电子技术有答案

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(完整版)电子技术复习题(答案)

电子技术复习题一、填空1．二极管最主要的特性是单向导电性。

2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。

4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。

5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。

6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和掺杂性特点。

8．半导体载流子的运动有扩散运动和漂移运动。

9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是恒定（或不变）的。

11．稳压管工作在反向击穿区。

12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。

13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。

14．非线性失真包括截止失真和饱和失真。

15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的中点，输入信号的幅值不能太大。

16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路静态工作点的偏移。

17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是温度变化。

18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。

19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和相频特性。

20．三极管阻容耦合电路的电压放大倍数与频率的关系称为幅频特性。

21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的相位移与频率的关系称为相频特性。

22．场效应管是一种电压控制的单极型半导体器件。

23．场效应管有两种类型：结型场效应管、绝缘栅场效应管。

电力电子技术试题及答案

电力电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子技术主要研究的是（）。

A. 电力系统的运行与控制B. 电力系统的规划与设计C. 电力电子器件及其应用D. 电力系统的保护与自动化答案：C2. 下列哪个不是电力电子技术中常用的电力电子器件？（）A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管C. 继电器D. 功率场效应晶体管答案：C3. 电力电子变换器的主要功能是（）。

A. 功率放大B. 电压变换C. 电流变换D. 以上都是答案：D4. 电力电子技术在以下哪个领域应用最为广泛？（）A. 通信技术B. 电力系统C. 计算机技术D. 机械制造答案：B5. 晶闸管的导通条件是（）。

A. 阳极电压高于阴极电压B. 门极电压高于阳极电压C. 阳极电流大于阴极电流D. 门极电流大于零答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 电力电子技术在以下哪些领域有应用？（）A. 电力系统B. 交通系统C. 工业自动化D. 家用电器答案：ABCD2. 电力电子变换器可以实现以下哪些功能？（）A. 交直流转换B. 直流电压变换C. 交流电压变换D. 功率因数校正答案：ABCD3. 下列哪些是电力电子技术中常用的控制方式？（）A. 脉宽调制B. 脉冲频率调制C. 恒压控制D. 恒流控制答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 电力电子技术中，______是一种常用的交流-直流变换器。

答案：整流器2. 电力电子器件的开关特性决定了其在______电路中的应用。

答案：开关电源3. 电力电子技术在______领域可以实现能量的高效转换。

答案：新能源4. 电力电子变换器的输出电压与输入电压之间的关系可以通过______实现控制。

答案：调制技术5. 电力电子技术在______系统中可以实现对电机的精确控制。

答案：伺服驱动四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。

答案：电力电子技术在电力系统中的应用主要包括电力系统的稳定控制、电能质量的改善、电力系统的自动化管理、以及电力系统的保护等。

电工电子技术测试题(含答案)

电工电子技术测试题（含答案）一、单选题（共37题，每题1分，共37分）1.在有线广播中的扬声器多数是采用( )扬声器。

A、号筒式高音B、电动纸盆式C、舌簧D、压电正确答案：A2.视频信号画面的像素数量D1指( )A、352 X 288B、704 X 576C、720 X 576D、1280 X 720正确答案：C3.属于集中控制方式的网络拓朴结构是( )。

A、树型结构B、总线结构C、环型结构D、星型结构正确答案：D4.以下数字码型中,不具备一定的检测差错能力码为( )。

A、NRZ码B、CMI码C、AMI码D、HDB3码正确答案：A5.100W扩音机输出阻抗是( )。

A、50欧B、36欧C、30欧D、60欧正确答案：B6.在设备ZXR路由2842路由器时COM口的速率应设置为( )A、6400B、9200C、57600D、115200正确答案：B7.纳入IP数据网的红外故障,IP网管机房人员要利用PING命令在( )内判断出故障区段,是属于IP网络故障还是地区接入或终端故障。

A、10分钟B、2分钟C、3分钟D、5分钟正确答案：D8.(考题) 郑西线北电BTS9000出现“Blockedairinlet”告警最可能是( )模块引发的。

A、DDMB、RICAMC、SICSD、RMBlockedairinlet:堵塞的空气入口正确答案：C9.视频会议终端设备的视频源切换属于( )检查项目。

A、月B、半年C、旬D、季正确答案：D10.扩音机开关置窄带时适用播放( )。

A、音乐B、语言C、录音D、扩音正确答案：B11.软件环回有( )。

A、外环回B、外环回,内环回C、设备环D、硬件环回正确答案：B12.路由器运行于OSI模型的( )。

A、传输层B、网络层C、应用层D、数据链路层正确答案：B13.在下列各网络结构中,共享资源能力最差的是( )。

A、总线结构B、网状结构C、星型结构D、树型结构正确答案：C14.MP板为系统主处理板,M灯亮表示此板为( )。

现代电力电子技术参考答案

现代电力电子技术参考答案（仅供参考）一、解：1、因为该电路为带阻感负载，且所以30=αVU U d 82445302203423422.cos .cos .=⨯⨯== α2、AA R U I d d 582441082445..===所以流过晶闸管的电流的有效值为：A I I d VT742531.≈=3、整理变压器副边相电流的有效值为：A I I d L 43632.==4、晶闸管承受的最大电压为：VU U M 89538220662.≈⨯==5、负载的有用功率P 为：kwR I Pd 87619105824422..=⨯==6、整流电路的功率因数为：82702.cos ==απλ7、负载电压的波形8、绘制晶闸管电压u VT1的波形9、绘制晶闸管电流i VT1的波形10、绘制变压器副边a 相电流i a 的波形ER+-+-VDu DEi Li D i u L+-oI C+-Ci o U u CTG解：设该电路是降压斩波电路1、由题意可得输入电压%1027±=V E 输出电压：VU 150=当V E 32410127.%)(=-⨯=时，占空比620324150..≈==E U D 当VE72910127.%)(=+⨯=时，占空比50729150..≈==E U D 所以占空比D 的变化范围为0.5-0.622、要保证电感电流不断续，应使最小负载电流大于临界负载电流因V U W P 151000==,max且保持不变，所以A U p I 6761510000.max max ≈==因VU W P mxin15100==,所以A U p I o 67015100.min min≈==而临界负载电流)(sD Lf U I oB-=120，其中D 的最小值，即0.5，sf =20KHZ所以mH D I f U L o s 28067010202501151230..).()(min =⨯⨯⨯-⨯=-∙=所以只要电感L 大于mH 280.，即可保证整个工作范围内电感电流连续。

(完整版)电子技术复习题及参考答案

中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案电子技术一、填空题：1。

在本征半导体中掺入微量三价元素形成型半导体，掺入微量五价元素形成型半导体。

2。

晶体管工作在截止区时，发射结向偏置，集电结向偏置。

3.硅稳压管的工作为 _ 区。

4。

为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。

5。

已知输入信号的频率为10kHz~12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。

6.为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路.7.为了稳定静态工作点，应引入负反馈.8.为了稳定放大倍数,应引入负反馈。

9.为了使放大电路的输出电阻增大应引入负反馈;深度负反馈的条件是。

10。

为了减小放大电路的输入电阻，应引入负反馈。

11.为了减小放大电路的输出电阻，应引入负反馈。

12.当集成运放组成运算电路时中，运放一般工作在状态。

13.在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在或状态.14.在图1所示电路中，调整管为，采样电路由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路由组成.图115。

在整流电路的输入电压相等的情况下，半波与桥式两种整流电路中，输出电压平均值最低的是整流电路.16。

直流电源由、、和四部分组成。

17。

串联型稳压电路由、、和四部分组成。

18.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用运算电路。

19。

NPN型共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时，电路产生的是失真;乙类功放电路的主要缺点是输出有失真。

20. 比例运算电路的比例系数大于1，而比例运算电路的比例系数小于零。

21.正弦波自激振荡的幅值平衡条件为，相位平衡条件为。

22。

存储器按功能不同可分为存储器和存储器；23.RAM按存储单元结构特点又可分为和。

24.半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是、、。

25。

某存储器容量为8K×8位，则它的地址代码应取位。

26。

将Intel2114（1K*4位）RAM扩展成为8K*4位的存储器，需要Intel2114芯片数是 ,需要增加的地址线是条。

电子技术试题及答案

电子技术试题及答案电子技术试题及答案3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。

1、填空题：第1章半导体二极管○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。

Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。

○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。

Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。

○5、PN结具有单向导电特性。

○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。

Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类；○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。

★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。

○10、硅二极管导通时的正向管压降约 0、7V ，锗二极管导通时的管压降约0、3V。

Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。

★12、发光二极管将电信号转换为光信号。

★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。

第2章半导体三极管及其放大电路○15、三极管是电流控制元件。

○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。

★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。

Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。

★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。

Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小、Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA 时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。

○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。

电力电子技术_简答题及答案

1？晶闸管导通和关断条件是什么？当晶闸管上加有正向电压的同时，在门极施加适当的触发电压，晶闸管就正向导通；当晶闸管的阳极电流小于维持电流时，就关断，只要让晶闸管两端的阳极电压减小到零或让其反向，就可以让晶闸管关断。

2、有源逆变实现的条件是什么？①直流侧要有电动势，其极性须和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流电路直流侧的平均电压；②要求晶闸管的控制角α>π/2，使Uβ为负值；③主回路中不能有二极管存在。

3、什么是逆变失败，造成逆变失败的原因有哪些？如何防止逆变失败?答：1逆变运行时，一旦发生换流失败，外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路，或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联，由于逆变电路内阻很小，形成很大的短路电流，称为逆变失败或逆变颠覆。

2逆变失败的原因3防止逆变失败的方法有：采用精确可靠的触发电路，使用性能良好的晶闸管，保证交流电源的质量，留出充足的换向裕量角β等。

4、电压型逆变器与电流型逆变器各有什么样的特点？答：按照逆变电路直流测电源性质分类，直流侧是电压源的称为逆变电路称为电压型逆变电路，直流侧是电流源的逆变电路称为电流型逆变电路电压型逆变电路的主要特点是：①直流侧为电压源，或并联有大电容，相当于电压源。

直流侧电压基本无脉动，直流回路呈现低阻抗。

②由于直流电压源的钳位作用，交流侧输出电压波形为矩形波，并且与负载阻抗角无关。

而交流侧输出电流波形和相位因负载阻抗情况的不同而不同。

③当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率，直流侧电容起缓冲无功能量的作用。

为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道，逆变桥各臂都并联了反馈二极管。

电流型逆变电路的主要特点是：①直流侧串联有大电感，相当于电流源。

直流侧电流基本无脉动，直流回路呈现高阻抗。

②电路中开关器件的作用仅是改变直流电流的流通路径，因此交流侧输出电流为矩形波，并且与负载阻抗角无关。

而交流侧输出电压波形和相位则因负载阻抗情况的不同而不同。

电力电子技术课后习题全部答案

电力电子技术2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。

2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。

低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。

2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。

或：uAK>0且uGK>0。

2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。

要使晶闸由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。

2-4 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3。

解：a) I d1= I 1= b) I d2= I 2=c) I d3= I 3=2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1A, I m2 I d2c) I m3=2I=314 I d3= 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能?答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益和，由普通晶阐管的分析可得，是器件临界导通的条件。

电力电子技术练习题(答案)

4、单相半控桥式整流电路带电感性负载时，电路会出现什么问题？如何解决？
答：电路会出现失控现象。为消除失控现象，可在电路中加接续流二极管。
5、晶闸管导通后，通过晶闸管电流的大小与电路中哪些参数有关？
答：晶闸管导通后，通过晶闸管电流的大小与电路中的电源及负载电阻有关。
6、什么是电压型、电流型逆变电路？输出交流电压、交流电流的波形各有什么特点？
6、对于全控型电力电子器件，驱动电路的基本任务是（A ）
A 既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号。 B 只要提供开通控制信号。 C 只要提供关断控制信号。 D 因为是全控型，不必要提供控制信号。
7、在库克斩波电路中，要得到高于输入电压的输出电压，开关管的开通占空比要（ B ） A 小于0.5 B 大于0.5 C 等于0.5 D 等于1
其中两组晶闸管， VT1、VT3、VT5为共阴极组， VT2、VT4、VT6为共阳极组；
晶闸管的导通顺序是 VT1VT2VT3VT4VT5VT6 ；
各晶闸管的触发脉冲依次相差600 。同一相的两只晶闸管的触发脉冲依次相差 1800 。
15、三相半波可控整流带电感性负载的电路中，晶闸管控
制角α的移相范围是 00 ~ 900，晶闸管可能承受的最大电压为 6U2 。
A、方波 B 正弦波 C 三角波 D 半波整流的波形
13、如图为电压型串联谐振式变频电路，其输出电流的波形基本为（ B ） A、方波 B 正弦波 C 三角波 D 半波整流的波形
14、如图为电压型串联谐振式变频电路，其输出电压的波形为（ A ） A、方波 B 正弦波 C 三角波 D 半波整流的波形
答：直流侧并联大电容，电压基本无脉动，相当于电压源，此为电压型逆变电路。输出交流电压为矩形波，输出电流波形由负载性质性质决定。直流侧串大电感，电流基本无脉动，相当于电流源，此为电流型逆变电路。输出交流电流为矩形波，输出电压波形由负载性质性质决定。。

电子技术II试题及答案

电子技术II一、单项选择题1.晶体管处于饱和状态时，它的集电极电流将( )。

A．随基极电流的增加而增加B．随基极电流的增加而减小C．与基极电流变化无关，只打算于Ucc和Rc2.NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc＝9V，UB＝0．7V，UE＝0V，则该晶体管的工作状态是( )A.饱和B．正常放大C．截止3.当环境温度上升时，半导体的电阻将( )。

A．增大B．减小C．不变4.二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管处于( )。

A．反偏B．正偏C．不变5.在二极管特性的正向导通区，二极管相当于( )。

A．大电阻B．接通的开关C．断开的开关6.用直流电压表测量处于放大状态中的一只NPN型晶体管，各电极对地的电位分别是：U1 ＝2V，U2＝6V，U3＝2．7V，则该晶体管各脚的名称是( )。

A．1脚为C，2脚为B，3脚为EB.1脚为E，2脚为C，3脚为BC．1脚为B，2脚为E，3脚为CA.饱和状态B．放大状态C．截止状态7.随机存取存储器RAM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容〔〕。

A.全部转变B.全部为1C.不确定D.保持不变8.假设要组成输出电压可调、最大输出电流为3A的直流稳压电源，则应承受。

A.电容滤波稳压管稳压电路B. 电感滤波稳压管稳压电路C. 电容滤波串联型稳压电路D. 电感滤波串联型稳压电路9.欲使D触发器按Qn+1=n工作，应使输入D=〔〕。

A.0B.1C.QD.10.直流负反响是指( )。

A.直接耦合放大电路中所引入的负反响B．只有放大直流信号时才有的负反响C．在直流通路中的负反响11.一个8选一数据选择器的数据输入端有〔〕个。

A.1B.2C.3D.4E.812.选用差分放大电路的缘由是( )。

A.抑制温漂B. 提高输入电阻C.稳定放入倍数13.当规律函数有n个变量时，共有( )个变量取值组合？A. nB. 2nC. n2D. 2n14.以下各函数等式中无冒险现象的函数式有〔〕。

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二极管和晶体管教学内容： PN结的单向导电性；二极管的伏安特性及主要参数；晶体管的基本结构、电流分配与放大原理，晶体管特性及主要参数。

教学要求：了解PN结的单向导电性；了解二极管的伏安特性及主要参数；理解晶体管、场效应管的放大原理。

重点：晶体管特性曲线。一、选择题 1、理想二极管的反向电阻为（ b ）。 (a) 零 (b) 无穷大 (c) 约几百千欧 2、当温度升高时，半导体的导电能力将（ a ）。 (a) 增强 (b) 减弱 (c) 不变 (d) 不能确定 3、半导体二极管的主要特点是具有（ b ）。 (a) 电流放大作用 (b) 单向导电性 (c) 电压放大作用 4、二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而（ a ）。 (a) 增大 (b) 减小 (c) 不变

5、晶体管的电流放大系数 是指（ b ）。 (a) 工作在饱和区时的电流放大系数 (b) 工作在放大区时的电流放大系数 (c) 工作在截止区时的电流放大系数

6、稳压管的动态电阻 rZ 是指（ b ）。 (a) 稳定电压 UZ 与相应电流 IZ 之比 (b) 稳压管端电压变化量 UZ 与相应电流变化量 IZ 的比值 (c) 稳压管正向压降与相应正向电流的比值 7、已知某晶体管的穿透电流 ICEO = 0.32mA，集基反向饱和电流 ICBO = 4μA，如要获得 2.69 mA的集电极电流，则基极电流 IB 应为（ c ）。 (a) 0.3mA (b) 2.4mA (c) 0.03mA (d) 0.24mA 8、已知某晶体管的 ICEO 为 200μA，当基极电流为 20μA 时，集电极电流为1mA，则该管的 ICBO 约等于（ c ）。 (a) 8 mA (b) 10 mA (c) 5μA (d) 20μA 9、已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为 6V、9V 和 6.3V，则 6V所对应的电极为（ a ）。9V所对应的电极为（ c ）。6.3V所对应的电极为（ b ）。 (a) 发射极 (b) 集电极 (c) 基极 10、如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流（ b ）。 (a) 反向 (b) 近似等于零 (c) 不变 (d) 增大 11、工作在放大状态的双极型晶体管是（ a ）。 (a) 电流控制元件 (b) 电压控制元件 (c) 不可控元件 12、工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（ a ）。 (a) 发射结正偏，集电结反偏 (b) 发射结反偏，集电结正偏 (c) 发射结、集电结均反偏 (d) 发射结、集电结均正偏 13、所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指（ a ）。 (a) 放大区 (b) 饱和区 (c) 截止区

14、电路如图所示,UBE＝0.6 V，则该管子的临界饱和电流ICS 约为 ( c )。 (a) 7mA (b) 10mA (c) 3mA (d) 4mA +12 V

β=50+2 V

10k

4kC

15、工作在饱和状态的PNP 型晶体管，其三个极的电位应为（ a ）。

(a) VE >VB，VC >VB，VE >VC

(b) VE >VB，VC< VB，VE >VC (c) VB >VE，VB< VC，VE >VC 基本放大电路教学内容：共发射交流放大电路的组成、工作原理和主要性能指标；静态工作点的稳定；射极输出器工作原理；差分放大电路；互补对称功率放大电路；场效应管放大电路。教学要求：了解共发射交流放大电路的组成、工作原理和主要性能指标；知道稳定工作点的方法；了解射极输出器、差动放大电路和场效应管放大电路的工作原理及特性；OTL和OCL甲乙类互补对称电路的组成。重点：晶体三极管放大电路的共发射极，共集电极电路。用图解法和微变等效法作为分析放大电路的基本方法，首先要确定静态工作点，然后分析其动态技术指标。一、选择题 1、电路如图所示，由于接线错误而不能正常工作，请指出该电路错误之处是( c )。 (a) 集电极电阻 RC 接错 (b) 基极电阻RB 接错 (c)电容C1， C2 极性接反

RLRCRB

12Vuo

- 2、固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为 β=80 的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流 IC 将（ a ）。 (a)增加 (b) 减少 (c) 基本不变 3、某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示，欲使静态工作点移至Q'需使( b )。 (a) 偏置电阻RB 增加 (b) 集电极电阻RC 减小 (c) 集电极电阻RC 增加 /mA

/VQ'QI

UCEO

IBA30

4、某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如下图所示，若将直流电源UCC适当降低，则Q点将移至（ c ）。 (a) Q' (b) Q'' (c) Q''' /mA

/VQ'

QQ''Q'''UCE

OUCC

5、在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路，直流电源也

视为短路，这种处理方法是( a )。 (a) 正确的 (b) 不正确的 (c) 耦合电容视为短路是正确的，直流电源视为短路则不正确。

6、微变等效电路法适用于( a )。 (a) 放大电路的动态分析 (b) 放大电路的静态分析 (c) 放大电路的静态和动态分析

7、对放大电路进行动态分析的主要任务是( c )。 (a) 确定静态工作点Q (b) 确定集电结和发射结的偏置电压 (c) 确定电压放大倍数Au和输入，输出电阻ri，ro。 8、电路如图所示，若发射极交流旁路电容CE因介质失效而导致电容值近似为零，此时电路( b )。 (a) 不能稳定静态工作点 (b) 能稳定静态工作点，但电压放大倍数降低 (c) 能稳定静态工作点，电压放大倍数升高 ++

RB1

RB2

ECE

C1C2

+UCC

+-ui



9、正常工作的射极输出器，电压放大倍数近似等于1，那么晶体管一定工作在( c )。 (a) 饱和区 (b) 截止区 (c) 放大区 10、与共射单管放大电路相比，射极输出器电路的特点是( a )。 (a) 输入电阻高，输出电阻低 (b) 输入电阻低，输出电阻高(c) 输入，输出电阻都很高 (d) 输入，输出电阻都很低 11、两级共射阻容耦合放大电路，若将第二级换成射极输出器，则第一级的电压放大倍数将( a )。 (a) 提高 (b) 降低 (c) 不变 12、在两级共射直接耦合放大电路中前后两级的静态工作点( b )。 (a) 彼此独立，互不影响 (b) 互相影响，互相牵制 (c) 后级对前级有影响，前级对后级无影响 13、放大电路如图1 所示, 输入电压ui与输出电压uo的波形如图2 所示，为使输出电压u0波形不失真则应（ b ）。 (a) 增加RC (b) 增加RB (c) 减小RB ++C1C2

UCC+

图1 图2

O+-+-ui

14、下列电路中能实现交流放大的是图 ( b )。

++++++++UCCuoUCCUCCUCC()a()b(c)(d)+-+-+-+-+-+-+

-+-uiui

uouiuo

++++ 15、射极输出器是( a )。 (a) 共集电极电路 (b) 共发射极电路 (c) 共基极电路 16、分压式偏置放大电路如下图所示，为使稳定静态工作点的效果更好一些，而且对放大电路其它性能不产生影响，在设计电路时应使（ b ）。

(a) IB = I2，VB =UBE (b) I2 = (5~10)IB，VB = (5~10)UBE (c) I2<