位错的弹性性质(考试重要)

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材料科学基础_第三章__晶体的缺陷(五)位错的弹性性质

材料科学基础_第三章__晶体的缺陷(五)位错的弹性性质

采用直角坐标
取代Displacement:
ux 0
uy 0
uz
b
2
b
2
tg 1 (
y )
x
线应变Strain:
x
dux dx
0
y
duy dy
0
z
duz dz
0
xy( 12)
ux y
uy x
0
xz
uz x
ux z
b y
2 ( x2
y2)
yz
uz y
uy z
b x
2 ( x2
y2)
Stresses: s x x s yy s zz xy yx 0
xy
2
Gb
(1
)
x( x2 y2 ) (x2 y2 )2
zx zy 0
zx z刃y 型0位错周围的应力场
sx
Gb
2 (1 )
y(3 x 2 (x2
y2) y2 )2
s
y
Gb
2 (1
)
y( x2 y2 ) ( x2 y2 )2
s z (s x s y )
xy
Gb
有些材料常数 GPa= kN/mm2 = 10 9 Pa 工程上用 kg/cm2 = 0.1 MPa
当材料在外力作用下不能产生位移时,它的几何 形状和尺寸将发生变化,这种形变就称为应变 (Strain)。材料发生形变时内部产生了大小相等但 方向相反的反作用力抵抗外力.把分布内力在一点的 集度称为应力(Stress),应力与微面积的乘积即微 内力.或物体由于外因(受力、湿度变化等)而变形 时,在物体内各部分之间产生相互作用的内力,以抵 抗这种外因的作用,并力图使物体从变形后的位置回 复到变形前的位置。

位错弹性性质

位错弹性性质

b ds 2 T sin d 2
ds rd
sin d 22
T Gb 2 ( 弯曲位错 2Βιβλιοθήκη Gb 2r0 .5)
位错弹性性质
5.位错的应力场及与其他缺陷的交互作用
位错的应力场 刃位错上面的原子处于压应力状态,为压应力场; 刃位
错下面的原子处于张应力状态,为张应力场;垂直于位错 线的任一截面上应力分量均相同。
的现象,柯氏气团的形成对位错有钉扎作用,是固溶强化 的原因之一。
位错与空位的交互作用 导致位错攀。高温下十分重要 位错弹性性质
位错与位错的交互作用
f=τb ,f=σb (刃位错)。
同号相互排斥,异号相互吸引。(达到能量最低状态。)
位错弹性性质
§3.2 .4 位错的生成与增殖
一、位错的生成
晶体中的位错来源主要可有以下几种。 (一)晶体生长过程中产生位错。其主要来源有:
位错弹性性质
弗兰克不全位错
弗兰克不全位错的形成:在完整晶
与抽出型层错联系的不全位错通常称负弗兰克不全位错;
体中局部抽出或插入一层原子所形 成。(只能攀移,不能滑移。)
而与插入型层错相联系的不全位错称为正弗兰克不全位错; 弗兰克位错属纯刃型位错。
位错弹性性质
图 正弗兰克不全位错的形成
位错弹性性质
图 负弗兰克不全位错的形成
位错弹性性质
(2)刃位错的应力场
图 刃位错周围的应力场
位错弹性性质
刃位错的应力场的特点: 同时存在正应力分量与切应力分量,而且各应力分量的大 小与G和b成正比,与r成反比。 各应力分量都是x,y的函数,而与z无关。这表明在平 行与位错的直线上,任一点的应力均相同。 在滑移面上,没有正应力,只有切应力,而且切应力τxy 达 到极大值。 正刃型位错的位错滑移面上侧为压应力,滑移面下侧为拉 应力。 x=±y时,σyy,τxy均为零,说明在直角坐标的两条对角线 处,只有σxx。

第二章 位错的弹性性质(面缺陷)

第二章  位错的弹性性质(面缺陷)

第三节面缺陷Planar defects晶界孪晶界相界大角度晶界小角度晶界外表面内表面外表面:指固体材料与气体或液体的分界面。

它与摩擦、吸附、腐蚀、催化、光学、微电子等密切相关。

内界面:分为晶粒界面、亚晶界、孪晶界、层错、相界面等一、外表面Surface特点:外表面上的原子部分被其它原子包围,即相邻原子数比晶体内部少;表面成分与体内不一;表面层原子键与晶体内部不相等,能量高;表层点阵畸变等。

表面能:晶体表面单位面积自由能的增加,可理解为晶体表面产生单位面积新表面所作的功γ = dW/ds表面能与表面原子排列致密度相关,原子密排的表面具有最小的表面能;表面能与表面曲率相关,曲率大则表面能大;表面能对晶体生长、新相形成有重要作用。

二、晶界和亚晶界grain boundary and sub-grain boundary晶界Grain boundary:在多晶粒物质中,属于同一固相但位向不同的晶粒之间的界面称为晶界。

是只有几个原子间距宽度,从一个晶粒向另外一个晶粒过渡的,且具有一定程度原子错配的区域。

晶粒平均直径:0.015-0.25mm亚晶粒Sub-grain:一个晶粒中若干个位向稍有差异的晶粒;平均直径:0.001mm亚晶界Sub-grain boundary:相邻亚晶粒之间的界面晶界分类(根据相邻晶粒位相差)小角度晶界:(Low-angle grain boundary)相邻晶粒的位相差小于10º亚晶界一般为2º左右。

大角度晶界:(High-angle grain boundary)相邻晶粒的位相差大于10º大角度晶界小角度晶界相邻晶粒各转θ/2同号刃位错垂直排列相互垂直的两组刃位错垂直排列两组螺位错构成§θ<10°§由位错构成§位错密度↑——位向差↑——晶格畸变↑——晶界能↑位错密度——决定位向差与晶界能注:位错类型与排列方式——决定小角晶界的类型Ni3(Al-Ti)中的倾斜晶界——旋转10°——10°以上,一般在30°~40°重合点阵模型↓重合点阵+台阶模型↓重合点阵+台阶+小角晶界模型重合位置点阵模型Coincidence site lattice model当两个相邻晶粒的位相差为某一值时,若设想两晶粒的点阵彼此通过晶界向对方延伸,则其中一些原子将出现有规律的相互重合。

第二章 位错的弹性性质A0318

第二章  位错的弹性性质A0318

t
t
Fd
t
Fd
t
若在外正应力 的作用下,对刃型位错来说,会在垂直 于滑移面的方向运动,即发生攀移,也称为攀移力(climb force) Fy。 Fy = - b
Fy 的方向与位错线攀移方向一致 为拉应力时,Fy向下

Fy
公式推导
外力τ使长为l的位错移动了ds, τ作功dw1
dw1 (t l ds)b
位错间的作用力
通过彼此的应力场实现:
1)两平行螺位错的交互作用
由于应力场中只有切应力分量,所以只受到径向作用力fr:
fr
t1b2

Gb1b2
2 r
排斥
吸引

2)两平行刃位错的交互作用
在位错e1的应力场中存在切应 力和正应力,分别导致e2沿x方 向滑移和沿y方向攀移
沿x方向的切应力分量(滑移):
dW

1 2

z
z
dV
dV 2r dr L
z

Gb
2r
z

b
2r
dW 1 Gb b 2r dr L 2 2r 2r
Gb 2 dr L
4r
3 作用在位错上的力 force on a dislocation
在外切应力 t 的作用下,位错的移动可以理解为有一个垂直于位错线 的力 Fd 作用于位错线上。Fd = t b
结果:
应变:y

b
2r
— —仅轴向有应变
应力: z
z
Gz

Gb
2r
rr zz r r ry yr 0

晶体缺陷5-位错的弹性性质

晶体缺陷5-位错的弹性性质

1)单位长度位错线的应变能U为:
U=αGb2
取值中限0.75
=0.75×4×1010×(2.5×10-10)2
=18.75×10-10J/m
2)严重变形金属,单位体积(cm3)内位错应变能为: U=18.75×10-10×1011 =187.5J/cm3
换算成单位质量(g)铜晶体内位错的应变能为: U=(187.5/8.9)J/g
4
ln r0
3、混合位错的弹性能
U刃
1
1
U螺
3 2 U螺
U混
Gb2
4k
ln
R r0
Gb2
其中:k=1-v/(1-vcos2θ),0.5≤α≤1
结论
UT U el Gb 2
(1)总应变能 UT=U0+Uel
Uel∝lnR/r0
长程,
U0
1 10
UT
可忽略。
(2)UT∝b2,晶体中稳定的位错具有最小的柏氏矢
似:对圆柱体上各点产生两种切应力,即 tz t z
t z t θz
t z t θz
从这个圆柱体中取一个半径为r的薄壁圆筒展开,
便能看出在离开中心r处的切应变为
t z
t z
G
Gb
2r
b 2 r
yL
r0
z
r P tz θ t z b
t z
L
x
过P点取平面展开
t z
b
2 r
P
z
t z t z
t z
课前复习
1.什么是应力,其表达式是什么?
应力是作用在单位面积上的力 σ=F/A
2.螺位错应力场的应力分量的极坐标表示。
0 0

第4章 位错的弹性性质

第4章  位错的弹性性质


p

A
m-m截面上P点的 切应力(剪应力)
F p lim A 0 A
m-m截面上P 点的全应力
1 单元体的概念
变形体内某点处取出的边长无限小的体积微元 在直角坐标系下,单元体为无限小正六面体 z 单元体是变形体 的最基本模型 y x 单元体的三对表面: 正面:外法向与坐标轴同向 z
该式表明了一点处的位移分量和应变分量所应满足的 关系,称为几何方程,也称为柯西(Augustin-Louis Cauchy)几何关系。
4.2 位错的应力场
位错中心部分畸变程度最为严重,超出了弹性应变范 围,不讨论。仅讨论中心区以外的弹性畸变区,借助 弹性连续介质模型。假设:晶体是各向同性的均匀连 续弹性介质,位错处在无限大的连续介质中。
G为切应变弹性模量,也叫切变模量:
Eii ii Gii
E和G之间存在如下关系:E=G/2(1-ν),其中ν是表示 纵横变形茉系的参量,称为泊松比
5)应变与位移的关系
z
uz u z dz z
u x dz z
F’ F E A’ dx C C’
E’
dz
uz z A
u z dx x
x
ux
ux u x dx x
x
u x u x u y xx ; xy x y x u y u y u z yy ; yz y z y u z u z u x zz ; zx z x z

线张力小于直线位错的线张力。
③ 位错的线张力不仅驱使位错线变直,而且也是 晶体中位错呈三维网状分布的原因。因为位错网 络相交于同一结点的各位错,其线张力处于平衡 状态,从而保证了位错在晶体中的相对稳定性。

7.4 位错的弹性性质

7.4  位错的弹性性质
3、刃型位错的应力场
建立刃型位错力学模型 模型中,OO′为位错线所在的位臵,MNOO′为滑移面,z-y 面相当于多余的半原子面。 应用弹性力学求出厚壁筒的刃型位错应力场公式:
Gb y(3x 2 y 2 ) xx 2 (1 ) ( x 2 y 2 ) 2
yy
即 刃位错弹性应变能比螺位错弹性应变能约大50%。
二、位错的应变能
3、混合位错的应变能
任何一个位错线与其柏氏矢量b成φ角的混合位错,可分 解为一个柏氏矢量模为bsinφ的刃位错和一个柏氏矢量 模为bcosφ的螺位错。 分别算出两位错分量应变能,其和即为混合位错应变能:
Gb2 sin 2 R Gb2 cos2 R Gb2 R E混 E刃 E螺 ln ln ln 4 (1 ) r0 4 r0 4k r0
用直角坐标方式表达九个应力分量: 正应力分量:σxx、σyy、σzz 切应力分量:τxy、τyz、τzx、τyx、τzy、τxz。 下角标: σxx
表示应力作用面法线方向, 表示应力的指向。
直角坐标的正应力及切应力的表示方法
一、位错的应力场
用圆柱坐标方式表达九个应力分量: 正应力分量:σrr、σθθ、σzz), 切应力分量:τrθ、τθr、τθz、τzθ、τzr、τrz 下角标: 第一个符号表示应力作用 面的外法线方向; 第二个符数,均为0.5~1。G为切变模量。
二、位错的应变能
例题
已知铜晶体的切变模量G=4×1010Nm-2,位错的柏氏矢 量等于原子间距,b=2.5×10-10m,取α=0.75,
(1)计算铜晶体内单位长度位错线的应变能。 (2)计算单位体积的严重变形铜晶体内储存的位错应变 能。(设位错密度为1011m/cm3) 解:(1)U=αGb2=18.75×10-10J/m

位错理论3-位错的弹性性质资料

位错理论3-位错的弹性性质资料

x2
x
y2
s xx s yy s zz s xy s yx 0
11
Stress field of screw dislocation ➢螺位错应力场特点:
只有切应力( sqz、szq分量),无正
应力分量 应力场对称于螺位错的位错线——轴
对称:切应力分量大小只与距位错线 中心的距离r有关,与q无关。
➢ 因为只有sqz和eqz:
➢ 所以:
W V
1 2
s
qz
e qz
1 Gb
2 2r
b
2r
Gb 2
8 2r 2
➢ 考虑位错微元:半径为r,厚度dr,长度L的管
状体元
dW
1 2
s
eqz qz
dV
1 2
Gb
2r
b
2r
d (2r dr L)
Gb 2L
4r
dr
➢ 设位错中心半径为r0,应力场范围半径为R,所
s ii s ij
Eeii Geij
G
E
2(1
)
6
目录
➢弹性理论基础 ➢位错的应力场 ➢位错的应变能 ➢位错所受的力 ➢位错的线张力 ➢位错间的相互作用力
7
Stress field of dislocation
➢ 位错晶格畸变应力场 ➢ 以位错中心的某点为定点,应力场描述为:
or
4
Basis of elasticity theory
➢应变分量(应变张量strain tensor):
➢只err,有eq6q个, e独zz, 立erq分, e量rz,:eqez;xx, eyy, ezz, exy, exz, eyz;
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2.4位错的弹性性质位错的弹性性质是位错理论的核心与基础。

它考虑的是位错在晶体中引起的畸变的分布及其能量变化。

处理位错的弹性性质有若干种方法,主要的有:连续介质方法、点阵离散方法等。

从理论发展和取得的效果来看,连续介质模型发展得比较成熟。

我们仅介绍位错连续介质模型考虑问题的方法和计算结果,详细的数学推导不作介绍,有兴趣的同学可进一步阅读教学参考书。

一、位错的连续介质模型早在1907年,伏特拉(Volterra)等在研究弹性体形变时,提出了连续介质模型。

位错理论提出来后,人们借用它来处理位错的长程弹性性质问题。

1.位错的连续介质模型基本思想将位错分为位错心和位错心以外两部分。

在位错中心附近,因为畸变严重,要直接考虑晶体结构和原子间的相互作用。

问题变得非常复杂,因而,在处理位错的能量分布时,将这一部分忽略。

在远离位错中心的区域,畸变较小,可视作弹性变形区,简化为连续介质。

用线性弹性理论处理。

即位错畸变能可以通过弹性应力场和应变的形式表达出来。

对此,我们仅作一般性的了解。

2.应力与应变的表示方法(1)应力分量如图1所示。

物体中任意一点可以抽象为一个小立方体,其应力状态可用9个应力分量描述。

它们是:图1物体中一受力单元的应力分析σxx σxy σxz σyx σyy σyz σzx σzy σzz其中,角标的第一个符号表示应力作用面的外法线方向,第二个下标符号表示该应力的指向。

如σxy 表示作用在与yoz 坐标面平行的小平面上,而指向y 方向的力,显而易见,它表示的是切应力分量。

同样的分析可以知道:σxx ,σyy ,σzz 3个分量表示正应力分量,而其余6个分量全部是切应力分量。

平衡状态时,为了保持受力物体的刚性,作用力分量中只有6个是独立的,它们是:σxx ,σyy ,σzz ,σxy ,σxz 和σyz ,而σxy =σyx ,σxz =σzx ,σyz =σzy 。

同样在柱面坐标系中,也有6个独立的应力分量:σrr ,σθθ,σzz ,σrθ,σrz ,σθz 。

(2)应变分量与6个独立应力分量对应也有6个独立应变分量。

直角坐标系中:εxx ,εyy ,εzz ,εxy ,εxz 和εyz 。

柱面坐标系中:εrr ,εθθ,εzz ,εr θ,εrz 和εθz 。

二位错的应力场晶体中存在位错时,位错线附近的原子偏离了正常位置,引起点阵畸变,从而产生应力场。

在位错的核心区,原子排列特别紊乱,超出弹性变形范围,虎克定律已不适用。

中心区外,位错所形成的弹性应力场可用各向同性连续介质的弹性理论来处理。

该模型首先假设晶体是完全弹性体,服从虎克定律;其次,把晶体看成是各向同性的;第三,近似地认为晶体内部由连续介质组成,晶体中没有空隙,因此晶体中的应力、应变、位移等量是连续的,可用连续函数表示。

(1)螺位错的应力场取外半径为R ,内半径为r o 的各向同性材料的圆柱体两个。

圆柱中心线选为Z 轴,将圆柱沿XOZ 面切开,使两个切面分别沿Z 轴方向相对位移b ,再把切面胶合起来,这样在圆柱体内产生了螺位错的弹性应力场,如图2。

图2螺位错的连续介质模型采用圆柱坐标系,坐标选取如图2。

从这个圆柱体中取一个半径为r 的薄壁圆筒展开,便能看出在离开中心r 处的切应变为r b z πεθ2/=,其相应切应力rGb z z z G πθθθεσσ2.===,式中G 为切变模量。

由于圆柱只在Z 方向有位移,X,Y 方向无位移,所以其余应力分量为零。

0=======zr rz r r zz rr σσσσσσσθθθθ,如果采用直角坐标系表示,则)(222sin y x r Gbz zx xz +−=−==πθθσσσ,)(222cos y x xGb z zy yz +===πθθσσσ,0=====yx xy zz yy xx σσσσσ。

由前面的式子知,螺位错应力场中不存在正应力分量。

切应力分量只与r 有关,与θ无关,所以螺位错应力场是径向对称的,即同一半径上的切应力相等。

当r 趋向0时,z θσ与θσz 趋于无限大,显然不符合实际情况,这是因为线弹性理论不适用于位错中心的严重畸变区。

螺型位错的应力场(如图2所示)具有以下特点:1).只有切应力分量,正应力分量全为零,这表明螺位错不引起晶体的膨胀和收缩。

2).螺型位错所产生的切应力分量只与r 有关(成反比),而与θ、z 无关。

只要r 一定,z 就为常数。

因此,螺型位错的应力场是轴对称的,即与位错等距离的各处,其切应力值相等,并随着与位错距离的增大,应力值减小。

(2)刃位错应力场取外半径为R ,内半径为r o 的各向同性材料的圆柱体两个。

圆柱中心线选为Z 轴,将圆柱沿XOZ 面切开,使两个切面分别沿X 轴方向相对位移b ,再把切面胶合起来,这样在圆柱体内产生了螺位错的弹性应力场,如图3。

图3刃位错的连续介质模型刃位错应力场比螺位错复杂,按图3,根据弹性理论可求得22222)()3(y x y x r xx D ++−=σ,22222)()(y x y x r yy D +−=σ,)(yy xx zz r σσσ+=,22222)()(y x y x x yx xy D +−==σσ,0====zy yz zx xz σσσσ,其中)1(2γπ−=Gb D ,γ为泊松比,G 为切变模量。

由上式可看出,刃型位错应力场具有以下特点:1).同时存在正应力分量与切应力分量,而且各应力分量的大小与G 和b 成正比,与r 成反比,即随着与位错距离的增大,应力的绝对值减小。

2).各应力分量都是x,y 的函数,而与z 无关。

这表明在平行于位错线的直线上,任一点的应力均相同。

3).刃型位错的应力场对称于多余半原子面(y-z 面),即对称于y 轴。

4).y=0时,σxx=σyy=σzz=0,说明在滑移面上,没有正应力,只有切应力,而且切应力τxy 达到极大值。

5).y>0时,即滑移面以上,σxx<0;而y<0时,即滑移面以下,σxx>0。

这说明正刃型位错的位错滑移面上侧为压应力,滑移面下侧为拉应力。

6).在应力场的任意位置处,|σxx|>|σyy|。

7).x=±y时,σyy,τxy均为零,说明在直角坐标的两条对角线处,只有σxx,而且在每条对角线的两侧,τxy(τyx)及σyy的符号相反。

显然,同螺位错一样,上述公式也不适用于刃位错中心区。

刃位错周围的应力场如图4所示。

图4刃位错周围的应力场三位错的应变能1位错的应变能位错在晶体中引起畸变,使晶体产生畸变能,我们称之为位错的应变能或位错的能量。

与位错的畸变相对应,位错的能量也可分为两部分:一是位错心的能量;二是位错心以外的能量。

根据用点阵模型对位错心能量的估算,它大约是位错心以外能量的十分之一左右。

因而作为近似,我们通常所说的位错的应变能就是指位错心以外的弹性应变能。

这部分能量可用弹性模型来处理。

2刃位错的弹性应变能在连续介质模型中制造有关的位错时必须作功,位错形成后,这个功就转变为位错的应变能。

因此,我们只要求出形成位错时外界所做的功即可。

以刃型位错为例,仍考虑一圆柱体,图5所示。

图5形成位错时的做功分析内径为r 0,外径为R 。

沿xoz 面剖开至中心后,在两剖面上加切应力τyx (请同学们分析τyx 的作用平面和施力方向),使它们沿x 方向相对移动。

τyx 起始值为零,然后逐渐增大,这是因为它必须克服弹性体中随变形而增长起来的内应力。

最后当两剖面相对位移达到b 时,τyx 恰好增大到与刃位错的应力分量σyx 相等。

考虑到τyx 在剖面上不是常数,而是x 的函数。

取z 轴的单位长度。

x 轴上考虑d x 面积元内的情况。

变形过程中外力在此面积元上所作元功为:dx b dw yx σ21=,系数21是因为一开始τyx =0,最后τyx =σyx ,取其平均值而得到的。

将积分元在r 0~R 范围内积分(并考虑到y =0),可得形成一单位长度刃型位错所需作的功w E :02ln)()1(4r R Gb EL W E W γπ−==,其中γ为泊松比,一般金属31=γ。

3螺位错的弹性应变能由弹性理论可知:弹性体变形时,单位体积内的应变能(W/V )等于σε21,如果应力有若干分量,则总的单位体积应变能等于这些应力分别乘以其相应的应变分量总和的二分之一。

对于螺位错,只有切应力分量,故dV dw z z θθεσ.21=,由图2,L rdr dV .2π=,其中L 为位错线长度。

若位错中心区为0r ,应力场作用半径R ,则dr r z z Rr LdW LW.2..)(0210πεσθθ∫∫=,整理后得,r drRr Gb LdW LW∫∫=0240)(π,单位长度螺位错的弹性应变能W s 为02ln(4r R Gb s L W s W π==。

估算实际晶体中位错应变能的数值。

首先要确定R 和r 0。

对于一般金属晶体,位错应力场受到亚晶界限制,因此R 为一般亚晶界的尺度,约为10-4cm~1μ。

根据点阵模型的估算,r 0的数量级为10-8cm 。

因此,ln(R /r 0)为10左右。

分析上述式子表明单位长度的位错的应变能大致可表示为)/(./2m J Gb L W α=,其中α是与几何因素有关的系数。

约为0.5-1.0。

此式表明由于应变能与柏氏矢量的平方成正比,故柏氏矢量越小,位错能量越低。

注意:位错应变能的单位量纲为:能量/长度。

如对Cu 单晶,G =4×1011dyn/cm 2,b =2.5×10-8cm,得到位错的应变能为:2.5×10-4erg/cm。

又如Fe 单晶,G =8.3×1011dyn/cm 2,b =2.48×10-8cm,位错的应变能为:5.2×10-4erg/cm。

位错的应变能使晶体的自由能增加,虽然位错出现也增大晶体的熵,使自由能下降。

但是通常位错引起的熵是很小的。

位错的自由能基本上就是位错的弹性应变能,具有正值。

因而,从热力学上说,位错是不稳定的晶体缺陷。

混合位错的弹性应变能的计算,可将混合位错分解为螺型分量和刃型分量,然后按螺型位错和刃型位错的弹性应变能公式计算,最后相加。

四外力场中位错所受的力在切应力作用下,晶体中的位错将发生运动,由于位错移动的方向总是与位错线垂直,故可设想有一个垂直于位错线的力,造成了位错的移动,这就是“作用在位错线上的力”,常用虚功原理求得。

作用于位错的力只是一种组态力,它不代表位错附近原子实际所受到的力,也区别于作用在晶体上的力。

图6作用在位错线上的力由图6可知,切应力τ使一小段位错线移动了ds 距离。

此段位错线的移动使晶体中dA 面积上下两部分沿滑移面产生了滑移量为b 的滑移,故切应力作的功为b ds dl b dA dW ..).(ττ==。

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