二极管、三极管最通俗的解释
电子元器件——二极管、三极管、集成电路介绍
电感
电感器的图形如上面所示。在电子制作中虽然使用得不是很多，但它们 在电路中同样重要。电感器和电容器一样，也是一种储能元件，它能把 电能转变为磁场能，并在磁场中储存能量。电感器用符号L表示，它的基 本单位是亨利(H)，常用毫亨(mH)为单位。它经常和电容器一起工作，构 成LC滤波器、LC振荡器等。另外，人们还利用电感的特性，制造了扼流 圈、变压器、继电器等。 电感器的特性恰恰与电容的特性相反， 它具有阻止交流电通过而让直流电通过的特性。 小小的收音机上就有不少电感线圈，几乎都 是用漆包线绕成的空心线圈或在骨架磁芯、铁 芯上绕制而成的。有天线线圈(它是用漆包线在 磁棒上绕制而成的)、中频变压器(俗称中周)、 输入输出变压器等等。
第三课 电子元器件—二极管、三级管、集成电路
根据二极管正向电阻小，反向电阻大的特点，将万用表拨到 电阻挡(一般用R×100或R×1k挡。不要用R×1或R×10k挡， 因为R× 1挡使用的电流太大，容易烧坏管子，而 R×10k挡 使用的电压太高，可能击穿管子 ) 。用表笔分别与二极管的 两极相接，测出两个阻值。在所测得阻值较小的一次，与黑 表笔相接的一端为二极管的正极。同理，在所测得较大阻值 的一次，与黑表笔相接的一端为二极管的负极。如果测得的 正、反向电阻均很小，说明管子内部短路；若正、反向电阻 均很大，则说明管子内部开路。在这两种情况下，管子就不 能使用了。
第三课 电子元器件—二极管、三级管、集成电路
2、开关元件
二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接 通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断 开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。
3、限幅元件
二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗 管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度 限制在一定范围内。
晶体二极管和三极管
正半周波形正常 低频调 制信号 加一小偏压
t
O O
u ui
O 负半周波形压扁 (b)检波后的电流波形
D
ui
C 偏 压 R
uo
t
(a)检波前调幅波形
(c)小信号检波电路
图 26 小信号检波原理图解
信号。实际电路中的负载可以是耳机，也可以是下一级低频放 大器，由于直流信号对耳机或低频放大器的隔直流电容不起作 用，只有低频调制信号被送到耳机中发出声音或被下一级放大 器放大。小信号检波的原理图解如图 26 所示，图中（ a）是 检波前的高频调幅波形， 经二极管检波后的电流波形如图 （b）， （c）是小信号检波的实际电路。 二极管的另一个重要的用途就是整流。 整流是把 50 赫兹的 交流电变成直流，这在本丛书的上一册中作过介绍，这里就不
玻壳 引线 金属电极 引线
晶片
金属细丝
PN 结 (b)面接触型
支架
(a)点接触型 图 28 二极管的内部结构
硅管和锗管。这两种管子在起始导通电压上差别较大，所谓起
始导通电压就是二极管正向伏安特性非线性区域中的拐弯点所 对应的电压。一般硅管的起始导通电压约为 0.6V，锗管约为 0.2V。由于硅管的导通电压较高，用它作小信号检波时灵敏度 低， 线性差。 但硅管的反向耐压较高 ， 允许的工作温度也较高， 因此适用于 整流和开关等大电流的场合。 锗管的 起始导通电压较小，反向耐压低，允 许的工作温度也较低， 因此适用于小 信号的检波电路。 晶体二极管有玻璃管壳、 金属管 壳、 塑料管壳和环氧树脂管壳等多种 封装形式。 （参见图 29）体积较小 的检波管一般都采用玻璃管壳（图 2 9 中最上面的那种） ，整流管多采用 图 29 几种常见的晶体二极管 塑料或环氧树脂管壳， 一些电流较大 的整流二极管采用金属管壳， 而且管壳的一端还做成螺杆状 （图 29 中最下面的那种） ，以便于在散热板上安装。 晶体二极管的种类和型号很多。 即使是同一型号的二极管， 因制造工艺等方面的原因，它们的实际性能也略有差别。用来 表明二极管性能的数据，叫作二极管的参数。二极管的主要参 数有下列几个： ⒈最大整流电流（IOM） ： 是指二极管长期安全工作时允许通过的正向平均电流的最 大值。因为电流流过 PN 结时要耗散一定的功率，使结温升高。 当电流过大，结温超过一定的限度时就会把 PN 结烧坏。为了 保证安全，二极管整流时的工作电流不能超过此值。 ⒉最高 反向工作电压（VRM） ： 这个参数又叫最大允许反向电压。是指允许加在二极管两 端反向电压的最大值， 它反映了二极管对反向电压的承受能力。
课件：二极管、三极管、晶闸管知识讲解
vi
＋
D
＋
0
t
vi
RL
vo
6
vo
－
－
0
t
(a)
(b)
稳压
稳压二极管的特点就是反向通电尚 未击穿前，其两端的电压基本保持不变。 这样，当把稳压管接入电路以后，若由 于电源电压发生波动，或其它原因造成
6
电路中各点电压变动时，负载两端的电 压将基本保持不变。 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字 表示
管加反向电压时，不管控制极加
怎样的电压，它都不会导通，而
处于截止状态，这种状态称为晶
闸管的反向阻断。
主回路加反向电压
c 触发导通 d 反向阻断
可控硅只有导通和关断两种工作状态，它具有 开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化， 此条件见下表
状态
条件
说明
从关断到导通
1、阳极电位高于是阴极电位
2、控制极有足够的正向电压和电流
图a
开关断开
b 正向阻断
（2）触发导通 在图（c）所示
电路中，晶闸管加正向电压，在
控制极上加正向触发电压，此时
指示灯亮，表明晶闸管导通，这
种状态称为晶闸管的触发导通。
（3）反向阻断 在图（d）所示
电路中，晶闸管加反向电压，即
a极接电源负极，k极接电源正极，
此时不论开关s闭合与否，指示
灯始终不亮。这说明当单向晶闸
单向可控硅的结构
不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型 硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。它有三 个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引 出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制 极G，所以它是一种四6 层三端的半导体器件。
二极管和三极管--原理
二极管图三极管工作(gōngzuò)原理三极管是电流放大器件，有三个极，分别(fēnbié)叫做集电极C，基极B，发射极E。
分成NPN和PNP两种。
我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。
一、电流(diànliú)放大下面的分析仅对于NPN型硅三极管。
如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。
这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。
三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够(nénggòu)提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化(biànhuà)被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数（β一般远大于1，例如几十，几百）。
如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib 的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。
如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。
我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。
二、偏置电路三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。
这有几个原因。
首先是由于三极管BE结的非线性（相当于一个二极管），基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生（对于硅管，常取0.7V）。
当基极与发射极之间的电压小于0.7V时，基极电流就可以认为是0。
但实际中要放大的信号往往远比 0.7V要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变（因为小于0.7V时，基极电流都是0）。
如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流（叫做偏置电流，上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的，所以它被叫做基极偏置电阻），那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时，小信号就会导致基极电流的变化，而基极电流的变化，就会被放大并在集电极上输出。
三极管的概念
三极管的概念
三极管的概念：
三极管，也称为双极型晶体管或晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
其主要功能是将微弱信号放大成幅度值较大的电信号，同时也用于实现无触点的开关操作。
三极管通常由一个N型半导体和一个P型半导体组成的两个PN结构成，这两个PN结将半导体基片分割成三个区域：基区、发射区和集电区。
基区位于中间，两侧分别为发射区和集电区。
三极管的结构包括三个端子，分别是基极（用字母b表示）、集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。
这些端子允许电流从一个区域流向另一个区域，从而实现了信号的放大和切换功能。
三极管的工作状态可以是放大状态，此时它起到放大作用；也可以是饱和状态，这时它可以作为开关使用。
三极管是电子电路的核心元件，广泛应用于各种电子设备中，包括放大器、振荡器、开关电路以及稳压器等。
此外，根据三极管的类型不同，可以分为NPN型和PNP型。
在使用三极管时，可以通过对其电流放大系数的测量来确定其好坏，这个系数通常用符号β表示。
总结来说，三极管是一种能够控制电流的半导体设备，主要用于信号放大和开关应用，它是电子学中最基本的组件之一。
半导体(二极管-三极管和桥堆)介绍资料
光刻胶
硅桥制造流程示意图（五）
工序
工艺目的
示意图
镀镍镀金
为硅片两面金属化以 制备高可靠性焊层
划片
用划片机将镀镍镀金 后硅片分离成单个芯 片
硅桥组装工艺流程图
芯片 框架 内联片 焊膏
切断
检验 组装烧结
检验
清洗
测试 检验
打印 引线成型
SMD编带
塑封
后固化 电镀
检验
外观检查 质量一致性检验 入库
硅桥制造流程示意图（六）
硅桥制造流程示意图（三）
工序
工艺目的
涂胶、曝光
在N面涂光刻胶，为台 面的掩蔽腐蚀做准备
示意图
光刻胶
腐蚀
腐蚀出沟槽并去掉光刻 胶，为电泳钝化玻璃粉 做准备
在硅片所腐蚀的沟槽上 电泳和烧结 电泳玻璃并进行烧结来
保护PN结
钝化玻璃
电泳法玻璃沉积原理
将玻璃粉放入有机溶剂形成悬浮液 玻璃粉颗粒与液体互相接触时，使玻璃粉 颗粒表面摩擦带电 带电玻璃粉颗粒在在外电场的作用下相对 于电极方向作电泳运动 玻璃粉沉积在需要保护的半导体芯片表面
反向电压额定值参数之间的关系
VF 0
t
VRWM VRRM
VRSM VR
VRWM —— 反向工作峰值电压 VRRM —— 反向重复峰值电压 VRSM —— 反向不重复峰值电压
整流二极管的伏安特性曲线
I
VBR V
反向恢复时间trr参数概念
在二极管从正向导通转向反向截止时，二极 管的反向电流不会立刻呈现稳态值，而是经历一 个从出现较大的瞬间反向过电流再恢复到反向稳 态电流的过程。这个时间过程称为反向恢复时间。
意义是当器件的耗散功率等于1W时，器件表面温度
二极管、三极管与场效应管
电子元器件知识：二极管、三极管与场效应管。
一、半导体二极管2、半导体二极管的分类分类：a 按材质分：硅二极管和锗二极管；b按用途分：整流二极管，检波二极管，稳压二极管，发光二极管，光电二极管，变容二极管。
3、半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的半导体二极管。
4、半导体二极管的导通电压是:a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间.B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间.5、半导体二极管主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
6、半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。
7、半导体二极管的识别方法：a;目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极.b;用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档(R﹡100或R﹡1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极,红表笔接的是二极管的正极.c;测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
8、变容二极管是根据普通二极管内部“PN结”的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。
变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上，并发射出去。
在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。
二极管、三极管、MOS管之间有什么联系和区别？
二极管、三极管、MOS管之间有什么联系和区别？二极管、三极管、MOS管都是常见的电子元器件二极管、三极管、MOS管都是由PN结组成，但它们的功能是不同的，应用于不同的电路设计中去二极管二极管由一个PN结组成，且有单向导通的特性。
给二极管施加正向电压，二极管导通；给二极管施加反向电压，二极管截止。
二极管是最早发明的电子元件之一，应用非常广泛。
不同的种类的二极管有着不同的作用，广泛应用用于整流、检波、限幅、钳位等电路中去。
二极管整流是最经典的应用之一三极管三极管由两个PN结组成，可以排列成NPN型，也可以排列成PNP型，有三个引脚：基极(B)、集电极(C)、发射极(E)。
三极管有三个工作区：截止区、放大区、饱和导通区。
三极管是电流控制型器件，Ic=β*Ib。
NPN三极管：控制电流Ib从基极（B）流入，驱动电流Ic从集电极（C）流入。
PNP三极管：控制电流Ib从基极（B）流出，驱动电流Ic从集电极（C）流出。
让三极管工作在放大区，可以用于电流、电压信号放大。
控制三极管工作在截止区和饱和导通区，可以设计为“电子开关”，用于驱动小功率的直流负载，比如：LED、直流电机、继电器、蜂鸣器等等MOS管MOS管的功能和三极管有类似的地方，但也是不同的电子元器件。
MOS管是电压控制型的元件。
MOS管也有三个引脚：栅极(G)、漏极(D)、源极(S)。
可以排列成N沟道MOS管或者P沟道MOS管N沟道场效应管：当Vgs>0时场效应管开始导通，电流可以从漏极(D)源极(S)，也可以从源极(S)漏极(D)，当然Vgs要达到一定的开启电压才可以稳定的导通。
P沟道场效应管：当Vgs<0时场效应管开始导通，电流可以从漏极(D)源极(S)，也可以从源极(S)漏极(D)，当然Vgs要达到一定的开启电压才可以稳定的导通。
MOS管也可以用于设计电流、电压信号放大电路MOS管导通后内阻非常小，基本没有压降，所以驱动负载的能力比三极管大很多。
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二极管与三极管讲解
有些人在学习电子技术的时候对PN结、二极管、三极管不太了解，看书吧，讲的太深奥，不太明白，我用通俗的语言给大家讲一讲，希望能帮助大家，也许我讲的不怎么正确，但是我感觉基本思路是正确的，等你学的透彻以后再根据自己的见解纠正我的错误。
一、PN结
N型半导体：掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。
于是，N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。
P型半导体：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的离子。
这样，这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷），成为能够导电的物质。
（空穴可以移动）二、扩散运动
PN结中间相接触的部分，P带负电，N带空穴（正点），相互结合，PN结中间部分中和成不带电，但是P为负离子，N为正离子，所以形成了内部电场，方向由N指向P促使漂移运动产生。
三、漂移运动
在内部电场的作用下，N型半导体与P型半导体不接触部分的空穴（N和P都不是绝对的只有空穴和电子，而是相对来说的。
空穴可以移动，带正电）在电场作用下向P运动，相反，P中的电子向N运
动，这就是漂移，因为N中的空穴很少，P中的电子很少，所以漂移运动不是很明显。
四、二极管
如果在PN结外部接一个正向电压，负极接N，正极接P，那么就加强了扩散运动，所以通过PN结的电流更容易，反之就为漂移运动，所以电流不能顺利通过，（反向截止），这样就产生了二极管。
五、二极管压降
压降的意思是：电压的损失，也就是通过二极管的时候，有电压损失，也就是正向偏置的时候，二极管可以看成一个小电阻。
在这个小电阻的两端就是二极管的压降。
六、三极管
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至于三极管、放大电路、整流、滤波、二极管的伏安特性曲线，三极管输入输出曲线等等，如果你感觉以上写的对你有帮助，就请加我QQ（912853255），我把你想要的部分用通俗的语言写出来。
然后发给你。