二极管具有较高的正向电压降和较大的导通电流承载能力。
6. 可控整流二极管：可控整流二极管，也称为双向可控整流二极管（Thyristor），是一种特殊的二极管，它具有双向导电特性。
二极管分类和作用
二极管分类和作用
二极管有多种分类，包括普通二极管、稳压二极管、开关二极管、整流二极管和发光二极管等。
普通二极管的主要特性是单向导电性，具有在正向电压作用下导通电阻很小，而在反向电压作用下导通电阻极大的特点。
普通二极管两端稳定电压在（硅型）左右。
稳压二极管与普通二极管都具有单向导电性，但稳压二极管的反向击穿是可逆的。
当去掉反向电压后，稳压二极管又恢复正常，而普通二极管反向击穿时将损坏。
开关二极管的正向电阻和反向电阻相差很大，因此可以将二极管作为电子开关器件，也就是常说的二极管开关电路。
整流二极管的作用是利用二极管的单向导通特性，把交流电变成直流电。
整流二极管通常包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。
整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造，硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。
发光二极管简称为LED，由含镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成，通常用于照明或显示作用。
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二极管种类
二极管的种类
二极管是一种常用的半导体器件，用于控制电流的流动方向。
根据不同的工作原理和结构特点，二极管可以分为多种类型。
下面将介绍几种常见的二极管种类。
1. 功率二极管
功率二极管是一种用于承受高功率的二极管。
它通常具有较大的封装和散热表面，以便有效地散热。
功率二极管通常用于高电压、高电流的电路中，如电源供应器、变流器等。
2. 整流二极管
整流二极管也被称为整流器，用于将交流电信号转换为直流电信号。
整流二极管通常由硅或其他半导体材料制成，具有单向导电性，可以有效地将正负半周波形转换为单向电流。
3. 肖特基二极管
肖特基二极管是一种速度快、开启压低的二极管。
它通常由金属-半导体接面构成，具有较低的开启电压和较快的开启反应速度。
肖特基二极管适用于高频电路和快速开关电路。
4. 光电二极管
光电二极管也称为光敏二极管，是一种能够将光信号转换为电信号的二极管。
光电二极管通常由半导体材料制成，具有灵敏的光电转换效率。
它广泛应用于光通信、光测量等领域。
5. 双极型二极管
双极型二极管是一种同时具有N型和P型半导体材料的二极管。
它具有两个P-N结，可以实现双向导通。
双极型二极管在逻辑电路、放大电路等方面有着广泛的应用。
以上是几种常见的二极管种类，每种类型的二极管都具有不同的用途和特点。
选择适合的二极管种类对电路的性能和稳定性至关重要。
希望以上内容可以对二极管的种类有所了解。
二极管的分类与特性参数
二极管的分类与特性参数一、二极管的分类1.按材料分类：（1）硅二极管：硅二极管是最常见的二极管，具有较高的工作温度和较低的导通电压。
（2）锗二极管：锗二极管具有较低的导通电压，适用于低功耗和低电压应用。
2.按结构分类：（1）环绕式二极管：环绕式二极管是最简单的结构，由P型和N型两种半导体材料组成。
（2）肖特基二极管：肖特基二极管是一种PN结构的二极管，特点是导通电压低，反向漏电流小。
（3）合金二极管：合金二极管是一种PN结构的二极管，具有高转导特性和高工作频率。
3.按工作电压分类：（1）低压二极管：低压二极管的导通电压一般在0.2V以下。
（2）中压二极管：中压二极管的导通电压一般在0.2V~0.6V之间。
（3）高压二极管：高压二极管的导通电压一般在0.6V以上。
二、二极管的特性参数1.最大可逆电压（VRM）：指二极管可承受的最大反向电压，超过该电压会导致二极管击穿损坏。
2.最大正向电流（IFM）：指二极管可承受的最大正向电流，超过该电流会使二极管过热损坏。
3.最大反向电流（IRM）：指二极管在反向电压下的最大反向漏电流，超过该电流会导致负载电路的误操作。
4.导通电压降（VF）：指二极管在正向工作时的导通电压，也称为正向压降。
5.反向漏电流（IR）：指二极管在反向电压下的漏电流，也称为反向电流或反向饱和电流。
6.反向恢复时间（tRR）：指二极管从正向导通转为反向截止的时间，也称为反向恢复速度。
时间越短，二极管的高频特性越好。
7.热稳定工作电流（Iz）：指二极管在指定温度下的稳态工作电流，也称为额定工作电流。
8.温度系数：指二极管的电压、电流等参数随温度变化的大小，也称为温度稳定性。
9.前导电压降（VF1）：指二极管开始正向导通时的电压降。
10.储电容（Cj）：指二极管内部的储电容量，是二极管的一个重要参数，与二极管的高频特性有关。
三、总结二极管是电子电路中使用最广泛的器件之一，根据不同的分类标准，二极管可以分为硅二极管、锗二极管、环绕式二极管、肖特基二极管和合金二极管等。
二极管的用途和种类
二极管的用途和种类二极管是一种只可以让电流在一个方向上流通的电子器件，被广泛应用于各种电子设备和电路中。
它是由N型半导体和P型半导体组成的晶体管，具有单向导电特性，可以在电子学中光偶合、整流、变频、检波、限幅、稳压、电压调节、放大等方面进行应用。
下面我们将详细介绍二极管的种类和应用。
1.普通二极管普通二极管是最基本的二极管器件，它的主要特点是正向电压小，反向电压大。
常用于整流、限流、稳压等电路中。
2.肖特基二极管肖特基二极管也被称为热电子二极管，由于它的构造与普通二极管不同，特点是正向导通电压低，截止电压高，反向漏电流小。
常用于高频电路和微波电路。
3.恢复二极管5.隧道二极管隧道二极管又被称为双基势垒二极管，它的主要特点是负电阻特性，可以在信号放大、振荡、开关电源等方面进行应用。
6.光电二极管光电二极管也被称为光敏二极管，它的主要特点是将光能转化为电能。
它经过改良可以用于太阳能电池、红外线探测器和光电传感器等方面。
肖特基光伏二极管又被称为太阳电池，它是一种将光能转化为电能的半导体器件，在太阳能领域得到了广泛的应用。
8.集成二极管集成二极管是一种被集成在芯片上的电子器件，可用于微处理器、存储器、数字信号处理器等领域。
1.整流普通二极管经常被应用于整流电路中，可以将交流电转变为直流电。
2.稳压肖特基二极管、肖特基势垒二极管、恢复二极管、稳压管等可以被用于稳压电路中，协助电路实现稳定的电压输出。
3.放大隧道二极管由于具备负电阻特性，因此可以被应用于放大电路中。
4.开关二极管在电路中还可以被用于开关电路中，可以进行快速的打开和关闭操作。
总结：二极管是一种经典的电子器件和半导体材料科学中的基础研究领域，其种类繁多，应用广泛，再加上它具有单向导电特性，因此在电子学中得到了广泛的应用。
这使得二极管成为电子学中不可或缺的元件之一。
二极管特性及参数
二极管特性及参数一、二极管的特性：二极管是一种最简单的半导体器件，它具有单向导电性。
二极管由P 型半导体和N型半导体组成，P型半导体区域被称为P区，N型半导体区域被称为N区，P区和N区之间形成的结被称为PN结。
在PN结两侧形成的电场称为势垒，势垒会阻碍电流的流动，只有当正向电压施加在二极管上时，电流才能流过。
二极管的工作特性如下：1.正向工作特性：当二极管的正端连接到正电压源，负端连接到负电压源时，二极管处于正向偏置状态。
此时，PN结的势垒被削弱，电流可以流动。
二极管的正向电压(Vf)越大，通过二极管的电流(If)越大。
正向工作特性遵循指数规律，即电流与电压之间存在指数关系。
2.反向工作特性：当二极管的正端连接到负电压源，负端连接到正电压源时，二极管处于反向偏置状态。
此时，PN结的势垒会增加，电流几乎不能流动。
只有当反向电压(Vr)超过二极管的反向击穿电压时，才会发生逆向击穿，电流急剧增加。
二、二极管的参数：1.极限值参数：-峰值反向电压(VRM)：反向电压的最大值，一般用来表示二极管的耐压能力。
-峰值反向电流(IFM)：反向电流的最大值，一般用来表示二极管的耐流能力。
-正向电压降(VF)：正向工作时，PN结两侧产生的电压降。
-正向电流(IF)：通过二极管的最大电流。
2.定常态参数：- 正向阻抗(Forward resistance)：在正向工作状态下，二极管的阻抗大小。
正向阻抗与正向电流大小有关，一般用欧姆表示。
- 反向电流(Reverse current)：在反向工作状态下，二极管的电流大小。
- 反向传导电导(Reverse conductance)：在反向工作状态下，PN结的反向传导电导值，与反向电流大小有关。
3.动态参数：- 正向导通压降(Forward voltage drop)：当二极管处于正向工作状态时，二极管两端的电压降。
- 动态电电渡特性(Forward dynamic electrical characteristics)：反映在零偏电流条件下，PN结在正向电压下的电流特性关系。
二极管特性及参数
二极管特性及参数二极管（Diode）是一种电子器件，由两种不同类型的半导体材料组成：P型半导体和N型半导体。
它具有单向导电特性，即只允许电流在一个方向上通过。
二极管有很多重要的特性和参数，下面将会详细介绍。
一、正向特性：当二极管的正负极正向连接时，如果正向电压小于等于一个特定的值，即正向电压低于二极管的结压降（通常为0.7V），二极管处于正向工作状态，电流可以流过。
这时二极管的电流随正向电压的增加而迅速增大。
这种情况下，二极管处于导通状态，其导通状态下的电阻非常小，几乎可以视为导线。
二、反向特性：当二极管的正负极反向连接时，如果反向电压小于等于一个特定的值，即反向电压低于二极管的击穿电压（通常为50V~1000V），则二极管处于反向工作状态，电流几乎为零。
反向工作状态下的电阻很大，可以视为开路。
但是，当反向电压大于击穿电压时，二极管会产生击穿，电流会大幅度增加，这时二极管会被损坏。
三、参数：1. 峰值逆向电压：也称为击穿电压（Reverse Breakdown Voltage），它指的是二极管可以承受的最大反向电压，在这个电压之下，二极管工作正常，超过这个电压则可能发生击穿。
击穿电压越高，二极管的耐受能力越强。
2.正向电压降：二极管在正向导通时，正向电流通过后，在二极管的两端会形成一个固定的电压降，通常在0.6V~0.7V之间。
这个电压降称为正向电压降或者压降，是指在正向工作状态下二极管的电压降低多少。
3. 最大正向电流：也称为额定电流（Rated Forward Current），它指的是二极管可以正常工作的最大电流值。
超过这个电流值，二极管可能会发生损坏。
4. 最大反向电流：也称为反向饱和电流（Reverse Saturation Current），它指的是二极管在反向工作时通过的最大电流值。
在正常情况下，反向电流很小，几乎为零。
超过这个电流值，二极管可能会发生击穿，导致损坏。
5. 动态电阻：也称为交流电阻或微分电阻（Dynamic Resistance），它是指二极管在线性区时，输入的交流信号变化所引起的反向电流变化与正向电压变化之间的比例关系。
二极管 介绍
二极管介绍二极管一、引言二极管是一种电子元器件，被广泛应用于电子设备中的电路中。
它具有正向导通和反向截止的特性，常用于整流、调制、放大和开关等功能。
本文将从结构、工作原理、分类和应用等方面对二极管进行详细介绍。
二、结构和工作原理二极管由两个不同材料组成，即P型半导体和N型半导体。
两个半导体之间的交界面称为P-N结。
P型半导体上的杂质含有三价元素，如硼（B）、铝（Al）等，而N型半导体上的杂质含有五价元素，如磷（P）、砷（As）等。
当P-N结加上正向偏置电压时，P型区域与N型区域之间的电子和空穴将扩散并重新结合。
这种情况下，电子从N型区域流向P型区域，空穴则相反。
这种导通状态称为正向偏置。
反之，当P-N结加上反向偏置电压时，P型区域的电子被吸引向P-N结区域，N型区域的空穴被吸引向P-N结区域，电子和空穴无法通过P-N结进行结合，形成截止状态。
三、分类根据用途和特性，二极管可分为多种类型。
以下是常见的二极管分类：1. 整流二极管整流二极管也称为信号二极管，主要用于将交流电信号转换为直流电信号。
最常见的整流二极管是硅二极管和锗二极管。
2. 光电二极管光电二极管是一种能够将光能转换为电能的器件。
光电二极管常用于光电转换、光通讯和传感器等领域。
3. 齐纳二极管齐纳二极管是一种具有稳定的正向电压和锐利的负阻抗特性的二极管。
它常用于电力管理、稳压电源和高频电路等领域。
4. 可变电容二极管可变电容二极管可以改变其电容大小。
它通常由两个电容导板之间的PN结构成，通过改变偏置电压来调节电容值。
可变电容二极管被广泛应用于调谐电路和无线电设备等领域。
四、应用二极管在电子设备中被广泛应用。
以下是一些常见的应用场景：1. 整流器二极管可以将交流电转换为直流电，常用于电源、逆变器和电动机驱动器等领域。
2. 放大器二极管具有整流和放大特性，被广泛应用于声音放大器、射频放大器等领域。
3. 稳压器稳压二极管可以提供稳定的电压输出，在电路中用于稳定电源和保护其他元器件。
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二级管的分类及特性摘要: 一、根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN 结而工作的。
与PN 结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。
包括这两种型号在内，根据PN 结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。
因此，其PN 结的静电容量小，适用于高频...一、根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN 结而工作的。
与PN 结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。
包括这两种型号在内，根据PN 结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。
因此，其PN 结的静电容量小，适用于高频电路。
但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。
因为构造简单，所以价格便宜。
对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。
2、键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。
其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。
与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN 结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。
多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流(不大于50mA)。
在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
3、合金型二极管在N 型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN 结而形成的。
正向电压降小，适于大电流整流。
因其PN 结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
4、扩散型二极管在高温的P 型杂质气体中，加热N 型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P 型，以此法PN 结。
因PN 结正向电压降小，适用于大电流整流。
最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
5、台面型二极管PN 结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN 结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。
其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。
初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。
因此，又把这种台面型称为扩散台面型。
对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。
6、平面型二极管在半导体单晶片(主要地是N 型硅单晶片)上，扩散P 型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N 型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN 结。
因此，不需要为调整PN 结面积的药品腐蚀作用。
由于半导体表面被制作得平整，故而得名。
并且，PN 结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。
最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。
对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
7、合金扩散型二极管它是合金型的一种。
合金材料是容易被扩散的材料。
把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN 结中获得杂质的恰当的浓度分布。
此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。
8、外延型二极管用外延面长的过程制造PN 结而形成的二极管。
制造时需要非常高超的技术。
因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。
9、肖特基二极管基本原理是：在金属(例如铅)和半导体(N 型硅片)的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。
肖特基与PN 结的整流作用原理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V 左右。
其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr 特别地短。
因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
二、根据用途分类1、检波用二极管就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流小于100mA 的叫检波。
锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP 型。
类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。
也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。
2、整流用二极管就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。
以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流大于100mA 的叫整流。
面结型，工作频率小于KHz，最高反向电压从25 伏至3000 伏分A～X 共22 档。
分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ 型、②硅桥式整流器QL 型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz 的2CLG 型。
3、限幅用二极管大多数二极管能作为限幅使用。
也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。
为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。
也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。
4、调制用二极管通常指的是环形调制专用的二极管。
就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。
即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。
5、混频用二极管使用二极管混频方式时，在500～10,000Hz 的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。
6、放大用二极管用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。
因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。
7、开关用二极管有在小电流下(10mA 程度)使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。
小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。
开关二极管的特长是开关速度快。
而肖特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。
2AK 型点接触为中速开关电路用;2CK 型平面接触为高速开关电路用;用于开关、限幅、钳位或检波等电路;肖特基(SBD)硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。
8、变容二极管用于自动频率控制(AFC)和调谐用的小功率二极管称变容二极管。
日本厂商方面也有其它许多叫法。
通过施加反向电压，使其PN 结的静电容量发生变化。
因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。
通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。
结电容随反向电压VR 变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。
9、频率倍增用二极管对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃(即急变)二极管的频率倍增。
频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。
阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr 短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显着地短。
如果对阶跃二极管施加正弦波，那幺，因tt(转移时间)短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。
10、稳压二极管是代替稳压电子二极管的产品。
被制作成为硅的扩散型或合金型。
是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。
作为控制电压和标准电压使用而制作的。
二极管工作时的端电压(又称齐纳电压)从3V 左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级。
在功率方面，也有从200mW 至100W 以上的产品。
工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ 很小，一般为2CW 型;将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW 型。
11、PIN 型二极管(PIN Diode)这是在P 区和N 区之间夹一层本征半导体(或低浓度杂质的半导体)构造的晶体二极管。
PIN 中的I 是”本征”意义的英文略语。
当其工作频率超过100MHz 时，由于少数载流子的存贮效应和”本征”层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。
在零偏置或直流反向偏置时，”本征”区的阻抗很高;在直流正向偏置时，由于载流子注入”本征”区，而使”本征”区呈现出低阻抗状态。
因此，可以把PIN 二极管作为可变阻抗元件使用。
它常被应用于高频开关(即微波开关)、移相、调制、限幅等电路中。
12、雪崩二极管(Avalanche Diode)它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。
产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那幺，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。
它常被应用于微波领域的振荡电路中。
13、江崎二极管(Tunnel Diode)它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。
其基底材料是砷化镓和锗。
其P 型区的N 型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。
隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。
发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01 微米以下);简并半导体P 型区和N 型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。
江崎二极管为双端子有源器件。
其主要参数有峰谷电流比(IP/PV)，其中，下标”P”代表”峰”;而下标”V”代表”谷”。
江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中(其工作频率可达毫米波段)，也可以被应用于高速开关电路中。
14、快速关断(阶跃恢复)二极管(Step Recovary Diode)它也是一种具有PN 结的二极管。
其结构上的特点是：在PN 结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成”自助电场”。
由于PN 结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN 结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个”存贮时间”后才能降至最小值(反向饱和电流值)。
阶跃恢复二极管的”自助电场”缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量。
利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。
快速关断(阶跃恢复)二极管用于脉冲和高次谐波电路中。
15、肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)它是具有肖特基特性的”金属半导体结”的二极管。
其正向起始电压较低。
其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。
其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N 型半导体。
这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN 结大得多。
由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC 时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。