光电检测复习资料

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简答题

1、光电探测器常见的噪声有哪几类?分别简要说明。

(1)热噪声:由载流子热运动引起的电流起伏或电压起伏成为热噪声,热噪声功率与温度有关

( 2)散粒噪声:随机起伏所形成的噪声

(3)产生--复合噪声:载流子浓度起伏引起半导体电导率的起伏,在外加电压下,电导率的起伏是输出电流中带有产生--复合噪声

(4)1/f噪声:这种噪声功率谱近似与频率成反比

(5)温度噪声:是由于器件本身温度变化引起的噪声

2、光电二极管与一般二极管相比有什么相同点和不同点?

相同点:都是基于PN结的光伏效应而工作的

不同点:(1)就制作衬底材料的掺杂浓度而言,一般二极管要比光电二极管浓度较高

(2)光电二极管的电阻率比一般二极管要高

(3)普通二极管在反向电压作用时处于截止状态,只能流过微弱的反向电流,光电二极管是在反向电压作用下工作的,

(4)光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大,以便接收入射光。

3、简述光电三极管的工作原理。

光电三极管的工作原理分为两个过程:一是光电转换;二是光电流放大。就是将两个pn结组合起来使用。以NPN型光电三极管为例,基极和集电极之间处于反偏状态,内建电场由集电极指向基极。光照射p区,产生光生载流子对,电子漂移到集电极,空穴留在基极,使基极与发射极之间电位升高,发射极便有大量电子经基极流向集电极,最后形成光电流。光照越强,由此形成的光电流越

4、简述声光相互作用中产生布喇格衍射的条件以及布喇格衍射的特点。

产生布喇格衍射条件:声波频率较高,声光作用长度L较大,光束与声波波面间以一定的角度斜入射。

特点:衍射光各高级次衍射光将互相抵消,只出现0级和+11级)衍射光,合理选择参数,并使超声场足够强,可使入射光能量几乎全部转移到+1级(或-1级)

5、什么是热释电效应?热释电器件为什么不能工作在直流状态?

热释电效应:热释电晶体吸收光辐射温度改变,温度的变化引起了热电晶体的自发极化强度的变化,从而在晶体的特定方向上引起表面电荷的变化,这就是热释电效应。

根据热释电效应,热释电探测器的电流和温度的变化满足,如果照射光是恒定的,那么温度T是恒定值,电流为零,所以热电探测器是一种交流器件

6、噪声等效功率?

投射到探测器敏感元件上的辐射功率所产生的输出电压(或电流)正好等于探测器本身的噪声电压(或电流),则这个辐射功率就叫“噪声等效功率”。

7、光伏效应?

当光辐射到半导体上时,产生光生载流子,电势垒的内建电场将把电子与空穴分开,从而在势垒两侧形成电荷堆积,产生光生伏特效应,简称光伏效应

8、像管的主要功能是什么?有哪几部分组成?像管和摄像管的最大区别是什

么?

像管主要功能是把不可见辐射图像或微弱光图像通过光电阴极和电子光学系统转换成可见光图像

像管由光电阴极、电子透镜、荧光屏三个基本部分组成

像管和摄像管的最大区别:像管内部没有扫描机构,不能输出电视信号,对它的使用就像使用望远镜去观察远处景物一样,观察者必须通过它直接面对事物9、简述光频外差探测的特点。

答:(1)高的转换增益。(2)良好的滤波性能。(3)良好的空间和偏振鉴别能力。(4)小的信噪比损失;有利于微弱光信号的探测。(5)探测灵敏度高(或具有极限灵敏度)。

10、比较光子探测器和光热探测器在作用机理、性能及应用特点等方面的差异。答:光子探测器和光热探测器分别应用了光子效应和光热效应。光子效应是指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。探测器吸收光子后,直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。光子能量的大小,直接影响内部电

子状态改变的大小。光子效应就对光波频率表现出选择性,在光子直接与电子相互作用的情况下,其响应速度一般比较快。(3分)光热效应和光子效应完全不同。探测元件吸收光辐射能量后,并不直接引起内部电子状态的改变,而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量,引起探测元件温度上升,温度上升的结果又使探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化。所以,光热效应与单光子能量h

外波段上,材料吸收率高,光热效应也就更强烈,所以广泛用于对红外线辐射的探测。因为温度升高是热积累的作用,所以光热效应的响应速度一般比较慢,而且容易受环境温度变化的影响。

11、光电探测器性能参数包括哪些方面。

答:为了评价探测器性能优劣,比较不同探测器之间的差异,从而达到根据具体需要合理正确选择光电探测器件的目的,制定了一套性能参数。通常包括积分灵敏度,也成为响应度,光谱灵敏度,频率灵敏度,量子效率,通量阈和噪声等效功率,归一化探测度及工作电压、电流、温度及入射光功率允许范围。

12、光子效应和光热效应。

答:光子效应是指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。探测器吸收光子后,直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。光子能量的大小,直接影响内部电子状态改变的大小。因为,光子能量是h h是普朗克常数,

电子相互作用的情况下,其响应速度一般比较快。光热效应和光子效应完全不同。探测元件吸收光辐射能量后,并不直接引起内部电子状态的改变,而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量,引起探测元件温度上升,温度上升的结果又使探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化。所以,光热效应与单光子能量h

波段上,材料吸收率高,光热效应也就更强烈,所以广泛用于对红外线辐射的探测。因为温度升高是热积累的作用,所以光热效应的响应速度一般比较慢,而且容易受环境温度变化的影响。值得注意的是,以后将要介绍一种所谓热释电效应是响应于材料的温度变化率,比其他光热效应的响应速度要快得多,并已获得日益广泛的应用。

13、请简要说出InSb和PbS光敏电阻的特性。

答:(1)PbS 近红外辐射探测器波长响应范围在1~3.4μm,峰值响应波长为2μm 内阻(暗阻)大约为1MΩ响应时间约200μs (2)InSb 在77k下,噪声性能大大改善峰值响应波长为5μm 响应时间短(大约50×10-9s)

14、为什么说光电池的频率特性不是很好?

答:光电池总的来说频率特性不是很好,这是由于两个方面的原因: 第一,光电池的光敏面一般做的较大,因而极间电容较大;第二,光电池工作在第四象限,有较小的正偏压存在,所以光电池的内阻较低,而且随入射光功率变差,因此光电池的频率特性不好.

15、直接光电探测器的平方律特性表现在哪两个方面?

答:一是光电流正比于光电场振幅的平方,二是电输出功率正比于入射光功率的平方

16、什么是半波电压?

当光波的两个垂直分量Ex Ey )时所需要加的电压,称为半波电压。

17、说明光子效应和光热效应各自特点。

光子效应:指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。探测器吸收光子后,直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。光子能量的大小,直接影响内部电子状态的改变。(2分)特点:光子效应对光波频率表现出选择性,响应速度一般比较快。(1分)

光热效应:探测元件吸收光辐射能量后,并不直接引起内部电子状态的改变,而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量,引起探测元件温度上升,温度上升的结果又使探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化。(2分)特点:原则上对光波频率没有选择性,响应速度一般比较慢。

18、红外光学系统的特点

(1)红外辐射源的辐射波段位于1μm以上的不可见光区,普通光学玻璃对2.5μm以上的光波不透明,而在所有有可能透过红外波段的材料中,只有几种材料有必需的机械性能,并能得到一定的尺寸,如锗、硅等,这就大大限制了透镜系统在

红外光学系统设计中的应用,使反射式和折反射式光学系统占有比较重要的地位。(2)为了探测远距离的微弱目标,红外光学系统的孔径一般比较大。(3)在红外光学系统中广泛使用各类扫描器,如平面反射镜、多面反射镜、折射棱镜及光楔等。(4)8至14μm波段的红外光学系统必须考虑衍射效应的影响。(5)在各种气象条件下或在抖动和振动条件下,具有稳定的光学性能

19、光电倍增管的供电电路分为负高压供电和正高压供电,试说明这两种供电

电路的特点,举例说明它们分别适用于哪种情况。

答:采用阳极接地,负高压供电。这样阳极输出不需要隔直电容,可以直流输出,一般阳极分布参数也较小。可是在这种情况下,必须保证作为光屏蔽和电磁屏蔽的金属筒距离管壳至少要有10~20mm,否则由于屏蔽筒的影响,可能相当大地增加阳极暗电流和噪声。如果靠近管壳处再加一个屏蔽罩,并将它连接到阴极电位上,则要注意安全。采用正高压电源就失去了采用负高压电源的优点,这时在阳极上需接上耐高压、噪声小的隔直电容,因此只能得到交变信号输出。可是,它可获得比较低和稳定的暗电流和噪声。

20、微弱辐射作用下,光电导材料的光电灵敏度有什么特点。

答:在微弱辐射下,光电导材料的光电灵敏度是定值,光电流与入射光通量成正比,即保持线性关系。

21、为什么结型光电器件正向偏置时,没有明显的光电效应?必须在哪种偏置

状态?为什么?

答:因为p-n结在外加正向偏压时,即使没有光照,电流也随着电压指数级在增加,所以有光照时,光电效应不明显。p-n结必须在反向偏压的状态下,有明显的光电效应产生,这是因为p-n结在反偏电压下产生的电流要饱和,所以光照增加时,得到的光生电流就会明显增加。

22、光电探测器与热探测器在工作原理、性能上有什么区别?

答:所谓光电效应是指,光辐射入射到光电材料上时,光电材料发射电子,或者其电导率发生变化,或者产生感生电动势的现象。光电效应实质上是入射光辐射与物质中束缚于晶格的电子或自由电子的相互作用所引起的。光电效应就对光波频率(或波长)表现出选择性。在光子直接与电子相互作用的情况下,其响应速度一般比较快。按照是否发射电子,光电效应又分为内光电效应和外光电效应。具体有光电子发射效应、光电导效应、光生伏特效应、光子牵引效应和光电

磁效应等。光热效应的实质是探测元件吸收光辐射能量后,并不直接引起内部电子状态的改变,而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量,引起探测元件温度上升,温度上升的结果又使探测元件与温度有关的电学性质或其他物理性质发生变化。原则上,光热效应对光波频率(或波长)没有选择性,因而物质温度的变化仅决定于光功率(或其变化率),而与入射光辐射的光谱成分无关。因为温度升高是热积累的作用,所以光热效应的响应速度一般比较慢,而且容易受环境温度变化的影响。光热效应包括热释电效应、温差电效应和测热辐射计效应等23、什么是光纤的色散?

答:光纤的色散就是输入脉冲在光纤内的传输过程中,由于光波的群速度不同而出现的脉冲展宽现象。光纤色散是传输的信号脉冲发生畸变,从而限制了光束的传输带宽

24、光纤传感器的基本构成?

光纤传感器由光源、敏感元件(光纤的或非光纤的)、光探测器、信号处理系统以及光纤等组成。

25、相位调制型光纤传感器的工作原理?

答:当一束波长为λ的相干光在光纤中传播时,光波的相位角与光纤的长度L、纤芯折射率n1和纤芯直径d有关。光纤受物理量作用时,这三个参数就会发生不同程度的变化,引起光相移。一般来说,纤芯直径引起的光相位变化可以忽略。而在一段长为L的单模光纤(纤芯折射率为n1)中,波长为λ的输出光相对输入端来说,其相位角Φ为

计算题

1、假设将人体作为黑体,正常人体体温为36.5°C 。计算(1)正常人体所发出的辐射出射度;(2)正常人体的峰值辐射波长。(斯忒藩-玻尔兹曼常数 )(10670.5842K s J/m ???=-σ,维恩常数为2897.9μm )

2、用Si 光电二极管测缓变光辐射,伏安特性曲线如图1所示,在入射光最大功率为8μW 时,电压10V ,反向偏置电压为40V ,Si 光电二极管的灵敏度S=0.5μA/μW ,结电导为0.005μS ,求(1)画出光电二极管的应用电路图(2)计算二极管的临界电导(3)计算最大线性输出时的负载R L 。

图1 图2

3、与象限探测器相比PSD 有什么特点?如何测试图中(如图2所示)光点A 偏离中心的位置?

答:PSD 是利用离子注入技术制成的一种可确定光的能量中心位置的结型光电器件,其特点是,(1)它对光斑的形状无严格要求,只与光的能量中心有关(2)光敏面上无须分割,消除了死区,可连续测量光斑位置,分辨率高。(3)可同时检测位置和光强,PSD 器件输出总电流和入射光强有关,所以从总的电流可求得相应的入射光强。(4分) 工作原理: 当光束入射到PSD 器件光敏层上距中心点的距离为xA 时,在入射位置上产生与入射辐射成正比的信号电荷,此电荷形成的光电流通过电阻p 型层分别由电极1与2输出。设p 型层的电阻是均匀的,两电极间的距离为2L ,流过两电极的电流分别为I1和I2,则流过n 型层上电极的电流I0为I1和I2之和(I0= I1+I2)。

4、依据图3提供的结构和脉冲电压图说明CCD 电荷转移的过程。

3

2

1

ΦΦΦ

1 2 34

图3

答:(1)在t1时刻,φ1高电位,φ2、φ3低电位。此时φ1电极下的表面势最大,势阱最深。假设此时已有信号电荷(电子)注入,则电荷就被存储在φ1电极下的势阱中。 (2)t2时刻,φ1、φ2为高电位,φ3为低电位,则φ1、φ2下的两个势阱的空阱深度相同,但因φ1下面存储有电荷,则φ1势阱的实际深度比φ2电极下面的势阱浅,φ1下面的电荷将向φ2下转移,直到两个势阱中具有同样多的电荷。 (3)t3时刻,φ2仍为高电位,φ3仍为低电位,而φ1由高到低转变。此时φ1下的势阱逐渐变浅,使φ1下的剩余电荷继续向φ2下的势阱中转移。 (4)t4时刻,φ2为高电位,φ1、φ3为低电位,φ2下面的势阱最深,信号电荷都被转移到φ2 下面的势阱中,这与t1时刻的情况相似,但电荷包向右移动了一个电极的位置。当经过一个时钟周期T 后,电荷包将向右转移三个电极位置,即一个栅周期(也称一位)。因此,时钟的周期变化,就可使CCD 中的电荷包在电极下被转移到输出端。

5、在晶体横向调制器中,应尽量消除自然双折射对调制光的影响,通常采用“组合调制器”的结构进行补偿。现有两块尺寸、性能完全相同的KDP 晶体,其中一块晶体如图4放置,请问另一块晶体如何放置才能消除双折射影响?并说明其原理。(需标明加电压后晶体主轴x’,y’,z 的方向和电压正负)

图4

KDP 晶体 +

6、设在半径为R c 的圆盘中心法线上,距盘圆中心为l 0处有一个辐射强度为I e 的点源S

7、已知从铝金属逸出一个电子至少需要A = 4.2 eV 的能量,若用可见光投射到

铝的表面,能否产生光电效应?为什么?

(普朗克常量h =6.63×10-34 J ·s ,基本电荷e =1.60×10-19 C)

解: 不能产生光电效应

因为:铝金属的光电效应红限波长A /hc 0=λ,而 A =4.2 eV =6.72×19-10J nm 2960=λ

而可见光的波长范围为390 nm~770 nm > 0λ

8、在两个激光放大器之间,通常加入隔离器,使光束只沿一个方向传播。现有一45°法拉第旋转器,偏振片若干,运用所学的知识,在如图3所示的光路中第6题图

设计一个简单的磁光隔离器,画出结构示意图,并说明其工作原理。

解: 如图所示,磁光隔离器主要由起偏器、45°法拉第旋转器和检偏器构成. 起偏器和检偏器光轴间夹角为45°。来自起偏器的线偏振光,经45°法拉第旋转器之后,由于磁光效应, 振动面旋转45°,正好与检偏器的光轴平行,能通过检偏器传播。若传播的光受到反射,反射的光再度通过45°法拉第旋转器,振动面又旋转45°,正好与起偏器的光轴垂直,从而被挡住,避免了反射光进入作为光源的激光器而影响光源的稳定性,这样可以起到隔离的作用。

9、判断图9中所示为哪种探测器,写出图中所标注的a 、b 、c 的电极名称,并简述该探测器的组成和工作原理。

图9

答:光电倍增管 (1分)瓦片静电聚焦型(1分) a.(半透明)阴极 b.聚焦电极c.阳极(3分) 光电倍增管主要由光入射窗、光电阴极、电子光学系统、倍增极和阳极等部分组成。(3分) 光电倍增管由光窗、光电阴极、电子光学系统、电子倍增系统和阳极五个主要部分组成。光电倍增管的工作原理:

(1)光子透过入射窗口入射在光电阴极上;(2)光电阴极的电子受光子激发,离开表面发射到真空中;(3)光电子通过电场加速和电子光学系统聚焦入射到第一倍增极D1上,倍增极将发射出比入射电子数目更多的二次电子。入射电子经N 级倍增极倍增后,光电子就放大N 次。(4)经过倍增后的二次电子由阳极b

c a 入射光

光束传播方向

收集起来,形成阳极光电流,在负载上产生信号电压

10、已知热敏器件的受光面为100mm2,频率响应范围Δf为1H Z,器件初始温度为300K,发射率为ε为100%,试推导并估算此热敏探测器的最小可探测光功率。(σ=5.67×10-12J/cm2K4,k B=1.38×10-23J/K)

光电检测技术课程作业及答案(打印版)

思考题及其答案 习题01 一、填空题 1、通常把对应于真空中波长在(0.38m μ)围的电磁辐射称 μ)到(0.78m 为光辐射。 2、在光学中,用来定量地描述辐射能强度的量有两类,一类是(辐射度学量),另一类是(光度学量)。 3、光具有波粒二象性,既是(电磁波),又是(光子流)。光的传播过程中主要表现为(波动性),但当光与物质之间发生能量交换时就突出地显示出光的(粒子性)。 二、概念题 1、视见函数:国际照明委员会(CIE)根据对许多人的大量观察结果,用平均值的方法,确定了人眼对各种波长的光的平均相对灵敏度,称为“标准光度观察者”的光谱光视效率V(λ),或称视见函数。 2、辐射通量:辐射通量又称辐射功率,是辐射能的时间变化率,单位为瓦(1W=1J/s),是单位时间发射、传播或接收的辐射能。 3、辐射亮度:由辐射表面定向发射的的辐射强度,除于该面元在垂直于该方向的平面上的正投影面积。单位为(瓦每球面度平方米) 。 4、辐射强度:辐射强度定义为从一个点光源发出的,在单位时间、给定方向上单位立体角所辐射出的能量,单位为W/sr(瓦每球面度)。 三、简答题 辐射照度和辐射出射度的区别是什么? 答:辐射照度和辐射出射度的单位相同,其区别仅在于前者是描述辐射接

收面所接收的辐射特性,而后者则为描述扩展辐射源向外发射的辐射特性。 四、计算及证明题 证明点光源照度的距离平方反比定律,两个相距10倍的相同探测器上的照度相差多少倍?答: 2 22 4444R I R I dA d E R dA d E R I I ===∴=ππφπφφπφ=的球面上的辐射照度为半径为又=的总辐射通量为在理想情况下,点光源设点光源的辐射强度为 ()1 2222222221 122 12 11001001010E E L I E L I L I L I E R I E L L L L =∴====∴= = 又的距离为第二个探测器到点光源, 源的距离为设第一个探测器到点光 习题02 一、填空题 1、物体按导电能力分(绝缘体)(半导体)(导体)。 2、价电子的运动状态发生变化,使它跃迁到新的能级上的条件是(具有能向电子提供能量的外力作用)、(电子跃入的那个能级必须是空的)。 3、热平衡时半导体中自由载流子浓度与两个参数有关:一是在能带中(能态的分布),二是这些能态中(每一个能态可能被电子占据的概率)。 4、半导体对光的吸收有(本征吸收)(杂质吸收)(自由载流子吸收)(激子吸收)(晶格吸收)。半导体对光的吸收主要是(本征吸收)。 二、概念题 1、禁带、导带、价带:

核工程检测技术复习资料最终版

核工程检测技术复习资料最终版 20XX--核工程检测仪表复习题 1:概念题 绝对误差:绝对误差:△=x-L △为绝对误差;x为测量值;L为真实值相对误差:δ=△/L×% 仪表的基本误差:仪表在规定的标准条件下最大的引用误差 分辨率:表明仪表响应输入量微小变化的能力指标,即不能引起输出发生变化的输入量幅度与仪表量程范围之比的百分数 灵敏度:仪表在稳定状态下输出微小变化与输入微小变化之比 迟滞:仪表正向特性与反向特性不一致的程度,以正、反向特性之差的最大值与仪表量程之比的百分数表示线性度:表明仪表实际输出与输入的关系曲线与理想直线之间的关系精度:仪表精密度与准确度之和,用相对误差来表示 霍尔效应:指把一半导体单晶薄片放在磁感应强度为B 的磁场中,在它的两个端面上通以电流I,则在它的另两个端面上产生电势Uh,这种现象称为霍尔效应。 压电效应:某些电介质在沿一定方向上受到外力的作用

而变形时,其内部会产生极化现象,同时在它的两个相对表面上出现正负相反的电荷。当外力去掉后,它又会恢复到不带电的状态,这种现象称为正压电效应。 标准节流装置:把几种标准化了的节流件、规定了的取压方式和规定长度的前后直管段,总称为标准节流装置2:测量系统的组成及各部分的功用? 测量系统敏感部件、变换部件、传递部件、显示部件组成 敏感部件与被测对象直接发生接触,按照被测介质的能量,使其产生一个以某种方式与被测量有关的输出信号变换部件:对敏感部件输出的信号在送往显示部件之前进行适当的变换传递部件:传输信号的通道 显示部件:测量系统与观测者的界面,他将被测量的信号以某种形式显示给观测者的记录显示,甚至还有调节的功能。 3:测量方法根据研究的问题不同如何进行分类?各分类方法包括哪些测量方法? 测量方法可以按照如何取得测量结果、按照测量方式、按被测量在测量过程中的状态和按测量条件相同与否来分类。 按照如何取得测量结果可以分为:直接测量法、间接测量法、组合测量法。按照测量方式可以分为:偏差式测量

-建筑工程检测试验技术管理规范

建筑工程检测试验技术管理规范 JGJ 190-2010备案号J973-2010 2010.01.08发布2010.07.01实施 1总则 1.0.1为规范建筑工程施工现场检测试验技术管理方法,提高建筑工程施工现场检测试验技术管理水平,制定本规范。 1.0.2 本规范适用于建筑工程施工现场检测试验的技术管理。 1.0.3 本规范规定了建筑工程施工现场检测试验技术管理的基本要求。当本规范与国家法律、行政法规的规定相抵触时,应按国家法律、行政法规的规定执行。 1.0.4 建筑工程施工现场检测试验技术管理除应执行本规范外,尚应符合国家现行有关标准的规定。 2术语 2.0.1 检测试验inspection and testing 依据国家有关标准和设计文件对建筑工程的材料和设备性能、施工质量及使用功能等进行测试,并出具检测试验报告的过程。 2.0.2 检测机构inspection and testing organ 为建筑工程提供检测服务并具备相应资质的社会中介机构,其出具的报告为检测报告。 2.0.3 企业试验室in-house testing laboratory 施工企业内部设置的为控制施工质量而开展试验工作的部门,其出具的报告为试验报告。 2.0.4 现场试验站testing station at construction site 施工单位根据工程需要在施工现场设置的主要从事试样制取、养护、送检以及对部分检测试验项目进行试验的部门。 3基本规定 3.0.1 建筑工程施工现场检测试验技术管理应按以下程序进行: 1 制定检验试验计划; 2 制取试样; 3 登记台账; 4 送检; 5 检测试验; 6 检测试验报告管理。 3.0.2 建筑工程施工现场应配备满足检测试验需要的试验人员、仪器设备、设施及相关标准。 3.0.3 建筑工程施工场检测试验的组织管理和实施应由施工单位负责。当建筑工程实行施工总承包时,可由总承包单位负责整体组织管理和实施,分包单位按合同确定的施工范围各负其责。 3.0.4 施工单位及其取样、送检人员必须确保提供的检测试样具有真实性和代表性。 3.0.5 承担建筑工程施工检测试验任务的检测单位应符合下列规定: 1 当行政法规、国家现行标准或合同对检测单位的资质有要求时,应遵守其规定;当没有要求时,可由施工单位的企业试验室试验,也可委托具备相应资质的检测机构检测; 2 对检测试验结果有争议时,应委托共同认可的具备相应资质的检测机构重新检测;

硅光电池特性测试实验报告

硅光电池特性测试实验报告 系别:电子信息工程系 班级:光电08305班 组长:祝李 组员:贺义贵、何江武、占志武 实验时间:2010年4月2日 指导老师:王凌波 2010.4.6

目录 一、实验目的 二、实验内容 三、实验仪器 四、实验原理 五、注意事项 六、实验步骤 七、实验数据及分析 八、总结

一、实验目的 1、学习掌握硅光电池的工作原理 2、学习掌握硅光电池的基本特性 3、掌握硅光电池基本特性测试方法 4、了解硅光电池的基本应用 二、实验内容 1、硅光电池短路电路测试实验 2、硅光电池开路电压测试实验 3、硅光电池光电特性测试实验 4、硅光电池伏安特性测试实验 5、硅光电池负载特性测试实验 6、硅光电池时间响应测试实验 7、硅光电池光谱特性测试实验 设计实验1:硅光电池光控开关电路设计实验 设计实验2:简易光照度计设计实验 三、实验仪器 1、硅光电池综合实验仪 1个 2、光通路组件 1只 3、光照度计 1台 4、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 5、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 6、三相电源线 1根 7、实验指导书 1本 8、20M 示波器 1台 四、实验原理 1、硅光电池的基本结构 目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用,硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元,深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理﹑光电效应理论和光伏电池产生机理。 零偏反偏正偏 图 2-1. 半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区 图2-1是半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区,当P型和N型半导体材料结合

光电检测技术作业答案

光电检测技术作业2 光电导灵敏度S g = 0.5X10 -6S/lx,1. 设某只CdS光敏电阻的最大功耗为30mW, =0 。试求当 CdS 光敏电阻上的偏置电压为 20V 时的极限照度。 暗电导 g 2. 在如图所示的照明灯控制电路中,将上题所给的CdS光敏电阻用作光电传感 器,若已知继电器绕组的电阻为 5 K ,继电器的吸合电流为2mA,电阻R 1K 。求为使继电器吸合所需要的照度。要使继电器在 3lx时吸合,问应如何调整电阻器R?

3. 在如图所示的电路中,已知R b 820 ,R e 3.3k ,U w 4V,光敏电 阻为R p ,当光照度为40lx时输出电压为6V,80lx时为9V。设该光敏电阻在30~100lx之间的 值不变。试求: (1)输出电压为8V时的照度。 (2)若R e增加到6k ,输出电压仍然为8V,求此时的照度。 (3)若光敏面上的照度为70lx,求R e 3.3k 与R e 6k 时输出的电压。(4)求该电路在输出电压为 8V时的电压灵敏度。

4. 影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些?为什么PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于107Hz? 5为什么在光照度增大到一定程度后,硅光电池的开路电压不再随入射照度的增大而增大?硅光电池的最大开路电压为多少?为什么硅光电池的有载输出电压总小于相同照度下的开路电压? 6硅光电池的内阻与哪些因素有关?在什么条件下硅光电池的输出功率 最大? 答:(1)极电容,串接电阻,串接电阻越小越好。 (2)显然,存在着最佳负载电阻Ropt,在最佳负载电阻情况下负载可以获得最大的输出功率Pmax

测试技术复习资料

《无机材料测试技术》试卷(一) 得分阅卷人 一、名词解释(每题2分,共20分) 1.相干散射波长不变的散射,又称经典散射. 2. 系统消光由原子在晶胞中的位置不同而引起某些方向上衍射线的消失称为系统消光. 3.μm 4.粉晶衍射仪法利用X射线的电离效应及荧光效应,由辐射探测器(各种计数器)来测定记录衍射线的方向和强度。 5. 6.EPMA 电子探针工 7.几何像差透镜磁场几何上的缺陷所产生,包括球差、像散和畸变. 8.相位衬度像利用电子束相位变化由两束以上电子束相干成像 9. AES 10.DSC 差示扫面量热法 10.微商热重分析能记录TG曲线对温度或时间的一阶导数的一种技术,也即质量变化速率作为温度或时间的函数被连续记录下来。 得分阅卷人 二、填空题(每题4分,共20分) 1.吸收限的应用主要是:合理的选用滤波片材料害人辐射源的波长(即选阳极靶材料)以便获得优质的花样衍射。 。

2.影响衍射线强度的因子是:1.多重性因子2. 结构因子3.脚因子4.温度因 子5.吸收因子 。 3.透射电镜制备样品的方法主要有:直接法:粉末颗粒样品、超薄切片、直接薄膜样品间接法:一级复型、二级复型;半直接法:萃取复型 。 4.SEM的主要工作方式有:发射方式、反射方式、吸收方式、投射方式、俄歇电子方式、X射线方式、阴极发光方式、感应信号方式。 。 5.DTA中用参比物稀释试样的目的是: . j减少被测样品的数量 。 得分阅卷人 三、判断题(每题2分,共10分) 1.滤波片的K吸收限应大于或小于Kα和Kβ。 2.满足布拉格方程时,各晶面的散射线相互干涉加强形成衍射线。 3.当物平面与物镜后焦平面重合时,可看到形貌像。(√) 4. 原子序数Z越大的原子,其对入射电子的散射的弹性散射部分越小。(×) 5. TG曲线上基本不变的部分叫基线。 得分阅卷人 四、问答及计算题(每题10分,共50分) 1.简述特征X射线产生的机理? 1.答:入射电子能量等于或大于物质原子中K层电子的结合能,将K层电子激发掉,外层电子会跃迁到K层空位,因外层电子能量高,多余的能量就会以X射线的形式辐射出来,两个能级之间的能量差是固定的,所以此能量也是固定,即其波长也是固定的。

铁路工程试验检测技术培训资料

铁路工程试验检测技术 一.单选型试题 (每小题1.00 分,总共253分) 1.TB10414-2003中规定,塑料排水板施工抽检频率() A.同一厂家、产地、品种且连续进场每10万米为一批,不足10万米也按一批计 B.同一厂家、产地、品种且连续进场每5万米为一批,不足5万米也按一批计 C.同一厂家、产地、品种且连续进场每20万米为一批,不足20万米也按一批计 D.同一厂家、产地、品种且连续进场每1万米为一批,不足1万米也按一批计 答案:A 2.TB10414-2003中规定,土工合成材料加筋垫层检验数量() A.同一厂家、产地、品种且连续进场每3万m2为一批,不足3万m2也按一批计 B.同一厂家、产地、品种且连续进场每5万m2为一批,不足5万m2也按一批计 C.同一厂家、产地、品种且连续进场每20万m2为一批,不足20万m2也按一批计 D.同一厂家、产地、品种且连续进场每1万m2为一批,不足1万m2也按一批计答案:A 3.下面那个检验指标不是混凝土拌合用水要求的检验项目()。 A.氯化物含量 B.硫酸盐含量 C.碱含量 D.甲醛含量 答案:D 4.环境()不属于冻融破坏环境。 A.微冻地区+频繁接触水 B.微冻地区+水位变动区 C.严寒和寒冷地区+水位变动区 D.严寒和寒冷地区 答案:D 5.用块石类混合料填筑的普通铁路路基,其压实质量采用( )指标控制 A.K30 B.K30、n C.K30、K D.K30、相对密度Dr

6.《铁路工程土工试验规程》中颗粒分析试验规定:筛析法适用于粒径小于或等于60mm ,大于0.075mm的土;密度计法和移液管法适用于粒径小于0.075mm 的土。筛析法中,对于含有黏土采用()试验方法 A.水筛法 B.干筛法 C.比重计法 D.蜡封法 答案:A 7.K30平板荷载是采用直径为30cm的荷载板测定下沉量为( )时的地基系数的试验方法. A.1.25m B.1.25mm C.2.5mm D.0.125m 答案:B 8.预应力混凝土预制梁试生产前,应进行混凝土配合比选定试验,制作各种混凝土耐久性试件,进行耐久性试验。以下各项试验中,()可以不做。 A.抗冻性 B.抗渗性 C.抗氯离子渗透性 D.耐磨性 答案:D 9.胶凝材料是指用于配制混凝土的水泥与粉煤灰、磨细矿渣粉和硅灰等活性矿物掺和料的总称。水胶比则是混凝土配制时的()总量之比。 A.用水量与胶凝材料 B.用水量与水泥和粉煤灰 C.水泥与粉煤灰 D.用水量与水泥 答案:A 10.铁路路基用细粒土填筑的普通铁路路基,其压实质量采用( )指标控制。 A.K30、K 、Evd B.K30、n C.K30、K D.K30、K 、Ev2 答案:C 11.高速铁路路基的基床表层用级配碎石填筑,其小于0.02mm的颗粒含量用以下哪个方法检测较为适宜。( ) A.筛析法

光电探测技术实验报告

光电探测技术实验报告 班级:08050341X 学号:28 姓名:宫鑫

实验一光敏电阻特性实验 实验原理: 光敏电阻又称为光导管,是一种均质的半导体光电器件,其结构如图(1)所示。由于半导体在光照的作用下,电导率的变化只限于表面薄层,因此将掺杂的半导体薄膜沉积在绝缘体表面就制成了光敏电阻,不同材料制成的光敏电阻具有不同的光谱特性。光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。 实验所需部件: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻(选配单元)、电压表、 各种光源、遮光罩、激光器、光照度计(由用户选配) 实验步骤: 1、测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻 观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩 盖,用万用表测得的电阻值为暗电阻 R暗,移开遮光罩,在环境光照下测得的光敏电阻的 阻值为亮电阻,暗电阻与亮电阻之差为光电阻,光 电阻越大,则灵敏度越高。 在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻, 试作性能比较分析。 2、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图(3)接线,电源可从+2~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮则暗电流L暗=V暗/R L,亮电流L亮=V亮/R L,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 分别测出两种光敏电阻的亮电流,并做性能比较。 图(2)几种光敏电阻的光谱特性 3、伏安特性: 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系。 按照图(3)分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V、12V时的光电流,并尝试高照射光源的光强,测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果填入表格并作出V/I曲线。 注意事项: 实验时请注意不要超过光电阻的最大耗散功率P MAX, P MAX=LV。光源照射时灯胆及灯杯温度均很高,请勿用手触摸,以免烫伤。实验时各种不同波长的光源的获取也可以采用在仪器上的光源灯泡前加装各色滤色片的办法,同时也须考虑到环境光照的影响。

现代测试技术复习试题

一、选择 1.把连续时间信号进行离散化时产生混迭的主要原因是( ) a.记录时间太长; b.采样时间间隔太宽; c.记录时间太短; d. 采样时间间隔太窄 2.下述参量的测量属于间接测量法的是( ) a.用天平测量物体质量; b.用弹簧秤称物体重量; c.声级计测声强级; d.线圈靶测速 3.磁感应测速传感器中的速度线圈之所以用两个线圈串联而成,其作用主要为( ) a.提高传感器的灵敏度及改善线性; b. 提高传感器的灵敏度及改善频响特性; c.改善传感器的频响特性及补偿永久磁铁在线圈铁心垂直方向上的微小跳动对感应电动势的影响; d.提高传感器的灵敏度及补偿永久磁铁在线圈铁心垂直方向上的微小跳动对感应电动势的影响; 4.表示随机信号中动态分量的统计常数是( ) a.均方值; b.均值; c.均方差; d.概率密度函数 5.半导体应变片是根据( )原理工作的。 a.电阻应变效应; b.压电效应; c.热阻效应; d.压阻效应 6.压电式加速度计测量系统的工作频率下限取决于( ) a.压电测压传感器的力学系统的频率特性; b.压电晶体的电路特性; c.测量电路的时间常数; d.放大器的时间常数τ 7.二阶系统中引入合适的阻尼率的目的是( ) a.使得系统输出值稳定; b.使系统不共振; c.获得较好的幅频、相频特性; d.获得好的灵敏度 8.带通滤波器所起的作用是只允许( )通过。 a.低频信号; b.高频信号; c.某一频带的信号; d.所有频率分量信号 9.压电加速度测量系统的工作频率下限取决于( ) a.加速度力学系统的频率特性; b. 压电晶体的电路特性; c. 测量电路的时间常数 10. 自相关函数是一个( )函数 a.奇函数; b.偶函数; c.非奇非偶函数; d. 三角函数 11.在光作用下,使物体的内部产生定向电动势的现象,称( )效应。 a.内光电; b.外光电; c.热电; d.阻挡层光电 12.( )传感器是根据敏感元件材料本身的物理性质变化而工作的。 a.差动变压器式; b.变间隙电容式; c.变阻器式; d. 电压式 13.半导体热敏电阻的电阻温度系数α可用下式( )表示(已知半导体热敏电阻与温度系数关系可用T B Ae R =描述) a.α=dT R dR ;b. α=2T B ;c. α=2T A ;d. α=00111ln ln T T R R --(R 1,R 0分别是温度T 1,T 0时的电阻值) 14.如果一信号的自相关函数R x (τ)是一定周期性不衰减,则说明该信号( ) a.均值不为0; b.含周期分量; c.是各态历经的 ; d.是各态不历经的 15.用方程法求解回归直线时,误差最小的方法是( )

光电检测实验报告(2)硅光电池

光电检测实验报告 实验名称:硅光电池特性测试实验实验者: 实验班级: 实验时间: 指导老师:宋老师

一:实验目的 1、学习掌握硅光电池的工作原理 2、学习掌握硅光电池的基本特性 3、掌握硅光电池基本特性测试方法 4、了解硅光电池的基本应用 二、实验内容 1、硅光电池短路电路测试实验 2、硅光电池开路电压测试实验 3、硅光电池光电特性测试实验 4、硅光电池负载特性测试实验 5、硅光电池光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、硅光电池综合实验仪 1个 2、光通路组件 1只 3、光照度计 1台 4、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 5、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 6、三相电源线 1根 7、实验指导书 1本 8、20M 示波器 1台

四、实验步骤 1、硅光电池短路电流特性测试: (1)组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)“光照度调节”调到最小,连接好光照度计,直流电源调至最小,打开照度计,此时照度计的读数应为0。 (3)“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”,将拨位开关S1拨上,S2,S3,S4,S5,S6,S7均拨下。 (4)按图2-11所示的电路连接电路图 (5)记录下此时的电流表读数I即为硅光电池短路电流。 图2-11 硅光电池短路电流特性测试 2、硅光电池开路电压特性测试 (1)组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4

与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)“光照度调节”调到最小,连接好光照度计,直流电源调至最小,打开照度计,此时照度计的读数应为0。 (3)“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”,将拨位开关S1拨上,S2,S3,S4,S5,S6,S7均拨下。 (4)按图2-12所示的电路连接电路图 (5)记录下此时电压表的读数u即为硅光电池开路电压。 图2-12 硅光电池开路电压特性测试 3、硅光电池伏安特性测试 (1)组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)“光照度调节”调到最小,连接好光照度计,直流电源调至最小,打开照度计,此时照度计的读数应为0。 (3)“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”,将拨位开关S1拨上,S2,S3,S4,S5,S6,S7均拨下。 (4)电压表档位调节至2V档,电流表档位调至200uA档,将“光照度调节”旋钮逆时针调节至最小值位置。

光电检测技术考试试卷

光电检测技术期中考试试卷 2014 一.选择题(20分) 1.对于费米能级,以下说法不正确的是( ) A 一个平衡的系统只能有唯一一个费米能级 B 电子占据率为0.5时所对应的能级 C p 型半导体材料费米能级靠近价带顶 D n 型半导体材料费米能级靠近价带顶 2.负电子亲和势阴极和正电子亲和势比较有重要差别,参与发射的的电子( ) A 不是冷电子,而是热电子 B 不是热电子,而是冷电子 C 既是冷电子,又是热电子 D 既不是冷电子,也不是热电子 3.下列器件按照响应速度由快到慢的顺序,正确的是( ) A PIN 光电二极管 PN 结光电二极管 光电三极管 光敏电阻 B PIN 光电二极管 光敏电阻PN 结光电二极管 光电三极管 C 光电三极管 PIN 光电二极管 光敏电阻PN 结光电二极管 D PN 结光电二极管 光电三极管 PIN 光电二极管 光敏电阻 4.下列探测器的光-电响应时间,由少数载流子的寿命决定: ( ) A 光电导探测器 B 光电二极管 C 光电倍增管 D 光电倍增管 5.对于光敏电阻,下列说法不正确的是( ) A 弱光照下,光电流与照度之间具有良好的线性关系 B 光敏面做成蛇形,有利于提高灵敏度 C 光敏电阻光谱特性的峰值波长,低温时向短波方向移动 D 光敏电阻具有前历效应 6.下列光源中哪一种光源,可作为光电探测器在可见光区的积分灵敏度测量标准光源:( ) A 氘灯 B 低压汞灯 C 色温2856K 的白炽灯 D 色温500K 的黑体辐射器 7.当黑体的温度升高时,其峰值光谱辐射出射度所对应的波长的移动方向为( ) A.向短波方向移动 B.向长波方向移动 C.不移动 D.均有可能 8.表中列出了几种国外硅APD 的特性参数 根据表中数据,要探测830nm 的弱光信号,最为合适的器件是 ( ) A C30817E B C30916E C C30902E D C30902S 9.已知甲、乙两厂生产的光电器件在色温2856K 标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为uW uA S e /5=, lm A o S v /4.=,则甲乙两厂中光电器件灵敏度比较结果正确的是( ) A. 甲场灵敏度高 B. 乙场灵敏度高 C. 甲乙两场灵敏度一样高 D. 无法比较

传感器与检测技术总复习

填空: 1?传感器是把外界输入的非电信号转换成(电信号)的装置。 2?传感器是能感受规定的(被测量)并按照一定规律转换成可用(输出信号)的器件或装置。 3. 传感器一般由(敏感元件)与转换元件组成。 (敏感元件)是指传感器中能直接感受被测量的部分 (转换元件)是指传感器中能将敏感元件输出量转换为适于传输和测量的电信号部分。 4. 半导体应变片使用半导体材料制成,其工作原理是基于半导体材料的(压阻效应)。 5. 半导体应变片与金属丝式应变片相比较优点是(灵敏系数)比金属丝高50~80 倍。 6. 压阻效应是指半导体材料某一轴向受到外力作用时,其(电阻率p )发生变化的现象。 7. 电阻应变片的工作原理是基于(应变效应),即在导体产生机械变形时,它的电阻值相应发生变化。 8. 金属应变片由(敏感栅)、基片、覆盖层和引线等部分组成。 9. 常用的应变片可分为两类:(金属电阻应变片)和(半导体电阻应变片)。 半导体应变片工作原理是基于半导体材料的(压阻效应)。金属电阻应变片的工 作原理基于电阻的(应变效应)。 10. 金属应变片有(丝式电阻应变片)、(箔式应变片)和薄膜式应变片三种。 11. 弹性敏感元件及其基本特性:物体在外力作用下而改变原来尺寸或形状的现象称为(变形),而当外力去掉后物体又能完全恢复其原来的尺寸和形状,这种变形称为(弹性变形)。 12. 直线电阻丝绕成敏感栅后,虽然长度相同,但应变不同,园弧部分使灵敏系数K J下降,这种现象称为(横向效应)。 13. 为了减小横向效应产生的测量误差,现在一般多采用(箔式应变片)。 14. 电阻应变片的温度补偿方法 1)应变片的自补偿法 这种温度补偿法是利用自身具有温度补偿作用的应变片(称之为温度自补偿应变片)来补偿的,应变片的自补偿法有(单丝自补偿)和(双丝组合式自补偿)。15. 产生应变片温度误差的主要因素有下述两个方面。 1)(电阻温度系数)的影响 2)试件材料和电阻丝材料的(线膨胀系数不同)的影响

建筑工程检测试验技术管理规范

建筑工程检测试验技术管 理规范 This model paper was revised by the Standardization Office on December 10, 2020

建筑工程检测试验技术管理规范 JGJ 190-2010备案号J973-2010 2010.01.08发布实施 1总则 1.0.1为规范建筑工程施工现场检测试验技术管理方法,提高建筑工程施工现场检测试验技术管理水平,制定本规范。 1.0.2 本规范适用于建筑工程施工现场检测试验的技术管理。 1.0.3 本规范规定了建筑工程施工现场检测试验技术管理的基本要求。当本规范与国家法律、行政法规的规定相抵触时,应按国家法律、行政法规的规定执行。 1.0.4 建筑工程施工现场检测试验技术管理除应执行本规范外,尚应符合国家现行有关标准的规定。 2术语 2.0.1 检测试验 inspection and testing 依据国家有关标准和设计文件对建筑工程的材料和设备性能、施工质量及使用功能等进行测试,并出具检测试验报告的过程。 2.0.2 检测机构 inspection and testing organ 为建筑工程提供检测服务并具备相应资质的社会中介机构,其出具的报告为检测报告。 2.0.3 企业试验室 in-house testing laboratory

施工企业内部设置的为控制施工质量而开展试验工作的部门,其出具的报告为试验报告。 2.0.4 现场试验站 testing station at construction site 施工单位根据工程需要在施工现场设置的主要从事试样制取、养护、送检以及对部分检测试验项目进行试验的部门。 3基本规定 3.0.1 建筑工程施工现场检测试验技术管理应按以下程序进行: 1 制定检验试验计划; 2 制取试样; 3 登记台账; 4 送检; 5 检测试验; 6 检测试验报告管理。 3.0.2 建筑工程施工现场应配备满足检测试验需要的试验人员、仪器设备、设施及相关标准。 3.0.3 建筑工程施工场检测试验的组织管理和实施应由施工单位负责。当建筑工程实行施工总承包时,可由总承包单位负责整体组织管理和实施,分包单位按合同确定的施工范围各负其责。

光电检测实验报告

光电检测试验报告 专业:应用物理学 姓名:叶长军 学号:10801030125 指导教师:王颖 实验时间:2011.4 重庆理工大学光电信息学院

实验一 光敏电阻特性实验 实验原理: 利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器叫光敏电阻。光敏电阻采用梳 状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。 内光电效应发生时,光敏电阻电导率的改变量为: p n p e n e σμμ?=???+??? ,e 为 电荷电量,p ?为空穴浓度的改变量,n ?为电子浓度的改变量,μ表示迁移率。当两端加上电压U 后,光电流为:ph A I U d σ=??? 式中A 为与电流垂直的表面,d 为电极间的间距。在一定的光照度下,σ?为恒定的值,因而光电流和电压成线性关系。 光敏电阻的伏安特性如图1-2所示,不同的光照度可以得到不同的伏安特性,表明 电阻值随光照度发生变化。光照度不变的情况下,电压越高,光电流也越大,光敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的最高额定值。 图1-2光敏电阻的伏安特性曲线 图1-3 光敏电阻的光照特性曲线 实验仪器: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻(选配单元)、电压表、各种光源、遮光罩、激光器、光照度计(做光照特性测试,由用户自备或选配) 实验步骤: 1. 测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻 观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩盖,用万用表欧姆档测得的电阻值为 暗电阻R 暗,移开遮光罩,在环境光照下测得的光敏电阻的阻值为亮电阻R 亮,暗电阻 与亮电阻之差为光电阻,光电阻越大,则灵敏度越高。 在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻,试作性能比较分析。 2. 光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图1-5接线,分别在暗光及有光源照射下测出输出 电压暗和U 亮,电流L 暗=U 暗/R,亮电流L 亮=U 亮/R ,亮电流 与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 3. 光敏电阻的伏安特性测试 按照上图接线,电源可从直流稳压电源+2~+12V 间选用, 每次在一定的光照条件下,测出当加在光敏电阻上电压 为 +2V ;+4V ;+6V ;+8V ;+10V ;+12V 时电阻R 两端的电压U R ,

检测技术练习题

1、为什么热导式气体分析仪可以用来测量待测气体中H2的含量?对测量条件有何要求? 2、如下图所示为有差随动变换的DDZII型差压变送器的结构原理图,简述其工作原理。其中1、膜片,2、簧片, 3、杠杆, 4、检测片, 5、检测线圈, 6、反馈线圈,7 、放大器。 3、试举例说明如何理解“检测仪表是检测过程中的一部分或全部”? 4、已知节流式流量计,满量程为30kg/s,量程比为3:1。当实际流速为12kg/s时,测量 结果是否准确?根据如下图所示的标准孔板流量系数 与雷诺数R e的关系曲线说明为什么? 5、设计一个流量检测系统,要求信号变换采用平衡式变换。 (1)简述设计原理,并绘出原理框图; (2)绘制出检测系统的示意图(简图),指出所选用的敏感元件、转换元件、转换电路和显示仪表等,并进行简要分析。 6、信号变换是过程检测系统中的一个重要环节。 (1)试从结构形式和变换特点上简要说明信号的差动式变换与参比式变换的工作原理; (2)在某过程检测系统中,如果要求同时减小环境等因素对转换元件和敏感元件的干扰,改善系统的非线性,应该怎样设计该系统的信号变换部分。 7、检测通常包括哪些过程?这些过程各自的组成部分是什么?

8、检测仪表的基本性能指标有哪些(至少给出3个)?如何确定检测仪表的这些基本性能指标? 9、简述下图所示的弹簧管压力计的工作原理? 10、热电偶测温系统原理如下图所示,该系统采用何种信号变换技术?根据其工作原理说明为什么? 11、有一种可用于热磁式气体成分检测的内对流式发送器,其原理如下图所示。 ① 分析图中永久磁铁的作用? ② 分析该发送器的信号转换过程? ③ 已知电阻1,0R =150Ω,2,0R =150Ω,3,0R =200Ω,w R =0Ω, E =5V 。试确定电阻4,0R 的阻值,并说明理由?

建筑工程检测试验技术管理规范

建筑工程检测试验技术管理规范

建筑工程检测试验技术管理规范 JGJ 190- 备案号J973- .01.08发布 .07.01实施 1总则 1.0.1为规范建筑工程施工现场检测试验技术管理方法,提高建筑工程施工现场检测试验技术管理水平,制定本规范。 1.0.2 本规范适用于建筑工程施工现场检测试验的技术管理。 1.0.3 本规范规定了建筑工程施工现场检测试验技术管理的基本要求。当本规范与国家法律、行政法规的规定相抵触时,应按国家法律、行政法规的规定执行。 1.0.4 建筑工程施工现场检测试验技术管理除应执行本规范外,尚应符合国家现行有关标准的规定。 2术语 2.0.1 检测试验 inspection and testing 依据国家有关标准和设计文件对建筑工程的材料和设备性能、施工质量及使用功能等进行测试,并出具检测试验报告的过程。 2.0.2 检测机构 inspection and testing organ 为建筑工程提供检测服务并具备相应资质的社会中介机构,其出具的报告为检测报告。 2.0.3 企业试验室 in-house testing laboratory

施工企业内部设置的为控制施工质量而开展试验工作的部门,其出具的报告为试验报告。 2.0.4 现场试验站 testing station at construction site 施工单位根据工程需要在施工现场设置的主要从事试样制取、养护、送检以及对部分检测试验项目进行试验的部门。 3基本规定 3.0.1 建筑工程施工现场检测试验技术管理应按以下程序进行: 1 制定检验试验计划; 2 制取试样; 3 登记台账; 4 送检; 5 检测试验; 6 检测试验报告管理。 3.0.2 建筑工程施工现场应配备满足检测试验需要的试验人员、仪器设备、设施及相关标准。 3.0.3 建筑工程施工场检测试验的组织管理和实施应由施工单位负责。当建筑工程实行施工总承包时,可由总承包单位负责整体组织管理和实施,分包单位按合同确定的施工范围各负其责。 3.0.4 施工单位及其取样、送检人员必须确保提供的检测试样具有真实性和代表性。 3.0.5 承担建筑工程施工检测试验任务的检测单位应符合下列规定:

光电探测实验报告

光电探测技术 实验报告 班级:10050341 学号:05 姓名:解娴

实验一光敏电阻特性实验 一、实验目的 1.了解一些常见的光敏电阻的器件的类型; 2.了解光敏电阻的基本特性; 3.测量不同偏置电压下的光敏电阻的电压与电流,并作出V/A曲线。 二、实验原理 伏安特性显示出光敏电阻与外光电效应光电元件间的基本差别。这种差别是当增加电压时,光敏电阻的光电流没有饱和现象,因此,它的灵敏度正比于外加电压。 光敏电阻与外光电效应光电元件不同,具有非线性的光照特性。各种光敏电阻的非线性程度都是各不相同的。 大多数场合证明,各种光敏电阻均存在着分析关系。这一关系为 式中,K为比例系数;是永远小于1的分数。 光电流的增长落后于光通量的增长,即当光通量增加时,光敏电阻的积分灵敏度下降。 这样的光照特性,使得解算许多要求光电流与光强间必需保持正比关系的问题时不能利用光敏电阻。 光照的非线性特性并不是一切光敏半导体都必有的。目前已有就像真空光电管—样,它的光电流随光通量线性增大的光敏电阻的实验室试样。光敏电阻的积分灵敏度非常大,最近研究出的硒—鎘光敏电阻达到12A/lm,这比普通锑、铯真空光电管的灵敏度高120,000倍。

三、实验步骤 1、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图1接线,电源可从+2V~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮。则暗电流L暗=V暗/RL,亮电流L亮=V亮/RL,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 2、伏安特性 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系即为伏安特性。按照图1接线,分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V时的光电流,并尝试高照度光源的光强,测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果 填入表格并做出V/I曲线。 图1光敏电阻的测量电路 偏压2V4V6V8V10V12V 光电阻I 四、实验数据 实验数据记录如下: 光电流: E/V246810 U/V0.090.210.320.430.56 I/uA1427.54255.270.5 暗电流:0.5uA 实验数据处理:

光电检测技术期末试卷试题大全

1、光电器件的基本参数特性有哪些? (响应特性噪声特性量子效率线性度工作温度) 响应特性分为电压响应度电流响应度光谱响应度积分响应度响应时间频率响应 噪声分类:热噪声散粒噪声产生-复合噪声1/f噪声信噪比S/N 噪声等效功率NEP 2、光电信息技术是以什么为基础,以什么为主体,研究和发展光电信息的 形成、传输、接收、变换、处理和应用。 (光电子学光电子器件) 3、光电检测系统通常由哪三部分组成 (光学变换光电变换电路处理) 4、光电效应包括哪些 外光电效应和内光电效应) 外光电效应:物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物。 内光电效应:物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体。 内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。 光电导效应:半导体受光照后,内部产生光生载流子,使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象。 光生伏特效应:光照在半导体PN结或金属—半导体接触面上时,会在PN结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势。 5、光电池是根据什么效应制成的将光能转换成电能的器件,按用途可分为 哪几种? (光生伏特效应太阳能光电池和测量光电池) 6、激光的定义,产生激光的必要条件有什么? (定义:激光是受激辐射的光放大粒子数反转光泵谐振腔) 7、热释电器件必须在什么样的信号的作用下才会有电信号输出? (交变辐射) 8、CCD是一种电荷耦合器件,CCD的突出特点是以什么作为信号,CCD的 基本功能是什么? (电荷CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。) 9根据检查原理,光电检测的方法有哪四种。 (直接作用法差动测量法补偿测量法脉冲测量法) 10、光热效应应包括哪三种。 (热释电效应辐射热计效应温差电效应) 11、一般PSD分为两类,一维PSD和二维PSD,他们各自用途是什么? (一维PSD主要用来测量光点在一维方向的位置;二维PSD用来测定光点在平面上的坐标。) 12、真空光电器件是基于什么效应的光电探测器,它的结构特点是有一个真空管,其他元件都在真空管中,真空光电器件包括哪两类。 (外光电效应光电管光电倍增管) 二、名词解释 1、响应度 (响应度(或称灵敏度):是光电检测器输出信号与输入光功率之间关系的度量。)2、信噪比 (是负载电阻上信号功率与噪声功率之比)

测试技术复习资料南理工

测试技术复习资料200题 第1章 绪论 复习题 (一)填空 1.按传感器能量传递方式分类,属于能量转换型的传感器是( 压电式传感器 )。 2.压电式传感器属于( 能量转换型传感器 )。 3.利用光电效应的传感器属于( 物性型 )。 4.电参量式传感器又称为( 能量控制型 )传感器。 5.传感器开发有两方面的发展趋势:物理型传感器、(集成化和智能化)传感器的开发。 (二)名词解释 (三)简答题 1.测试技术的发展趋势是什么? 答:测试技术的发展趋势是在不断提高灵敏度、精确度和可靠性的基础上,向小型化、非接触化、多功能化、智能化和网络化方向发展。 2.简述测试的过程和泛指的两个方面技术。 答:测试就是对信号的获取、加工、处理、显示记录及分析的过程。测试泛指测量和试验两个方面的技术,是具有试验性质的测量,是测量和试验的综合。测 试是主动的、涉及过程动态的、系统记录与分析的操作,并通过对被研究对象的试验数据作为重要依据。 第2章 测试系统的基本特性 复习题 (一)填空 1. 描述测试系统静态特性指标的有 精确度 、灵敏度 、非线性度 、回程误差 、 重复性 、 分辨率 、 漂移 、 死区 。 2.属于二阶测试系统动态性能指标参数的有 系统无阻尼固有频率n ω、 系统阻尼率ξ、 系统的响应振荡频率d ω、 最大超调量m ax M (过冲量)。 3.表述测试系统在输入未发生变化而输出发生变化的参数是( 漂移 )。 4.非线性度是表示标定曲线( 偏离拟合直线的程度 )。 5.传感器的分辨率越好,表示传感器( 能感知的输入变化量越小 )。 6.测试系统能检测到的输入变化量越小,表示测试系统的( 分辨力越好 )。 7.用实验的办法获取系统的静态输入与输出之间关系曲线称为( 标定曲线 )。 8.用频率响应法测定系统的动态特性参数时,通常采用的输入信号是(正弦信号)。 9.传感器的组成部分中,直接感受被测量的是( 敏感元件 )。

光电实验报告.

长春理工大学 光电信息综合实验一实验总结 名:赵儒桐 学号:S1******* 专业:信息与通信工程学院:电子信息工程2016年5月20号

实验一:光电基础知识实验 1、实验目的 通过实验使学生对光源,光源分光原理,光的不同波长等基本概 念有具体认识。 2、实验原理 本实验我们分别用了普通光源和激光光源两种。普通光源光谱 为连续光谱,激光光源是半导体激光器。在实验中我们利用分光三棱镜可以得到红橙黄绿青蓝紫等多种波长的光辐射。激光光源发射出来的是波长为630 纳米的红色光。 3、实验分析 为了找到光谱需要调节棱镜,不同的面对准光源找出光谱,棱镜的不同面对准光源产生的光谱清晰度不同,想要清晰的光谱就需要通过调节棱镜获得。 实验二:光敏电阻实验 1、实验目的 了解光敏电阻的光照特性,光谱特性和伏安特性等基本特性。 2、实验原理 在光线的作用下,电子吸收光子的能量从键和状态过渡到自由状态,引起电导率的变化,这种现象称为光电导效应。光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照越强,器件自身的电阻越小。光敏电阻无极性,其工作特性与入射光光强,波长和外加电压有关。 3、实验结果

当 光敏电阻的工作电压(Vcc )为+5V 时,通过实验我们看出来 改变光照度的值,光源的电流值是发生变化的。光照度增加电流值也 是增加的。测得实验数据如表2-1 : 光敏电阻光照特性实验数据 光照度 (Lx ) 20 40 60 80 100 120 140 160 180 电流mA 0.37 0.52 0.68 0.78 0.88 1.00 1.07 1.18 1.24 表2-1光敏电阻光照特性实验数据 得到的光敏电阻光照特性实验曲线: 光敏电阻伏安特性实验数据 型号:G5528 电压 (U ) 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 照度 (Lx ) 50 电流 (mA 0 0.05 0 .11 0. 17 0.2 4 0.29 0.35 0 1.42 0. 48 0.5 4 0.6 100 电流 (mA 0 0.09 0 .19 0. 28 0.3 3 0.48 0.58 0 .67 0. 77 0.8 7 0.95 150 电流 (mA 0.12 0 .24 0. 37 0.4 9 0.62 0.74 0.87 0. 98 1.1 2 1.19 通过实验我们看出光敏电阻的光电流值随外加电压的增大而增 大,在光照强度增大的情况下流过光敏电阻的电流值也是增大的, 得 到 数据如表2-2。 光敏电阻光照特性实验曲线 图2.1

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