第三章 基础特征--扫描
第三章薄膜材料的表征方法-PPT
❖ 由此可见,Ψ 与△直接反映出反射前后光波偏振状态得变化。 在波长、入射角、衬底等确定得条件下,Ψ 与△就是膜厚与 薄膜折射率( n) 得函数,写成一般函数式为Ψ = Ψ( d , n) , △= △( d , n)
❖ 椭偏光谱学就是一种利用线偏振光经样品反射后转变
为椭圆偏振光这一性质以获得样品得光学常数得光谱 测量方法,它区别于一般得反射透射光谱得最主要特 点在于不直接测算光强,而就是从相位空间寻找材料 得光学信息,这一特点使这种测量具有极高得灵敏度。
❖ 椭偏光谱仪有多种结构,如消光式、光度式等,消光式 椭偏仪通过旋转起偏器与检偏器,对某一样品,在一定 得起偏与检偏角条件下,系统输出光强可为零。由消 光位置得起偏与检偏器得方位角,就可以求得椭偏参 数。然而,这种方法在具有较大背景噪声得红外波段
❖30keV左右得能量得电子束在入射到样品表面之后,将
与表面层得原子发生各种相互作用,产生二次电子、背散
射电子、俄歇电子、吸收电子、透射电子等各种信号(如
图3-2)。
从图3－2中瞧到,入射电子
束与样品表面相互作用可
产生7种信息。其中最常
用于薄膜分析得就是背散
射电子、二次电子与特征
X射线。前两种信息可用
内层电子电离,驰豫过程产生得另一能 级上电离得电子产生于样品表面几个 原子层
任何部位得元素分析与元素分布 图
样品表面薄层中得轻元素分析与 元素分布图
3、2、2 原子力显微镜(AFM)分析
❖ 将扫描隧道显微镜(SEM)得工作原理与针式 轮廓曲线仪原理结合起来,制成了原子力显 微镜(Atomic Force Microscopy, AFM)。这 种结构首先就是Binnig(诺贝尔奖金获得者) 等人在1986年提出得。这种新型得表面分 析仪器就是靠探测针尖与样品表面微弱得 原子间作用力得变化来观察表面结构,得到 得就是对应于表面总电子密度得形貌。
湘教版解读-31二次根式
第三章 二次根式 3.1 二次根式Ⅰ.核心知识点扫描1．二次根式的定义：形如a （a ≥0）的式子叫做二次根式. 2．二次根式的性质： （1）非负性：)0(0≥≥a a（2）平方关系：)0()(2≥=a a a（3）与绝对值结合：⎩⎨⎧<-≥==)0()0(2a a a a a aⅡ.知识点全面突破知识点1：二次根式的概念（重点）一般地，我们把形如a （a ≥0）的式子叫做二次根式，“”称为二次根号，二次根号下的a 叫做被开方数.【拓展延伸】（1）二次根式都含有二次根号“”.（2）在二次根式中，被开方数a 必须满足a ≥0，当a<0时，根式无意义.（3）在二次根式中，被开方数a 既可以是具体的数，也可以是单项式或多项式. （4）二次根式a （a ≥0）是a 的算术平方根，所以0≥a . 例：不论x 取何值，下列式子一定是二次根式的是（ ）A.2--xB.xC.22+x D.22-x解：根据定义，形如)0≥a a （的式子为二次根式. 因为22+x 一定为正数，所以22+x 一定是二次根式，故选C .点拨：判断一个式子是否是二次根式，要看它是否具备两个特征：□C （1）带二次根号“”；(2) 被开方数为非负数.知识点2：二次根式的性质（难点）性质1：二次根式的双重非负性：（1）a 是非负数；（2）a 的被开方数a 是非负数.性质2：2()a a =（a ≥0），即一个非负数的算术平方根的平方等于它本身；性质3：⎩⎨⎧<-≥==)0()0(2a a a a a a .例1：计算：(1)23()5，(2)2(22)- ，(3))0()2(2≥x x ，(4)222)(y x +. 解：(1) 23()5=35. (2)2(22)-= 2(22)=8.(3))0(2)2(2≥=x x x .(4) 222)(y x +=22y x +.点拨：二次根式a 是一个非负数，2()a a =（a ≥0），这个性质是逆用平方根的意义得出结论，要注意结论成立的条件是a ≥0.例2：对下列各式进行化简.（1）2)6(-；（2）26；（3）22)4(+a ；（4）)1(122≥+-x x x解：（1）2)6(-=6-=6. (2) 26=6.(3) 22)4(+a =42+a . (4))1(1)1(1222≥-=-=+-x x x x x .点拨：□C 化简二次根式的结果一定要符合非负性.Ⅲ.提升点全面突破提升点1：二次根式有意义的条件例：当x 是多少时，23x +＋11x +在实数范围内有意义？ 解：依题意，得23010x x +≥⎧⎨+≠⎩由①得：x ≥-32由②得：x ≠-1当x ≥－32且x ≠－1时，23x +＋11x +在实数范围内有意义． 点拨：求函数自变量的取值范围或使一个代数式有意义的未知数的取值范围通常有□C 三种情况：一是分母不为零，二是偶次方根的被开方数是非负数，三是零次幂的底数不为零.提升点2：利用二次根式的非负性化简例1：实数a b ，在数轴上的对应点如图所示，化简2244a ab b a b -+++的结果为 ．解：由数轴可知 0b a <<，所以20a b ->，0a b +<，所以bb a b a b a b a b a b a b a b ab a 322)2(44222-=---=++-=++-=+++-点拨：解决本题的关键是灵活运用数轴与实数的关系、二次根式的性质和绝对值的意义.例2：若y x 、为实数，且,22112+-+-<x x y 化简22--y y .解：∵21122y x x <-+-+，∴210,120.x x -≥⎧⎨-≥⎩故210x -=，∴12x =， 代入原不等式得2,y <∴22 1.22y yy y --==--- 点拨：要化简22y y --关键是确定y 的取值范围，从而去掉绝对值符号。
第3章 CATIA V5实体零件设计
续。。。。。。
特征修饰与操作
特征修饰菜单
Edge Fillet 棱边倒圆 Variable Radius Fillet 变半径倒圆 Face-Face Fillet 面-面倒圆 Tritangent Fillet 三面切圆 Chamfer 倒角 draft angle 拔模 Draft Reflect Lines 根据反射线拔模 Variable Draft 变角度拔模
Ribs肋和 Slots沟
沿一条导引线将一个Profile扫掠而生成实体，Ribs是生成；Slots是去除。
Rib
Profile
Guide Curve
Slots
创建加强筋（Stiffener）
此功能用来快速创建筋类特征，轮廓线可以封闭也可以不封闭。不封闭时，两端的切向延长线应与已有实体相交。
放样体(loft)详解
此命令与创建带拔模倒圆的拉伸体操作类似，它是在创建凹坑的时候一次完成拔模和棱边倒圆的操作。
拉伸高度 选择实体表面 作为限制元素 拔模角度
侧棱圆角
顶面圆角 底面圆角
反转方向
创建多轮廓剖切（Multi-pocket）
此功能与创建多轮廓拉伸体相似，也同时拉伸一个草绘图中多个轮廓，并且赋给不同的轮廓以不同的 高度值。选择草绘图和该功能以后，在对话窗口中会自动显示草绘图封闭的轮廓数量，选中其中任意一个 可以赋给相应的高度值。
2) 轮廓线允许为多条封闭曲线，但要求多条轮 廓线间不能有相交情况
预览
结果
创建带拔模倒圆的拉伸体（drafted filleted pad）
此命令结合了拉伸、拔模、倒圆三种功能，在创建拉伸实体的时候一次完成拔模和棱边倒圆的操作，简化 了操作步骤。此特征不能作为第一个特征存在，因为在定义参数时需要选择已知实体的端面作为限制面。 选择实体表面作为限制面
SolidWorks2012中文版从入门到精通——第3章：基础特征建模
SOLIDWORKS_2012中文版从入门到精通第三章基础特征建模在SW中，特征建模一般分为基础特征建模和附加特征建模两类。
基础特征建模是三维实体最基本的绘制方式，可以构成三维实体的基本造型，基础特征建模相当于二维草图中的基本图元，是最基本的三维实体绘制方式。
基础特征建模主要包括拉伸特征、拉伸切除特征、旋转特征、旋转切除特征、扫描特征与放样特征等。
一、特征建模基础SW提供了专用的“特征”工具栏，如下图所示，单击工具栏中的相应图标就可以对草图实体进行相应的操作，生成需要的特征模型。
二、参考几何体参考几何体主要包括基准面、基准轴、坐标系与点4个部分。
参考几何体操控板如下图：1、基准面基准面主要用于零件图和装配图中，可以利用基准面来绘制草图，生成模型的剖面视图，用于拔模特征中的中性面等。
SW提供了前视基准面、上视基准面和右视基准面3个默认的相互垂直的基准面。
创建基准面有6种方式，分别是：通过直线/点方式、点和平行面方式、夹角方式、等距距离方式、垂直于曲线方式与曲面切平面方式。
1、通过直线/点方式该方式创建的基准面有3种：通过边线、轴；通过草图线及点；通过三点。
2、点和平行面方式该方式用于创建通过点且平行于基准面或者面的基准面。
3、夹角方式该方式用于创建通过一条边线、轴线或者草图线，并与一个面或者基准面成一定角度的基准面。
4、等距距离方式该方式用于创建平行于一个基准面或面，并等距指定距离的基准面。
5、垂直于曲线方式该方式用于创建通过一个点且垂直于一条边线或者曲线的基准面。
6、曲面切平面方式该方式用于创建一个与空间面或圆形曲面相切于一点的基准面。
2、基准轴基准轴通常在草图几何体或者圆周阵列中使用。
每一个圆柱和圆锥面都有一条轴线。
临时轴是由模型中的圆锥和圆柱隐含生成的，可以单击菜单栏中的“视图”→“临时轴”命令来隐藏或显示所有的临时轴。
创建基准轴有5种方式，分别是：直线/边线/轴方式、两平面方式、两点/顶点方式、圆柱/圆锥面方式与点和面/基准面方式。
实体特征建模
❏ 拉伸特征由截面轮廓草图通过拉伸得到的。当拉伸一个轮廓时，需要选择 拉伸类型。拉伸PropertyManager定义拉伸特征的特点。拉伸可以是基体 （这种情形总是添加材料）、凸台（此情形添加材料，通常是在另一拉伸 上）、或切除（移除材料）。
❏ 拉伸凸台/基体是以一个或两个方向拉伸一草图或绘制的草图轮廓来生成一 实体。在基体特征中，大部分基体特征为拉伸。基准面：可以在零件或装 配体文档中生成基准面。可以使用基准面来绘制草图，生成模型的剖面视 图，以用于拔模特征中的中性面，等等。
♦ 路径对齐类型。该选项在方向/扭转类型中的随路径变化中被选择时可
用。当路径上出现少许波动和不均匀波动，使轮廓不能对齐时，可以 将轮廓稳定下来。包括扩两个选项：无，表示垂直于轮廓而对齐轮廓， 不进行纠正；最小扭转（只对于 3D 路径），用于阻止轮廓在随路径变 化时自我相交。我们选择第一项无。
♦ 合并切面。用于如果扫描轮廓具有相切线段，可使所产生的扫描中的
一个零件文件。
♦ 在前视基准面上绘制草图φ17.6的圆，如图3-2
所示。
♦ 单击【特征】工具栏上的【拉伸凸台/基体】
按钮 ，打开拉伸凸台/基体操控板。
♦ 对拉伸凸台/基体属性设置，在“从”中选择
“草图基准面”，在“方向1”中选择“给定 深度”，在深度 中输入“6.4”，如图3-3 所示。
图3-2 绘制草图
所选草图测量。
♦ 薄壁特征：选择薄壁特征并设定这些选项。 ♦ 类型：定义厚度的方向。单向：从草图以单一方向添加薄壁体积。如有
必要，单击 反向来反转薄壁体积添加的方向；两侧对称：通过使用 草图为中心，在草图两侧均等应用薄壁体积来添加薄壁体积；双向：在 草图两侧添加薄壁体积，方向1厚度 从草图向外添加薄壁体积，方 向2厚度 从草图向内添加薄壁体积。
扫描电镜(SEM)精品课件-3
必须指出，这里所讲的透射电子是指由直径很 小（通常小于100Å）的高能入射电子束照射样品微 区时产生的，因此，这一信号的强度仅取决于样品 微区的厚度、成分、晶体结构和位向。
3.1.5 等离子激发
入射电子
－
＋＋
－
－
＋＋
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＋＋
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＋＋
－
入射电子引起价电子云集体振荡
3.1.5 等离子激发
入射电子导致晶体的等离子激发也会伴随能量的 损失。由于等离子体振荡的能量也是量子化的，并有 一定的特征能量值，因此，在等离子体激发过程中， 入射电子的能量损失也具有一定的特征值，并随元素 和成分的不同而异，如下表所示。
3.2.3 二次电子
由于价电子结合能很小，对于金属来说大致在 10eV左右。内层电子结合能则高得多（有的甚至高 达10keV以上），相对于价电子来说，内层电子电 离几率很小，越是内层越小。一个高能入射电子被 样品吸收时，可以在样品中产生许多自由电子，其 中价电子电离约占电离总数的90％。
所以，在样品表面上方检测到的二次电子绝大都 分是来自价电子电离。
3.1.3 非弹性散射
非弹性散射机制
单电子激发 等离子激发 声子激发 韧致辐射
3.1.4 单电子激发
样品内原子的核外电子在受到入射电子轰击时，有可能 被激发到较高的空能级甚至被电离。价电子与原子核的结合 能很小，被激发时只引起入射电子少量的能量损失和小角度 散射。芯电子的结合能较大，受到入射电子激发时需要消耗 它较多的能量，并发生大角度散射。
第三章 基本实体特征造型
第三章基本实体特征造型SOLIDWORKS软件具有比较强的实体造型功能，而且操作方便。
在进入SOLIDWORKS 零件设计环境以后，用户可以在“文件”菜单中选择“新建”。
这时出现一个“新建Solidworks 文件”对话框。
在这个对话框中有三个选项，即：零件（Part）、装配（Assembly）、工程图（Drawing），分别对应：零件设计环境、装配设计环境和二维工程图设计环境。
其实SOLIDWORKS软件中还有一个功能模块：钣金设计。
该功能安排在零件设计中的“特征”中。
进入到零件设计环境后，首先要做的是进行草图设计（Sketch），基体特征就是在草图设计的基础上建立的。
基体特征也就是第一个特征，如果将SOLIDWORKS设计过程比喻成雕塑过程，基体特征就是最初的材料，然后根据设计需要进行加操作或减操作。
基体特征和切除特征的类型相同，他们是：拉伸特征（EXTRUDE）、旋转特征（REVOLVE）、扫描特征（SWEEP）、放样特征（LOFT）、加厚度（THICHEN），操作过程基本相同，只是它们所得到的效果一个是加，而一个是减。
3.1 基本体特征3.1.1 拉伸特征（EXTRUDE）所谓拉伸，就是在完成剖面草图设计后，沿着剖面的垂直方向长出体积，如图3-1所视。
图3-11、基本操作过程：1）首先进行剖面草图设计，对剖面草图的要求是不能有不封闭的轮廓，轮廓线也不能自相交。
在进行剖面草图设计时可以进行尺寸约束和关系约束。
2）在完成剖面草图后，直接执行“拉伸特征”功能，就会出现一个“拉伸特征”对话框，在该对话框中完成必要的参数设置。
其实当用户在进行参数设置时，绘图区中的线框模型就在根据参数变化。
3）按“确定”按键即可完成。
2、实例一：拉伸一个螺帽1）进入零件设计环境后，系统自动建立一个名为Part1文件（如果再建立新零件，名称自动为Part2、Part3，依此类推。
）2）画出如图3-2所示的剖面，并标上尺寸，然后将尺寸修改为100和60。
数据与计算必修1知识点复习(第一、二、三章)课件
什么是算法(algorithm)?
算法就是解决问题 的方法和步骤
• 算法有优劣之分 • 解决问题的步骤多少不
是衡量算法优劣的依据
算法的特征：
• 有穷性：算法的步骤必须是有限的 • 确定性：算法每一步必须有明确的意义 • 输出：算法必须保证有结果输出，可以有一
个或者多个 • 输入：算法可以有0个或多个输入 • 可行性：原则上用纸笔也可精确算出结果
• 智慧：是应用知识解决问题的实践创新能力。 • 智慧是达到预定目标，所具有获取、选择、应用知识解决问题的实践创新能力
第二章 知识和数字化学习
2.2数字化学习与创新 数字化工具与资源
1.思维导图
2.网络画板
电压 电流 电阻之间的关系
2.实验类平台
总结：
1.数字化工具与资源的优势
1.获取便捷 2.形式多样 3.资源共享 4.平台互动 5.内容扩展
真伪性 时效性
价值相对性
第一章 知识点补充(结合题目使用)
认识二进制、八进制、十六进制与十进制的关系
第一章 知识点补充(结合题目使用)
二进制
存储基本单位是字节（Byte简称B）。一个字节由8个二进制位（bit）组成。 一个字符用一个字节，也就是8个二进制位存储。 一个汉字用2个字节，也就是16个二进制位存储。 其他常用单位： 千字节（KB，1KB=1024B） 兆字节（MB，1MB=1024KB=1024×1024B） 吉字节（GB，1GB=1024MB=1024×1024KB=1024×1024×1024B）
结束
流程框图标准
美国国家标准化协会 (American National Standard
Institute,简称ANSI)
开始结束框 输入输出框 处理框 判断框 流程线
3第三章 细胞形态结构的观察
第三章细胞生物学的研究方法归纳起来大体上可划分为四大类：形态观察、生化分析、生理检测、实验性操作技术。
第一节细胞形态结构的观察方法光学显微镜（light microscope ）电子显微镜（electron microscope）扫描隧道显微镜（scanning tunneling microscope）（一）普通显微镜0.2um由聚光器、物镜和目镜三部分组成。
普通显微镜最大放大倍数1000－1500倍，因为它的分辨率有限，再放大也是空放大分辨率（resolution）：能将物体相近两点分辨清楚的距离极限D代表分辨力：D= 0.61λ / N.A.λ代表光波波长；N. A. 为镜口率，也称数值孔径（Numerical aperture)。
N. A. =n·Sin α/2N:物镜与标本间介质的折射率；（1或1.515）α:镜口角（聚光焦点对物镜镜口的张角，<180º）通过公式可知光学显微镜最大分辨率0.2um，减小分辨率需减小λ显微镜的几个光学特点：介质折射率越接近镜头玻璃的（ 1. 7 ）越好。
sinα/2的最大值小于1；普通光线的波长为400~700nm，光镜分辨力约为0.2μm，人眼的分辨力为0.2mm，因此显微镜的最大有效倍数为1000X。
（二）紫外线显微镜（ultraviolet microscope）0.1um根据光学原理，光源光波越短，显微镜的分辨本领越大。
紫外线显微镜以紫外线为光源，分辨率可提高一倍。
可看到在普通光学显微镜下看不到的胶体颗粒。
可用来测定细胞中的核酸含量。
透镜：石英、萤石（CaF2)、碳酸锂等制作。
价格昂贵，使用受限。
（三）荧光显微镜（fluorescent microscope）20世纪40年代在紫外线显微镜基础上发明。
原理：细胞中有些物质，如叶绿素等，受紫外线照射后可发荧光；另有一些物质本身虽不能发荧光，但如果用荧光染料或荧光抗体染色后，经紫外线照射也可发荧光。
第三章 SEM电镜图象解释
20 Å左右的截向，则形成很多很多柱体。
计算每个柱体下表面的衍射强度，汇合
一起就组成一幅由各柱体衍射强度组成
的衍衬象，这样处理问题的方法，称为
柱体近似。
苏 玉 长
第四节完整晶体衍射运动学解释
根据上述假设,将晶体分成许多晶粒,晶粒平 行于Z方向,每个晶粒内部含有一列单胞,每个单 胞的结构振幅为F,相当于一个散射波源,各散射 波源相对原点的位置矢量为： R n = x n a+ y n b+ z n c a, b , c 单胞基矢,分别平行于x,y,z轴; x n ,y n ,z n 为各散射波源坐标. 对所考虑的晶格来说 x n = y n=0. 各散射波的位相差 α=Δk· n . R 因此,P0处的合成振幅为: R (Z Φg=F ∑n e-2πi Δk· n = F ∑n e-2πi Δk· n c)
苏 玉 长
苏 玉 长
晶面反射并受到物镜光栏挡住，因此，在荧光 屏上就成为暗区，而OB晶粒则为亮区，从而 形成明暗反差。由于这种衬度是由于存在布拉 格衍射造成的，因此，称为衍射衬度。 设入射电子强度为IO，(hkl)衍射强度为Ihkl，则 A晶粒的强度为IA= IO- Ihkl，B晶粒的为IB= IO， 其反差为IA/ IB= (IO- Ihkl)/ IO。 明场像——上述采用物镜光栏将衍射束挡掉， 只让透射束通过而得到图象衬度的方法称为明 场成像，所得的图象称为明场像。
苏 玉 长
① 质厚衬度
由于试样的质量和厚度不同，各部分对入射电 子发生相互作用，产生的吸收与散射程度不同， 而使得透射电子束的强度分布不同，形成反差， 称为质-厚衬度。
② 衍射衬度
衍射衬度主要是由于晶体试样满足布拉格反射 条件程度差异以及结构振幅不同而形成电子图 象反差。它仅属于晶体结构物质，对于非晶体 试样是不存在的。
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如果在已有的轨迹曲线中选择轨迹线，会显示所示的〖链〗 菜单，利用该菜单可采用不同的方式选择曲线。
依次：对已有的边线进行逐一选取作为扫描轨迹线。 相切链：在一条曲线链中，单击一条边，所有从它出发 的边线，只要链点是切点，其相连边线自动被选中，直到 该链点不为切点为止。 曲线链：选择曲线链中的边作为扫描轨迹。 边界链：通过选取1个曲面，并使用其单侧边来定义轨迹； 1 若曲面有多个环，可选择1个特征环来定义。 曲面链：通过选取1个面，并使用该面的边来定义轨迹。 目的链：通过选择模型中预先定义的边集来定义。 选取：根据选中的链类型，进行边线、曲线的选择。 撤销选取：撤销当前曲线或边的选择。 修剪/延伸：对选择的曲线进行裁剪或延长。 起始点：选择扫描曲线的开始点。 完成：单击该键完成轨迹曲线的设定。 退出：单击该键终止链选择，返回到上一级菜单。
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建立扫描特征的操作步骤如下： 建立扫描特征的操作步骤如下： 单击菜单【插入】→【扫描】→【伸出项】（如果建立减 料特征选【切口】选项）。 在〖扫描轨迹〗菜单中选择创建轨迹线的方式。 如果在步骤 中，选择的是【草绘轨迹】，则需定义绘图 面与参考面，然后绘制轨迹线；如果选择【选取轨迹】，则需 在绘制区中选择一条曲线作为轨迹线。 如果轨迹线为开放轨迹并与实体相接合，则应确定轨迹的 首尾端为【自由端点】还是【合并终点】。如果轨迹为封闭的， 则需配合截面的形状选择【增加内部因素】或【无内部因素】 选项。 在自动进入的草绘工作区中绘制扫描截面并标注尺寸（注： 位置尺寸的标注必须以轨迹起点的十字线的中心为基准）。 完成后，单击模型对话框中的【预览】按钮，观察扫描结 果，单击鼠标中键完成扫描特征。
1.
绘制扫描部分
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5.6.2 扫描绘制 绘制出剩余部分
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5.6.4 扫描工具强化练习题
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5.2 扫描特征
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5.2.1 壳特征
抽壳——用于移除模型表面，是实体成为 一个薄壁件。
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5.2.2 实体扫描特征
1.
利用旋转和壳特征绘制杯身
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5.3 扫描特征----扫描的内部选项 扫描特征----扫描的内部选项
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5.3.2 修改问自由端点
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5.4 增加内部因素
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5.5 无内部因素
得到圆环，内部无填充
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5.6 扫描实例一(1.1) 扫描实例一(1.1)
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5.6.1上端盖的绘制 5.6.1上端盖的绘制
1.
利用拉伸工具绘制
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5.6.2 扫描绘制 (1.2)
第05章：实体扫描特征与壳特征 05章：实体扫描特征与壳特征
Pro/Engineer wildfire 3.0 Hongmei Chen
Hale Waihona Puke 湖南涉外经济学院教学目标
通过本章的学习，同学们应掌握Pro/E实体扫描特征 壳特征的基本命 实体扫描特征和壳特征 令。
教学重点与难点
扫描特征的生成方法； 壳特征的生成方法； 特征生成失败的解决方法
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5.1 扫描特征
扫描是将二维截面沿着指定的轨迹线扫描生成三维实体特征， 使用扫描建立增料或减料特征时首先要有一条轨迹线，然后再 建立沿轨迹线扫描的特征截面。
单击菜单【插入】→【扫描】→【伸出项】（或【切口】选 项），会显示如图所示的〖扫描轨迹〗菜单。 草绘轨迹：在草绘图中绘制扫描轨迹线。 选取轨迹：选择已有的曲线作为扫描轨迹线。