晶振的检测

晶振即石英晶体振荡器，其作用：稳定频率、选择频率，是高精度、高稳定的元件之一

主板上使用的晶振分为以下四种：

14.318MHz时钟晶振如下图一，32.768KHz的实时晶振如下图二，24.576MHz声卡晶振、25MHz的网卡晶振（外观同图一）

图一图二

晶振好坏的判定：只有电阻、电压和波形都正常时晶振才正常

电阻检测：用数字万用表的20K档测试晶振正反向的电阻值，即红黑表笔正向测试一次，红黑表笔交换位置再测试一次，两次测试出的结果都为无穷大则晶振正常，若为0或有阻值则晶振已损坏。

电压检测：待机时测试晶振两端的电压，如果没有电压或电压大于0.5V则晶振损坏

波形检测：电压、电阻都正常但用示波器检测时没有波形则晶振损坏。

压控温补晶振

晶振,电子产品都得依赖的一款电子器件,它是通常应用到一些高端电子产品当中,就好比智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.例如：智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品都使用到压控温补晶振,压控温补晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.晶振产品面向社会备受电子元器件市场青睐,不断努力不断创新给社会创造价值这离不开广大消费者的支持与厚爱.然而使我们生产晶振的生厂商有了饱满的信心和使用晶振的客户给的支持,晶振是越做越好,照这样的发展情况来看晶振就会成为新一代电子元器件中的骄傲神器. 压控温补晶振是内置高精度SMD温度补偿的石英晶体振荡器,可以使用在全球卫星GPS接收机.晶振在电子产品的要求上已经有了更近一步的规划,因为一些电子产品它是需要带电压的晶振和该产品内的其它电子器件相互刺激性的传输能稳定的电压,才能够使压控温这个功能作用起来,压控温补晶振 (VC-TCXO),尺寸2016mm 3225mm是目前有源晶振中体积最小的一款.压控温补晶振产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度:最高

0.8 mm,体积:0.0022 cm3,重量:0.008 g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,带有频率控制功能,产品本身可根据使用需要进行选择;科技不单单只晶振,只要是能幻想的事物都能用高科技的手段和精密帷幄的思维把它更好的创造出来。

晶振基础知识

晶振基础知识（第一版）摘要：本文简单介绍了晶体谐振器和晶体振荡器的结构，工作原理，振荡器电路的分类，晶体振荡器的分类，晶振类器件的主要参数指标和石英晶体基本生产工艺流程。一、振荡电路的定义，构成和工作原理 (2) 二. 晶体振荡器分类： (16) 三、石英晶体谐振器主要参数指标 (19) 四、石英晶体振荡器主要参数指标 (20) 五．石英晶体基本生产工艺流程 (26)

一、振荡电路的定义，构成和工作原理 1. 振荡器：不需外加输入信号，便能自行产生输出信号的电路，通常也被成为。 2. 振荡器构成：谐振器（选频或滤波）+驱动（谐振）电路构成振荡器电路。 3. 谐振器的种类有：RC 谐振器，LC 并联谐振器，陶瓷谐振器，石英（晶体）谐振器，原子谐振器，MEMS （硅）振荡器。本文只讨论石英晶体谐振器。石英谐振器的结构石英谐振器，它由石英晶片、电极、支架和外壳等部分组成。它的性能与晶片的切割方式、尺寸、电极的设置装架形式，以及加工工艺等有关。其中，晶片的切割问题是设计时首先要考虑的关键问题。由于石英晶体不是在任何方向都具有单一的振动模式（即单频性）和零温度系数，因此只有沿某些方向切下来的晶片才能满足设计要求。 Mounting clips Top view of cover Resonator

普通晶振内部结构石英晶体振荡器主要由基座、晶片、IC 及外围电路、陶瓷基板（DIP OSC ）、上盖组成。普通晶体振荡器原理图胶点基座晶片 Bonding 线 IC

4. 振荡电路的振荡条件：（1）振幅平衡条件是反馈电压幅值等于输入电压幅值。根据振幅平衡条件，可以确定振荡幅度的大小并研究振幅的稳定。（2）相位平衡条件是反馈电压与输入电压同相，即正反馈。根据相位平衡条件可以确定振荡器的工作频率和频率的稳定。（3）振荡幅度的稳定是由器件非线性保证的，所以振荡器是非线性电路。（4）振荡频率的稳定是由相频特性斜率为负的网络来保证的。（5）振荡器的组成必须包含有放大器和反馈网络，它们必须能够完成选频、稳频、稳幅的功能。（6）利用自偏置保证振荡器能自行起振，并使放大器由甲类工作状态转换成丙类工作状态。

晶振基础知识

1、晶体元件参数 1.1等效电路作为一个电气元件，晶体是由一选定的晶片，连同在石英上形成电场能够导电的电极及防护壳罩和内部支架装置所组成。晶体谐振器的等效电路图见图1。等效电路由动态参数L 1、C 1、R 1和并电容C 0组成。这些参数之间都是有联系的，一个参数变化时可能会引起其他参数变化。而这些等效电路的参数值跟晶体的切型、振动模式、工作频率及制造商实施的具体设计方案关系极大。下面的两个等式是工程上常用的近似式：角频率ω=1/11C L 品质因数Q=ωL 1/R 1 其中 L1为等效动电感，单位mH C1为等效电容，也叫动态电容，单位fF R1为等效电阻，一般叫谐振电阻，单位Ω 图2、图3、图4给出了各种频率范围和各种切型实现参数L 1、C 1、R 1的范围。图2常用切型晶体的电感范围图3 常用切型的电容范围对谐振电阻来说，供应商对同一型号的任何一批中可以有3：1的差别，批和批之间的差别可能会更大。对于一给定的频率，采用的晶体盒越小，则R 1和L 1的平均值可能越高。

1.2 晶体元件的频率，晶体元件的频率通常与晶体盒尺寸和振动模式有关。一般晶体尺寸越小可获得的最低频率越高。晶体盒的尺寸确定了所容纳的振子的最大尺寸，在选择产品时应充分考虑可实现的可能性，超出这个可能范围，成本会急剧增加或成为不可能,当频率接近晶体盒下限时,应与供应商沟通。下表是不同晶体盒可实现的频率范围。图4 充有一个大气压力气体（90%氮、10%氦）的气密晶体元件的频率、切型和电阻范围 1.3 频差规定工作温度范围及频率允许偏差。电路设计人员可能只规定室温频差，但对于在整个工作温度范围内要求给定频差的应用，除了给定室温下的频差还应给出整个工作温度范围内的频差。给定这个频差时，应充分考虑设备引起温升的容限。通常有两种方法规定整个工作温度范围的频差。 1）规定总频差如从-10℃—+85℃，总频差为±50×10-6，通常这种方法一般用于具有较宽频差而不采

恒温晶振与温补晶振的区别

恒温晶振与温补晶振的区别恒温晶振与温补晶振都属于晶体振荡器，都是有源晶振，所以组成的震荡电路都需要电源加入才能工作。下面将简单介绍一下两者的区别。定义上恒温晶体振荡器简称恒温晶振，英文简称为OCXO（Oven Controlled Crystal Oscillator），是利用恒温槽使晶体振荡器中石英晶体谐振器的温度保持恒定，将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器。OCXO是由恒温槽控制电路和振荡器电路构成的。通常人们是利用热敏电阻电桥构成的差动串联放大器，来实现温度控制。温补晶振即温度补偿晶体振荡器（TCXO），是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器。温补晶振术语来自石英晶体振荡器的一种补偿方式已达到产品应用方面的精度要求。温补晶振定义是将压电石英晶体原有的物理特性（压电效应下频率随温度成三次曲线变化）通过外围电路逆向改变使得石英晶体原有频率随温度的变化尽可能的变小的一种补偿方式所做的石英晶体振荡器。恒温晶振温补晶振工作原理上恒温晶振，由于晶体振荡器的震荡频率会随着温度的变化而变化，故为了保持频率的稳定性，将晶振控制在一个恒定的温度下工作以此来提高晶振的相频特性。温补晶振，由于晶体振荡器的震荡频率会随着温度的变化而变化，为了抵消温度对晶振频率的影响，控制晶振的谐振电容随温度变化而变化，抵消温度晶体影响提高频率稳定性。测量精度上一般的恒温晶振要比温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。如温补晶振一般能达到-7量级，而恒温晶振可达到-9量级。因此恒温晶振一般用于高端测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等。而温补晶振的开机特性较好。恒温晶振就算采用现在最好的加热元件，也需要一个加温过程。想达到-7量级，怎么也需要5分钟左右，而达-9以上量级甚至需要一天。因此开机即

ZKJ晶振3225封装27.12MHz-12PF-10PPM规格书

深圳市中科晶电子有限公司一、适用范围本规格书用于规定 (A)MHz 石英晶体谐振器。 A ： 27.120000 MHZ 二、构造 2.1封装： 3.2*2.52.2封装形式： □1.冷压焊■2.电阻焊 □ 3.锡焊 2.3封装介质： □1.氮气 ■2.真空三、尺寸、材料基座上盖晶片银丝导电胶单位：mm

四、晶体技术参数指标 1.频率:27.120000MHz 2.型号:3225 3.振荡模式:Fundamental(AT) 4.频率频差:±10ppm at25℃±3℃ 5.温度频差:±30ppm温度频差测试的基准温度是:25±2℃ 6.工作温度范围:-20℃~+70℃ 7.储存温度范围:-40℃~+85℃ 8.负载(CL):12pF 9.激励功率:100uW/Max 10.静电容:7.0pF MAX 11.等效电阻:40ΩMax. 12.绝缘阻抗:500MΩmin/DC100V 13.年老化率:±3ppm/年 14.包装方式:卷包3000PCS/Reel 15.备注

五、可靠性试验

六、包装方式 6.1带子尺寸（ unit:mm ） Marking Marking A B C D E F G H J K t 2.7 3.4 8.0 3.5 1.75 4.0 2.0 4.0 1.55 1.4 0.25 6.2卷盘尺寸（unit:mm ）七、注意本产品不能折弯使用，在电路板安装时使用过大的机械压力可能造成产品损坏，同时本规格书只规定了部件本身的品质，应用于您的产品时请确认图纸该产品是否适用。 M N P Q R S U 178.0 60.2 11.5 8.0 2.5 11.0 13.0

温补晶振的热敏网络分析及参数计算

简单, 加工方便. 目前所能达到的补偿精度一般为 10 ～10 . 1998 年 12 月沈阳工业学院学报 V ol. 17 N o. 4 第17卷第4期 JOURNAL OF SHENYANG INST IT U T E OF T ECH NOL OGY Dec. 1 9 9 8 温补晶振的热敏网络分析及参数计算崔旭晶 ( 沈阳工业学院自动控制系, 沈阳 110015) 摘要论述了温度补偿石英晶体振荡器的工作原理, 对几种常见温度补偿网络( 热敏网络) 进行试验分析, 利用 New t on 等方法计算热敏网络参数并给出微机辅助设计. 关键词热敏网络, 曲线拟合, 残差. 分类号 T M 135 0 引言晶体振荡器的频率是随温度变化的. 为达到频率稳定的目的, 过去常加设一个恒温槽, 使振荡器的体积大、造价高, 耗电功率增加, 还需预热时间. 而使用“温度补偿”的晶体振荡器可以克服上述缺点, 并且对 AT 切晶体谐振器的各种频率温度系数曲线都能进行补偿, 有利于成批生产. 温度补偿的方法是设计一个“热敏网络”, 该热敏网络由固定电阻和热敏电阻组成, 结构 - 6 - 7 1 温补晶振的补偿原理及补偿过程如图 1 所示. 使用一个热敏网络和一个变容二极管, 变容二极管的结电容与其偏压成反比. 晶体振荡器的负载电容基本上等于变容二极管的结电容. 当环境温度改变时, 使石英谐振器的频率发生变化( 见图 2) , 热敏网络同时输出一个随温度变化的电压 V 0 , V 0 改变变容二极管的结电容, 使石英晶体振荡器的频率变化. 当热敏网络随温度变化输出的 V 0 改变变容二极管的结电容, 使晶体振荡器的频率变化( 曲线 b ) 和由于环境温度变化引起晶体振荡器的频率变化( 曲线 a) 相反且相等时, 两种变化互相抵消得到稳定的频率曲线 c, 则达到补偿的目的. 从上述补偿原理可得到补偿过程如下: 测试出补偿电压—温度曲线 ( V -T 曲线) 用电位器代替热敏网络, 改变环境温度( 温度变化根据需要选取) , 使晶体振荡器的频率变化, 记下对应温度的频率值. 调节电位器, 改变加在变容二极管上的偏压, 使晶体频率变化到等于标称值, 记下对应温度变容二极管上的偏压值, 即得到第四象限中所需要的补偿电压 — 温

恒温晶振、温补晶振的调试及测试

恒温晶振、温补晶振的调试及测试时的注意点恒温晶振、温补晶振的调试及测试时的注意点 1) 每一个单独指标必须单独测试，不能同时测试几种指标，也不能同时测试几只晶振。 2) 测试时要严格按照标准的测试电路和测试环境进行测试。 3) 在没有相当的测试设备和测试人员的情况下，不建议客户自行测试晶振，更不能随意调试晶振，测试设备的等级应至少比晶振指标高一个数量级。 4) 对不同厂家的产品，尤其是来自不同国家的产品，有一些指标的测试方法不尽相同，应提前了解各厂家的异同点，统一意见，以减少不必要的麻烦。 5) 对一些短期指标如频率精度，开机特性等，应多做几次重复的测试，以减少测试结果的偶然性。恒温晶振OCXO选型和采购时应该注意的问题 1) 不要一味追求高指标，因为高指标意味着成本大幅度增加，交货期加长； 2) 注意封装的可替代性，尽量不选用非标准封装； 3) 尽量不要压缩交货期限； 4) 了解厂家情况的时候，应该着重考察厂家的晶体来源、工艺控制能力； 5) 如果可能的话，应允许在研发阶段就让厂家参与到指标的确认工作中。恒温晶振、温补晶振主要技术指标定义的IEC标准 1）标称频率（Nominal frequency） IEC标准定义：振荡器标明的工作频率。 2）中心频率偏差 (Frequency accuracy) IEC标准定义：在基准点温度环境（25 ± 2 ℃）和中心控制电压时，测得的频率值与标称频率的偏差。 3）频率调谐范围（Frequency adjustment range） IEC标准定义：用某种可变元件使振荡器频率能够改变的频率范围。注：调整的目的： 1）把频率调到规定调整范围内的任一特定值。 2）由于老化和其它条件变化而引起频率偏移后，能够把振荡器频率修正到规定值。调整的方式： 3）调节方式有机械调节和电压调节两种4）可变元件通常指变容二极管、多圈电位器等。 4）工作温度范围 (Operating temp. range) IEC标准定义：振荡器能够正常工作，其频率及其它输出信号性能均不超过规定的允许偏差的温度范围。注： 1）工作温度范围的下限越低，振荡器功耗越大，同时频率温度稳定度越难实现。 2）工作温度范围的上限越高，晶体拐点设置越高，晶体成本上升越多。 5）压控特性（电压范围、极性、线性、压控输入阻抗） IEC标准定义：当控制电压变化时，引起的振荡器输出的频率、波形特征等电特性的变化。注： 1）电压范围：用来调节频率的电压的可调范围。常见的有0～3.3V, 0.3～3.0V, 0～ 5V, 0.5～4.5V等。2）压控范围：压控电压在电压范围内变化的时候，振荡器的频率能够变化的范围。3）极性：当振荡器的频率随压控电压的增加而增加的时候，压控极性 3）极性：当振荡器的频率随压控电压的增加而增加的时候，压控极性为正极性，反之为负极性。 4）线性度：理想的压控电压和频率变化量的关系是线性的，但实际上总会有所偏差，这个偏差就是表征理想程度的压控线性度，通常用百分比表示。5）如果系统不能给出稳定的电压信号，或者对输出频率有严格的控制要求时，通常振荡器可以自己给出经过稳压后的精准的电压供压控电压用，这个精准的电压就是参考电压。 6）输出波形（Output waveform）正弦: 负载能力方波: 上升沿时间、下降沿时间、占空比、高/低电平 IEC标准定义：振荡器工作时输出的波形及波形的具体特性。注：常见输出波形及输出特性指标： 1）正弦波（Sine）：谐波抑制（Harmonic attenuation）、杂波抑制（Noise attenuation ）、负载（Load）、输出幅度（Output level）。 2）削峰正弦波（Clipping Sine）：负载（Load）、输出幅度（Output level）。 3）方波（Square）：又分为MOS和TTL两类输出。负载（Load）、占空比（Duty cycle）、上升/下降时间（Rise/fall time）、高低电平（“1” and “0” level）。

晶振基础知识

晶振基础知识（第一版）摘要：本文简单介绍了晶体谐振器和晶体振荡器的结构，工作原理，振荡器电路的分类，晶体振荡器的分类，晶振类器件的主要参数指标和石英晶体基本生产工艺流程。一、振荡电路的定义，构成和工作原理 (3) 二. 晶体振荡器分类： (23) 三、石英晶体谐振器主要参数指标 (27) 四、石英晶体振荡器主要参数指标 (30) 五．石英晶体基本生产工艺流程 (43)

一、振荡电路的定义，构成和工作原理 1. 振荡器：不需外加输入信号，便能自行产生输出信号的电路，通常也被成为。 2. 振荡器构成：谐振器（选频或滤波）+驱动（谐振）电路构成振荡器电路。 3. 谐振器的种类有：RC谐振器，LC并联谐振器，陶瓷谐振器，石英（晶体）谐振器，原子谐振器，MEMS（硅）振荡器。本文只讨论石英晶体谐振器。石英谐振器的结构石英谐振器，它由石英晶片、电极、支架和外壳等部分组成。它的性能与晶片的切割方式、尺寸、电极的设置装架形式，以及加工工艺等有关。其中，晶片的切割问题是设计时首先要考虑的关键问题。由于石英晶体不是在任何方向都具有单一的振动模式（即单频性）和零温度系数，因此只有沿某些方向切下来的晶片才能满足设计要求。

普通晶振内部结构 Base Mounting clips Bonding area Electrodes Quartz blank Cover Seal Pins Top view of cover Metallic electrodes Resonator plate substrate (the “blank”)

京瓷kyocera温补晶振KT7050规格参数、数据手册、规格书信息

Temperature Compensated Crystal Oscillators (TCXO, VCTCXO)Surface Mount Type TCXO (LSI Type) KT7050 Series for Femtocell/ Stratum3 7.0×5.0mm Features ? H igh stability and high reliability ? 2.7 to 5.5V drive available ? C lipped sine wave or CMOS level output ? L ow phase noise ? D isable Function (KT7050A) Applications ? F emtocell, Stratum3? S ONET/ SDH/ Ethernet ? C ompliant to the GR1244-Core & GR253-Core ? R ecommended in Microsemi’s ZLAN - 68 app. note for Stratum3 applications based on tests performed by Kyocera. How to Order For Femtocell (Standard Spec.) Freq. Temp. Chrst. : ±0.1×10?6/ ?10°C to 70°C KT7050A 20000A G T 33T xx ① ② ③ ④⑤⑥⑦⑧⑨ For Stratum3 (Standard Spec.) Freq. Temp. Chrst. : ±0.28×10?6/ ?40°C to 85°C KT7050A 20000K A W 33T xx ① ② ③ ④⑤⑥⑦⑧⑨ ①Series ② Land Type Freq. Temp. Chrst. ⑥ Upper Operating Temp. ⑨Option Code 　Packaging (Tape & Reel 1000 pcs./ reel) Dimensions Recommended Land Pattern (Unit: mm) 号，上晶振商城】

晶振的基本原理及特性

晶振的基本原理及特性晶振一般采用如图1a的电容三端式(考毕兹) 交流等效振荡电路；实际的晶振交流等效电路如图1b，其中Cv是用来调节振荡频率，一般用变容二极管加上不同的反偏电压来实现，这也是压控作用的机理；把晶体的等效电路代替晶体后如图1c。其中Co，C1，L1，RR是晶体的等效电路。分析整个振荡槽路可知，利用Cv来改变频率是有限的：决定振荡频率的整个槽路电容C=Cbe,Cce,Cv 三个电容串联后和Co并联再和C1串联。可以看出：C1越小，Co越大，Cv变化时对整个槽路电容的作用就越小。因而能“压控”的频率范围也越小。实际上，由于C1很小(1E-15量级)，Co不能忽略(1E-12量级，几PF)。所以，Cv变大时，降低槽路频率的作用越来越小，Cv变小时，升高槽路频率的作用却越来越大。这一方面引起压控特性的非线性，压控范围越大，非线性就越厉害；另一方面，分给振荡的反馈电压(Cbe上的电压)却越来越小，最后导致停振。采用泛音次数越高的晶振，其等效电容C1就越小；因此频率的变化范围也就越小。晶振的指标总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大偏差。说明：总频差包括频率温度稳定度、频率老化率造成的偏差、频率电压特性和频率负载特性等共同造成的最大频差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采用。例如：精密制导雷达。频率稳定度：任何晶振，频率不稳定是绝对的，程度不同而已。一个晶振的输出频率随时间变化的曲线如图2。图中表现出频率不稳定的三种因素：老化、飘移和短稳。

图2 晶振输出频率随时间变化的示意图曲线1是用0.1秒测量一次的情况，表现了晶振的短稳；曲线3是用100秒测量一次的情况，表现了晶振的漂移；曲线4 是用1天一次测量的情况。表现了晶振的老化。频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的最大允许频偏。 ft=±(f max-fmin)/(fmax+fmin) ftref ＝±MAX[｜(fmax-fref)/fref｜，｜(fmin-fref)/fref｜] ft：频率温度稳定度(不带隐含基准温度) ftref：频率温度稳定度(带隐含基准温度) fmax ：规定温度范围内测得的最高频率 fmin：规定温度范围内测得的最低频率 fref：规定基准温度测得的频率说明：采用ftref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用ft指标的晶体振荡器,故ftref指标的晶体振荡器售价较高。开机特性（频率稳定预热时间）：指开机后一段时间(如5分钟)的频率到开机后另一段时间(如1小时)的频率的变化率。表示了晶振达到稳定的速度。这指标对经常开关的仪器如频率计等很有用。说明：在多数应用中，晶体振荡器是长期加电的，然而在某些应用中晶体振荡器需要频繁的开机和关机，这时频率稳定预热时间指标需要被考虑到（尤其是对于在苛刻环境中使用的军用通讯电台，当要求频率温度稳定度≤±0.3ppm(-45℃～85℃)，采用OCXO作为本振，频率稳定预热时间将不少于5分钟，而采用MCXO只需要十几秒钟)。频率老化率：在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的关系。这种长期频率

晶振选型与应用知识

石英晶振选型与应用知识石英晶体是压电晶体的一种，沿着特定的方向挤压或拉伸，它的两端会产生正负电荷，这种效应称为正压电效应；相反，对晶体施加电场导致晶体形变的效应，称为逆压电效应。所以在石英晶片两面施加交变电场，晶片就会产生形变，而形变又会产生电场，这是一个周期转换的过程。对于特定的晶片，这个周期是固定的，我们利用这个周期来产生稳定的基准时钟信号。石英晶体元器件，是利用石英晶体的压电效应实现频率控制、稳定或选择的关键电子元器件。包括石英晶体谐振器、石英晶体振荡器和石英晶体滤波器。在石英晶片的两面镀上电极，经过装架、调频、封装等工序后制成石英晶体元件。石英晶体元件与集成电路等其它电子元件组合成石英晶体器件。本文主要介绍石英晶振：即所谓石英晶体谐振器（无源晶振）和石英晶体振荡器（有源晶振）的统称。一般的概念中把晶振就等同于谐振器理解了，振荡器就是通常所指钟振。石英晶振是一种用于稳定频率和选择频率的电子元件，已被广泛地使用在无线电话、载波通讯、广播电视、卫星通讯、仪器仪表等各种电子设备中. 一、石英晶振的型号命名方法 1.国产石英晶体谐振器的型号由三部分组成： –第一部分：表示外壳形状和材料， B表示玻璃壳，J表示金属壳，S表示塑料封型； –第二部分：表示晶片切型，与切型符号的第一个字母相同， A表示AT切型、B表示BT切型， –第三部分：表示主要性能及外形尺寸等，一般用数字表示，也有最后再加英文字母的。 JA5为金属壳AT切型晶振元件，BA3为玻壳AT切型晶振元件。 2石英晶体振荡器的型号命名有四部分组成： .

–第一部分：主称用大写字母Z表示石英晶体振荡器； –第二部：类别用大写字母表示，其意义见下表： –第三部分：频率稳定度等级用大写字母表示，其意义见下表： –第四部分：序号用数字表示，以示产品结构性能参数的区别

晶振的基本原理及特性(精)

晶振的基本原理及特性晶振的基本原理及特性晶振一般采用如图1a的电容三端式(考毕兹) 交流等效振荡电路；实际的晶振交流等效电路如图1b，其中Cv是用来调节振荡频率，一般用变容二极管加上不同的反偏电压来实现，这也是压控作用的机理；把晶体的等效电路代替晶体后如图1c。其中Co，C1，L1，RR是晶体的等效电路。分析整个振荡槽路可知，利用Cv来改变频率是有限的：决定振荡频率的整个槽路电容C=Cbe,Cce,Cv三个电容串联后和Co并联再和C1串联。可以看出：C1越小，Co越大，Cv变化时对整个槽路电容的作用就越小。因而能“压控”的频率范围也越小。实际上，由于C1很小(1E-15量级)，Co不能忽略(1E-12量级，几PF)。所以，Cv变大时，降低槽路频率的作用越来越小，Cv变小时，升高槽路频率的作用却越来越大。这一方面引起压控特性的非线性，压控范围越大，

非线性就越厉害；另一方面，分给振荡的反馈电压(Cbe上的电压)却越来越小，最后导致停振。采用泛音次数越高的晶振，其等效电容C1就越小；因此频率的变化范围也就越小。晶振的指标总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大偏差。说明：总频差包括频率温度稳定度、频率老化率造成的偏差、频率电压特性和频率负载特性等共同造成的最大频差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采用。例如：精密制导雷达。频率稳定度：任何晶振，频率不稳定是绝对的，程度不同而已。一个晶振的输出频率随时间变化的曲线如图2。图中表现出频率不稳定的三种因素：老化、飘移和短稳。

晶振电路知识讲解之晶体参数详解

晶振电路知识讲解之晶体参数详解 1. 晶振与晶体的区别晶振是有源晶振的简称，又叫晶体则是无源晶振的简称，也叫（无源）一般是直插两个脚的无极性元件，需要借助（有源）一般是表贴四个脚的封装，内部有时钟电路，只需供电便可产生振荡信号。一般分7050、5032、3225、2520几种封装形式。 2. MEMS硅晶振与石英晶振区别MEMS硅晶振采用硅为原材料，采用先进的半导体工艺 3. 晶体谐振器的等效电路 4. 关键参数4.1 标称频率4.2 调整频差4.3 温度频差在整个温度范围内工作频率相对于基准温度时工作频率的允许偏离。常用ppm表示。4.4 老化率指在规定条件下，由于时间所引起的频率漂移。这一指标对精密晶体是必要的，但它“没有明确的试验条件，而是由制造商通过对所有产品有计划抽验进行连续监督的，某些晶体元件可能比规定的水平要差，这是允许的”（根据IEC的公告）。老化问题的最好解决方法只能靠制造商和用户之间的密切协商。4.5 谐振电阻（Rr）指晶体元件在谐振频率处的等效电阻，当不考虑C0的作用，也近似等于所谓晶体的动态电阻R1或称等效串联电阻(ESR)。这个参数控制着晶体元件的品质因数，还决定所应用电路中的晶体振荡电平，因而影响晶体的稳定性以致是否可以理想的起振。所以它是晶体元件的一个重要指标参数。一般的，对于一给定频率，选用的晶体盒越小，ESR的平均值可能就越高；绝大多数情况，在制造过程中并不能预计具体某个晶体元件的电阻值，而只能保证电阻将低于规范中所给的最大值。4.6 负载谐振电阻（RL）指晶体元件与规定外部电容相串联，在负载谐振频率FL时的电阻。对一给定晶体元体，其负载谐振电阻值取决于和该元件一起工作的负载电容值，串上负载电容后的谐振电阻，总是大于晶体元件本身的谐振电阻。4.7 负载电容（CL）与晶体元件一起决定负载谐振频率FL的有效外界电容。晶体元件规范中的CL是一个4.8 静态电容（C0）等效电路静态臂里的电容。它的大小主要取决于电极面积、晶片厚度和晶片加工工艺。4.9 动态电容（C1）等效电路中动态臂里的电容。它的大小主要取决于电极面积，另外还和晶片平行度、微调量的大小有关。4.10 动态电感（L1）等效电路中动态臂里的电感。动态电感与动态电容是一对相关量。4.11 谐振频率（Fr）指在规定条件下，晶体元件电气阻抗为电阻性的两个

温补晶振(TCXO)振荡器

温补晶振（TCXO）振荡器本文档由https://www.360docs.net/doc/93912656.html,整理温补晶振由普通化转换成小型化是一个过程,在近十几年中得到稳定长足发展，其中在精密TCXO的研究开发与生产方面，日本居领先和主宰地位。在70年代末汽车电话用TCXO的体积达20 以上，目前的主流产品降至0.4 ，超小型化的TCXO器件体积仅为0.27 。在30年中，TCXO的体积缩小了50余倍乃至100倍。日本京陶瓷公司采用回流焊接方法生产的表面贴装TCXO厚度由4mm降至2mm，在振荡启动4ms后即可达到额定振荡幅度的90%。金石（KSS）集团生产的TCXO 频率范围为2～80MHz，温度从－10℃到60℃变化时的稳定度为±1ppm或±2ppm；数字式TCXO的频率覆盖范围为0.2～90MHz，频率稳定度为±0.1ppm（－30℃～+85℃）。日本东泽通信机生产的TCO－935/937型片式直接温补型TCXO晶振，频率温度特性（点频15.36MHz）为±1ppm/－20～+70℃，在5V±5%的电源电压下的频率电压特性为±0.3ppm，输出正弦波波形（幅值为1VPP），电流损耗不足2mA，体积1 ，重量仅为1g。PiezoTechnology生产的X3080型TCXO采用表面贴装和穿孔两种封装，正弦波或逻辑输出，在－55℃～85℃范围内能达到±0.25～±1ppm的精度。国内的产品水平也较高，日本爱普生EPSON公司推出的TCXO（32～40MHz）在室温下精度优于±1ppm，第一年的频率老化率为±1ppm，频率（机械）微调≥±3ppm，电源功耗≤120mw。目前高稳定度的TCXO器件，精度可达±0.05ppm。高精度、低功耗和小型化，仍然是TCXO的研究课题。在小型化与片式化

检验报告样本型式检验报告

检验报告样本(型式检验报告)

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xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx 检验报告 NO:D09-SG0015 产品名称储水式电热水器生产日期2009年11月型号规格xxxxxxxxxxxxx 编号或批号商标------ 等级------- 样品单号3053929 受检单位xxxxxxxxxxxxxxxxxx 检验类别市专项执法检查委托单位xxxxxxxxxxxxxxxxxxxx 样品数量3台生产单位xxxxxxxxxxxxxxxxxxx 抽样基数13台抽样地点xxxxxxxxxxxxxxxx 到样日期2009年12月2日来样方式xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx 验讫日期2009年12月22日样品特征和状态完好检验依据GB4706.12-2006《家用和类似用途电器的安全储水式热水器的特殊要求》GB4706.1-2005《家用和类似用途电器的安全第一部分：通用要求》 GB/T20289-2006《储水式电热水器》《2009年第四季度广东省专项监督检验电热水器产品检验细则》检验结论本次专项执法检查检验项目共20项，其中标志和说明项合格，A类不合格0项，B 类不合格0项。 A类不合格项目：------- B类不合格项目：------ 检验报告专用章 2009年12月25日备注xxxxxxxxxx

批准：审核：编制：序号检验项目标准要求检测结果单项判定 1# 2# 1 分类按防触电保护分类I类I类---- 按防水保护程度分类IPX4 IPX4 ---- 2 标志器具上应有标志额定电压或额定电压范围（V）220 220 合格电源种类与符号符合符合合格额定频率或额定频率范围（Hz）50 50 合格额定功率（W&KW）2000W 2000W 合格制造厂名或代理商名、商标或识别标志符合符合合格器具型号DSZF-40 合格II类结构的符号---- ---- ---- 按其防水等级的IP代码，IPX0不标出IPX4 IPX4 合格额定压力(Pa) 0.6MPa 0.6MPa 合格额定容量（L）40L 40L 合格具有一个额定值范围，应采用由一个连字符分开的范围的上限值和下限值来标示 ---- ---- ---- 不同额定电压设定应清晰可辨---- ---- ---- 应标出每个额定电压所对应的额定输入功率---- ---- ---- 使用正确的符号符合符合合格电源性质的符号，应紧挨所标示的额定电压符合符合合格II类器具符号所放置的位置，应不可能与任何其他标示发生混淆---- ---- ---- 连接到三根或三根以上的供电导线的器具和多电源器具，配备正确的接线图，并固定在器具上 ---- ---- ---- 除Z 型连接专为中性线使用的接线疯子用字母N表示符合符合合格接地端子必须用接地符号表示符合符合合格上述符号不应标在螺钉、可拆卸的垫圈或其它在连接导线时可能被拆卸的部件上符合符合合格可能引起危险的开关，其标志和放置的位置应清楚的表明它所控制的是器具的那个部分符合符合合格开关和调节装置的不同位置应用数字、字母或其它标志加以表示，较大数字应对较大输入功率符合符合合格数字“0”只能表示“断开”档位，除非不致与“断开”档位相混淆---- ---- ---- 在安装或正常使用期间，打算调节的控制器应标出调节方向的标示符合符合合格使用说明书应随器具一起提供，以保证器具能安全使用符合符合合格符合附录AA要求的热水器，在使用说中应注明“一旦发生器具以外的接地系统异常情况时，应立即停止使用热水器，并拔下其电源插头或断开与供电电路的一切连接，并与制造厂的维修人员联系处理” ---- ---- ----

环境监测报告样板

附件4： XXX环境监测站监测报告 X环监字（2006）第 011号（盖计量认证印章）（盖监测资质印章）项目名称：XX公司东调搬迁项目环评监测委托单位： XXXXX有限责任公司监测类别：委托监测报告日期： 2006年月日（盖章）监测报告说明 1、报告封面及监测数据处无本站业务专用章无效，报告无骑缝章无效。 2、报告内容需齐全、清楚，涂改无效；报告无相关责任人签字无效。 3、委托方如对本报告有异议，须于收到本报告十五日内向本站提出，逾期不予受理。 4、由委托方自行采集的样品，仅对送检样品的测试数据负责，不对样品来源负责，对监测结果不作评价。 5、未经本站书面批准，不得部分复制本报告。 6、未经本站书面同意，本报告及数据不得用于商品广告，违者必究。机构通讯资料： ×××××环境监测站地址：××××路××号

邮政编码：××××××电话：传真：

1、监测内容受XXXX有限责任公司委托，按照《XXXX有限责任公司东调搬迁项目环评大纲》要求，于2006年2月8~10日对该公司现有污染源废水、废气及拟搬迁地的环境空气、地表水、底泥、厂界噪声进行了监测。 2、监测项目地表水监测项目：总镍。底泥监测项目：铜、铅、镍。环境空气监测项目：氯化氢、硫酸雾、铅。噪声监测项目：厂界噪声。废水监测项目：pH、化学需氧量、总铜、总镍、总铅、总锡、总氰化物、总磷、氨氮、挥发酚、五日生化需氧量、氟化物、甲醛。有组织废气监测：监测项目见表2-1：车间无组织废气监测：监测项目见表2-2： 3、监测分析方法及方法来源监测项目的监测方法、方法来源、使用仪器及检出限见表3-1~3-4。

常用无源晶振封装尺寸及实物图

常用无源晶振封装尺寸及实物图晶振尺寸较多,为了查找资料方便,特整理一下: 石英晶振：即所谓石英晶体谐振器（无源晶振）和石英晶体振荡器（有源晶振）的统称。一般的概念中把晶振就等同于谐振器理解了，振荡器就是通常所指钟振。石英晶振是一种用于稳定频率和选择频率的电子元件，已被广泛地使用在无线电话、载波通讯、广播电视、卫星通讯、仪器仪表等各种电子设备中。石英晶振封装一般分为插件（DIP）和贴片（SMD）。插件中又分为HC-49U、HC-33U、HC-49S、全尺寸（长方体）、半尺寸（正方体）、音叉型（圆柱状晶振）。HC-49U一般称49U，有些采购俗称“高型”，而HC-49S一般称49S，俗称“矮型”，音叉型（圆柱状晶振）按照体积分可以分为φ3*10、φ3*9、φ3*8、φ2*6、φ1*5、、φ1*4等。贴片型是按尺寸大小和脚位来分类：例如7050（7.0*5.0）、6035（6.0*3.5）、5032（5.0*3.2)、3225（3.2*2.5）、2025（2.0*2.5）等。脚位有4pin和2pin之分。所谓全尺寸的，又称长方形或者14pin，半尺寸的又称正方形或者8pin。不过要注意的是，这里的14pin 和8pin都是指振荡器内部核心IC的脚位数，振荡器本身是4pin。而从不同的应用层面来分，有源晶振又可分为普通晶振（OSC）、温补晶振（TCXO）、压控晶振（VCXO）压控晶振恒温晶振（OCXO）等。 A、直插封装（Through-Hole） 1、 HC-51/U 0.455 - 4.5 MHz 18.4 x 9.3 x 19.7

2、HC-33/U 0.455 - 4.5 MHz 18.4 x 9.3 x 19.7 3、HC-49/U 1 - 150 MHz 11.2 x 4.7 x 13.6

贴片0.1ppm高精度温补晶振

TS Type 7.0 x 5.0 mm SMD High Precision Voltage Controlled T e m p e r a t u r e C o m p e n s a t e d C r y s t a l O s c i l l a t o r Specifications subject to change without notice FEATURE - Typical 7.0 x 5.0 x 1.9 mm ceramic SMD package. - High Precision for -40 o C~+85 o C, ±0.28ppm - CMOS and Clipped Sine wave (without DC-cut capacitor) output optional. TYPICAL APPLICATION - Femtocell, Base Stations - WLAN / WiMAX / WiFi, Wireless Communications - Mobile Phone DIMENSION (mm) SOLDER PAD LAYOT (mm) ELECTRICAL SPECIFICATION Parameter 5.0V 3.3V Unit Min. Max. Min. Max. Supply Voltage Variation (VDD) ±5% 4.75 5.25 3.13 3.47 V Frequency Range 5 40 5 40 MHz Standard Frequency (for CMOS) 5, 6.4, 8, 8.192, 10, 12.5, 12.8, 16, 16.384, 19.44, 25 Standard Frequency (for Clipped Sine Wave) 8.192, 10, 12.5, 12.8, 16, 16.384, 19.44, 25 Frequency Tolerance* ±2.0 ±2.0 ppm Frequency Stability Vs Supply Voltage (±5%) change - ±0.5 - ±0.5 ppm Vs Load (±10%) change - ±0.2 - ±0.2 ppm Vs Aging - ±1.0 - ±1.0 ppm Supply Current (CMOS output) - 6.0 - 6.0 mA Supply Current (Clipped Sine Wave) - 3.5 - 3.5 Output Level (CMOS) Output Low (Logic"1") 4.5 - 2.97 - V Output Low (Logic"0") - 0.5 - 0.33 Duty 45 55 45 55 % Output Level (Clipped Sine Wave) 0.8 - 0.8 Vp-p Load (CMOS) 15pF 15pF Load (Clipped Sine Wave) 10 K? // 10pF 10 K? // 10pF Control Voltage Range (VCTCXO) 0.5 2.5 0.5 2.5 V Pulling Range (VCTCXO) ±5.0 ±12.0 ±5.0 ±12.0 ppm Vc Input Impedance (VCTCXO) 100 - 100 - K? Phase Noise @ 19.2MHz 100 Hz -120 -120 dBc / Hz 1 KHz -140 -140 10 KHz -148 -148 Start Time - 2 - 2 mSec Tri-State Disable - 1.5 - 0.99 V Enable 3.5 - 2.31 - Storage Temp. Range -55 125 -55 125 o C Standard frequencies are frequencies which the crystal has been designed and does not imply a stock position *Frequency at 25 o C, 1 hour after reflow Note: not all combination of options are available. Other specifications may be available upon request. 深圳捷比信－－高品质精密元件供应商ｗｗｗ．ｊｅｐｓｕｎ．ｃｏｍ