二极管三极管解析
二极管和三极管的识别方法
二极管和三极管的识别方法二极管和三极管是电子元件中常见的两种器件，它们在电子电路中起着重要的作用。
本文将介绍二极管和三极管的识别方法。
一、二极管的识别方法1. 外观识别：二极管通常有两个引脚，其中一个引脚长一些，另一个引脚短一些。
长引脚是正极，短引脚是负极。
另外，二极管的外壳通常是黑色的，上面有一个白色的标记，标明正极的位置。
2. 正向电压识别：使用万用表的二极管测试功能，将测试笔的红色测试引脚连接到二极管的长引脚上，将黑色测试引脚连接到短引脚上。
如果二极管正常工作，万用表将显示一个正向电压值，通常为0.6V至0.7V之间。
3. 反向电压识别：将测试笔的红色测试引脚连接到短引脚上，黑色测试引脚连接到长引脚上。
如果二极管正常工作，万用表将显示一个非常高的电阻值，表示二极管处于截止状态，没有电流通过。
二、三极管的识别方法1. 外观识别：三极管通常有三个引脚，分别是基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。
一般情况下，三极管的引脚是按照顺序排列的，可以通过引脚的位置来确定。
2. 极性识别：通过查找三极管的规格书或者数据手册，可以确定各个引脚的功能和极性。
一般来说，基极是最细的引脚，发射极是中间的引脚，集电极是最粗的引脚。
此外，一些三极管的外壳上也会标注引脚的极性。
3. 参数识别：通过查找三极管的规格书或者数据手册，可以了解到三极管的参数信息，如最大电流、最大功率、最大电压等。
根据这些参数，可以判断三极管是否适合当前电路的需求。
二极管和三极管的识别方法主要包括外观识别、正向电压识别、反向电压识别、极性识别和参数识别等。
通过这些方法，我们可以准确识别二极管和三极管，确保在电路设计和维修中正确使用这些元件。
课件：二极管、三极管、晶闸管知识讲解
vi
＋
D
＋
0
t
vi
RL
vo
6
vo
－
－
0
t
(a)
(b)
稳压
稳压二极管的特点就是反向通电尚 未击穿前，其两端的电压基本保持不变。 这样，当把稳压管接入电路以后，若由 于电源电压发生波动，或其它原因造成
6
电路中各点电压变动时，负载两端的电 压将基本保持不变。 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字 表示
管加反向电压时，不管控制极加
怎样的电压，它都不会导通，而
处于截止状态，这种状态称为晶
闸管的反向阻断。
主回路加反向电压
c 触发导通 d 反向阻断
可控硅只有导通和关断两种工作状态，它具有 开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化， 此条件见下表
状态
条件
说明
从关断到导通
1、阳极电位高于是阴极电位
2、控制极有足够的正向电压和电流
图a
开关断开
b 正向阻断
（2）触发导通 在图（c）所示
电路中，晶闸管加正向电压，在
控制极上加正向触发电压，此时
指示灯亮，表明晶闸管导通，这
种状态称为晶闸管的触发导通。
（3）反向阻断 在图（d）所示
电路中，晶闸管加反向电压，即
a极接电源负极，k极接电源正极，
此时不论开关s闭合与否，指示
灯始终不亮。这说明当单向晶闸
单向可控硅的结构
不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型 硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。它有三 个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引 出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制 极G，所以它是一种四6 层三端的半导体器件。
二极管三极管的基础知识
二极管三极管的基础知识
1、二极管是一种双极型半导体器件，是由一个n型半导体和一个p型半导体夹层而成，并且由两个电极连接起来，形成了一个半导体导通元件。
二极管的特点是在正反向作用下具有很大的电阻性。
2、二极管有自发型和电控型。
自发型二极管可以单独工作，而电控型二极管依靠外加电压进行工作，又分半导体二极管、隔离二极管和中继二极管。
3、二极管的基本功能：
（1）可以作为电路的一个开关或分流器；
（2）可以对输入电压的放大作用；
（3）可以实现电子电路与电器的互联；
（4）可以实现信号的保护。
二、三极管
1、三极管是由三个电极（收集极、基极和发射极）连接而成的一种半导体器件，它们三个电极间的关系可以控制电子的流动，从而改变电路的电流。
三极管的特点是在正反向作用下具有很大的电阻性，但其中收发极处的电阻值要小于中间基极处的电阻值。
2、三极管通常以晶体管的形式出现，并可分为双极型晶体管和三极型晶体管两种。
3、三极管的基本功能：
（1）可以实现电子电路的功率放大；
（2）可以对输入信号进行阻塞和增益；
（3）可以实现电子电路的解耦；
（4）可以实现电子电路的节流；
（5）可以实现电子电路的低成本放大和控制。
二极管三极管主要参数
二极管三极管主要参数二极管和三极管是半导体器件中常见的两种元件，它们在电子电路中具有重要的作用。
下面将详细介绍二极管和三极管的主要参数。
一、二极管的主要参数：1.电压额定值：也称为反向工作电压（VR）或正向导通电压（VF），表示二极管在正向和反向工作时能够承受的最大电压。
对于正向工作，一般为0.7V左右，而对于反向工作，一般为数十V至几百V。
2.最大定向电流：指二极管在正向工作时能够承受的最大电流，也称为连续电流（IF），一般为几毫安到几十安。
3.反向漏电流：指二极管在反向工作时的漏电流，也称为反向电流（IR），一般为几微安到几毫安。
4.开启时间和关断时间：也称为导通时间和截止时间，指二极管从关断到开启、从开启到关断的时间，一般为纳秒或微秒级。
5.反向恢复时间：指二极管在从正向工作状态转为反向工作状态时，恢复正常的导通特性所需的时间，一般为纳秒或微秒级。
6.动态电阻：指二极管在正向工作时的电压变化与电流变化的比值，一般在工作点附近呈线性关系。
7.耐压能力：指二极管在正向和反向工作时能够承受的最大电压，一般为几十伏到几百伏。
二、三极管的主要参数：1.当前放大倍数：也称为直流电流放大倍数（hFE）或β值，指输入电流和输出电流之间的比值，一般为几十至几千。
2.基极电流：也称为输入电流（IB），指输入信号经过基极向集电极注入的电流。
3.饱和电流：也称为最大电流（IC），指当三极管的基极电流达到一定值时，集电极电流不能再继续增大的电流值。
4.最大功耗：指三极管能够承受的最大功率，一般为几十毫瓦到几瓦。
5.最大频率：指三极管能够工作的最高频率，一般为几十MHz到几GHz。
6.最小输入电压：指三极管能够正常工作的最小输入电压。
7.最大输入电压：指三极管能够承受的最大输入电压。
三、总结：二极管主要参数包括电压额定值、最大定向电流、反向漏电流、开启时间和关断时间、反向恢复时间、动态电阻和耐压能力。
这些参数主要描述了二极管在正向和反向工作时的性能。
二极管,三极管,晶体管概念和用途
二极管、三极管、晶体管概念和用途一、二极管的概念和用途二极管是一种具有两个电极的半导体器件，它具有单向导电特性。
当施加正向电压时，二极管正向导通，电流通过；当施加反向电压时，二极管反向截止，电流基本不通过。
二极管主要用于整流、稳压、开关和检波等电路中。
1、整流在交流电路中，二极管可以将交流信号转换为直流信号。
通过二极管整流，可以将交流电源转换为直流电源，以满足电子设备对直流电源的需求。
2、稳压二极管还可以作为稳压器使用。
在稳压电路中，通过合理连接二极管和电阻，可以实现对电压的稳定。
3、开关由于二极管具有导通和截止的特性，可以将其应用到开关电路中。
在开关电路中，二极管可以控制电流的通断，实现对电路的控制。
4、检波二极管还可以用作检波器。
在无线电接收机中，二极管可以将射频信号转换为音频信号，实现信息的接收和解调。
二、三极管的概念和用途三极管是一种具有三个电极的半导体器件，分为发射极、基极和集电极。
三极管具有放大、开关等功能，是现代电子设备中不可或缺的器件。
1、放大在放大电路中，三极管可以对输入信号进行放大处理。
通过合理设置电路参数，可以实现对电压、电流和功率等信号的放大。
2、开关与二极管类似，三极管也可以用作开关。
通过控制基极电流，可以实现对集电极与发射极之间的电流通断控制。
3、振荡在振荡电路中，三极管可以实现信号的自激振荡。
通过反馈电路的设计，可以使三极管产生稳定的振荡信号。
4、调制在通信系统中，三极管可以用于信号的调制。
通过三极管的放大和调制功能，可以实现对射频信号等信息的传输。
三、晶体管的概念和用途晶体管是一种半导体器件，是二极管的发展和改进，是现代电子技术的重要组成部分，被广泛应用于放大、开关、振荡和数字逻辑电路等领域。
1、放大晶体管可以作为放大器使用，实现对信号的放大处理。
晶体管的放大能力较强，可以应用于音频放大、射频放大等领域。
2、开关晶体管也可以用作开关。
与三极管类似，晶体管可以实现对电路的控制，用于开关电源、数码电路等领域。
三极管和二极管
三极管和二极管一、介绍三极管和二极管二极管是一种电子元件，它有两个电极，分别为阳极和阴极。
在正向电压下，电流可以流过二极管，而在反向电压下，电流将被阻止。
因此，二极管通常用于整流器、稳压器和信号检测等应用中。
三极管是另一种电子元件，它由三个区域组成：发射区、基区和集电区。
基区控制从发射区到集电区的电流。
当正向偏置时，三极管可以工作在放大器模式下；当反向偏置时，它可以工作在开关模式下。
三极管通常用于放大器、开关和振荡器等应用中。
二、二极管的类型1. 硅二极管硅二极管是最常见的类型之一。
它有一个PN结，并且具有高的热稳定性和低的漏电流。
2. 锗二极管锗二极管比硅二极管更早被发明，并且具有较低的噪声水平和较高的灵敏度。
但是，锗材料对温度变化非常敏感。
3. 高速二极管高速二极管具有非常短的恢复时间，可以快速地从导通到截止转换。
它们通常用于高频应用中。
4. 肖特基二极管肖特基二极管是一种非常快速的二极管，它具有低的反向电流和较小的开关时间。
它们通常用于高频应用中。
三、三极管的类型1. NPN三极管NPN三极管是最常见的类型之一。
在正向偏置时，电流从发射区流向集电区。
当基区被注入电流时，它将控制从发射区到集电区的电流。
2. PNP三极管PNP三极管与NPN三极管相似，但是在正向偏置时，电流从集电区流向发射区。
当基区被注入电流时，它将控制从集电区到发射区的电流。
3. 功率三极管功率三极管可以处理大量功率并能够承受高压和高温度。
它们通常用于放大器、开关和变换器等应用中。
4. 双极性晶体管（BJT）BJT是一种双向传输器件，可以作为放大器或开关使用。
它由两个PN 结组成，其中一个是NPN结，另一个是PNP结。
四、应用1. 二极管的应用（1）整流器：二极管可以将交流电转换为直流电。
（2）稳压器：二极管可以用作稳压器的关键元件。
（3）信号检测：二极管可以检测并放大无线电频率信号。
2. 三极管的应用（1）放大器：三极管可以放大电路中的信号。
二极管三极管区别
二极管三极管区别一、根本区别二极管与三极管的根本区别在于：二极管有两个脚，三极管三个脚，三极管有电流放大作用（即，基极电流对集电极电流的控制作用。
）二极管没有放大作用，它具有单向导电的特性。
放大：是基极电流对集电极电流的控制作用，表现为：基极的电流变化，反映在集电极就是一个成比例（集电极电流=基极电流乘以三极管的放大倍数）的电流变化。
放大的实质是通过三极管的电流控制功能，从电源获取能量，将基极输入的模拟量放大输出在集电极负载上（电流的变化，在负载上又表现为电压的变化）。
所以，实际放大的是基极输入的模拟量。
二、工作原理的区别二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管现以很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。
二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常[1]广泛。
三极管的工作原理三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。
但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。
IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。
），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。
三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫建立偏置 ,否则会放大失真。
二级管主要就是单向导电性，三极管主要是电压，电流的放大。
三、种类区别晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。
三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。
二极管三极管主要参数
二极管三极管主要参数
二极管参数：
1.额定电流：额定电流是指二极管可以承受的最大电流流量，一般二极管的额定电流有6mA、1mA、500μA、100μA以及1μA等；
2.最大耗散功率：最大耗散功率是指二极管在额定电压下最大可以耗散的功率；
3.集电极和发射极漏电流：不同的二极管集射极的漏电流不同，一般有2mA/1mA/500μA/100μA/1μA等；
4.阈值电压、切断电压：阈值电压是指二极管的前向电压，一般有0.3V/0.55V/0.65V/0.7V/0.75V等；切断电压是指二极管的反向电压，一般有5V/6V/7V/8V/10V/12V等；
5.上升沿时间和下降沿时间：上升沿时间是指二极管从低电压到高电压的时间，一般有2ns/4ns/8ns/10ns等；下降沿时间是指二极管从高电压到低电压的时间，一般有2ns/3ns/4ns/5ns/7ns等；
6.截止电压：截止电压是指二极管的前向电压达到一定的电压，二极管的结构发生变化，从而限制电流流过的电压，一般有
0.7V/1V/3V/4V/5V/6V等；
7.正向电容：正向电容是指二极管的输入端电容，一般有
100pF/250pF/500pF/750pF/1000pF/1500pF/2000pF等；
三极管参数：
1.额定电流：额定电流是指三极管可以承受的最大电流流量，一般三极管的额定电流有3mA/2mA/1mA/500μA/200μA等；
2.最大耗散功率：最大耗散功率是指三极管在额定电压下。
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4.4 主要参数
1. 电流放大倍数 和
前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接 法。
共射直流电流放大倍数：
___
IC
IB
工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的 集电极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为：
IC IB
例： UCE=6V时：IB = 40 A, IC =1.5 mA； IB = 60 A, IC =2.3 mA。
___ IIC B 01..05437.5
IIC B0.20.36 1 0..5 0440
在以后的计算中，一般作近似处理： =
2.集-基极反向截止电流ICBO ICBO A
硅原子 空穴
P型半导体
Si
Si
硼原子
B
Si
空穴被认为带一个单位的正电荷，并且可以移动
P型硅表示
杂质半导体的示意表示法
－－－ － － － －－－ － － － －－－ － － － －－－ － － －
P型半导体
+ +++ + + + +++ + + + +++ + + + +++ + +
N型半导体
§2 PN结及半导体二极管
ICBO是集电结反偏由少 子的漂移形成的反向电
流，受温度的变化影响。
3. 集-射极反向截止电流ICEO
当集电结反偏时， 集电区的空穴漂移 到基区而 形成的 ICBO
B
ICEO= IBE+ICBO C
ICBO
IBE
N
P
IBE
N
E ICBO进入N区，形成 IBE。
ICEO受温度影响很大，当温度上 升时，ICEO增加很快，所以IC也 相应增加。三极管的温度特性 较差。
1.2杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。
其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。载流子：电子，空穴
N型半导体（主要载流子为电子，电子半导体） P型半导体（主要载流子为空穴，空穴半导体）
N型半导体 硅或锗 +少量磷 N型半导体
在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷 原子的最外层有五个价电子，其中四个与相临的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子 几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原 子给出一个电子，称为施主原子。
3.P 区中的电子和N 区中的空穴（都是少子），数量有限，因此由它们形成的电流很小。（漂移 运动）
2. PN结的单向导电性 只允许一个方向的电流通过。
一、PN 结正向偏置
PN 结处于 导通状态
+ P
空间电荷区变薄
－
+
－
+
－
+
PN 结正向偏置的意思是： P 区加正、 N 区加负电压。
内电场被削弱，扩散飘移，多子的 扩散加强能够形成较大的扩散电流 (正向电流）。
20A IB=0
12
UCE(V)
输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。
(2)
即： IC=IB , 且 IC = IB
(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCEUBE ， IB>IC，UCE0.3V
(3) 截止区： UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
IC(mA ) 4 3 2 1
3
此区域中UCEUBE,集电结正偏，IB>IC， UCE0.3V称为饱和区。
100A
6
9
80A
60A 40A
20A IB=0
12
UCE(V)
IC(mA ) 4 3
2
1
此区域中 :
IB=0,IC=ICEO,UBE< 死区电压，称为截
止区。
3
100A
6
9
80A
60A 40A
穴复合，形成电流IBN ，大部分扩 散到集电结边缘。
集电结反偏，有少子发生漂移运动， 形成极小的 反向电流ICBO。
直流电流放
I 大倍数
CN
I BN
IB=IBN+ IEP
–ICBO IBN
基区空穴向发
射区的扩散形
RB
成 IEP 。
C
ICBO
B
ICBO
IBN
IB IEP
EB
E
IC = ICN+ICBO ICN ICN
硅和锗的共价键结构
+4表示除去价电子 后的原子
+4
+4
+4
+4
共价键共 用电子对
形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。
+4
+4
+4
+4
共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。
共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键 成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。
P型半导体
漂移运动 内电场E
N型半导体
－－－ － － － －－－ － － － －－－ － － － －－－ － － －
+ +++ + + + +++ + + + +++ + + + +++ + +
扩散运动
所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度 固定不变。
IE(1)IB
IE IC ( 1 )
• 三极管的电流方向和发射结与集电结所处的极性：
要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。
C
IC ＋
B ＋
IB
T IE
E NPN型三极管
C
IC
B＋ T
IB
＋
IE
E
PNP型三极管
4.3 特性曲线
IB A
RB
V
UBE
IC mA
EC
V
UCE
EB 实验电路
ui
t
ui
RL
uO
uo
t 二极管半波整流
例2：二极管的应用 ui
t uR
ui
uR
R
RL
uo
t
uo
t
3.其它类型二极管
• 光电二极管 – 光照影响反向电流，光强度高、反向电流大；
• 发光二极管（LED） – 单管LED – 七段式数码管 – 矩阵式LED显示屏
• 稳压二极管
稳压二极管
稳压二极管符号
进入P区的电子少部分与基区的空 穴复合，形成电流IBN ，多数扩散 到集电结边缘。
C
IB=IBN+ IEP B
基区空穴向
IB
发射区的扩 散形成 IEP 。
RB
EB
N
IBN
P
EC
IEP
N
IEN
发射结正偏，发
射区电子不断向
E
IE IE N IE PIEN基发区射扩极散电流，形IEN成。
进入P区的电子少部分与基区的空
一、输入特性曲线 输入特性曲线是指UCE为常数时， IB与UBE之间的关系曲线。即：
UCE =0.5V
IB(A) 80
IBf(UBE )
UCE 1V
60 UCE=0V
40
20
死区电压： 硅管 0.5V， 锗管0.2V。
工作压降：
硅管
UBE0.6~0.7V,锗管 UBE0.2~0.3V。
0.4
0.8
少数载流子
（少子）在内 电场作用下，
－－－ － － －
有规则的运动
称为漂移运动； 形成漂移电流。
－
－
－
－
－
－
－－－ － － －
－－－ － － －
内电场E
N型半导体
+ +++ + + + +++ + + + +++ + + + +++ + +
空间电荷区， 也称耗尽层。
扩散运动
扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽， 空间电荷区越宽。
_ N
正向电流－
外电场 R
+ 内电场
形成正向电流，称正向导通。
E
二、PN 结反向偏置
PN 结处于 截止状态
空间电荷区 变厚
_ P
反向电流极小，称反向截止。
－
+
－
+
－
+
－
+
PN 结反向偏置的意思是： P 区加负、 N 区加正电压。
内电场被加强，多子的扩散受抑制。少 子漂移加强，但少子数量有限，只能形 成较小的反向电流。
UBE(V)
二、输出特性曲线 输出特性曲线是指IB 为常数时， IC与UCE之间的关系曲线。即：
IC(mA )
4
此区域满足IC=IB
称为线性区（放大
3
区）。
2