钕铁硼工艺流程简介
钕铁硼工艺流程简介 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】
钕铁硼工艺流程简介
1、原料准备及预处理：
工艺简介：对原材料进行称重、破碎、断料和除锈等预处理。
工艺设备：钢筋切断机、滚筒抛光机等
2、熔炼：
工艺简介：将经过预处理后的原材料镨钕、纯铁、硼铁等按照比例配料，加入真空熔炼炉中，在氩气保护下高温熔炼后进行甩带。使得产品成分均匀，结晶取向度高，组织一致性好，并且避免ɑ-Fe的生成。
工艺设备：真空熔炼速
3、氢爆：
工艺简介：氢爆（HD）工艺，是利用稀土金属间化合物的吸氢特性，将钕铁硼合金置于氢气环境下，氢气沿富钕相薄层进入合金，使之膨胀爆裂而破碎，沿富钕相层处开裂，保证了主相晶粒及富钕晶粒间界相的完整。HD工艺使得钕铁硼的甩片变得非常疏松，极大提高了气流磨的制粉效率，降低了生产成本。
工艺设备：真空氢处理炉
4、制粉：
工艺简介：气流磨制粉是采用物料自身的高速碰撞来粉碎，对磨室内壁无磨损，无污染，可以高效率地制备粉末。
工艺设备：气流磨
5、成型取向：
工艺简介：取向的作用是使混乱取向的粉未颗粒的易磁化方向c轴转到同一个方向上来，从而获得最大的剩磁。压型的主要目的就是将粉未压制成一定形状与尺寸的压坏，同时尽可能保持在磁场取向中所获得的晶粒取向度。我们设计采用成型磁场压机和等静压机进行二次成型，对于异形磁体，采用特殊的模具工装，直接成型，烧结后的磁体只需要进行稍微的表面处理即可投入使用，大大节省了材料和后续的加工成本。
工艺设备：磁场压机、等静压机
6、烧结：
工艺简介：烧结是使压坏在高温下发生一系列的物理化学变化，是一种简单廉价的可以改变材料微观结构以提高材料磁学性能的办法。烧结是材料的最后成型过程，对磁体的密度和微观结构有着极为重要的影响。
工艺设备：真空烧结炉
7、机械加工：
烧结之后得到的钕铁硼磁体均为毛坯，需要进一步机械加工以获得各种不同尺寸、大小和形状的产品。钕铁硼磁体由于比较脆，力学性能较差，一般只能采用磨削加工和切削加工。
工艺设备：平面磨床、双端面磨床、倒角机
8、表面处理：
工艺简介：对各种形状的稀土永磁体进行表面处理，例如电泳、镀锌、镍、镍铜镍及磷化等，以保证产品的外观和耐腐蚀特性。
9、成品检验和包装：
对产品的各种磁性能、耐腐蚀性能、高温性能等等进行检测，达标后进行包装，以满足客户的各种需求。
【半导体研磨 精】半导体晶圆的生产工艺流程介绍
?从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）： 晶棒成长--> 晶棒裁切与检测--> 外径研磨--> 切片--> 圆边--> 表层研磨--> 蚀刻--> 去疵--> 抛光--> 清洗--> 检验--> 包装 1 晶棒成长工序：它又可细分为： 1）融化（Melt Down） 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。 2）颈部成长（Neck Growth） 待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长 100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3）晶冠成长（Crown Growth） 颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如 5、6、8、12吋等）。 4）晶体成长（Body Growth） 不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。 5）尾部成长（Tail Growth） 1
当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2 晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection） 将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。 3 外径研磨（Su rf ace Grinding & Shaping） 由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 4 切片（Wire Saw Sl ic ing） 由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5 圆边（Edge Profiling） 由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 ? 6 研磨（Lapping） 研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。 7 蚀刻（Etching） 1
永磁体的几种生产工艺简介
4. 永磁体的几种生产工艺简介 目前涉及各类磁体的生产工艺主要有烧结、铸造、粘结和热压热变形几种。其中一种工艺可能适用于几种磁体的生产，但是实际生产过程中，还要根据磁体自身特点，进行一些工序和细节的调整和改善。下面将这几类生产工艺进行逐一介绍。其中，烧结工艺是应用最广泛的生产工艺，适用于烧结钕铁硼、永磁铁氧体、钐钴以及烧结铝镍钴等磁体的生产。铸造工艺主要是用于铸造铝镍钴磁体的生产。粘结工艺主要用于各类粘结磁体的生产，如粘结钕铁硼、粘结钐钴、橡胶磁等。热变形工艺主要是用于热压热变形钕铁硼的生产。 （1）烧结工艺 烧结工艺是采用粉末冶金的方法，是目前应用最广泛的生产工艺，适用于烧结钕铁硼、永磁铁氧体、钐钴以及烧结铝镍钴等磁体的生产。其生产流程简图如图1所示。 图1 烧结工艺流程简图 （2）铸造工艺
铸造是指将固态金属溶化为液态倒入特定形状的铸型，待其凝固成形的加工 方式。对于永磁体而言，铸造工艺主要用来生产铸造铝镍钴磁体。相比于烧结铝镍钴来说，铸造铝镍钴的磁性能较高，可以加工生产成不同的尺寸和形状，烧结铝镍钴的工艺简单，毛坯尺寸公差小，可加工性好。其生产流程简图如图2所示。 图2 铸造工艺流程简图 不变形，无需二次加工；形态自由度大，可根据实际使用需求，造成各种形状的产品，如长条状、片状、管状、圆环状或其他复杂形状的产品；便于大批量自动化生产；且产品机械强度高。其缺点是磁性能低，使用温度不高。粘结工艺过程中的关键技术是：磁粉的制备，耦联剂与粘接剂的的选择，粘结剂的添加量，成型的压力和取向磁场强度等。粘结钕铁硼所用磁粉的制造方法主要有熔体快淬法、HDDR 法、机械合金化法和气体喷雾法。其中，目前比较流行的是HDDR 法。粘结工艺的生产流程简图如图3所示。
催化工艺流程简述
工艺流程简述 1、反应-再生部分 原料油由装置外原料油储罐进入本装置原料油罐（V2201），经原料油泵(P2201/A、B)升压与轻柴油(E2211/A、B)、循环油浆(E2207)换热，换热后温度至200℃左右，与回炼油混合后分四路经原料油雾化喷嘴进入提升管反应器（R2101A），回炼油浆经原料油喷嘴上方单独的—组喷嘴进入提升管反应器，在此与高温再生催化剂接触并迅速升温、汽化，催化剂沿提升管向上流动的同时，原料不断进行反应，生成汽油、轻柴油、液化气、干气、中段油、回炼油、油浆等气相产物，同时生成的焦炭覆盖在催化剂表面，使其裂化活性、选择性逐步降低，成为待生催化剂，反应油气与待生催化剂经提升管反应器出口粗旋迅速分离。进入沉降器（R2101）之后，夹带有少量催化剂的油气经单级旋风分离器分离催化剂后，离开沉降器进入分馏塔（T2201）。 为促进氢转移等二次反应和减少热裂化反应，降低干气、焦炭产率，提高轻质油品收率，在提升管中上部（第一反应区出口）设置有常压直馏汽油、自产粗汽油或除氧水作为反应终止剂的注入点，以增加操作灵活性和弹性。 积炭的待生催化剂自粗旋料腿及沉降器单级旋风分离器料腿进入汽提段，在此与过热蒸汽逆流接触，以置换催化剂所携带的油气，汽提后的催化剂经待生立管、待生塞阀、待生立管套筒进入再生器（R2102）的密相床，在690℃的再生温度、富氧、CO助燃剂存在的条件下进行逆流完全再生，催化剂活性得到恢复后，经再生立、斜管及再生滑阀进入提升管反应器底部，在予提升蒸汽（干气）的提升下，完成催化剂加速、分散过程，然后与雾化原料接触循环使用。
再生过程的过剩热量由内取热器取走恒定热量后，仍然过剩的热量由外取热器（R2103）取走。再生器的部分催化剂由外取热入口管进入外取热器壳程，在流化风的作用下，呈密相向下流动在流经翅片管束间降温冷却，冷却后的催化剂经外取热器返回管由提升风提升返回再生器密相床层中部，外取热器流化风、提升风由增压机(B2103/A、B)提供。 再生器烧焦所需的主风由主风机提供，主风自大气进入主风机（B2101），升压后经主风管道、辅助燃烧室（F2101）及主风分布管进入再生器。 再生烟气经四组二级旋风分离器分离催化剂后，经三旋（CY2104）分两支，一支进烟机回收系统，进入烟气轮机（BE2101）膨胀作功以驱动主风机（B2101）；另一支经双动滑阀调节压力后与烟机出口烟气合并，进入余热锅炉回收烟气的热能，使烟气温度降至180℃左右，最后经烟囱排入大气。当烟机停运时，主风由备用主风机（B2102）提供，此时再生烟气经三级旋风分离器分离催化剂后由双动滑阀及降压孔板（PRO2101）降压后进入余热锅炉。 开工用的催化剂由冷催化剂罐（V2101）或热催化剂罐（V2102）用非净化压缩空气输送至再生器，正常补充催化剂可由催化剂小型加料线输送至再生器。CO助燃剂由助燃剂加料斗（V2110）、助燃剂罐（V2111）用非净化压缩空气经小型加料管线输送至再生器。 生产所用的催化剂运进装置，通过催化剂加料斗（V2104）送至冷催化剂罐（V2101），正常由小型加料线向再生器补充新鲜催化剂。停工时由大型卸料线卸出催化剂至热催化罐。三级旋风分离器回收的催化剂，由三旋回收催化剂储罐（V2112）用非净化压缩空气间断送至废催化剂罐（V2103）。
芳烃工艺流程简述
工艺流程简述 1）总工艺流程 直馏石脑油和加氢裂化石脑油混合后在石脑油加氢装置(NHT Unit)通过加氢处理及汽提脱去硫、氮、砷、铅、铜、烯烃和水等杂质。在连续重整装置中把石脑油中的烷烃和环烷烃转化成芳烃，并副产大量的富氢气体。其中一部分产氢用于异构化、歧化和预加氢装置，其余部分则送到炼厂其它加氢装置。 连续重整装置的重整油经过脱戊烷塔脱去C5-馏分进入重整油分离塔。乙烯裂解汽油从边界来后先与重芳烃塔顶物流换热后进入重整油分离塔。塔顶C6/C7送到SED装置把C6/C7馏分中的芳烃和非芳烃分开。混合芳烃和歧化汽提塔底物混合送到苯-甲苯分馏装置的苯塔。苯塔顶产生高纯度的苯产品，塔底物流送到甲苯塔。甲苯塔顶生产C7芳烃，其中一部分C7芳烃与重芳烃塔塔顶物流混合送到歧化装置，其余部分作为汽油调组分送出装置。 甲苯塔底物料与重整油塔底物料、异构化产物混合送到二甲苯塔，二甲苯塔塔顶的混合二甲苯送到吸附分离装置，在这里PX作为产品被分离出来。含有EB、MX 和OX的吸附分离抽余液去异构化装置，PX达到新的平衡。异构化脱庚烷塔底物循环回二甲苯塔。二甲苯塔底的C9+送到重芳烃塔，重芳烃塔顶物料C9组分一部分送到歧化装置，其余部分作为汽油调和组分送出装置。重芳烃塔塔底物料作为燃料油供装置内使用。 2）直馏石脑油加氢装置 直馏石脑油进入原料缓冲罐（1510-D101），由预加氢进料泵（1510-P101A/B）泵送与预加氢循环压缩机（1510-K101A/B）来的循环氢混合后进入预加氢进料换热器（1510-E101A/B/C）和预加氢进料加热炉（1510-F101），加热后进入预加氢反应器（1510-R101）和脱氯反应器（1510-R102）。 已脱除硫、氮、氯的预加氢反应产物与硫化氢、氨及含氢气体一起通过与原料换热，再注入凝结水以溶解因冷却可能在下游设备形成的氨盐。再经预加氢产物空冷器（1510-A101），预加氢产物后冷器（1510-E102）冷却后进入预加氢产物分离罐（1510-D102）。预加氢产物分离罐顶含氢气体和补充氢混合经循环压缩机入口分液罐（1510-D103）进入预加氢循环压缩机（1510-K101A/B）循环使用。 预加氢产物分离罐（1510-D102）底液体通过液位控制进入预加氢汽提塔
半导体制造工艺流程
半导体制造工艺流程 N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结： 半导体元件制造过程可分为 前段（FrontEnd）制程 晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）、 晶圆针测制程（WaferProbe）； 後段（BackEnd） 构装（Packaging）、 测试制程（InitialTestandFinalTest） 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。 二、晶圆针测制程 经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒 三、IC构装制程 IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。 半导体制造工艺分类 半导体制造工艺分类 一双极型IC的基本制造工艺： A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离）ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离 I2L（饱和型） 半导体制造工艺分类 二MOSIC的基本制造工艺： 根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺
半导体工艺流程
1、清洗 集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水；且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。 在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即采用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1 —6所示。 图1—6硅片清洗工艺示意图 工具的清洗基本米用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化 热氧化是在800~1250C高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作 为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为：
Si + O2f SiO2 3、扩散 扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B2H6）作为N —源和磷烷（PH3）作为P+源。工艺生产过程中通常 分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH3 f 2P + 3H2 4、离子注入 离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上 形成了沟槽。 光刻胶 基片------------ ?涂胶后基片 1 1 1 1 ~ 显影后基片V------------- 曝光后基片 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀
钕铁硼生产操作规范与工艺流程
钕铁硼生产操作规程 1、总则 钕铁硼永磁材料的制造工艺采纳的是粉末冶金工艺，整个生产过程特不繁琐，是一项要求特不细心的系统工程，为了规范生产秩序，严格操纵生产工艺，确保产品质量，特制定本操作规程。 2、生产工艺要紧流程 工段名称工序名称 1、原料预备 2、配料预备 2.1合金熔炼 3、坩埚的材料与制作
4、炉料填装 5、合金熔炼 6、边料加工 7、鄂破 2.2 8中碎 9、氢破（HD） 10、气流磨粉（JM）（抗氧化剂） 11、添加汽油，抗氧化剂 12、混合、分料 13、模具制作与安装 14、称料 2.3磁场取向 15、装粉入模 与成型 16、磁场取向 17、退磁、脱模 18、油压（冷等静压CIP） 2.4烧结及 19、装炉 热处理 20、烧结及热处理 21、出炉检测 2.5性能检测 22、样品加工
23、磁性测量 24、立磨 2.6加 25、双面磨 工 26、切片 27、无心磨 2.7分检、外观、公差、测表场 2.8包装、标识、规格、型号 2.9成品入库 3、生产过程操作规程 3.1合金熔炼 真空熔炼工序是将表面处理洁净，无氧化层。烘干后，组成的各种单质、合金原料在真空条件进行加热熔炼而制的钕铁硼合金。本工序要求得到的合金化学成份准确而均匀，有害杂质含量低，精细的柱状晶组织结构，无氧化，极少甚至无α-Fe相存在。 3.2设计合金成份
钕铁硼永磁合金成份可表达为： Rx Ty Bz a、R代表稀土金属元素：钕Nd、镨Pr、镝Dy、铽T b、钆Gd、钇Y。 b、T代表过渡金属元素：铁Fe、钴Co、铝Al、铜Cu、铌Nb、镓Ga、钒V、锆Zr等。 c、B代表硼。 3.3.有害杂质的操纵 要求所有原材料必须提供准确无误的材料分析单，必要时进行抽查外协检测。 依照我公司的情况，用边角料较多，需要检测时外协检测。 纯铁使用太原钢铁公司的DT4E纯铁。 3.4.原材料表面处理 3.4.1所用原材料纯铁和稀土金属必须将表面氧化层或其他污染物除掉，其他原料必须保证不被氧化。 3.4.2原材料表面处理设备 ○1切料机 ○2抛丸机 3.4.3切料机操作规程
涤纶长丝生产工艺简介
涤纶长丝生产工艺简介 1. 预结晶 切片干燥过程中需要加热到140℃以上，而普通切片的软化点很低，在80℃以下即软化 发粘，容易粘结成块堵塞干燥装置或输料管（俗称结块），为了提高切片的软化点，必须提高切片的结晶度，使其软化点达到200℃左右，这样干燥工序才能顺利进行。 预结晶采用120～170℃左右的热空气对切片加热，为了防止切片粘结成块（俗称结块），一般采取以下三种方式： 1．利用沸腾床等装置，将热空气从下往上吹向切片，使得切片呈现沸腾状，切片粒子之间的位置一直处 于快速波动之中，有效防止了切片之间的粘结。一般将这种方式称为BM 式。 2．利用搅拌装置，对处于预结晶过程中的切片不断搅拌，使得切片粒子之间无法粘结或者粘结后随即被打散。一般将这种方式称为KF 式。 利用震动装置，使得处于预结晶过程中的切片高频震动，粒子之间的位置快速变化，从而无法相互粘结。一般与BM 式结合使用。 熔体直纺没有预结晶流程。 2．干燥 涤纶生产过程中，PET 切片需要在290℃左右的高温下熔融，在此高温下，如果切片的含水率达到一定程度（比如100ppm 以上），熔体会发生水解现象使得熔体质量下降，从而使纺丝工序难以顺利进行甚至导致成品丝品质下降。 将经过脱湿处理的干燥空气（露点降到－20 ℃以下）加热到160℃左右，从干燥塔底部输送到干燥塔中与切片逆向接触使切片迅速脱水，干空气将水分从干燥塔顶部带出。切片一般在干燥塔中停留4～8 小时，当工艺条件（干燥温度、干空气露点、干空气流量、切片在干燥塔中的停留时间）合适时，切片的含水率可以降低到50ppm 以下，满足纺丝要求。不同的生产工艺和品种对切片的含水率要求有明显差异： UDY-DT : 目标含水率≤100ppm POY-DTY: 目标含水率≤50ppm FDY : 目标含水率≤30ppm 常规品种含水率可以偏高一点，但是异型丝和细旦、超细旦丝对含水率要求很高，一般要求含水率≤20ppm 。 切片含水率偏高时，熔融后熔体降解程度大，纺丝工段容易出现毛丝、断头、飘丝等异常现象，丝的强度会降低，断裂伸长率升高。 干燥工序分连续干燥和间歇干燥两种方式。 连续干燥采用干燥塔（一般需要加上预结晶装置），干燥介质为除湿干空气，采用电加热方式，这种方式干燥效率高，干燥效果好，操作简便可以自动控制，工艺调整方便，是目前普遍采用的干燥方式； 间歇干燥采用转鼓装置（无需额外的预结晶装置），加热方式为蒸汽，用抽真空的方式使切片脱水。这种方式干燥效率很低，干燥效果不理想，操作麻烦且多为手动控制方式，工艺调整不方便，除了在一些老式UDY 生产线上还有少量存在以外，已经基本被淘汰。 目前，随着熔体直接纺技术的成熟，越来越多的厂家采用了熔体直纺技术，采用这项技术，省去了切片造粒、切片包装、切片运输、切片筛选、切片输送、切片干燥、切片熔融等很多过程，因而使生产成本大大降低。 3．纺丝纺丝是整个化纤生产中的关键工序，纺丝状况如何，直接影响到“产、质、耗”等生产指标能否顺利完成。 纺丝就是将熔融状态下或呈溶液状态下的高聚物纺成丝束的过程。对于切片法纺丝而言还包括了将切片由颗粒状固体熔融成熔体的过程。 纺丝设备包括熔体过滤器、纺丝箱体、计量泵、组件（包括海砂或金属砂、过滤网、分配板、喷丝
催化裂化地装置简介及实用工艺流程
催化裂化的装置简介及工艺流程 概述 催化裂化技术的发展密切依赖于催化剂的发展。有了微球催化剂，才出现了流化床催化裂化装置；分子筛催化剂的出现，才发展了提升管催化裂化。选用适宜的催化剂对于催化裂化过程的产品产率、产品质量以及经济效益具有重大影响。 催化裂化装置通常由三大部分组成，即反应/再生系统、分馏系统和吸收稳定系统。其中反应––再生系统是全装置的核心，现以高低并列式提升管催化裂化为例，对几大系统分述如下： （一）反应––再生系统 新鲜原料(减压馏分油)经过一系列换热后与回炼油混合，进入加热炉预热到370℃左右，由原料油喷嘴以雾化状态喷入提升管反应器下部，油浆不经加热直接进入提升管，与来自再生器的高温(约650℃~700℃)催化剂接触并立即汽化，油气与雾化蒸汽及预提升蒸汽一起携带着催化剂以7米/秒~8米/秒的高线速通过提升管，经快速分离器分离后，大部分催化剂被分出落入沉降器下部，油气携带少量催化剂经两级旋风分离器分出夹带的催化剂后进入分馏系统。 积有焦炭的待生催化剂由沉降器进入其下面的汽提段，用过热蒸气进行汽提以脱除吸附在催化剂表面上的少量油气。待生催化剂经待生斜管、待生单动滑阀进入再生器，与来自再生器底部的空气(由主风机提供)接触形成流化床层，进行再生反应，同时放出大量燃烧热，以维持再生器足够高的床层温度(密相段温度约650℃~680℃)。再生器维持0.15MPa~0.25MPa(表)的顶部压力，床层线速约0.7米/秒~1.0米/秒。再生后的催化剂经淹流管，再生斜管及再生单动滑阀返回提升管反应器循环使用。 烧焦产生的再生烟气，经再生器稀相段进入旋风分离器，经两级旋风分离器分出携带的大部分催化剂，烟气经集气室和双动滑阀排入烟囱。再生烟气温度很高而且含有约5%~10%CO，为了利用其热量，不少装置设有CO锅炉，利用再生烟气产生水蒸汽。对于操作压力较高的装置，常设有烟气能量回收系统，利用再生烟气的热能和压力作功，驱动主风机以节约电能。 （二）分馏系统 分馏系统的作用是将反应/再生系统的产物进行分离，得到部分产品和半成
钕铁硼工艺流程简介
钕铁硼工艺流程简介 1、原料准备及预处理： 工艺简介：对原材料进行称重、破碎、断料和除锈等预处理。 工艺设备：钢筋切断机、滚筒抛光机等 2、熔炼： 工艺简介：将经过预处理后的原材料镨钕、纯铁、硼铁等按照比例配料，加入真空熔炼炉中，在氩气保护下高温熔炼后进行甩带。使得产品成分均匀，结晶取向度高，组织一致性好，并且避免ɑ-Fe的生成。 工艺设备：真空熔炼速 3、氢爆： 工艺简介：氢爆（HD）工艺，是利用稀土金属间化合物的吸氢特性，将钕铁硼合金置于氢气环境下，氢气沿富钕相薄层进入合金，使之膨胀爆裂而破碎，沿富钕相层处开裂，保证了主相晶粒及富钕晶粒间界相的完整。HD工艺使得钕铁硼的甩片变得非常疏松，极大提高了气流磨的制粉效率，降低了生产成本。 工艺设备：真空氢处理炉 4、制粉： 工艺简介：气流磨制粉是采用物料自身的高速碰撞来粉碎，对磨室内壁无磨损，无污染，可以高效率地制备粉末。 工艺设备：气流磨 5、成型取向： 工艺简介：取向的作用是使混乱取向的粉未颗粒的易磁化方向c 轴转到同一个方向上来，从而获得最大的剩磁。压型的主要目的就是将粉未压制成一定形状与尺寸的压坏，同时尽可能保持在磁场取向中所获得的晶粒取向度。我们设计采用成型磁场压机和等静压机进行二
次成型，对于异形磁体，采用特殊的模具工装，直接成型，烧结后的磁体只需要进行稍微的表面处理即可投入使用，大大节省了材料和后续的加工成本。 工艺设备：磁场压机、等静压机 6、烧结： 工艺简介：烧结是使压坏在高温下发生一系列的物理化学变化，是一种简单廉价的可以改变材料微观结构以提高材料磁学性能的办法。烧结是材料的最后成型过程，对磁体的密度和微观结构有着极为重要的影响。 工艺设备：真空烧结炉 7、机械加工： 烧结之后得到的钕铁硼磁体均为毛坯，需要进一步机械加工以获得各种不同尺寸、大小和形状的产品。钕铁硼磁体由于比较脆，力学性能较差，一般只能采用磨削加工和切削加工。 工艺设备：平面磨床、双端面磨床、倒角机 8、表面处理： 工艺简介：对各种形状的稀土永磁体进行表面处理，例如电泳、镀锌、镍、镍铜镍及磷化等，以保证产品的外观和耐腐蚀特性。 9、成品检验和包装： 对产品的各种磁性能、耐腐蚀性能、高温性能等等进行检测，达标后进行包装，以满足客户的各种需求。
工艺阐述及流程图
工艺阐述及流程图 预处理车间工艺流程说明 米糠由提升机送入车间进行清理，清理后的米糠经提升机糠粞分离筛进行糠粞分离，然后落入比重去石机去除米粞，米粞装袋，米糠由刮板输送机送至调制锅进行调质，调质后的米糠经膨化喂料绞龙、磁选器除铁后落入膨化机，米糠膨化料落入逆流翻板烘干机进行烘干。烘干后的膨化料经刮板输送机送往浸出车间。膨化多出部分经冷却后经皮带输送机送往库房散装储存。 浸出车间工艺流程说明 浸出工序 米糠膨化料经进料刮板输送机，送入浸出器，料在浸出器中由进料口到出料口运行一周，在进料口和出料口之间用递减浓度的混合油进行喷淋，在进入沥干段前，再经新鲜溶剂喷淋，沥干后的湿粕从浸出器出料格由拨料器排出进入湿粕刮板。浓混合油由浓混合油泵打入旋液分离器后再经混合油过滤器除去粕粉后进入混合油罐。 蒸脱工序 浸出器出来的含溶湿粕由湿粕刮板经料封绞龙送入DTDC蒸脱机的预脱层，底部用间接蒸汽加热，脱去部分溶剂；经预脱后的湿粕进入蒸脱层，蒸脱层设自动控制保持一定的料层，底部通入直接蒸汽，脱去全部溶剂，同时部分蒸汽凝结在粕中，粕的水分会部分升高。脱溶粕由旋转阀定量下落到烘干层，烘干层保持一定的料位，进行去水干燥过程，接着进入冷却层冷却.最后由自动料门控制出料,再由粕刮板送入粕库。 从脱溶机顶部出来的溶剂和水蒸汽的混合汽，通入第一长管蒸发器壳程作为一蒸混合油的加热介质。 蒸发工序 混合油由一蒸喂料泵从混合油罐打入第一长管蒸发器管程，脱溶机的混合汽为一蒸的加热介质。蒸发的溶剂经分离室进入真空冷凝器，分离室下部设有液位控制装置保持液封，第一蒸发器由低真空喷射泵保持一定的残压，使一蒸混合油中的溶剂在负压下蒸发，可降低溶剂的沸点，提高工作蒸汽利用率。
烧结钕铁硼的生产工艺流程要点
烧结钕铁硼的生产工艺流程 发布日期：2012-03-30 浏览次数：167 核心提示：本文对稀土永磁材料的发展过程、性能要求、主要类型等方面做了介绍，着重介绍了烧结钕铁硼磁体的生产工艺流程，最后对目前烧结钕铁硼在生产、科研、生活等各领域中的应用进行了总结，并对其发展方向进行了思考，指出应深入研究烧结钕铁硼磁体生产工艺，提高我国钕铁硼磁体的产品质量，才能增加企业自身的竞争力。 1.1稀土永磁材料概述 从广义上讲，所有能被磁场磁化、在实际应用中主要利用材料所具有的磁特性的一类材料成为磁性材料。它包括硬磁材料、软磁材料、半硬磁材料、磁致伸缩材料、磁光材料、磁泡材料和磁制冷材料等，其中用量最大的是硬磁材料和软磁材料。硬磁材料和软磁材料的主要区别是硬磁材料的各向异性场高、矫顽力高、磁滞回线面积大、技术磁化到饱和需要的磁场大。由于软磁材料的矫顽力低，技术磁化到饱和并去掉外磁场后，它很容易退磁，而硬磁材料由于矫顽力较高，经技术磁化到饱和并去掉磁场后，它仍然长期保持很强的磁性，因此硬磁材料又称为永磁材料或恒磁材料。古代，人们利用矿石中的天然磁铁矿打磨成所需要的形状，用来指南或吸引铁质器件，指南针是中国古代四大发明之一，对人类文明和社会进步做出过重要贡献。近代，磁性材料的研究和应用始于工业革命之后,并在短时间内得到迅速发展.现今,对磁性材料的研究和应用无论在广度或者深度上都是以前无可比拟的,各类高性能磁性材料，尤其是稀土永磁材料的开发和应用对现代工业和高新技术产业的发展起着巨大的推动作用。 1.2永磁材料性能要求 永磁材料的主要性能是由以下几个参数决定的 1.2.1最大磁能积：最大磁能积是退磁曲线上磁感应强度和磁场强度乘积的最大值。这个值越大，说明单位体积内存储的磁能越大，材料的性能越好。 1.2.2饱和磁化强度：是永磁材料极为重要的参数。永磁材料的饱和磁化强度越高，它标志着材料的最大磁能积和剩磁可能达到的上限值越高。
煤气化工艺流程简述
煤气化工艺流程简述 1）气化 a）煤浆制备 由煤运系统送来的原料煤**t/h（干基）（<25mm）或焦送至煤贮斗，经称重给料机控制输送量送入棒磨机，加入一定量的水，物料在棒磨机中进行湿法磨煤。为了控制煤浆粘度及保持煤浆的稳定性加入添加剂，为了调整煤浆的PH值，加入碱液。 出棒磨机的煤浆浓度约65%，排入磨煤机出口槽，经出口槽泵加压后送至气化工段煤浆槽。 煤浆制备首先要将煤焦磨细，再制备成约65%的煤浆。磨煤采用湿法，可防止粉尘飞扬，环境好。 用于煤浆气化的磨机现在有两种，棒磨机与球磨机；棒磨机与球磨机相比，棒磨机磨出的煤浆粒度均匀，筛下物少。 煤浆制备能力需和气化炉相匹配，本项目拟选用三台棒磨机，单台磨机处理干煤量43～53t/h，可满足60万t/a甲醇的需要。 为了降低煤浆粘度，使煤浆具有良好的流动性，需加入添加剂，初步选择木质磺酸类添加剂。 煤浆气化需调整浆的PH值在6～8，可用稀氨水或碱液，稀氨水易挥发出氨，氨气对人体有害，污染空气，故本项目拟采用碱液调整煤浆的PH值，碱液初步采用42％的浓度。 为了节约水源，净化排出的含少量甲醇的废水及甲醇精馏废水均可作为磨浆水。 b）气化 在本工段，煤浆与氧进行部分氧化反应制得粗合成气。 煤浆由煤浆槽经煤浆加压泵加压后连同空分送来的高压氧通过烧咀进入气化炉，在气化炉中煤浆与氧发生如下主要反应： CmHnSr+m/2O2—→mCO+（n/2-r）H2+rH2S CO+H2O—→H2+CO2 反应在6.5MPa（G）、1350～1400℃下进行。 气化反应在气化炉反应段瞬间完成，生成CO、H2、CO2、H2O和少量CH4、H2S等气体。 离开气化炉反应段的热气体和熔渣进入激冷室水浴，被水淬冷后温度降低并被水蒸汽饱和后出气化炉；气体经文丘里洗涤器、碳洗塔洗涤除尘冷却后送至变换工段。
(工艺流程)2020年半导体硅片生产工艺流程及工艺注意要点
硅片生产工艺流程及注意要点 简介 硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。 工艺过程综述 硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。 表1.1 硅片加工过程步骤 1.切片 2.激光标识 3.倒角 4.磨片 5.腐蚀 6.背损伤 7.边缘镜面抛光 8.预热清洗 9.抵抗稳定——退火 10.背封 11.粘片 12.抛光 13.检查前清洗 14.外观检查
15.金属清洗 16.擦片 17.激光检查 18.包装/货运 切片（class 500k） 硅片加工的介绍中，从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗，也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片，硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。 切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小，对硅片的损伤也最小，并且允许硅片的翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏的过程，可以描述为一个研磨的过程，这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。 硅片切割完成后，所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中，很重要的一点就是保持硅片的顺序，因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后，硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码，因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的，用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的，因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深，从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后，即使硅片有遗漏，也能追溯到原来位置，而且如果趋向明了，那么就可以采取正确的措施。激光标识可以在硅片的正面也可在背面，尽管正面通常会被用到。
烧结钕铁硼的生产工艺流程
烧结钕铁硼的生产工艺流程 1.1永磁材料性能要求永磁材料的主要性能是由以下几个参数决定的 1.1.1最大磁能积：最大磁能积是退磁曲线上磁感应强度和磁场强度乘积 的最大值。这个值越大，说明单位体积内存储的磁能越大，材料的性能越好。 1.1.2饱和磁化强度：是永磁材料极为重要的参数。永磁材料的饱和磁化 强度越高，它标志着材料的最大磁能积和剩磁可能达到的上限值越高。 1.1.3矫顽力：铁磁体磁化到饱和后，使它的磁化强度或磁感应强度降低 到零所需要的反向外磁场称为矫顽力。它表征材料抵抗退磁作用的本领。 1.1.4剩磁：铁磁体磁化到饱和并去掉外磁场后，在磁化方向保留的剩余 磁化强度或剩余磁感应强度称为剩磁。 1.1.5居里温度：铁磁体由铁磁性和亚铁磁性转变为顺磁性的临界温度称 为居里温度或居里点。居里温度高标志着永磁材料的使用温度也高。 1.2稀土永磁材料的主要类型 至今，稀土永磁材料已有两大类、三代产品。 第一大类是稀土-钴合金系（即RE-Co永磁），它又包括两代产品。1996 年K.Strant发现SmCo5型合金具有极高的磁各向异常数，产生了第一代稀土永磁体1:5型SmCo合金。从此开始了稀土永磁材料的研究开发，并于1970年投 入生产；第二代稀土永磁材料是2：17型的SmCo合金大约是1978年投入生产。它们均是以金属钴为基体的永磁材料合金。 第二大类是钕铁硼合金（即Nd-Fe-B系永磁）。1983年日本和美国同时发 现了钕铁硼合金，称为第三代永磁材料，当Nd原子和Fe原子分别被不同的RE 原子和其他金属原子取代可发展成多种成分不同、性能不同的Nd-Fe-B系永磁 材料。其制备方法主要有烧结法、还原扩散法、熔体快淬法、粘结法、铸造法等，其中烧结法和粘结法在生产中应用最广泛。下表列出了不同稀土永磁材料 的磁性能。
工艺流程
1、原料油预处理及换热 原料油自罐区由进料泵送入装置后，先经原料油-一分塔顶循换热器（E-1001A,B）、原料油-沥青塔底Ⅰ、Ⅱ换热器(E-1002A-D)换至75℃后分为两路分别进行换热。其中：一路经原料油-一分塔一线油换热器（E-1003A,B）、原料油-一分塔三线油Ⅱ换热器(E-1004)、原料油-一分塔二线油换热器(E-1005A,B)换至126℃；另一路经原料油-二分塔一线油换热器(E-1006A,B )、原料油-二分塔二线油换热器(E-1007A,B)、原料油-二分塔三线油换热器(E-1008A,B)换至147℃后与第一路汇合送至电脱盐系统进行脱盐脱水处理。 脱后原料油先经原料油-二分塔二线油及回流Ⅱ换热器(E-1009A,B)换热后，再分为两路分别进行换热：一路经原料油-二分塔底油Ⅳ换热器(E-1010A,B)、原料油-二分塔三线油及回流Ⅱ换热器(E-1011A,B)、原料油-一分塔二中油Ⅱ换热器(E-1012)、原料油-一分塔三线油Ⅰ换热器(E-1013A,B)换至237℃；另一路经原料油-一分塔一中油换热器(E-1014A,B)、原料油-一分塔二中油Ⅱ换热器器(E-1015)、原料油-二分塔二线油及回流Ⅰ换热器(E-1016A,B)、原料油-二分塔底油Ⅲ换热器(E-1017A,B) 换至233℃后与第一路汇合，进入闪蒸塔进行分馏。轻组分油气由塔顶管路进入一分塔T-1003。塔底重组分经闪蒸塔底泵抽出，升压后依次经闪底油/二分塔底油Ⅱ换热器(E-1018A,B)、闪底油/二分塔三线油及回流Ⅰ换热器(E-1019A,B)、闪底油/二分塔底油Ⅰ换热器(E-1020A,B)换至298℃后进入一分炉(F-1001)。
烧结钕铁硼的生产工艺流程
烧结钕铁硼的生产工艺流程 核心提示：本文对稀土永磁材料的发展过程、性能要求、主要类型等方面做了介绍，着重介绍了烧结钕铁硼磁体的生产工艺流程，最后对目前烧结钕铁硼在生产、科研、生活等各领域中的应用进行了总结，并对其发展方向进行了思考，指出应深入研究烧结钕铁硼磁体生产工艺，提高我国钕铁硼磁体的产品质量，才能增加企业自身的竞争力。 1.1稀土永磁材料概述 从广义上讲，所有能被磁场磁化、在实际应用中主要利用材料所具有的磁特性的一类材料成为磁性材料。它包括硬磁材料、软磁材料、半硬磁材料、磁致伸缩材料、磁光材料、磁泡材料和磁制冷材料等，其中用量最大的是硬磁材料和软磁材料。硬磁材料和软磁材料的主要区别是硬磁材料的各向异性场高、矫顽力高、磁滞回线面积大、技术磁化到饱和需要的磁场大。由于软磁材料的矫顽力低，技术磁化到饱和并去掉外磁场后，它很容易退磁，而硬磁材料由于矫顽力较高，经技术磁化到饱和并去掉磁场后，它仍然长期保持很强的磁性，因此硬磁材料又称为永磁材料或恒磁材料。古代，人们利用矿石中的天然磁铁矿打磨成所需要的形状，用来指南或吸引铁质器件，指南针是中国古代四大发明之一，对人类文明和社会进步做出过重要贡献。近代，磁性材料的研究和应用始于工业革命之后,并在短时间内得到迅速发展.现今,对磁性材料的研究和应用无论在广度或者深度上都是以前无可比拟的,各类高性能磁性材料，尤其是稀土永磁材料的开发和应用对现代工业和高新技术产业的发展起着巨大的推动作用。 1.2永磁材料性能要求 永磁材料的主要性能是由以下几个参数决定的 1.2.1最大磁能积：最大磁能积是退磁曲线上磁感应强度和磁场强度乘积的最大值。这个值越大，说明单位体积内存储的磁能越大，材料的性能越好。 1.2.2饱和磁化强度：是永磁材料极为重要的参数。永磁材料的饱和磁化强度越高，它标志着材料的最大磁能积和剩磁可能达到的上限值越高。 1.2.3矫顽力：铁磁体磁化到饱和后，使它的磁化强度或磁感应强度降低到零所需要的反向外磁场称为矫顽力。它表征材料抵抗退磁作用的本领。 1.2.4剩磁：铁磁体磁化到饱和并去掉外磁场后，在磁化方向保留的剩余磁化强度或剩余磁感应强度称为剩磁。 1.2.5居里温度：强铁磁体由铁磁性和亚铁磁性转变为顺磁性的临界温度称为居里温度或居里点。居里温度高标志着永磁材料的使用温度也高。 1.3稀土永磁材料的主要类型 至今，稀土永磁材料已有两大类、三代产品 第一大类是稀土-钴合金系（即RE-Co永磁），它又包括两代产品。1996年K.Strant发现SmCo5型合金具有极高的磁各向异常数，产生了第一代稀土永磁体1:5型SmCo合金。从此开始了稀土永磁材料的研究开发，并于1970年投入生产；第二代稀土永磁材料是2：17型的SmCo合金大约是1978年投入生产。它们均是以金属钴为基体的永磁材料合金。
常压工艺流程简述
常压工艺流程简述 2.1．工艺原理 常压蒸馏是原油加工的第一道工序，本装置是根据原油中各组分的沸点（挥发度）的不同，用加热和蒸馏的方法从原油中分离出各种石油馏分。 原油经过换热进初馏塔，从塔顶馏出，初馏点～80℃的馏分，进入常压塔中部。拔头原油经常压炉升温为汽液两相，在常压塔内与冷液相充分接触，进行传质传热。从塔顶分离汽油组份，塔自上而下得到侧线产品：轻柴油、重柴油、蜡油等，塔底分离出沸点较高的重油。这部分重油分子量较大，在高温下易发生裂解反应，而降低馏分油质量或引起结焦，根据在减压下油品沸点低易蒸馏道理，将减压塔用往复式真空泵抽成负压塔进行蒸馏，从减压塔顶分出的馏分，作为柴油混入常二线；减一线油和常三线油作为重柴油；减二线油做蜡油；减三线油做催化裂化原料.另外，减二、三线油还可以做润滑基础油，减压塔底渣油除做燃料以外，还可做氧化沥青装置原料。 2.2．流程说明 2.2.1换热部分 大约45℃的原油从原稳灌区的C101、C102罐进装置，经原油泵（B101/1.2）升压后进入原油换热系统。 原油经E-101与常顶循换热到67℃；经E-102与减一线换热至85℃；经E-103与常一中换热；经E-104与减三线（Ⅲ）换热至100℃左右。原油经E-104后分成两路进行换热。一路去F201（减压炉）
的对流室，做为减压炉冷进料，换热至200℃左右。另一路经E-105与减二线（Ⅲ）换热至165℃，经E-107与减三线（Ⅱ）换热，经E-108与常二线（Ⅱ）换热，经E-109与减二线（Ⅱ）换热，经E-110与减渣（Ⅱ）换热，最后换热至200℃左右，两路原油合并成一路，进入初馏塔T101，进塔温度约为200℃左右。 2.2.2常压分馏部分 两路原油合为一路进入初馏塔（T101），初馏塔顶油气进入常压塔（T102）的第30层塔盘，作为常压塔的汽相进料。 初馏塔底拔头油，温度为190℃左右，经初底油泵（泵102/1.2）抽出进行换热。经E112/1.2与常二中（Ⅰ）换热，经E113与减二线（Ⅰ）换热，经E114/1.2与减三线（Ⅰ）换热，经E115/1-4减渣（Ⅰ）换热，拔头油换热至280℃左右，然后分两路进入常压炉，经过对流和辐射炉管，加热至365℃，然后进入常压塔（T102）进料段。 常压塔顶馏出130℃的油气，经常顶空冷器KL101/1-4，热水换热器E116/1.2和常顶水冷器L102冷却至40℃，进入常顶油水分离罐（V101），在V101中脱水后，常顶油（石脑油）由常顶油泵（B103）抽出，送出装置或作为冷回流去顶循线，进入常压塔顶部，不凝气送入低压瓦斯罐或放空。 常压塔设有46层塔盘及一段底填料，有四个抽出侧线和三个循环线，分别是：常一线、常二线、常三线、常四线和常顶循、常一中、常二中。 常一线从常压塔（T102）第36层（或34层）塔盘馏出，进入汽
半导体制造工艺流程简介
半导体制造工艺流程简介 半导体制造工艺 1 NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为: 外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。 PNP小功率晶体管制造的工艺流程为: 外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查(tox)——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC 检查(R?)——前处理——基区氧化扩散——QC检查(tox、R?)——二次光刻——QC 检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理(P液)——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查(tox)——前处理——发射区再扩散(R?)——前处理——铝下CVD——QC检查(tox、R?)——前处理——HCl氧化——前处理——氢气处 理——三次光刻——QC检查——追扩散——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查(tAl)——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——QC检查(ts)——五次光刻——QC检查——大片测试——中测——中测检查(——