聚焦离子束FIB
聚焦离子束加工技术及其应用
聚焦离子束加工技术及其应用摘要：。
聚焦离子束(FIB)技术是把离子束斑聚焦到亚微米甚至纳米级尺寸，通过偏转系统实现微细束加工的新技术。
文章简述了聚焦离子束工作原理和应用前景等。
关键词：聚焦离子束、刻蚀1．聚焦离子束简介聚焦离子束(focused ion beam，FIB)与聚焦电子束从本质上讲是一样的，都是带电粒子经过电磁场聚焦形成细束。
但聚焦电子束不同于聚焦离子束。
区别在于它们的质量，最轻的离子为氢离子也是电子质量的1 840倍。
离子束不但可以像电子束那样用来曝光，而且重质量的离子也可以直接将固体表面的原子溅射剥离，因此聚焦离子束更广泛地作为一种直接微纳米加工工具。
离子束的应用已经有近百年的历史。
自1910年Thomson建立了气体放电型离子源后，离子束技术主要应用于物质分析、同位素分离与材料改性。
由于早期的等离子体放电式离子源均属于大面积离子源，很难获得微细离子束。
真正的聚焦离子束始于液态金属离子源的出现。
1975年美国阿贡国家实验室开发出液态金属离子源(LMIS)，1978年美国加州休斯研究所的R．L．Seliger等人建立了第一台装有Ga LMIS的FIB系统，其束斑直径仅为100nm(目前已可获得只有5nm的束斑直径)。
电流密度为1．5A／cm ，亮度达3．3×10。
A／(cm2．sr)。
这给进行亚微米JJnq-器件的研究极大的鼓舞。
聚焦离子束(FIB)技术就是在电场及磁场的作用下，将离子束聚焦列亚微米甚至纳米量级，通过偏转系统和加速系统控制离子束，实现微细图形的检测分析和纳米结构的无掩模加工。
FIB技术经过不断发展，离子束已可以在几个平方微米到近lmm 的区域内进行数字光栅扫描，可以实现：①通过微通道极或通道电子倍增器收集二次带电粒子来采集图像。
②通过高能或化学增强溅射来去除不想要的材料。
③淀积金属、碳或类电介质薄膜的亚微米图形。
FIB技术已在掩膜修复、电路修正、失效分析、透射电子显微镜(TEM)试样制作及三维结构直写等多方面获得应用。
聚焦离子束(FIB)的发展——第五次组会
束流带电离子之间的相互作用
这个相互作用的过程取决于几个系统的参数： 粒子质量、光束能量、光束电流、光束汇聚角、光源特性、光柱长度、交叉尺寸、 位置
库仑相互作用产生的效应有三种：空间电荷效应、Boersch 效应和轨道位移效应（the space charge effect, the Boersch effect, and the trajectory displacement effect）
注：离子电流至少1nA
离子束质量的决定因素
带电粒子束的质量取决于最终光斑尺寸和样本上的电流密度（the final spot size and also the current density at the specimen）。 小光斑尺寸和高电流密度是我们想要的。 带电粒子束的高质量主要取决于带电粒子源的特性(the reduced brightness and the initial（intrinsic） energy spread)、光学系统的 特性（像差）以及束中的库仑相互作用
FIB缺点
FIB主要缺点之一是由于使用液态金属离子而不 可避免地受到污染，因此非常需要惰性气体离子 源。镓离子不仅可以改变器件的电性能，而且还 可以影响器件的磁性能。
光束能量 光斑尺寸 电流密度
30kev或50kev 小于100nm 几A/cm^2
FIB主要参数
LMIS参数
LMIS的参数 实际上，从电子光学的角度来看，只有两个性质是非常重要的， 那就是亮度降低和离子能散（the reduced brightness and the ion energy spread）。 关于可靠性的参数，稳定性（stability）和寿命（lifetime） 也很重要
高电流密度的低能聚焦离子束可用于低损伤无掩模加工。然而，在高 束流或低束压下工作的系统中，库仑相互作用的影响占主导地位。 （2005年真空技术 Quest for high brightness, monochromatic noble gas ion sources）
fib扫描电镜原理
fib扫描电镜原理FIB扫描电镜原理引言FIB扫描电镜（Focused Ion Beam Scanning Electron Microscope）是一种基于离子束和电子束相互作用的高分辨率成像技术，被广泛应用于材料科学、纳米技术、生物学等领域。
本文将介绍FIB扫描电镜的原理及其应用。
一、离子束的产生和聚焦FIB扫描电镜中的离子束是由离子源产生的，常用的离子源有气体离子源和金属离子源。
气体离子源通过电离气体产生离子束，金属离子源通过加热金属丝产生离子束。
产生的离子束经过加速后，通过聚焦系统进行聚焦，形成极小的束斑，用于扫描样品表面。
二、扫描电子显微镜的成像原理FIB扫描电镜中的电子束通过电子枪产生，经过一系列的透镜系统进行聚焦和调节后，形成细小的电子束，用于扫描样品表面。
当电子束与样品相互作用时，会发生多种物理过程，如透射、反射、散射等。
这些与样品交互作用的电子会被探测器接收并转化为电信号，通过信号处理和图像重建，最终形成样品的表面形貌图像。
三、离子束与电子束的相互作用FIB扫描电镜中的离子束和电子束在样品表面相互作用，具有多种效应。
首先，离子束与样品相互作用会产生溅射效应，即离子束撞击样品表面后，样品表面的原子或分子会被击出。
其次，离子束的能量较高，可以通过与样品相互作用，引起样品的物理和化学变化。
最后，离子束也可以用于样品的加工，如刻蚀、沉积等。
四、FIB扫描电镜的应用1. 纳米加工和修复：FIB扫描电镜可以通过离子束的刻蚀和沉积功能，对纳米尺度的材料进行加工和修复。
这在纳米器件的制备和纳米结构的研究中具有重要意义。
2. 材料表征和分析：FIB扫描电镜可以获取材料的表面形貌和微观结构信息，如晶粒大小、相态分布等。
同时，通过离子束与电子束的相互作用，还可以进行化学成分分析和元素定位。
3. 生物学研究：FIB扫描电镜在生物学研究中的应用越来越广泛。
通过对生物样品进行切片、离子束刻蚀等处理，可以观察到样品的内部结构和细胞器的分布情况，对生物学研究有重要意义。
聚焦离子束溅射(FIB)
题目：A Review of Focused Ion Beam Sputtering
作者：Mohammad Yeakub Ali, Wayne Hung and Fu Yongqi
期刊：International journal of precision engineering and manufacturing vol. 11, no. 1, pp. 157-170
3FIB溅射模型
尽管FIB溅射能制备高精确度的微元件，控制溅射深度是相当困难的。如果衬底的材料既不是集成电路，也不是晶圆，那么SIMS（二次离子质谱技术）能以20nm的精确度探测并鉴定出过渡层。但是，对于单一组成的材料而言，SIMS技术则无法使用。这样就导致末端点的检测成为FIB溅射的难点。表面粗糙度的估测则是FIB溅射微加工中的另一个关键性问题。在如下几个部分中，若干模型被讨论如何达到期望的溅射深度、几何完整性以及表面抛光处理。
他们较高的质量能诱导溅射效应的发生。加速电压使离子在接地点加速，加速电压越高，离子移动速度越快
2.1仪器
基本的单波束仪器由液态金属离子源、一个离子柱、样品载台、真空腔组成。
典型的离子束显微镜包括液态金属离子源及离子引出极、预聚焦极、聚焦极所用的高压电源、电对中、消像散电子透镜、扫描线圈、二次粒子检测器、可移动的样品基座、真空系统、抗振动和磁场的装置、电路控制板和电脑等硬件设备。
在给定入射角度的溅射产额随有多种因素变化，通道的晶体取向。容易的通道取向，离子只经历非弹性作用，与躺在晶面里样品原子掠射角碰撞，在引起弹性散射前，深入晶体内部，因此只有少数原子从表面被溅射。这好比晶体取向效应对低能电子产额的影响。在垂直晶界的溅射通道效应。溅射剖面图还有赖于在样品表面扫描光栅的方向和序列。例如，环形的溅射轮廓，被快速和重复的扫描切割，与慢扫描逐点切割不同。
聚焦离子束实验报告
聚焦离子束实验报告一、实验目的本实验旨在学习和掌握聚焦离子束（Focused Ion Beam, FIB）的工作原理及操作方法，通过观察和分析实验结果，加深对离子束物理的理解。
二、实验原理聚焦离子束（FIB）是一种将离子束聚焦到微米甚至纳米级别的技术，它具有高能量密度、高精度和高分辨率的特点。
FIB系统主要由离子源、离子光学系统、扫描电极和真空腔组成。
其中，离子源产生的离子束经过离子光学系统的聚焦和校准，最终在扫描电极上形成聚焦点。
三、实验步骤1、样品准备：选择具有代表性的材料或结构作为实验对象，本实验选用硅基底上的金属薄膜。
2、样品清洗：使用有机溶剂和去离子水清洗样品，去除表面的污垢和杂质。
3、样品安装：将清洗后的样品放入FIB系统的样品室，确保样品固定牢固。
4、FIB系统校准：使用校准靶对FIB系统进行校准，确保离子束的聚焦精度。
5、离子束照射：设定合适的电压和电流，将离子束聚焦到样品表面，观察并记录实验现象。
6、数据分析：通过对实验结果的观察和分析，得出结论。
四、实验结果及分析1、硅基底上的金属薄膜经过离子束照射后，表面出现明显的凹坑和凸起，表明离子束具有较高的能量密度和侵蚀性。
2、随着离子束电流的增加，照射区域的形貌变化更加明显，说明离子束的刻蚀能力与电流成正比。
3、通过对比不同材料在相同条件下的刻蚀效果，发现材料的刻蚀速率与材料的力学、物理性能有关。
五、结论本实验通过聚焦离子束技术对硅基底上的金属薄膜进行照射，观察并分析了离子束的刻蚀效果。
结果表明，聚焦离子束具有高能量密度和侵蚀性，可以用于微纳结构的加工和材料的形貌分析。
同时，材料的刻蚀速率与材料的力学、物理性能有关，这为进一步研究材料在离子束作用下的行为提供了依据。
六、实验建议与展望1、在本次实验中，我们发现聚焦离子束技术在材料科学、微纳制造等领域具有广泛的应用前景。
为了更好地掌握这一技术，建议在后续实验中进一步探讨不同材料在不同条件下的刻蚀行为。
利用聚焦离子束双束扫描电镜制备透射样品的主要流程
利用聚焦离子束双束扫描电镜制备透射样品的主要流程聚焦离子束双束扫描电镜（Focused Ion Beam Dual Beam Scanning Electron Microscope，简称FIB-SEM）是一种高分辨率的表面形貌和微结构分析技术，可以实现对样品进行原位观察和制备。
利用FIB-SEM可以制备透射电镜（Transmission Electron Microscopy，简称TEM）样品，即通过FIB切割和修整样品，使其达到适合TEM观察的薄片形态。
本文将详细介绍利用FIB-SEM制备透射样品的主要流程。
1. 样品准备首先需要准备待制备的样品。
这些样品可以是固体材料、生物组织或其他需要进行透射电镜观察的材料。
为了便于FIB切割和修整，样品应具有一定的硬度和稳定性。
2. 样品固定将待制备的样品固定在一个小型支撑台上，并使用导电胶或其他导电材料将其牢固地粘附在支撑台上。
导电胶能够提供良好的导电性，以便在后续的FIB切割和修整过程中排除电荷积累的干扰。
3. FIB切割将固定在支撑台上的样品放入FIB-SEM设备中，调整好样品位置。
然后使用离子束对样品进行切割。
离子束由高能离子组成，可以精确地切割样品表面。
通过控制离子束的扫描速度和电流密度，可以实现不同形状和尺寸的切割区域。
4. FIB修整在完成初始切割后，需要对样品进行进一步的修整以达到透射电镜观察的要求。
使用较低能量和较小电流密度的离子束，在已经切割好的区域上进行精细修整。
通过逐渐去除样品表面的材料，可以获得更加平坦、光滑且薄片形态良好的透射样品。
5. 清洗和抛光经过FIB修整后，样品表面可能存在一些污染物或残留物。
为了获得更好的透射图像质量，需要对样品进行清洗和抛光处理。
这可以通过离子束轰击、溅射或化学腐蚀等方法来实现。
清洗和抛光的目的是去除样品表面的污染物，并使其更加平整和透明。
6. TEM观察完成清洗和抛光后，将样品转移到透射电镜中进行观察。
微束分析 聚焦离子束 透射电镜样品制备-最新国标
微束分析聚焦离子束透射电镜样品制备1 范围本文件规定了聚焦离子束法制备透射电镜样品的分析方法原理、分析环境要求、仪器、分析样品、分析步骤、结果报告和安全注意事项。
本文件适用于金属、非金属、矿物和生物样品等固态材料的透射电镜样品制备。
当固态样品尺寸小于100纳米时，可直接进行透射电镜观测无需制样。
2 规范性引用文件本文件没有规范性引用文件。
3 术语和定义下列术语和定义适用于本文件。
3.1聚焦离子束系统 focused ion beam system FIB采用聚焦的离子束对样品表面进行轰击，并由计算机控制离子束的扫描或加工轨迹、步距、驻留时间和循环次数，以实现对材料的成像、刻蚀、诱导沉积和注入的分析加工系统。
3.2电子束诱导沉积 electron beam induced deposition采用聚焦状态的电子束轰击样品表面，诱导沉积物前驱气体在样品表面分解沉积形成固态结构。
3.3离子束诱导沉积 ion beam induced deposition采用聚焦状态的离子束轰击样品表面，诱导沉积物前驱气体在样品表面分解沉积形成固态结构。
3.4离子束刻蚀 ion beam milling采用高能离子束轰击样品表面，将样品的原子溅射出表面，形成固态结构。
3.5粗切 coarse milling采用高能大束流（通常为0.5nA-150nA）离子束轰击样品表面，将样品的原子溅射出表面，形成固态结构。
3.6细切 thin milling采用高能小束流（通常为0.2nA-10nA）离子束轰击样品表面，将样品的原子溅射出表面，形成表面平整光滑的固态结构。
3.7分级减薄 granded milling采用离子束轰击样品表面，将样品的原子溅射出表面形成固态结构时，采用逐级递减的电压或电流对固体结构顺次加工。
3.8非晶损伤 amorphous damage在高能离子束的作用下，样品表面发生非晶化的现象。
3.9低能清洗 low-energy modification使用低能的离子束对样品表面进行加工，减小非晶损伤的技术。
聚焦离子束技术
聚焦离子束技术一、简介聚焦离子束技术（Focused Ion Beam，FIB）是一种微电子束技术，它使用液态金属离子源产生离子束，然后通过一组电磁透镜将离子束聚焦到非常小的区域内。
这种技术在材料科学、半导体工程、生命科学和纳米科技等领域有着广泛的应用。
二、聚焦离子束技术的工作原理1. 离子源：聚焦离子束系统的核心是一个离子源，通常使用的是液态金属离子源。
液态金属离子源中的金属被加热到高温，使其蒸发并形成等离子体。
2. 离子提取：从等离子体中提取出金属离子，并将其加速到高速度。
3. 聚焦：通过一组电磁透镜将离子束聚焦到一个非常小的区域内。
电磁透镜可以是静电透镜或磁透镜，也可以是两者的组合。
4. 样品处理：聚焦的离子束可以用于切割、蚀刻、沉积和焊接样品。
离子束与样品的相互作用会产生二次粒子和溅射物质，这些二次粒子和溅射物质可以被用于分析样品的性质。
三、聚焦离子束技术的应用领域1. 半导体工程：聚焦离子束技术可以用于制造和修复半导体设备。
例如，可以使用FIB来切割芯片，或者修复集成电路中的缺陷。
2. 材料科学：聚焦离子束技术可以用于分析和处理各种材料。
例如，可以使用FIB来切割样品并进行元素分析，或者使用FIB来制造纳米结构和纳米器件。
3. 生命科学：聚焦离子束技术可以用于研究和操作生物样本。
例如，可以使用FIB来切割细胞或组织样本，或者使用FIB来制造纳米级的药物输送系统。
4. 纳米科技：聚焦离子束技术是纳米科技的重要工具。
它可以用于制造纳米结构和纳米器件，也可以用于研究纳米材料的性质。
5. 故障分析：FIB可以用于故障分析，通过在器件表面进行切割、刻蚀和显微观察，帮助确定电子器件中的故障位置和原因。
四、聚焦离子束技术的挑战和未来发展尽管聚焦离子束技术在许多领域都有广泛的应用，但它也面临着一些挑战。
例如，离子束与样品的相互作用会产生大量的二次粒子和溅射物质，这些二次粒子和溅射物质可能会污染样品和设备。
聚焦离子束fib测试用途以及注意事项
聚焦离子束fib测试用途以及注意事项全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：聚焦离子束（Focused Ion Beam，简称FIB）是一种现代化的分析仪器，它利用离子束对材料表面进行切割、雕刻和离子注入等操作，可用于材料性能分析、纳米加工以及器件结构调制等方面。
在科学研究和工程应用中，FIB技术被广泛应用于半导体、材料科学、生物医药等领域。
本文将重点介绍聚焦离子束FIB的测试用途以及注意事项。
一、FIB的测试用途1. 样品切割：FIB技术可以通过离子束切割样品，制备出不同几何形状和大小的样品切片，用于透射电镜、扫描电镜等进一步的显微分析。
这对于研究材料的微观结构和性能具有重要意义。
2. 纳米加工：FIB技术可以对样品表面进行精确的纳米加工，包括雕刻、刻蚀和注入等操作。
通过控制离子束的能量和位置，可以实现微米和纳米尺度的结构制备和调控，为纳米器件的制备和研究提供了重要手段。
3. 局部分析：FIB技术可以结合光学显微镜、扫描电子显微镜等设备，对样品表面进行定位并进行局部分析。
通过离子束的照射，可以实现对材料的表面成分、结构和形貌等信息的获取，为材料性能和组成分析提供了便利。
4. 器件修复：FIB技术可用于器件的故障分析和修复，通过对器件进行切割、磨蚀和掺杂等操作，可以找到故障点并进行修复，提高器件的可靠性和性能。
5. 原位实验：FIB技术可以在扫描电子显微镜或透射电镜平台上实现原位实验，对材料进行局部处理和观察。
这种原位实验可以实现对材料反应、相变和结构演化等过程的实时监测和控制，具有重要的研究意义。
二、FIB的注意事项1. 样品准备：在进行FIB实验前，应对样品进行充分的处理和准备工作。
样品表面应平整干净，避免有氧化物、污渍和尘埃等杂质，以确保离子束对样品的照射效果。
2. 参数设置：在使用FIB进行实验时，需要根据样品的性质和需要进行离子束的能量、电流和面积等参数进行合理的设置。
过小的能量和电流会导致处理效率低，而过大可能会损伤样品。
聚焦离子束扫描电镜原理
聚焦离子束扫描电镜原理离子束扫描电镜（FIB-SEM）是一种具有高分辨率和高速成像能力的仪器。
它将离子束和扫描电子显微镜结合在一起，可以用于样品的成像、切割、制备和修复等应用。
本文将重点介绍离子束扫描电镜的原理和相关技术。
一、离子束扫描电镜的原理离子束扫描电镜是采用离子束和扫描电子显微镜相结合的原理进行成像。
其中离子束主要用于样品表面的加工和制备，扫描电子显微镜则主要用于样品表面的成像。
离子束的能量通常在几keV至数十keV之间。
经过样品表面的离子束与表面相互作用，导致样品表面原子的损伤和剥蚀。
离子束扫描时，可以通过更换离子束的角度和能量，从而实现对样品的表面加工和切割。
离子束扫描还可以用于制备样品局部切片、纳米加工和离子灌注等应用。
扫描电子显微镜则通过对离子束打碎的样品表面进行扫描成像，来获取样品表面的形貌和表面组成信息。
扫描电子束的数量通常在数百至数千个电子/秒之间。
扫描电子显微镜成像需要将扫描电子束聚焦在样品表面上，然后收集样品表面反射或散射的电子。
收集的电子将被放大和转换成数字图像，从而得到样品表面图像。
在离子束扫描电镜中，离子束和扫描电子显微镜的运动是分离的。
首先使用离子束对样品进行加工和制备，然后再使用扫描电子显微镜对样品进行成像。
这种分离的运动模式可以避免离子束干扰扫描电子显微镜成像的质量和分辨率。
二、离子束扫描电镜的相关技术离子束扫描电镜是一种先进的成像和制备工具，涉及到许多相关技术。
下面列举其中的一些技术：1.样品准备离子束扫描电镜成像质量受制于样品的制备质量。
样品的制备过程显得尤为重要。
样品制备通常涉及薄片切割、离子抛光和离子刻蚀等步骤。
薄片切割可以通过机械切割或电子束切割来实现。
离子抛光和刻蚀可以通过采用离子束和化学反应的方式进行。
2.剖析和成像技术离子束扫描电镜剖析和成像技术主要涉及两大领域：集成电路和生物医学。
对于集成电路，通过使用离子束在晶圆上刻蚀亚微米尺度的孔洞来连接电路。
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聚焦离子束(Focused Ion beam, FIB)的系统是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割仪器，目前商用系统的离子束为液相金属离子源(Liquid Metal Ion Source,LMIS)，金属材质为镓(Gallium, Ga)，因为镓元素具有低熔点、低蒸气压、及良好的抗氧化力；典型的离子束显微镜包括液相金属离子源、电透镜、扫描电极、二次粒子侦测器、5-6轴向移动的试片基座、真空系统、抗振动和磁场的装置、电子控制面板、和计算机等硬设备，外加电场(Suppressor)于液相金属离子源可使液态镓形成细小尖端，再加上负电场(Extractor) 牵引尖端的镓，而导出镓离子束，在一般工作电压下，尖端电流密度约为1埃10-8 Amp/cm2，以电透镜聚焦，经过一连串变化孔径 (Automatic Variable Aperture, AVA)可决定离子束的大小，再经过二次聚焦至试片表面，利用物理碰撞来达到切割之目的。
在成像方面，聚焦离子束显微镜和扫描电子显微镜的原理比较相近，其中离子束显微镜的试片表面受镓离子扫描撞击而激发出的二次电子和二次离子是影像的来源，影像的分辨率决定于离子束的大小、带电离子的加速电压、二次离子讯号的强度、试片接地的状况、与仪器抗振动和磁场的状况，目前商用机型的影像分辨率最高已达 4nm，虽然其分辨率不及扫描式电子显微镜和穿透式电子显微镜，但是对于定点结构的分析，它没有试片制备的问题，在工作时间上较为经济。
1.工作原理液态金属离子源离子源是聚焦离子束系统的心脏，真正的聚焦离子束始于液态金属离子源的出现，液态金属离子源产生的离子具有高亮度、极小的源尺寸等一系列优点，使之成为目前所有聚焦离子束系统的离子源。
液态金属离子源是利用液态金属在强电场作用下产生场致离子发射所形成的离子源[1、2]。
液态金属离子源的基本结构如图1所示在源制造过程中，将直径0.5mm左右的钨丝经过电化学腐蚀成尖端直径只有5－10μm 的钨针，然后将熔融的液态金属粘附在钨针尖上，在外加强电场后，液态金属在电场力作用下形成一个极小的尖端（泰勒锥），液态尖端的电场强度可高达1010V/m。
在如此高的电场下，液态表面的金属离子以场蒸发的形式逸出表面，产生离子束流。
由于液态金属离子源的发射面积极小，尽管只有几微安的离子电流，但电流密度约可达106A/cm2，亮度约为20μA/sr图1 图2聚焦离子束系统聚焦式离子束技术是利用静电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割技术，目前商用FIB系统的粒子束是从液态金属离子源中引出。
由于镓元素具有低熔点、低蒸汽压以及良好的抗氧化力，因而液态金属离子源中的金属材料多为镓（Gallium，Ga）[3、4]。
图2给出了聚焦离子束系统结构示意图。
在离子柱顶端外加电场（Suppressor）于液态金属离子源，可使液态金属或合金形成细小尖端，再加上负电场（Extractor）牵引尖端的金属或合金，从而导出离子束，然后通过静电透镜聚焦，经过一连串可变化孔径（Automatic Variable Aperture，AVA）可决定离子束的大小，而后用E×B质量分析器筛选出所需要的离子种类，最后通过八极偏转装置及物镜将离子束聚焦在样品上并扫描，离子束轰击样品，产生的二次电子和离子被收集并成像或利用物理碰撞来实现切割或研磨。
2.基本功能苏州中创盟实验室技术有限公司将聚焦离子束显微镜的基本功能大概分为四种：1. 定点切割(Precisional Cutting)-利用离子的物理碰撞来达到切割之目的。
广泛应用于集成电路(IC)和LCD的Cross Section加工和分析。
2. 选择性的材料蒸镀(Selective Deposition)-以离子束的能量分解有机金属蒸气或气相绝缘材料，在局部区域作导体或非导体的沉积，可提供金属和氧化层的沉积(Metal and TEOS Deposition)，常见的金属沉积有铂(Platinum,Pt)和钨(Tungstun,W)二种。
3. 强化性蚀刻或选择性蚀刻(Enhanced Etching-Iodine/Selective Etching-XeF2)-辅以腐蚀性气体，加速切割的效率或作选择性的材料去除。
4. 蚀刻终点侦测(End Point Detection)-侦测二次离子的讯号，藉以了解切割或蚀刻的进行状况。
在实际的应用上，为了有效的搜寻故障的区域或外来掉落的材料碎屑、尘埃、污染粒子(Particles)等位置，离子束显微镜在外围的控制系统上，可配备自动定位导航系统或影像重叠定位装置，当生产线的缺陷检视系统(Defect Inspection System)，例如:KLA或Tencor，发现制程异常时，可将芯片上缺陷的计算机档案传送到自动定位导航系统，离子束显微镜即可迅速找寻缺陷的位置，并进行切割动作，确认缺陷发生的层次，如此可避免芯片送出无尘室后与外界的灰尘混淆，达到 "Off-line 找到的就是In-line 看到的" 精准度，这种功能免除了工程师在试片制备上极大的困扰，同时节省了传统机械研磨法中大量的人力与工时，加之也大大的提升了成功率。
在新型的聚焦离子束显微镜，目前已有双束(Dual Beam)的机型(离子束+电子束)，在以离子束切割时，用电子束观察影像，除了可避免离子束继续 "破坏现场" 外，尚可有效的提高影像分辨率，同时也可配备X-光能谱分析仪或二次离子质谱仪，作元素分析之用，多样化的分析功能使得聚焦离子束显微镜的便利性及使用率大幅提升。
至于离子束显微镜在IC工业上的应用，主要可分为五大类：1.线路修补和布局验证；2.组件故障分析；3.生产线制程异常分析；4.IC 制程监控-例如光阻切割；5.穿透式电子显微镜试片制作。
苏州中创盟实验室技术有限公司的专家称，在各类应用中，以线路修补和布局验证这一类的工作具有最大经济效益，局部的线路修改可省略重作光罩和初次试作的研发成本，这样的运作模式对缩短研发到量产的时程绝对有效，同时节省大量研发费用。
当我们欲进行产品侦错或故障分析时，在没有KLA或TENCOR等数据档案(例如：GDSII file)数据的情况下，对于小尺寸的晶粒或已经封装后的产品，亦可利用附属的影像重叠系统(Image Overlay System)，在光学显微镜下依据参考点定出欲分析位置的相对横向和纵向距离，而在离子束显微镜内迅速找到该位置，不需以人力费时的去寻找。
假若当欲分析处为前层次或是为平坦化制程，离子束显微镜的影像无法从上视(Top-View)的观察推断出确切的分析位置时，也可藉影像对准(Align Image)将离子束显微镜影像与光学显微镜影像重叠，再由光学显微镜影像定出欲切割位置，同样可达成定点位置的分析。
关于穿透式电子显微镜试片制作，离子束显微镜提供了另一种选择，在合理的工作时数(2-6小时)与成功率(> 90 %)的掌握度下，离子束显微镜不失为良好的试片制作工具。
由于离子束显微镜在辅以不同的化学气体时可具有材料沉积与蚀刻的功能，因此在5-10年前即引起人们对In-Situ Processing(在单一Chamber内连续完成所有制程) 的研究兴趣，许多先进的组件制作，例如：雷射二极管(Laser Diode)，量子井组件(Quantum Well Devices)等，都曾利用离子束显微镜的工作原理示范过组件的制作。
加之，因为离子束显微镜的离子源为镓离子，对硅晶材料而言，镓离子植入亦可作为P-Type接面的离子源，在过去的浅接面(Shallow Junction Formation)中，由于镓离子的扩散系数和穿隧效应比硼(Boron,B)来得小，因此也曾掀起研究的热潮。
此外在免光罩式的离子植入(Maskless Ion Implantation)应用上，由于离子束显微镜的离子束能量可随意调变，所以相较于传统式的光阻罩幕后单一能量离子布植，离子束显微镜不但可以作极小面积的离子布植(0.1埃0.1 um2 以下)，而且最特别的是布植区域的离子植入深度 (亦即 P/N 接面的深度)可依组件设计而调变，这将使得组件设计的空间更广更有趣；在IC工业的应用上，离子束显微镜在光罩修补(Mask Repair)上亦有取代雷射光的趋势，尤其是对相位转换光罩(Phase Shift Mask, PSM)的制作中，离子束显微镜的分辨率和修补的精准度(Repair Edge Placement Accuracy)都优于雷射光，在0.25 um以下的制程中，可预期的是离子束显微镜也将会在这个领域中活络起来。
3.聚焦离子束曝光技术聚焦离子束曝光技术概述聚焦离子束也可以像电子束那样作为一种曝光手段。
离子束曝光有非常高的灵敏度，这主要是因为在固体材料中的能量转移的效率远远高于电子。
常用的电子束曝光抗蚀剂对离子的灵敏度要比对电子束高100倍以上。
除了灵敏度高之外，离子束曝光的另一优点是几乎没有邻近效应。
由于离子本身的质量远大于电子，离子在抗蚀剂中的散射范围要远小于电子，并且几乎没有背散射效应。
聚焦离子束曝光是一种类似于电子束曝光的技术，它是在聚焦离子束技术基础上将原子离化后形成离子束的能量控制在10～200keV范围内，再对抗蚀剂进行曝光，从而获得微细线条的图形。
其曝光机理是离子束照射抗蚀剂并在其中沉积能量，使抗蚀剂起降解或交联反应，形成良溶胶或非溶凝胶，再通过显影，获得溶与非溶的对比图形。
聚焦离子束曝光技术自发展以来，由于其曝光深度有限以及曝光系统与曝光工艺的复杂性，发展受到了限制。
但在实验条件下，聚焦离子束仍可作为制作小批量研究性质的器件的一种工具。
真正把聚焦离子束认真地作为一种大规模集成电路生产的曝光工具来开发是20世纪90年代后期的聚焦离子束投影曝光技术。
聚焦离子束投影曝光技术根据是否有静电离子投影镜，聚焦离子束投影曝光技术可分为有掩模的1：1聚焦离子束投影曝光和有掩模的聚焦离子束缩小投影曝光两类。
有掩模的1：1聚焦离子束曝光，它包括离子源、离子束照明系统、镂空掩模和工件台等。
它是将平行的离子束照射在镂空掩模上，使掩模上的图像直接映在下面的工件台上，象拍照一样一次性产生曝光图形。
有掩模的离子束缩小投影曝光，它包括离子源、离子束系统、镂空掩模、静电离子束投影镜和工件台等。
它是在掩模和工件间加一个静电离子束投影镜，使经过掩模的图像按比例缩小到工件台上，从而使曝光图形的线宽得到进一步的缩小，同时也缩小了掩模制作上的缺陷，大大地降低了掩模的制作难度。
然而这种掩模也面临着应力和入射离子造成的发热等问题，为此采取了一系列措施，如：对掩模进行掺杂；对膜增加保护层；设计掩模冷却系统及通过有限元分析改进了掩模框架的设置，避免气流对掩模造成振动等。