半导体测试与表征技术基础
半导体材料与器件表征技术
半导体材料与器件表征技术半导体材料与器件的表征技术是迄今为止最为重要的技术之一。
半导体作为电子学中的关键技术，在现代科技中已经得到了广泛的应用。
半导体性能的好坏直接影响着电子设备的性能，因此在半导体材料和器件研究中，表征技术显得尤为重要。
一、半导体材料表征技术半导体材料表征技术是指对半导体材料进行结构、物理、化学等方面的表征方法。
其中，结构表征主要包括了X射线衍射、电子衍射和扫描电镜等技术；物理表征主要包括了热导率、热膨胀系数和电学性能等测量方法；化学表征则凭借了可见光谱、红外光谱和拉曼光谱等技术手段。
同时，半导体材料表征技术也逐渐延伸到了更为微观的层面。
如透射电子显微镜、高分辨透射电镜等技术将半导体材料的表征推向了更为微观的位置。
这些表征技术对半导体材料的研究起到了至关重要的作用，有助于揭示材料内部结构和物理性质，从而指导器件制备的优化过程。
二、半导体器件表征技术半导体器件表征技术是指对半导体器件进行性能测试和表征，以评估器件的特性和性能。
这些测试和表征可以通过不同的技术手段来实现，例如电学性能测量、光电性能测量、热特性测量等。
其中，电学性能测量是最为重要的一种方法之一，可以用来测量器件的电阻、电容、电感等电学性能。
而光电性能测量则可以通过测试器件的光谱特性来评估它的性能，例如发光二极管的辐射功率、接收器的响应时间等指标。
热特性测量则针对器件的热学性能，例如热扩散系数、热稳定性等进行测量。
除了以上述技术的表征方法外，还有一些新兴技术已经应用到半导体器件的表征中。
例如，高分辨透射电镜和扫描透射电镜等技术已经可应用于微电子学的领域中，帮助科学家们研究半导体器件的结构和性质。
综上所述，半导体材料和器件的表征技术是现代科技中不可或缺的一部分。
通过这些表征技术，可以更为深入地研究半导体材料和器件的性质和性能，并进一步优化它们的性能，在科技领域的应用中不断地取得新的突破。
半导体测试与表征技术基础[详细讲解]
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半导体测试与表征技术基础第一章概述（编写人陆晓东）第一节半导体测试与表征技术概述主要包括：发展历史、现状和在半导体产业中的作用第二节半导体测试与表征技术分类及特点主要包括：按测试与表征技术的物理效应分类、按芯片生产流程分类及测试对象分类（性能、材料、制备、成分）等。
第三节半导体测试与表征技术的发展趋势主要包括：结合自动化和计算机技术的发展，重点论述在线测试、结果输出和数据处理功能的变化；简要介绍最新出现的各类新型测试技术。
第二章半导体工艺质量测试技术第一节杂质浓度分布测试技术（编写人：吕航）主要介绍探针法，具体包括：PN结结深测量；探针法测量半导体扩散层的薄层电阻（探针法测试电阻率的基本原理、四探针法的测试设备、样品制备及测试过程注意事项、四探针测试的应用和实例）；要介绍扩展电阻测试系统，具体包括：扩展电阻测试的基本原理、扩展电阻的测试原理、扩展电阻测试系统、扩展电阻测试的样品、扩展电阻法样品的磨角、扩展电阻法样品的制备、扩展电阻测试的影响因素、扩展电阻法测量过程中应注意的问题、扩展电阻法测量浅结器件结深和杂质分布时应注意的问题、扩展电阻测试的应用和实例。
第二节少数载流子寿命测试技术（编写人：钟敏）主要介绍直流光电导衰退法、高频光电导衰退法，具体包括：非平衡载流子的产生、非平衡载流子寿命、少数载流子寿命测试的基本原理和技术、少数载流子寿命的测试。
以及其它少子寿命测试方法，如表面光电压法、少子脉冲漂移法。
第三节表面电场和空间电荷区测量（编写人：吕航）主要包括：表面电场和空间电荷区的测量，金属探针法测量PN结表面电场的分布、激光探针法测试空间电荷区的宽度；容压法测量体内空间电荷区展宽。
第四节杂质补偿度的测量（编写人：钟敏）包括：霍尔效应的基本理论、范德堡测试技术、霍尔效应的测试系统、霍尔效应测试仪的结构、霍尔效应仪的灵敏度、霍尔效应的样品和测试、霍尔效应测试的样品结构、霍尔效应测试的测准条件、霍尔效应测试步骤、霍尔效应测试的应用和实例、硅的杂质补偿度测量、znO的载流子浓度、迁移率和补偿度测量、硅超浅结中载流子浓度的深度分布测量第五节氧化物、界面陷阱电荷及氧化物完整性测量（编写人：钟敏）包括：固定氧化物陷阱和可动电荷、界面陷阱电荷、氧化物完整性测试技术等。
新型半导体材料的生长与表征技术
新型半导体材料的生长与表征技术随着科学技术的不断进步和发展，新型半导体材料的研究和应用日益受到重视。
本文将重点介绍新型半导体材料的生长与表征技术。
一、新型半导体材料的生长技术1. 分子束外延（MBE）分子束外延是一种在超高真空环境下进行的半导体材料生长技术。
通过在基底表面的原子沉积过程中控制分子束的能量和振荡频率，可以实现非常精确的材料生长。
该技术具有高质量、高纯度和单层控制的优势，被广泛建议用于生长新型半导体材料。
2. 金属有机化学气相沉积（MOCVD）金属有机化学气相沉积是一种在高温条件下进行的半导体材料生长技术。
通过将有机金属化合物和气体输送到反应室中，在基底表面进行化学反应生成所需材料。
该技术具有高效、高速和均匀性好的特点，被广泛应用于光电子器件和集成电路的生产。
3. 气相传输反应（VTR）气相传输反应是一种在普通大气下进行的半导体材料生长技术。
通过控制气体中的成分和反应条件，可以在基底表面生成所需的材料。
该技术简单、成本低，同时适用于大面积材料的生长，因此在一些大规模生产中得到了广泛应用。
二、新型半导体材料的表征技术1. X射线衍射（XRD）X射线衍射是一种分析材料结构的常用技术。
通过照射样品并测量其衍射角度，可以得到材料晶格参数和晶体结构。
该技术可以用于表征新型半导体材料的晶体质量、配位数和晶体相变等信息。
2. 透射电子显微镜（TEM）透射电子显微镜是一种观察材料微观结构的高分辨率技术。
通过将电子束透射到样品中，利用电子的散射现象得到材料的结构和成分信息。
该技术可以用于研究新型半导体材料的晶格缺陷、界面结构和成分分布等。
3. 光电子能谱（XPS）光电子能谱是一种表征材料表面化学状态和能带结构的技术。
通过激发样品表面并测量电子的能量分布，可以得到材料的元素组成和电子结构信息。
该技术可以用于研究新型半导体材料的表面化学反应和能带结构调控等。
总结：新型半导体材料的生长与表征技术是实现半导体器件研究和应用的重要基础。
半导体材料测试技术
半导体材料测试技术半导体材料测试技术是现代半导体工业中的关键环节，对半导体芯片的质量和性能进行准确的测量和评估，是保证半导体产品质量的重要手段。
本文将从半导体测试的背景与意义、半导体材料测试的基本原理、常用测试方法以及未来发展方向等四个方面进行详细阐述。
一、半导体测试的背景与意义半导体行业是现代高科技产业的基础，其产品广泛应用于电子设备、通信设备、计算机等各个领域。
而半导体芯片作为半导体产品的核心，其性能和质量在很大程度上决定了整个产品的性能和可靠性。
为了保证半导体产品的质量和竞争力，需要对半导体芯片进行全面的测试，以确保其性能指标符合设计要求，且能在各种应用场景下正常工作。
半导体材料测试技术的研究和应用，对于提高半导体产品的质量、降低缺陷率、提高生产效率等方面具有重要意义。
二、半导体材料测试的基本原理1.电学测试电学测试是半导体材料测试的基础，通过测量材料的电阻、电容、电压等参数，来评估材料的性能和特性。
常用的电学测试方法包括四引线测量法、电学参数测试、电流-电压特性测试等。
2.光学测试光学测试是半导体材料测试中的重要手段，通过测量材料对光的吸收、透射、反射等特性，来评估材料的光学性能。
常用的光学测试方法包括透射光谱分析、反射光谱分析、激发发光等。
3.结构测试结构测试是对半导体材料的外形、形态、组成等进行测量和评估的一种方法。
常用的结构测试方法包括扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)等。
三、常用测试方法1.失效分析失效分析是对半导体芯片进行故障检测和分析的方法，通过对芯片的电学、光学、结构等多个方面进行全面测试，查找故障点和原因，并提供改进和优化建议。
常用的失效分析方法包括故障模式与效应分析(FMEA)、故障定位、芯片切片分析等。
2.可靠性测试可靠性测试主要是对半导体芯片在不同环境条件下的工作稳定性和寿命进行测试和评估。
常用的可靠性测试方法包括高温老化、湿度测试、可靠性模型分析等。
半导体技术基础课件
杂质与掺杂效应
杂质
半导体材料中的杂质对其电学性质具有重要影响，如五价元素磷、砷在硅中的掺杂形成n型半导体，三价元素硼 、铝在硅中的掺杂形成p型半导体。
掺杂效应
通过掺杂可以改变半导体的导电类型、电阻率、迁移率等电学性质，实现对半导体性能的调控。
02 半导体器件原理
PN结与二极管
PN结形成
介绍P型半导体、N型半导体及 PN结的形成过程，阐述PN结的
和工艺性能。
化学分析方法
光谱分析
利用红外光谱、拉曼光谱等手段分析材料的化学键、官能团和化 学组成。
元素分析
采用能谱仪、辉光放电质谱等方法测定材料中元素的种类和含量 ，评估材料的掺杂和合金化程度。
化学腐蚀法
利用化学腐蚀法研究材料的晶界、位错等微观结构，揭示材料的 晶体缺陷和生长机制。
06 半导体器件应用 与发展趋势
熟悉模拟电路（如放大器、滤波器、振荡 器等）的设计原理和方法，以及模拟信号 处理基础知识。
制版技术与工艺流程
制版技术
掌握光刻、刻蚀、薄膜沉积等制 版技术的基本原理和工艺流程， 以及制版材料的选择和性能要求
。
芯片制造工艺流程
熟悉芯片制造工艺流程，包括晶圆 制备、芯片加工、划片与封装等环 节，以及各环节的工艺要求和质量 控制。
01
双极型晶体管结构
介绍双极型晶体管（BJT）的基本结构，包括发射极、基极和集电极等
部分，阐述NPN型和PNP型晶体管的区别。
02
双极型晶体管工作原理
详细讲解BJT的工作原理，包括电流放大系数、基极电流对集电极电流
的控制作用等，介绍放大区和饱和区的特点。
03
双极型晶体管特性与应用
讲解BJT的输入特性、输出特性和电流电压放大倍数等参数，举例说明
半导体基础实验报告
竭诚为您提供优质文档/双击可除半导体基础实验报告篇一：半导体物理实验报告电子科技大学半导体物理实验报告姓名：艾合麦提江学号：20XX033040008班级：固电四班实验一半导体电学特性测试测量半导体霍尔系数具有十分重要的意义。
根据霍尔系数的符号可以判断材料的导电类型；根据霍尔系数及其与温度的关系，可以计算载流子的浓度，以及载流子浓度同温度的关系，由此可确定材料的禁带宽度和杂质电离能；通过霍尔系数和电阻率的联合测量．能够确定我流子的迁移约用微分霍尔效应法可测纵向载流子浓度分布；测量低温霍尔效应可以确定杂质补偿度。
霍尔效应是半导体磁敏器件的物理基础。
1980年发现的量子霍尔效应对科技进步具有重大意义。
早期测量霍尔系数采用矩形薄片样品．以及“桥式”样品。
1958年范德堡提出对任意形状样品电阻率和霍尔系数的测量方法，这是一种有实际意义的重要方法，目前已被广泛采用。
本实验的目的使学生更深入地理解霍尔效应的原理，掌握霍尔系数、电导率和迁移率的测试方法，确定样品的导电类型。
一、实验原理如图，一矩形半导体薄片，当沿其x方向通有均匀电流I，沿Z方向加有均匀磁感应强度的磁场时，则在y方向上产生电势差。
这种想象叫霍尔效应。
所生电势差用Vh表示，成为霍尔电压，其相应的电场称为霍尔电场ey。
实验表明，在弱磁场下，ey同J（电流密度）和b成正比ey=RhJb（1）式中Rh为比例系数，称为霍尔系数。
在不同的温度范围，Rh有不同的表达式。
在本征电离完全可以忽略的杂质电离区，且主要只有一种载流子的情况，当不考虑载流子速度的统计分布时，对空穴浓度为p的p型样品Rh?1?0（2）pq式中q为电子电量。
对电子浓度为n的n型样品Rh??1?0nq（3）当考虑载流子速度的统计分布时，式（2）、（3）应分别修改为??h?1??h?1Rh??Rh???pqnq??p??n（4）式中μh为霍尔迁移率。
μ为电导迁移率。
对于简单能带结构??h?（5）h??h?p??nγh称为霍尔因子，其值与半导体内的散射机制有关，对晶格散射γh=3π/8=1.18;对电离杂质散射γh=315π/512=1.93,在一般粗略计算中,γh可近似取为1.在半导体中主要由一种载流子导电的情况下，电导率为?n?nq?n和?p?pq?p（6）由（4）式得到Rh?ph?p和Rh?nh?n（7）测得Rh和σ后，μh为已知，再由μ（n，T）实验曲线用逐步逼近法查得μ，即可由式（4）算得n或p。
ic半导体测试基础(中文版)
本章节我们来说说最基本的测试——开短路测试（Open-Short Test），说说测试的目的和方法。
一．测试目的Open-Short Test也称为ContinuityTest或Contact Test，用以确认在器件测试时所有的信号引脚都与测试系统相应的通道在电性能上完成了连接，并且没有信号引脚与其他信号引脚、电源或地发生短路。
测试时间的长短直接影响测试成本的高低，而减少平均测试时间的一个最好方法就是尽可能早地发现并剔除坏的芯片。
Open-Short测试能快速检测出DUT是否存在电性物理缺陷，如引脚短路、bond wire缺失、引脚的静电损坏、以及制造缺陷等。
另外，在测试开始阶段，Open-Short测试能及时告知测试机一些与测试配件有关的问题，如ProbeCard或器件的Socket没有正确的连接。
二．测试方法Open-Short测试的条件在器件的规格数或测试计划书里通常不会提及，但是对大多数器件而言，它的测试方法及参数都是标准的，这些标准值会在稍后给出。
基于PMU的Open-Short测试是一种串行（Serial）静态的DC测试。
首先将器件包括电源和地的所有管脚拉低至“地”（即我们常说的清0），接着连接PMU到单个的DUT管脚，并驱动电流顺着偏置方向经过管脚的保护二极管——一个负向的电流会流经连接到地的二极管（图3-1），一个正向的电流会流经连接到电源的二极管（图3-2），电流的大小在100uA到500uA之间就足够了。
大家知道，当电流流经二极管时，会在其P-N结上引起大约0.65V的压降，我们接下来去检测连接点的电压就可以知道结果了。
既然程序控制PMU去驱动电流，那么我们必须设置电压钳制，去限制Open管脚引起的电压。
Open-Short测试的钳制电压一般设置为3V——当一个Open的管脚被测试到，它的测试结果将会是3V。
串行静态Open-Short测试的优点在于它使用的是DC测试，当一个失效（failure）发生时，其准确的电压测量值会被数据记录（datalog）真实地检测并显示出来，不管它是Open引起还是Short导致。
半导体测试基础
第1章半导体测试基础第1节基础术语描述半导体测试的专业术语很多，这里只例举部分基础的：1．DUT需要被实施测试的半导体器件通常叫做DUT（Device Under Test，我们常简称“被测器件”），或者叫UUT（Unit Under Test）。
首先我们来看看关于器件引脚的常识，数字电路期间的引脚分为“信号”、“电源”和“地”三部分。
信号脚，包括输入、输出、三态和双向四类，输入：在外部信号和器件部逻辑之间起缓冲作用的信号输入通道；输入管脚感应其上的电压并将它转化为部逻辑识别的“0”和“1”电平。
输出：在芯片部逻辑和外部环境之间起缓冲作用的信号输出通道；输出管脚提供正确的逻辑“0”或“1”的电压，并提供合适的驱动能力（电流）。
三态：输出的一类，它有关闭的能力（达到高电阻值的状态）。
双向：拥有输入、输出功能并能达到高阻态的管脚。
电源脚，“电源”和“地”统称为电源脚，因为它们组成供电回路，有着与信号引脚不同的电路结构。
VCC：TTL器件的供电输入引脚。
VDD：CMOS器件的供电输入引脚。
VSS：为VCC或VDD提供电流回路的引脚。
GND：地，连接到测试系统的参考电位节点或VSS，为信号引脚或其他电路节点提供参考0电位；对于单一供电的器件，我们称VSS为GND。
2．测试程序半导体测试程序的目的是控制测试系统硬件以一定的方式保证被测器件达到或超越它的那些被具体定义在器件规格书里的设计指标。
测试程序通常分为几个部分，如DC测试、功能测试、AC测试等。
DC测试验证电压及电流参数；功能测试验证芯片部一系列逻辑功能操作的正确性；AC测试用以保证芯片能在特定的时间约束完成逻辑操作。
程序控制测试系统的硬件进行测试，对每个测试项给出pass或fail的结果。
Pass指器件达到或者超越了其设计规格；Fail则相反，器件没有达到设计要求，不能用于最终应用。
测试程序还会将器件按照它们在测试中表现出的性能进行相应的分类，这个过程叫做“Binning”，也称为“分Bin”. 举个例子，一个微处理器，如果可以在150MHz下正确执行指令，会被归为最好的一类，称之为“Bin 1”；而它的某个兄弟，只能在100MHz下做同样的事情，性能比不上它，但是也不是一无是处应该扔掉，还有可以应用的领域，则也许会被归为“Bin 2”，卖给只要求100MHz的客户。
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半导体测试与表征技术基础
第一章概述（编写人陆晓东）
第一节半导体测试与表征技术概述
主要包括：发展历史、现状和在半导体产业中的作用
第二节半导体测试与表征技术分类及特点
主要包括：按测试与表征技术的物理效应分类、按芯片生产流程分类及测试对象分类（性能、材料、制备、成分）等。
第三节半导体测试与表征技术的发展趋势
主要包括：结合自动化和计算机技术的发展，重点论述在线测试、结果输出和数
据处理功能的变化；简要介绍最新出现的各类新型测试技术。
第二章半导体工艺质量测试技术
第一节杂质浓度分布测试技术（编写人：吕航）
主要介绍探针法，具体包括：PN结结深测量；探针法测量半导体扩散层的薄层
电阻（探针法测试电阻率的基本原理、四探针法的测试设备、样品制备及测试
过程注意事项、四探针测试的应用和实例）；要介绍扩展电阻测试系统，具体包
括：扩展电阻测试的基本原理、扩展电阻的测试原理、扩展电阻测试系统、扩
展电阻测试的样品、扩展电阻法样品的磨角、扩展电阻法样品的制备、扩展电
阻测试的影响因素、扩展电阻法测量过程中应注意的问题、扩展电阻法测量浅
结器件结深和杂质分布时应注意的问题、扩展电阻测试的应用和实例。
第二节少数载流子寿命测试技术（编写人：钟敏）
主要介绍直流光电导衰退法、高频光电导衰退法，具体包括：非平衡载流子的
产生、非平衡载流子寿命、少数载流子寿命测试的基本原理和技术、少数载流
子寿命的测试。
以及其它少子寿命测试方法，如表面光电压法、少子脉冲漂移
法。
第三节表面电场和空间电荷区测量（编写人：吕航）
主要包括：表面电场和空间电荷区的测量，金属探针法测量PN结表面电场的
分布、激光探针法测试空间电荷区的宽度；容压法测量体内空间电荷区展宽。
第四节杂质补偿度的测量（编写人：钟敏）
包括：霍尔效应的基本理论、范德堡测试技术、霍尔效应的测试系统、霍尔效
应测试仪的结构、霍尔效应仪的灵敏度、霍尔效应的样品和测试、霍尔效应测
试的样品结构、霍尔效应测试的测准条件、霍尔效应测试步骤、霍尔效应测试
的应用和实例、硅的杂质补偿度测量、znO的载流子浓度、迁移率和补偿度测
量、硅超浅结中载流子浓度的深度分布测量
第五节氧化物、界面陷阱电荷及氧化物完整性测量（编写人：钟敏）包括：固定氧化物陷阱和可动电荷、界面陷阱电荷、氧化物完整性测试技术等。
第七节其它工艺参数测试技术介绍（编写人：吕航）
包括：深能级瞬态谱测试的基本原理、陷阱中心的基本电学性质、陷阱对自由载
流子的俘获和发射、陷阱中心引起的电容瞬态变化、深能级瞬态谱测试技术、深
能级瞬态谱测试信号的分析、俘获截面和能级位置的测量、陷阱深度分布的测量、
电场效应和德拜效应的测量、扩展缺陷的DLTS谱特征、深能级瞬态谱测试系统
及品质因子、深能级瞬态谱测试样品
红外光谱测试原理、红外光谱测试的基本分类、傅里叶变换红外光谱测试的基本
原理、傅里叶变换红外光谱测试的特点、傅里叶变换红外光谱的测试系统、红外
光谱测试的样品和影响因素、测试样品制备、测试影响因素、傅里叶红外光谱的
应用和实例、硅晶体中杂质和缺陷的测量、砷化镓中杂质和缺陷的测量、锗中
杂质的测量、氮化镓中杂质的测量。
第三章半导体器件性能参数测试技术（编写人王秋实）
第一节测量金属-半导体接触电阻率的测试技术
具体包括：接触电阻的定义，接触电阻的测试技术、串联电阻等；常规半导体器
件接触电阻测试技术，包括pn结二极管、肖特基势垒二极管、太阳能电池、双
极结型晶体管等
第二节小功率半导体器件性能参数测试
主要介绍半导体图示仪测试二极管、三极管、MOS管性能参数测试的基本原理，
注意事项等
第三节大功率半导体器件性能参数测试
主要介绍大功率二极管、三极管、晶闸管、IGBT等器件性能参数基本原理，注
意事项等。
第四节光电器件性能参数测试技术
包括太阳电池、光电二极管、光电探测器等的量子效率及I-V特性曲线测试第五节半导体器件热特性的测试
包括晶体管稳态热阻的测量、晶体管瞬态热阻的测量、晶闸管瞬态热阻测试、热
分布测试。
第四章半导体器件可靠性及失效分析测试技术
第一节半导体器件性能的可靠性控制（编写人仇方圆）
包括：什么是可靠性、可靠性与质量之间的关系、可靠性与质量控制之间的关系、
可靠性指标、可靠性特征量的分布、置信度和抽样定理、器件研制和生产中的可
靠性控制。
第二节常规半导体器件性能退化机制（编写人仇方圆）
MOS器件退化机制、太阳电池器件退化机理、静电放电损伤、电极系统退化失
效机理等。
第三节半导体器件可靠性筛选技术（编写人仇方圆）
包括：日查、电筛选、环境筛选（温度循环、热冲击、机械冲击、匀加速、变频振动、湿度筛选、红外筛选）等；环境模拟测试、寿命测试、
第四节半导体器件性能失效分析技术。
（编写人包老师）
包括打开封装、去钝化层、去金属层、剖切面（机械切剖）、染色、观测第六节半导体组件可靠性分析测试技术（编写人包老师）
第五章半导体集成电路测试技术
第一节集成电路测试概述（编写人周涛）
主要包括：集成电路的故障与测试、集成电路测试过程、集成电路测试分类、集
成电路测试的意义与作用。
第二节集成电路测试标准（编写人周涛）
包括集成电路的相关标准机构、国际集成电路标准介绍
第三节集成电路测试方法（编写人吴元庆）
包括边界扫描测试方法、全扫描可测性实现方法、集成电路的低功耗DFT方
法等。
第四节集成电路测试系统简介（编写人吴元庆）
ATE等测试系统
第六章半导体材料表征技术
第一节半导体晶体的高分辨X射线衍射测试（编写人王月）
包括：半导体晶体结构与结构缺陷简介、X射线平面波的衍射、高分辨X射线
衍射的限束、异质外延多层膜的X射线双晶衍射、三轴衍射、晶格参数的精确
测量、镶嵌结构的测量、镜面反射与面内掠入射等。
第二节光学性质检测分析（编写人王月）
包括：半导体光致发光、半导体的阴极荧光、吸引光谱及其相关的薄膜光谱测
量方法、拉曼散射等、紫外-可见吸收光谱测试、光致荧光谱测试。
第三节表面和薄膜成分分析技术（编写人王月）
包括：俄歇电子能谱、X射线光电子谱、二次离子质谱、卢瑟福背散射、SIMS
分析技术的原理和方法
第四节半导体材料形貌分析技术（编写人张妍妍）
包括：金相显微技术、扫描隧道显微镜的基本原理、用STM分析表面结构、扫
描隧道谱、弹道电子发射显微镜、原子力显微镜、原子力显微镜用于表面分析、
扫描电容显微镜、静电力显微镜、磁力显微镜、扫描近场光学显微镜等。
第五节透射电子显微分析技术（编写人张妍妍）
包括：透射电子显微镜的基本构造及工作原理、显微像衬度及其它技术
第七章现代半导体测试技术（编写人张丽娜）
第一节概述（编写人张丽娜）
结合自动控制技术和计算机技术，从半导体工艺、半导体器件、半导体材料等方面论述测试技术的发展情况。
第二节半导体工艺测试技术进展（编写人张丽娜）
结合实时性、自动化测试系统及良好人机输出界面的论述半导体工艺测试技术的进展。
第三节分立半导体器件测试技术进展（编写人马晋文）
结合综合性、自动化测试系统及良好人机输出界面的论述分立半导体器件测试技术的进展。