04拼多多店铺命名规则重点规则解读

04拼多多店铺命名规则重点规则解读
04拼多多店铺命名规则重点规则解读

拼多多店铺命名规则重点规则解读

1.各类店铺命名规则

1.1.旗舰店命名规则

1.1.1.旗舰店,是指商家以自有品牌(商标),或者经品牌(商标)

权利人出具排他性授权文件,入驻拼多多平台开设的店铺。商家根据

其权利来源,可申请“旗舰店”或“官方旗舰店”。

1.1.

2.旗舰店包括以下情形:

(1)经营一个品牌商品的旗舰店;

(2)经营多个品牌商品,且各品牌归属于同一实际控制人的旗

舰店;

(3)卖场型品牌(服务类商标)商标权利人开设的旗舰店。

1.1.3.命名规则

以“旗舰店”命名的,品牌名应为已经注册的商标(R状态)或正在受理注册中的商标(TM状态,注册申请时间必须满六个月,未被驳回),且商家是该品牌(商标)的商标权利人或持有该品牌(商标)的权利人出具的在拼多多开设品牌旗舰店的授权书,授权书中应明确品牌或商标授权的排他性、不可撤销性(撤销授权需提前30 天告知拼多多),开设旗舰店时以及旗舰店经营期间,该授权应在有效期内。

1.1.4.命名形式:

1.2.专卖店命名规则

1.2.1.专卖店,是指商家持非自有品牌(商标)授权文件入驻拼多多平台开设的店铺。

1.2.2.商家在拼多多平台开设专卖店,只能够经营一个授权品牌的商品。

1.2.3.命名规则

以“专卖店”命名的,品牌名应为已经注册的商标(R 状态)或正在受理注册中的商标(TM 状态,注册申请时间必须满六个月,未被驳回),且商家应持有该品牌(商标)权利人出具的销售该品牌商品的授权文件(一级授权或二级授权均可,不要求排他性),开设专卖店时以及专卖店经营期间,该授权应在有效期内。

1.2.4.命名形式:品牌名+企业商号+专卖店

1.2.5.品牌(商标)权利人出具的授权文件不应有地域限制。

1.3.专营店命名规则

1.3.1.专营店,是指入驻拼多多平台经营同一主营类目下两个及以上品牌商品的店铺。

1.3.

2.商家在拼多多平台开设专营店,可以经营自有品牌商品,也

可以经营非自有品牌商品。

1.3.3.命名规则

以“专营店”命名的,商家应为所经营商品的品牌(商标)权利人,或持有相应品牌(商标)权利人出具的销售授权文件(一级授权或二级授权均可,不要求排他性),开设专营店时以及经营品牌商品期间,相应的授权应在有效期内。

1.3.4.命名形式:企业商号+类目名称+专营店,不得以“品牌名+专营店”命名。

1.4.企业普通店铺命名规则

1.4.1.命名形式:商号+类目(可选)

1.5.海淘店铺命名规则

开店性质为海淘店铺的,除遵循上述各类店铺的命名规则外,还可以在店铺名称中使用“海淘”、“海外购”、“海外店”等能够体现海淘店铺性质的内容,例如“企业商号/品牌名+海外+专营店/专卖店/旗舰店”。

2.店铺命名限制

2.1.店铺名称不得与已经通过审核的店铺名称重复。若两个或以上店铺申请

相同的符合规定的店铺名称,拼多多依照申请在先原则核定,未通过审核的店铺需要更换店铺名称后重新提交申请。

2.2.未经拼多多许可,店铺名称、店铺标识、店铺详情等均不得使用“拼多

多特许”、“拼多多授权”或其他带有类似含义的内容。

2.3.未经相关权利人授权并提交有效证明文件,店铺名称、店铺标识、店铺

详情等均不得使用“特约经营”、“特约经销”、“总经销”、“总代理”、“厂家认证”、“官方店铺”或其他可能使买家误认为该店铺已经取得相应品牌授权的内容。

2.4.个人店铺的店铺名称不得使用“旗舰”、“专卖”、“专营”、“官方”、

“直营”、“官字”、“官方认证”、“官方授权”、“特许经营”、“特约经销”或其他带有类似含义的内容。

2.5.店铺名称不得带有电话号码、电子邮箱、网址、二维码、即时通讯工具

或其他联系信息(如QQ号码、微信号等)。

2.6.店铺名称不得包含具有下列情形的内容:

2.6.1.有损国家、社会公共利益,或有损民族尊严的;

2.6.2.侵犯他人合法权益的;

2.6.

3.夸大宣传、可能误导公众的;

2.6.4.外国国家或地区的名称;

2.6.5.国际组织的名称;

2.6.6.政治敏感信息,包括但不限于国家领导人姓名、政党名称、党政军机关名称;

2.6.7.含有封建文化糟粕、有消极政治影响,或违背少数民族习俗、带有歧视性的;

2.6.8.与经营主体无关,含有除拼多多外的其他电子商务平台信息;

2.6.9.其他违反法律法规或社会善良风俗的。

3.违规处理

3.1.商家设置的店铺名称应遵守上述命名规则及命名限制。拼多多发现店铺

名称违规(包括但不限于违反本规则、平台协议、其他平台规则或相关法律

3.2.如因相关法律法规、主管部门监管政策、平台协议或平台规则变化,导

4.品牌入驻限制

具有下列情形的品牌可能无法入驻:

4.1.以“网”、“网货”结尾的品牌。

4.2.包含行业名称或通用名称的品牌。

4.3.包含知名人士、地名的品牌。

4.4.与知名品牌相同或近似的品牌。

4.5.主要业务与拼多多主要平台业务、类目相同或近似的品牌。

5.附则

5.1.除相应条款另有说明外,本规则所称“日”、“天”均指日历日。

5.2.本规则于2016年1月12日首次生效,于2018年3月27日最新修

订生效。

5.3.本规则修订生效以前申请、修改、审核店铺名称的,适用当时的规则,

本规则修订生效以后申请、修改、审核店铺名称的,适用本规则。

芯片命名规则

MAXIM命名规则 AXIM前缀是“MAX”。DALLAS则是以“DS”开头。 MAX×××或MAX×××× 说明:1后缀CSA、CWA 其中C表示普通级,S表示表贴,W表示宽体表贴。 2 后缀CWI表示宽体表贴,EEWI宽体工业级表贴,后缀MJA或883为军级。 3 CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护 MAX202EEPE 工业级抗静电保护(-45℃-85℃)说明 E指抗静电保护 MAXIM数字排列分类 1字头模拟器 2字头滤波器 3字头多路开关 4字头放大器 5字头数模转换器 6字头电压基准 7字头电压转换 8字头复位器 9字头比较器 三字母后缀: 例如:MAX358CPD C = 温度范围 P = 封装类型 D = 管脚数 温度范围: C = 0℃ 至70℃(商业级) I = -20℃ 至+85℃ (工业级) E = -40℃ 至+85℃ (扩展工业级) A = -40℃ 至+85℃ (航空级) M = -55℃ 至+125℃ (军品级) 封装类型: A SSOP(缩小外型封装) B CERQUAD C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) D 陶瓷铜顶封装 E 四分之一大的小外型封装 F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP) J CERDIP (陶瓷双列直插) K TO-3 塑料接脚栅格阵列 L LCC (无引线芯片承载封装) M MQFP (公制四方扁平封装) N 窄体塑封双列直插 P 塑封双列直插

芯片命名规则

IC命名规则是每个芯片解密从业人员应当了解和掌握的IC基础知识,一下详细地列出了IC 命名规则,希望对你的芯片解密工作有所帮助。 一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分: ◆.前缀(首标)-----很多可以推测是哪家公司产品 ◆.器件名称----一般可以推断产品的功能(memory可以得知其容量) ◆.温度等级-----区分商业级,工业级,军级等 ◆.封装----指出产品的封装和管脚数有些IC型号还会有其它容: ◆.速率-----如memory,MCU,DSP,FPGA等产品都有速率区别,如-5,-6之类数字表示◆.工艺结构----如通用数字IC有COMS和TTL两种,常用字母C,T来表示 ◆.是否环保-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否环抱,如Z,R,+等 ◆.包装-----显示该物料是以何种包装运输的,如tube,T/R,rail,tray等 ◆.版本号----显示该产品修改的次数,一般以M为第一版本 ◆.该产品的状态 举例:EP 2C70 A F324 C 7 ES :EP-altera公司的产品;2C70-CYCLONE2系列的FPGA;A-特定电气性能;F324-324pin FBGA封装;C-民用级产品;7-速率等级;ES-工程样品MAX 232 A C P E + :MAX-maxim公司产品;232-接口IC;A-A档;C-民用级;P-塑封两列直插;E-16脚;+表示无铅产品 详细的型号解说请到相应公司查阅。 IC命名和封装常识 IC产品的命名规则: 大部分IC产品型号的开头字母,也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母,比如:MAXIM公司的以MAX为前缀,AD公司的以AD为前缀,ATMEL公司的以AT 为前缀,CY公司的以CY为前缀,像AMD,IDT,LT,DS,HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。但也有很生产厂家不是这样的,如TI的一般以SN,TMS,TPS,TL,TLC,TLV等字母为前缀;ALTERA(阿尔特拉)、XILINX(赛灵斯或称赛灵克斯)、Lattice(莱迪斯),称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。ALTERA的以EP,EPM,EPF为前缀,它在亚洲国家卖得比较好,XILINX的以XC为前缀,它在欧洲国家卖得比较好,功能相当好。Lattice一般以M4A,LSP,LSIG为前缀,NS的以LM为前缀居多等等,这里就不一一做介绍了。 紧跟前缀后面的几位字母或数字一般表示其系列及功能,每个厂家规则都不一样,这里不做介绐,之后跟的几位字母(一般指的是尾缀)表示温度系数和管脚及封装,一般情况下,C 表示民用级,I表示工业级,E表示扩展工业级,A表示航空级,M表示军品级 下面几个介比较具有代表性的生产厂家,简单介绍一下: AMD公司FLASH常识:

内存上面的标识解读

内存上面的标识解读(Memory Rank Single Rankx4) 2011-10-28 17:29:11| 分类: | 标签:|字号订阅 一组或几组Memory chips,Chips分为两种4Bits与8Bits, 由于CPU处理能力为64Bits, 如果内存要达到CPU处理能力, 就把Chips组成了Rank; 简单理解就是64Bits为1 Rank. Single Rank:1组Memory chip Dual Rank: 2 组Memory chip ,one rank per side Quad Rank: 4 组Memory chip ,two rank per side Rank并不是同时间读写, 而是使用了Memory interleaving进行读写, 这样提高了总线利用效率! 解读内存中的Bank 两种内存Bank的区别 内存Bank分为物理Bank和逻辑Bank。 1.物理Bank 传统内存系统为了保证CPU的正常工作,必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。而CPU在一个传输周期能接收的数据容量就是CPU数据总线的位宽,单位是bit(位)。内存与CPU之间的数据交换通过主板上的北桥进行,内存总线

的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽,这个位宽就称之为物理Bank(Physical Bank,简称P-Bank)的位宽。以目前主流的DDR系统为例,CPU与内存之间的接口位宽是64bit,也就意味着CPU在一个周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据,那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条Bank。不过以前有不少朋友都认为,内存的物理Bank是由面数决定的:即单面内存条则包含一个物理Bank,双面内存则包含两个。其实这个看法是错误的! 一条内存条的物理Bank是由所采用的内存颗粒的位宽决定的,各个芯片位宽之和为64bit就是单物理Bank;如果是128bit 就是双物理Bank。读到这里,大家也应该知道,我们可以通过两种方式来增加这种类型内存的容量。第一种就是通过增加每一个独立模块的容量来增加Bank的容量,第二种方法就是增加Bank的数目。由于目前内存颗粒位宽的限制,一个系统只有一个物理Bank已经不能满足容量的需要。所以,目前新一代芯片组可以支持多个物理Bank,最少的也能支持4个物理Bank。对于像Intel i845D这种支持4个Bank的芯片组来说,我们在选购内存时就要考虑一下插槽数与内存Bank 的分配问题了。因为如果选购双Bank的内存,这意味着在Intel i845D芯片组上我们最多只能使用两条这样的内存,多了的话芯片组将无法识别。这里我建议大家最好根据自己的主板所提供的内存插槽数目来选购 内存,如果主板只提供了两个内存插槽,那就不必为内存是单

IC芯片命名规则大全

IC芯片命名规则 MAXIM 专有产品型号命名 MAX XXX (X) X X X 1 2 3 4 5 6 1.前缀: MAXIM公司产品代号 2.产品字母后缀: 三字母后缀:C=温度范围; P=封装类型; E=管脚数 四字母后缀: B=指标等级或附带功能; C=温度范围; P=封装类型; I=管脚数 3.指标等级或附带功能:A表示5%的输出精度,E表示防静电 4 .温度范围: C= 0℃ 至70℃(商业级) I =-20℃ 至+85℃(工业级) E =-40℃ 至+85℃(扩展工业级) A = -40℃至+85℃(航空级) M =-55?至+125℃(军品级) 5.封装形式: A SSOP(缩小外型封装) Q PLCC B CERQUA D R 窄体陶瓷双列直插封装 C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装 D 陶瓷铜顶封装 T TO5,TO-99,TO-100 E 四分之一大的小外型封装U TSSOP,μMAX,SOT F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装(300mil) J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70(3脚,5脚,6脚) K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装 L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUAD M MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片 N 窄体塑封双列直插 / PR 增强型塑封 P 塑 料 / W 晶圆 6.管脚数量: A:8 J:32 K:5,6 8 S:4,80

B:10,64 L:4 0 T:6,160 C:12,192 M:7,4 8 U:60 D:14 N:1 8 V:8(圆形) E:16 O:4 2 W:10(圆形) F:22,256 P:2 0 X:36 G:24 Q:2,10 0 Y:8(圆形) H:44 R:3,8 4 Z:10(圆形) I:28 AD 常用产品型号命名 单块和混合集成电路 XX XX XX X X X 1 2 3 4 5 1.前缀: AD模拟器件 HA 混合集成A/D HD 混合集成D/A 2.器件型号 3.一般说明:A 第二代产品,DI 介质隔离,Z 工作于±12V 4.温度范围/性能(按参数性能提高排列): I、J、K、L、M 0℃至70℃ A、B、C-25℃或-40℃至85℃ S、T、U -55℃至125℃ 5.封装形式: D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装 E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装 F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷针阵列 ST 薄型四面引线扁平封装 H 密封金属管帽 T TO-92型封装 J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装 M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插 N 料有引线芯片载体Y 单列直插

Atmel改变命名规则的芯片型号对照表

ATMLU对应ATMEL芯片:换代选型 2011-04-25 23:57 AT24C01BN-SH-B/T ATMEL ATMLU701 DIP AT24C01B-PU ATMEL ATMLU702 DIP AT24C02B-10PU-1.8 ATMEL ATMLU703 DIP AT24C02BN-SH-B/T ATMEL ATMLU704 DIP AT24C02B-PU ATMEL ATMLU705 DIP AT24C04-10PU-2.7 ATMEL ATMLU706 DIP AT24C04BN-SH-B ATMEL ATMLU707 DI P AT24C04N-10SU-2.7 ATMEL ATMLU708 DIP AT24C08A-10PU-2.7 ATMEL ATMLU709 DIP AT24C08A-10TU-2.7 ATMEL ATMLU710 DIP AT24C08AN-10SU-2.7 ATMEL ATMLU711 DIP AT24C128-10PU-2.7 ATMEL ATMLU712 DIP AT24C128N-10SU-2.7-SL383 ATMEL ATMLU713 DIP AT24C16A-10PU-2.7 ATMEL ATMLU714 DIP AT24C16A-10TI-1.8 ATMEL ATMLU715 DIP AT24C16AN-10SU-2.7 ATMEL ATMLU716 DIP AT24C16BN-SH-B ATMEL ATMLU717 DIP AT24C256B-10PU-1.8 ATMEL ATMLU718 DIP AT24C256BN-10SU-1.8 ATMEL ATMLU719 DIP

解读内存颗粒编号含义

现代内存颗粒编号含义 现代品牌的内存在国内的销售量一直名列前茅,不少消费者选购内存时都会考虑产品的规格参数。其实,小编有一个方法可以让消费者简单直观的了解到内存的规格--解读编号含义,现在我们以现代内存为例,图解说明让大家迅速学会解读编号。 现代内存颗粒的编号是由四段字母或数字组成,如下图一所示,下面,小编就给大家分别解释,主要对内存规格进行说明。 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称--Hynix。

B部分标明的是该内存模组的生产日期,以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份,后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同,分别可以用"D5、D43、D4、J、M、K、H、L"8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500(250MHz),延迟为3-4-4;D43代表DDR433(216MHz),延迟为3-3-3;D4代表DDR400(200MHz),延迟为3-4-4;J代表DDR333(166MHz),延迟为2.5-3-3;M代表DDR266(133MHz),延迟为2-2-2;K代表DDR266A(133MHz),延迟为2-3-3;H代表DDR266B(133MHz),延迟为2.5-3-3;L代表DDR200(100MHz),延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成,分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二所示。 D部分编号12个小部分分解示意图 采用现代颗粒的内存颗粒特写

内存命名规则

内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。 下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。 三星内存颗粒 目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多,在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大,所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别,所以我们重点介绍这两部分的含义。 编码规则:K 4 X X X X X X X X - X X X X X 主要含义: 第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4,代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit 的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit 的容量;51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数

据;32代表32位数据;64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为 7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ;80为 8ns;10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位)× 16片/8bits=256MB(兆字节)。 注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Micron内存颗粒 Micron(美光)内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面

DDR命名规则

现代内存编号规则 一、DDR SDRAM: 现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期,颗粒制造厂稍有个风吹草动,都会影响到整个零售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件,更是决定着整个内存市场走势的关键。虽然,它并不是利润最高的产品,但由于是主流规格的原因,仍然是内存经销商“走量”的首选产品。 我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内存,采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号,我们可以了解到如下一些信息:这是一款DDR SDRAM内存,容量256MB,使用了8颗粒结构,并占用2个bank数,封装方式则采用了TSOP II结构。 究竟这些含义是如何被分辨出来的呢?下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。 HYNIX DDR SDRAM颗粒编号: HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14 整个DDR SDRAM颗粒的编号,一共是由14组数字或字母组成,他们分别代表内存的一个重要参数,了解了他们,就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下: 1.HY是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。 2.内存芯片类型:(5D=DDR SDRAM) 3.处理工艺及供电:(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V) 4.芯片容量密度和刷新速度:(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K

DDR3(HYNIX)编码规则

H 5 T Q XX X X X X X - XX X HYNIX MEMORY PRODUCT FAMILY POWER SUPPLY DENSITY & REFRESH ORGANIZATION NUMBER OF BANKS OPERATING TEMPERATURE & POWER CONSUMPTION SPEED(tCL-tRCD-tRP) PACKAGE TYPE DIE GENERATION : VDD=1.5V & VDDQ=1.5V : VDD=1.35V & VDDQ=1.35V 5 : DRAM Q C : 512Mb, 8K/64ms Refresh : 1Gb, 8K/64ms Refresh : 2Gb, 8K/64ms Refresh : 4Gb, 8K/64ms Refresh : 8Gb, 8K/64ms Refresh 511G 2G 4G 8G 486 : x4: x8: x16 : 8 Banks : 16 Banks 34 C L E I A : Commercial Temp 1) & Normal Power : Commercial Temp 1) & Low Power : Extended Temp 2) & Normal Power : Industrial Temp 3) & Normal Power : Commercial Temp 1) & 1.35 VDD Power P9PA PB H8H9HA G6G7G8S5S6 : DDR3-1600 9-9-9: DDR3-1600 10-10-10: DDR3-1600 11-11-11: DDR3-1333 8-8-8: DDR3-1333 9-9-9: DDR3-1333 10-10-10: DDR3-1066 6-6-6: DDR3-1066 7-7-7: DDR3-1066 8-8-8: DDR3-800 5-5-5: DDR3-800 6-6-6 F M H : FBGA SDP (Single Die Package): FBGA DDP (Dual Die Package): FBGA QDP (Quad Die Package) : 1st : 2nd : 3rd : 4th M A B C Note: 1) Commercial Temperature: 0°C ~ 85°C 2) Extended Temperature: -25°C ~ 85°C 3) Industrial Temperature: -40°C ~ 85°C 4) ROHS : Restriction Of Hazardous Substances : 5th : 6th : 7th : 8th D E F G PACKAGE MATERIAL L P R : Leaded : Lead Free (ROHS 4) compliant): Lead Free & Halogen Free (ROHS 4) compliant) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 PRODUCT MODE T : DDR3 SDRAM

芯片命名规则

芯片命名规则 一、分立器件(除三扩系列)及集成电路芯片命名方式 X X 表示必须 表示可选 (10) (9) (8) (7) (6) (5) (4) (3) (2) (1) (1) 1位大写英文字母,表示晶圆尺寸。 W 表示5吋晶圆;S 表示6吋晶圆;E 表示8吋晶圆。 (2) 1位数字或大写英文字母,表示芯片种类。 1表示二极管;2表示三极管、MOS 管;3表示可控硅;B 代表双极型集成电路;C 代表MOS 型集成电路;M 代表混合型集成电路等。 (3) 1位大写英文字母,表示产品版权。 X 代表新顺公司自主开发产品;其余代表客户定制产品。 (4) 1位大写英文字母,表示系列代码 三极管系列:N 表示NPN 双极型晶体管、P 表示PNP 双极型晶体管、D 表示达林顿管; 二极管系列:A 表示阻尼二极管、K 表示开关二级管/快恢复二极管、T 表示TVS 二极管、S 表示平面结构肖特基二极管、Z 表示整流二极管、V 表示沟槽结构肖特基二极管;W 表示稳压二极管; 可控硅系列:R 表示可控硅; MOS 结构系列:M 表示VDMOS 管、B 表示超势垒MOS 结构二极管(SBR ); 集成电路系列:表示不同版图结构,A 、B 、C 、D 、……依次区分。 (5) 4位数字,表示管芯尺寸。 管芯为正方形时,采用边长表示管芯尺寸;管芯为长方形时,用面积的平方根表示管芯尺寸。其中末位数字为0、5表示正方形,其余表示长方形。 ① 边长或面积的平方根<10mm ,管芯尺寸为xxxx ×1μm ,精确到1μm 。如:0.215mm 表示 为0215、1.5mm 表示为1500; ② 边长或面积的平方根>10mm ,管芯尺寸为xxxx ×10μm ,精确到10μm ,首位用大写英文

2012年最新内存命名规则

2012年最新内存命名规则 三星内存 目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多,在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大,所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别,所以我们重点介绍这两部分的含义。 编码规则:K 4 X X X X X X X X - X X X X X 主要含义: 第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4,代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G 代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。 64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量; 28、27、2A代表128Mbit的容量; 56、55、57、5A代表256Mbit的容量; 51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为 7ns;7B为7.5ns (CL=3);

7C为7.5ns (CL=2) ;80为 8ns;10 为10ns (66MHz)。 例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位) × 16片/8bits=256MB(兆字节)。 注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。 关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况: 一种是非ECC 内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 三星型号详解 K9×××××:Nand Flash K8×××××:Nor Flash K7×××××:Sync SRAM(同步SRAM,带clock,速度快,网络产品,6个晶体管) K6×××××:Aync SRAM(异步SRAM,不带clock,速度快,手机产品,6个晶体管) K5×××××:MCP(相当于K1+K8+K9) K4×××××:DRAM

TI芯片的命名规则

T I芯片的命名规则集团标准化工作小组 #Q8QGGQT-GX8G08Q8-GNQGJ8-MHHGN#

例如: 说明: (A)指产品线代码 产品线代码用于区分不同的产品类型,因TI产品线非常广,故同一代码有可能包含一个或多个产品线又或多种代码表示同一种产品线,如例图所示TLV包含电源管理器、运算放大器、数据转换器、比较器、音频转换器等系列产品;SN74LVC为74系列逻辑电路,因工作电平、电压、速度、功耗不同又分为74HC、74LS、74LV、74AHC、74ABT、74AS等系列。 (B)指基本型号 基本型号(也称为基础型号)用于区分不同的产品类型,与封装、温度及其它参数无关。 (C)指为产品等级 产品等级表示产品工作温度,为可选项。 C=商业级,工作温度范围为0°C至+70°C I或Q=工业级,因产品不同其所表示的工作温度范围也不同,一般为-40°C至+85°C、-40°C至 +125°C 未标识等级代码,因产品不同其所表示的工作温度范围也不同,一般为-40°C~+85°C,- 55°C~+100°C等。 (D)指产品封装 产品封装代码以1-3位数的英文代码表示(BB产品线中存在超过3位数的代码符号),详细封装信息请对照“封装代码对照表”。 (E)指产品包装方式 产品包装代码为可选项,TI通用器件中包装方式代码标识为R表示以塑料卷装方式包装,未标识则表示为塑料管装方式包装。 (F)指绿色标记转换:G4 绿色标记的转换:从 2004 年 6 月 1 日开始,当 TI 器件/封装组合转换成“环保”复合成型材料时,TI 将把无铅 (Pb) 涂层类别中的 "e" 更改为 "G"。例如,在实施环保复合成型材料之前,TI 采用 NiPdAu 涂层所制造器件的无铅 (Pb) 涂层类别为 "e4"。实施后,该无铅 (Pb) 涂层类别将更改为 "G4"。(在无铅 (Pb) 涂层类别中将 "e" 替换成 "G" 目前还不属于 JEDEC 标准的一部分,但会对 TI 产品实施这一步。) (G)指产品版本 无规律,详见产品规格书。 BGA CUS, GDH, GDJ, GDP, GDQ, GDU, GDW, GDY, GEA, GFM, GFN, GFS, GFT, GFU, GFV, GFW, GFX, GGC, GGD, GGE, GGH, GGN, GGP, GGQ, GGR, GGS, GHQ, GJQ, GJY, GJZ, GKN, GKP, GKQ, GKZ, GLM, GLW, GND, GNH, GNP, GNT, GPG, GPV, GVM, GWM, SAE, ZAJ, ZAK, ZAL, ZAY, ZBD, ZCF, ZCH, ZCJ, ZDB, ZDH, ZDJ, ZDL, ZDP, ZDQ, ZDR, ZDT, ZDU, ZDW, ZDY, ZEA, ZED, ZEL, ZEN, ZER, ZEW, ZFE, ZJZ, ZKB, ZND, ZPV, ZVA, ZWD, ZWF, ZWG, ZWL, ZWM, ZWQ, ZXF, ZXN, ZXQ BBGA MICROSTAR GFZ, GGB, GGF, GGM, GGT, GGU, GGV, GGW, GHA, GHB, GHC, GHG, GHH, GHJ, GHK, GHV, GHZ, GJG, GJJ, GKE, GKF, GKV, GPH, GZA, GZG, GZY, GZZ, ZGM, ZGU, ZGV, ZGW, ZHC, ZHH, ZHK, ZHZ, ZKE, ZKF, ZPH, ZZA, ZZG, ZZZ

国外IC芯片命名规则

MAXIM专有产品型号命名 MAX XXX (X) X X X 1 2 3 4 5 6 1.前缀:MAXIM公司产品代号 2.产品字母后缀: 三字母后缀:C=温度范围;P=封装类型;E=管脚数 四字母后缀:B=指标等级或附带功能;C=温度范围;P=封装类型;I=管脚数 3.指标等级或附带功能:A表示5%的输出精度,E表示防静电 4 .温度范围:C= 0℃至70℃(商业级) I =-20℃至+85℃(工业级) E =-40℃至+85℃(扩展工业级) A = -40℃至+85℃(航空级) M =-55℃至+125℃(军品级) 5.封装形式: A SSOP(缩小外型封装) Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装) B CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil) C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装 D 陶瓷铜顶封装T TO5,TO-99,TO-100

E 四分之一大的小外型封装U TSSOP,μMAX,SOT F 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装(300mil) J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70(3脚,5脚,6脚) K TO-3 塑料接脚栅格阵列Y 窄体铜顶封装 L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUAD M MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片 N 窄体塑封双列直插/ PR 增强型塑封 P 塑封双列直插/ W 晶圆 6.管脚数量: A:8 J:32 K:5,68 S:4,80 B:10,64 L:40 T:6,160 C:12,192 M:7,48 U:60 D:14 N:18 V:8(圆形) E:16 O:42 W:10(圆形) F:22,256 P:20 X:36

STM32芯片型号的命名规则

STM32芯片型号的命名规则 一 STM32F105和STM32F107互连型系列微控制器之前,意法半导体已经推出STM32基本型系列、增强型系列、USB基本型系列、增强型系列;新系列产品沿用增强型系列的72MHz 处理频率。内存包括64KB到256KB闪存和 20KB到64KB嵌入式SRAM。新系列采用LQFP64、LQFP100和LFBGA100三种封装,不同的封装保持引脚排列一致性,结合STM32平台的设计理念,开发人员通过选择产品可重新优化功能、存储器、性能和引脚数量,以最小的硬件变化来满足个性化的应用需求。 截至2010年7月1日,市面流通的型号有: 基本型:STM32F101R6 STM32F101C8 STM32F101R8 STM32F101V8 STM32F101RB STM32F101VB 增强型:STM32F103C8 STM32F103R8 STM32F103V8 STM32F103RBSTM32F103VB STM32F103VE STM32F103ZE STM32型号的说明:以STM32F103RBT6这个型号的芯片为例,该型号的组成为7个部分,其命名规则如下: (1)STM32:STM32代表ARM Cortex-M3内核的32位微控制器。 (2)F:F代表芯片子系列。 (3)103:103代表增强型系列。 (4)R:R这一项代表引脚数,其中T代表36脚,C代表48脚,R代表64脚,V代表100脚,Z代表144脚。 (5)B:B这一项代表内嵌Flash容量,其中6代表32K字节Flash,8代表64K字节Flash,B代表128K字节Flash,C代表256K字节Flash,D代表384K字节Flash,E代表512K字节Flash。 (6)T:T这一项代表封装,其中H代表BGA封装,T代表LQFP封装,U代表VFQFPN 封装。 (7)6:6这一项代表工作温度范围,其中6代表-40——85℃,7代表-40——105℃。 二 从上面的料号可以看出以下信息: ST品牌ARM Cortex-Mx系列内核32位超值型MCU,LQFP -48封装闪存容量32KB 温度范围-40℃-85℃; 1.产品系列: STM32代表ST品牌Cortex-Mx系列内核(ARM)的32位MCU; 2.产品类型: F:通用快闪(Flash Memory);

常用内存命名规则

常见内存芯片命名 2010-06-08 21:13:23| 分类:个人日记| 标签:|字号大中小订阅 三星(Samsung)内存 具体含义解释: 例:SAMSUNG K4S283232E-TC60 SDRAM K4H280838B-TCB0 DDR K4T51163QE-HCE6 DDR2 K4B1G164E-HCE7 DDR3 主要含义: 第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4,代表DRAM。9代表NAND FLASH 第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、T代表DDR2、B代表DDR3、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A 代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit 的容量。 第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为7ns;7B为7.5ns(CL=3);7C 为7.5ns(CL=2);80为8ns;10为10ns(66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位)×16片/8bits=256MB(兆字节)。 注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义: HY57V281620FTP-H H57V2562GTR-75C(新版)SDRAM HY5DV641622AT-36 H5DU5162ETP-E3C DDR HYXXXXXXXXXXXXXXXX 123456789101112

FLASH命名规则

今天找三星闪存资料,发现了他的命名规则,发上来与大家分享下. 三星的pure nand flash(就是不带其他模块只是nand flash存储芯片)的命名规则如下: 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed OneNand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density(注:实际单位应该是bit,而不是Byte) 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G

三星闪存芯片命名规律

三星闪存芯片命名规律 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed OneNand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B)

S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 4-5. Density 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G 2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G AG : 16G BG : 32G CG : 64G DG : 128G 00 : NONE 6-7. organization 00 : NONE

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