MOS集成电路的基本制造工艺
mos制作工艺
mos制作工艺mos（Metal Oxide Semiconductor）制作工艺是一种半导体器件制造工艺，用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。
MOS 器件是现代集成电路中最常用的器件之一，其制作工艺的精细度和稳定性对于集成电路的性能和可靠性起着至关重要的作用。
MOS制作工艺的基本流程包括晶圆清洗、沉积、光刻、蚀刻、离子注入、退火和封装等步骤。
晶圆清洗是整个制造工艺的第一步。
清洗晶圆的目的是去除表面的杂质和污染物，保证后续工艺步骤的顺利进行。
清洗过程通常包括机械去污、化学去污和溅射清洗等。
接下来是沉积步骤。
沉积是将所需的材料层沉积在晶圆表面的过程。
在MOS制作工艺中，常用的沉积方法包括化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等。
通过沉积，可以形成绝缘层、导电层和其他所需的功能层。
光刻是MOS制作工艺中关键的步骤之一。
光刻是利用光刻胶和光刻机将图形转移到晶圆表面的过程。
通过光刻，可以定义晶圆上各种不同的结构和元件。
光刻胶的选择、光刻机的参数设置和曝光光源的选择等都会对光刻的结果产生重要影响。
蚀刻是指利用化学反应将不需要的材料层从晶圆表面去除的过程。
蚀刻液的选择和蚀刻参数的调节都需要根据具体的制造工艺要求进行优化，以确保所需的结构得到准确的定义。
离子注入是MOS制作工艺中实现杂质掺入的重要步骤。
通过离子注入，可以在晶圆表面形成所需的导电层或控制层。
离子注入的参数设置和注入能量的选择对于器件性能具有重要影响，需要进行精确控制。
退火是指将晶圆加热到一定温度并保持一段时间，以消除材料内部的应力和缺陷，提高晶体质量和器件性能。
退火的温度和时间需要根据具体材料和工艺要求进行调节。
最后是封装步骤。
封装是将制造好的芯片封装到塑料或陶瓷等外壳中，以保护芯片并方便连接到外部电路。
封装工艺涉及焊接、封装材料的选择和外壳的设计等方面。
通过以上一系列的制作工艺步骤，我们可以制造出高性能、高可靠性的MOS器件。
集成电路中的工艺技术和制造方法
集成电路中的工艺技术和制造方法集成电路是现代电子技术的关键组成部分，广泛应用于各个领域，如通信、计算机、消费电子等。
在集成电路的生产过程中，工艺技术和制造方法起着至关重要的作用。
本文将介绍集成电路中的工艺技术和制造方法，以帮助读者更好地了解和掌握相关知识。
一、工艺技术1. 光刻技术光刻技术是集成电路制造中常用的一种工艺技术。
它通过使用光刻胶和光罩，将设计好的电路图案转移到硅片上。
在光刻过程中，需要使用紫外线光源照射光刻胶，然后通过显影、蚀刻等步骤使电路图案得以形成。
2. 氧化技术氧化技术是制造MOS（金属氧化物半导体）器件中常用的一种工艺技术。
它主要是通过在硅片上生成一层氧化膜，用于隔离、保护和改善电路性能。
在氧化过程中，将硅片暴露在含氧气体中，并加热至一定温度，使氧气与硅片表面发生化学反应，生成氧化物。
3. 离子注入技术离子注入技术是制造P型、N型半导体等器件中常用的一种工艺技术。
它通过将离子束引入硅片，改变硅片的掺杂浓度和类型，从而改变硅片的导电性质。
离子注入过程中，需要对离子束的能量、剂量等参数进行调控，以达到所需的掺杂效果。
4. 化学镀膜技术化学镀膜技术是在集成电路制造过程中常用的一种工艺技术。
它通过将金属离子溶液直接还原在硅片表面，形成金属薄膜。
化学镀膜技术可用于金属线的填充、连接器的制造等方面，具有较高的成本效益和生产效率。
5. 清洗技术清洗技术是在集成电路制造中不可或缺的一种工艺技术。
由于集成电路制造过程中会产生许多杂质和污染物，需要进行定期的清洗以保证电路性能和可靠性。
清洗技术可采用化学溶液、超声波等方法，有效地去除硅片表面的污染物。
二、制造方法1. MOS制造方法MOS制造方法是制造MOS器件的一种常用方法。
它主要包括沉积薄膜、氧化、掩膜、离子注入、蚀刻、金属化等步骤。
其中，沉积薄膜步骤用于生成绝缘层和接触孔，氧化步骤用于形成氧化膜，掩膜步骤用于定义电路图案，离子注入步骤用于掺杂硅片，蚀刻步骤用于去除多余材料，金属化步骤用于连接电路。
mos制作工艺
mos制作工艺一、mos制作工艺的基本原理MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）是一种半导体器件结构，它由金属、氧化物和半导体组成。
MOS技术是现代集成电路制造中最主要的技术之一。
其基本原理是通过控制金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）中的电场来实现信号的放大、开关和存储等功能。
1. 单晶硅片准备：首先，需要选择高纯度的单晶硅片作为基片。
然后通过切割、抛光等工艺，获得平整的硅片表面。
2. 硅片清洗：将硅片放入化学溶液中进行清洗，去除表面的杂质和污染物，确保硅片表面的纯净度。
3. 硅片掺杂：通过离子注入或扩散等技术，在硅片表面引入掺杂物，改变硅片的电学性质。
这是为了形成p型和n型区域，构成MOS 器件的结构。
4. 硅片涂覆：在硅片表面涂覆一层氧化物，常用的是二氧化硅。
这一步是为了保护硅片表面，并提供MOSFET的绝缘层。
5. 光刻：将光刻胶涂覆在氧化层上，然后通过掩模板的光刻照射，使光刻胶在特定区域固化。
再通过化学腐蚀或离子注入等步骤，去除未固化的光刻胶。
6. 电极沉积：在暴露出的硅片表面沉积金属，作为MOSFET的源、漏和栅极等电极。
7. 退火：通过高温处理，使金属电极和硅片之间形成良好的接触，提高MOSFET的电性能。
8. 金属连接：通过金属线或铝合金等材料，将MOSFET与其他器件进行连接，形成电路。
9. 封装测试：将MOSFET芯片封装在塑料或陶瓷封装中，然后进行电性能测试和可靠性测试。
最后，通过裁剪和焊接等工艺，得到最终的MOS器件。
通过以上步骤，就完成了MOS制作工艺的整个流程。
这些步骤中的每一步都非常重要，需要精确的控制和操作，以确保制作出高质量的MOS器件。
总结：MOS制作工艺是一项复杂而精密的工艺，它在现代集成电路制造中起着重要的作用。
通过清洗、掺杂、涂覆、光刻、沉积、退火、金属连接和封装测试等步骤，可以制作出高性能的MOS器件。
只有不断优化和改进制作工艺，才能满足日益增长的电子产品需求，推动科技的发展和进步。
mos晶圆工艺
MOS晶圆工艺1. 什么是MOS晶圆工艺？MOS晶圆工艺是一种用于制造金属-氧化物-半导体（MOS）结构的工艺技术。
MOS结构是一种重要的半导体器件结构，广泛应用于集成电路（IC）的制造过程中。
MOS 晶圆工艺是将金属、氧化物和半导体材料层层堆叠，通过一系列工艺步骤将它们结合在一起，形成具有特定功能的电子器件。
2. MOS晶圆工艺的步骤2.1 晶圆准备MOS晶圆工艺的第一步是准备半导体晶圆。
晶圆通常采用硅（Si）材料，因其良好的电学和物理特性而被广泛使用。
在晶圆准备阶段，晶圆表面会进行清洁和去除杂质的处理，以确保后续工艺步骤的顺利进行。
2.2 氧化层形成在MOS晶圆工艺中，氧化层是非常重要的一层。
氧化层可以提供电子器件所需的绝缘性能，并保护下方的半导体材料。
氧化层的形成通常通过热氧化的方法，在高温下将晶圆暴露在氧气环境中，使其表面形成一层氧化硅（SiO2）。
2.3 金属沉积金属沉积是MOS晶圆工艺中的关键步骤之一。
金属层的沉积可以通过物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）等方法进行。
金属层的主要作用是提供电子器件的导电性能，用于连接不同的电路元件。
2.4 光刻和蚀刻光刻和蚀刻是MOS晶圆工艺中的关键步骤，用于定义电子器件的形状和结构。
光刻是将光敏胶涂覆在晶圆表面，并使用光刻机将光敏胶暴露在特定的光源下，形成所需的图案。
然后，通过蚀刻的方法将未被光敏胶保护的区域去除，从而形成所需的结构。
2.5 掺杂和热处理掺杂是在MOS晶圆工艺中引入掺杂剂（如硼、磷等）到半导体材料中的过程。
掺杂可以改变半导体材料的电学性能，例如调节其导电性能或形成PN结。
掺杂后，晶圆需要进行热处理，以使掺杂剂在晶体中扩散并形成所需的电子器件结构。
2.6 金属连接和封装最后一个步骤是将金属连接器连接到晶圆上的电子器件，并进行封装。
金属连接器用于将电子器件与外部电路连接起来，以实现信号的输入和输出。
封装是将晶圆封装在保护性的外壳中，以保护电子器件免受环境的影响。
mos半导体工艺流程
mos半导体工艺流程MOS（Metal-Oxide-Semiconductor，金属-氧化物-半导体）半导体工艺流程是制造集成电路（IC）中的MOS晶体管和其他MOS结构的基础。
以下是一个简化版的MOS工艺流程概述：1. 硅片制备：- 开始时选用高纯度硅晶圆，经过切割、研磨、抛光，得到平坦、纯净的硅片。
2. 氧化层生长：- 在硅片表面通过高温热氧化工艺生长一层二氧化硅（SiO2），形成绝缘层，这是MOS结构中的“氧化物”。
3. 光刻与掩膜：- 使用光刻技术，通过光刻胶、掩膜版和光源曝光，将电路图案转移到硅片上的光刻胶层。
4. 刻蚀：- 将曝光后的光刻胶图案作为掩模，通过湿法或干法刻蚀工艺去除不需要的氧化层部分，形成栅极氧化层窗口。
5. 栅极沉积：- 在暴露出来的硅表面沉积金属（早期MOS晶体管中为铝，现代工艺中多采用多晶硅或金属合金）作为栅极材料。
6. 栅极侧墙形成：- 使用侧墙材料（如二氧化硅或氮化硅）通过化学气相沉积（CVD）和刻蚀工艺形成栅极侧墙，用于隔离相邻的器件。
7. 源漏极掺杂：- 通过离子注入或其他掺杂技术，在栅极两侧的硅中注入合适的杂质原子（如磷或硼），形成源极和漏极区域。
8. 退火：- 对注入后的硅片进行高温退火处理，激活注入的杂质原子，使其成为电活性的N型或P型半导体。
9. 互联层形成：- 通过沉积金属层（如铜、铝、钨等）并进行图案化，形成互连线路，将各个晶体管连接起来，形成完整的电路。
10. 介质层沉积与平坦化：- 为了绝缘不同层之间的金属互连，沉积绝缘介质层（如低k 介质或高k介质材料），并进行化学机械平坦化（CMP）处理。
11. 重复以上步骤：- 根据设计需要，可能需要重复多层金属布线和介质层沉积的步骤，以构建多层互连结构。
12. 封装测试：- 最后，完成所有工艺步骤后，对芯片进行切割、封装，并进行电气性能测试和质量检验。
以上是典型MOS半导体工艺流程的大致步骤，具体工艺参数和流程会根据所使用的工艺节点（如14nm、7nm、5nm等）以及具体应用需求有所不同。
MOS电路版图及工艺铝布线
P-well
N-Si
4
• 5、光III---N管场区光刻，N管场区注入孔， 以提高场开启，减少闩锁效应及改善阱的接 触。
B+ 光刻胶
P-
N-Si
5
• 6、长场氧，漂去SiO2及Si3N4，然后长栅 氧。
PN-Si
6
• 7、光Ⅳ---p管场区光刻（用光I的负版）， p管场区注入， 调节PMOS管的开启电压， 然后生长多晶硅。
1. 阱——做N阱和P阱封闭图形， 窗口注入形成P管和N管的衬底
24
CMOS反相器版图流程(2)
N diffusion
2. 有源区——做晶体管的区域（G、D、S、B区)， 封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层
25
CMOS反相器版图流程(2)
P diffusion
2. 有源区——做晶体管的区域（G、D、S、B区)， 封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层
As 光刻胶
PN-Si
10
• 11、长PSG（磷硅玻璃）。
PSG
N+ N+
P+ N-Si
P+
P-
11
• 12、光刻Ⅷ---引线孔光刻。
PSG N+ N+ N-Si P+ P+
P-
12
• 13、光刻Ⅸ---引线孔光刻（反刻Al）。
Al
PSG
S
N+ N+
VDD
D
P+
P+
IN
P
P-
N-Si
OUT D
N S
13
8.7 RS触发器
p.154
mos管工艺流程
mos管工艺流程MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的场效应晶体管，广泛应用于集成电路中。
MOS管的制造需要经过一系列的工艺流程，下面将详细介绍MOS管的制造流程。
首先，制作MOS管的第一步是准备硅基片。
硅基片是制造集成电路的基础材料。
它通过切割硅单晶材料得到，然后经过多次的研磨和抛光，使得硅基片表面光洁平整。
接下来，将硅基片进行清洗，以去除表面的杂质和污染物。
清洗过程中使用一系列溶液和超声波来清洗硅基片。
清洗后，硅基片需要进行干燥，以确保表面干净无尘。
然后，在硅基片上生长一层绝缘层。
绝缘层可以是氧化硅（SiO2）或氮化硅（Si3N4），它起到隔离和保护MOS管的作用。
生长绝缘层的方法有热氧化和化学气相沉积（CVD）。
热氧化是将硅基片放入高温氧气中，使硅表面与氧气反应生成氧化硅。
化学气相沉积则是通过化学反应在硅表面沉积氮化硅。
接下来是制作栅极。
首先，在绝缘层上涂覆一层光刻胶，然后使用曝光设备将光刻胶曝光。
曝光后，用显影液去除未曝光的光刻胶，形成栅极的图案。
然后，将栅极材料（通常是多晶硅或金属）沉积在图案上，形成栅极。
然后是离子注入。
离子注入是将掺杂物注入硅基片中，以改变硅基片的导电性能。
掺杂物可以是硼（B）或磷（P），硼用于形成P型区，而磷用于形成N型区。
注入时，利用离子注入设备将掺杂物离子加速并注入硅基片，形成掺杂层。
接下来是退火步骤。
退火是将硅基片加热到高温，以恢复掺杂区的结构，并消除离子注入中的缺陷。
退火还帮助栅极材料与硅基片结合更牢固。
最后是接触孔刻蚀和金属沉积。
这一步是将接触孔刻蚀在绝缘层上，并在接触孔中沉积金属，以形成电极。
接触孔的刻蚀可以使用干法刻蚀或湿法刻蚀，金属的沉积可以使用物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）。
通过以上工艺流程，MOS管的制造完成。
最后，还需要进行电气测试和封装等步骤，以确保MOS管的质量和可靠性。
总之，MOS管制造的流程复杂且涉及多个步骤，每个步骤都需要精确控制和严格的质量检测。
集成电路的基本制造工艺
涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜—蚀刻—清洗 —去膜--清洗—N+扩散(P)
外延层淀积
VPE（Vaporous phase epitaxy) 气相外延生长硅 SiCl4+H2→Si+HCl 外延层淀积时考虑的设计 主要参数是外延层电阻率 和外延层厚度 Tepi>Xjc+Xmc+TBL-up+tepi-ox
第四次光刻—N+发射区扩散孔
集电极和N型电阻的接触孔；Al-Si 欧姆接触：ND≥10e19cm-3
SiO2
N+-BL
N+-BL
P
去SiO2—氧化--涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜 —蚀刻—清洗—去膜—清洗—扩散
第五次光刻—引线接触孔
SiO2
N+-BL
P-SUB
SiO2
N+-BL
P-SUB
N+-BL
第二次光刻—P+隔离扩散孔
N+-BL P+ P+ 在衬底上形成孤立的外延层岛,实现元件的隔离
P+
N-epi
N-epi
第三次光刻—P型基区扩散孔
决定NPN管的基区扩散位置范围
SiO2
N+-BL
P-SUB
N+-BL
去SiO2—氧化--涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜 —蚀刻—清洗—去膜—清洗—基区扩散(B)
横向PNP晶体管刨面图
PNP P+ P P
P+
N
P
PNP
P
N
p+
C
B
E
纵向PNP晶体管刨面图
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
氩
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
NMOS S G D PMOS S G D
P+
N
+
N P阱
+
P
+
P
+
N+
N-SUB
半导体集成电路
N阱CMOS工艺
N阱CMOS正好和P阱CMOS工 艺相反，它是在P型衬底上形成N阱。 因为N沟道器件是在P型衬底上制成 的，这种方法与标准的N沟道 MOS(NMOS)的工艺是兼容的。在这 种情况下，N阱中和了P型衬底， P 沟道晶体管会受到过渡掺杂的影响。
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
锑 离 子
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
N+
P+ N阱
P+
N
+
N
+
P+
P-SUB
半导体集成电路
双阱CMOS工艺
• 随着工艺的不断进步，集成电路的 线条尺寸不断缩小，传统的单阱工 艺有时已不满足要求，双阱工艺应 运而生。
半导体集成电路
双阱CMOS工艺
• 通常双阱CMOS工艺采用的原始材料是 在N+或P+衬底上外延一层轻掺杂的外延 层，然后用离子注入的方法同时制作N阱 和P阱。
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
P阱CMOS工艺
P阱杂质浓度的典型值要比N型 衬底中的高5~10倍才能保证器件性能。 然而P阱的过度掺杂会对N沟道晶体 管产生有害的影响，如提高了背栅偏 置的灵敏度，增加了源极和漏极对P 阱的电容等。
半导体集成电路
P阱CMOS工艺
电连接时，P阱接最负电位，N衬底接最正电位，通 过反向偏置的PN结实现PMOS器件和NMOS器件之 间的相互隔离。P阱CMOS芯片剖面示意图见下图。
半导体集成电路
双阱CMOS工艺
• 使用双阱工艺不但可以提高器件密度， 还可以有效的控制寄生晶体管的影响， 抑制闩锁现象。
半导体集成电路
双阱CMOS工艺主要步骤
•
• • • • • • • •
双阱CMOS工艺主要步骤如下：
（1）衬底准备：衬底氧化，生长Si3N4。 （2）光刻P阱，形成阱版，在P阱区腐蚀Si3N4， P阱注入。 （3）去光刻胶，P阱扩散并生长SiO2。 （4）腐蚀Si3N4，N阱注入并扩散。 （5）有源区衬底氧化，生长Si3N4，有源区光刻 和腐蚀，形成有源区版。 （6） N管场注入光刻，N管场注入。
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
1.2 MOS集成电路的基本制造工艺
半导体集成电路
半导体集成电路
• CMOS工艺技术是当代VLSI工艺的主流工 艺技术，它是在PMOS与NMOS工艺基础上 发展起来的。其特点是将NMOS器件与 PMOS器件同时制作在同一硅衬底上。 • CMOS工艺技术一般可分为三类，即 • P阱CMOS工艺 • N阱CMOS工艺 • 双阱CMOS工艺
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
MOS工艺的自对准结构
• 自对准是一种在圆晶片上用单个掩模形成不同区域 的多层结构的技术，它消除了用多片掩模所引起的 对准误差。在电路尺寸缩小时，这种有力的方法用 得越来越多。 • 有许多应用这种技术的例子，例子之一是在多晶硅 栅MOS工艺中，利用多晶硅栅极对栅氧化层的掩 蔽作用，可以实现自对准的源极和漏极的离子注入， 如图所示。
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
炭 化 硅
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
双阱CMOS工艺主要步骤
• • • • • • • • •
（7）场区氧化，有源区Si3N4和SiO2腐蚀，栅 氧化，沟道掺杂（阈值电压调节注入）。 （8）多晶硅淀积、掺杂、光刻和腐蚀，形成 多晶硅版。 （9） NMOS管光刻和注入硼，形成N+版。 （10） PMOS管光刻和注入磷，形成P+版。 （11）硅片表面生长SiO2薄膜。 （12）接触孔光刻，接触孔腐蚀。 （13）淀积铝，反刻铝，形成铝连线。
半导体集成电路
自对准工艺 示意图
半导体集成电路
自对准工艺
• 上图中可见形成了图形的多晶硅条用作 离子注入工序中的掩模，用自己的“身 体”挡住离子向栅极下结构（氧化层和 半导体）的注入，同时使离子对半导体 的注入正好发生在它的两侧，从而实现 了自对准。 • 而且原来呈半绝缘的多晶硅本身在大量 注入后变成低电阻率的导电体。 • 可见多晶硅的应用实现“一箭三雕”之 功效。
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
无定形
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
半导体集成电路
N阱CMOS工艺
早期的CMO在P型硅衬底上制作，有利 于发挥NMOS器件高速的特点，因此成 为常用工艺 。
半导体集成电路
N阱CMOS芯片剖面示意图
• N阱CMOS芯片剖面示意图见下图。
PMOS S G D NMOS S G D