实验报告-集成霍尔传感器测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场

实验报告-集成霍尔传感器测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场
实验报告-集成霍尔传感器测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场

大学物理实验报告

实验3-9 集成霍尔传感器测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场

一、 实验名称:

集成霍尔传感器测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场

二、 实验目的:

1、掌握霍尔效应原理测量磁场;

2、测量单匝载流原线圈和亥姆霍兹线圈轴线上的磁场分布。

三、 实验器材:

1、亥姆霍兹线圈磁场测定仪,包括圆线圈和亥姆霍兹线圈平台(包括两个圆线圈、固定夹、不锈钢直尺等)、高灵敏度毫特计和数字式直流稳压电源。

四、 实验原理:

1、圆线圈的磁场:

根据毕奥-萨伐尔定律,载流线圈在轴线(通过圆心并与线圈平面垂直的直线)上某点的磁感应强度为:

NI x R R o 2

/3222

)(2B +=

μ

式中I 为通过线圈的电流强度,R 为线圈平均半径,x 为圆心到该点的距离,N 为线

A m T o ??=-7104πμ ,为真空磁导率。因此,圆心处的磁感应强度为

NI R

B O

2μ=

轴线外的磁场分布计算公式较复杂。 2、亥姆霍兹线圈的磁场

亥姆霍兹线圈如图3-9-1所示,是一对彼此平行且连通的共轴圆形线圈,两线圈内的电流方向一致,大小相同,线圈之间的距离d 正好等于圆形线圈的半径R 。

设z 为亥姆霍兹线圈中轴线上某点离中心点O 处的距离,根据毕奥-萨伐尔定律及磁场叠加原理可以从理论上计算出亥姆霍兹线圈周线上任意一点的磁感应强度为

}])2

([])2({[21B 232223222---++++???=

'z R

R z R R R I N o μ 而在亥姆霍兹线圈上中心O 处的磁感应强度B 为

R

I

N B o ??=

'μ2358

当线圈通有某一电流时,两线圈磁场合成如图:

从图3-9-2可以看出,两线圈之间轴线上磁感应强度在相当大的范围内是均匀的。

五、 实验步骤:

1、载流圈和骇姆霍兹线圈轴线上各点磁感应强度的测量

亥姆霍兹线圈磁场测定仪:

图3-9-3 亥姆霍兹线圈磁场测定仪器示意图

1.毫特斯拉计

2.电流表

3.直流电流源

4.电流调节旋钮

5.调零旋钮

6.传感器插头

7.固定架 8.霍尔传感器 9.大理石 10.线圈 A 、B 、C 、D 为接线柱

(1)按课本图3-9-3接线,直流稳流电源中数字电流表已串接在电源的一个输出端,测量电流A 100m I =时,单线圈a 轴线上各点磁感应强度a B ,每个1.00cm 测一个数据。试验中随时观察特斯拉计探头是否线圈轴线移动。每测量一个数据,必须先在直流电源输出电路断开(0=I )调零后,才测量和记录数据。将测得的数据填入表3-9-1中。

(2)用理论公式计算员线圈中轴线上个点的磁感应强度,将计算所得数据填入表3-9-1中并与实验测量结果进行比较。

(3)在轴线上某点转动毫特斯拉计探头,观察一下该店磁感应强度测量值的变化规律,并判断该点磁感应强度的方向。

(4)将线圈a 和线圈b 之间的距离d 调整至cm d 00.10=,这时,组成一个亥姆霍兹线圈。取电流值A 100m I =,分别测量两线圈单独通电时,轴线上各点的磁感应强度值a B 和

b B ,然后测亥姆霍兹线圈在通同样电流A 100m I =,在该轴线上的磁感应强度值b +a B ,将

测量结果填入表4-9-2中。证明在轴线上的点b +a B =a B +b B ,即亥姆霍兹线圈轴线上任一点磁感应强度是两个载流单线圈在该点上产生磁感应强度之和。

(5)分别把亥姆霍兹线圈间距调整为2R d =和R d 2=,与步骤(4)类似,测量在

电流为A 100m I =时轴线上个点的磁感应强度值,将测量结果分别填入表3-9-3和表3-9-4中。

(6)做间距2R d =,R d =,R d 2=时,两个线圈轴线上磁感应强度B 与位置z 之间关系图,即z B -图,验证磁场叠加原理。

2、载流圆线圈通过轴线平面上的磁感应线分布的描绘

把一张坐标纸黏贴在包含线圈轴线的水平面上,可自行选择恰当的点,把探测器底部传感器对准此点,然后亥姆霍兹线圈通过A 100m I =电流.转动探测器,观测毫特斯拉计读数值,读数值为最大时传感器的法线方向,则为该点的磁感应强度方向.比较轴线上的点与远离轴线点磁感应强度方向变化情况.近似画出载流亥姆霍兹线圈磁感应线分布图。 3.实验注意事项

(1)接好电路后,打开电源预热10min 后才能进行实验。

(2)每测量一点磁感应强度值时应断开线圈电流,在电路为零时调探测器为零。 (3)注意台上的标度尺不要压在载流线圈的轴线上,标度尺应平行于平台的中轴线并与平台中轴线距离为1.00cm 。

(4)测量时,探测器的探测孔朝下并与待测点对应,并注意探测器本身的尺寸。

(5)在测量亥姆霍兹线圈B 时,必须串联两线圈里的电流。

六、 记录及数据处理:

1、单线圈轴线上磁感应强度

表3-9-1 单线圈轴线上磁感应强度

位置/cm -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 +1 +2 +3 +4 +5 +6 +7 +8 +9 测量值

理论值

百分误差

2、亥姆霍兹线圈轴线上磁感应强度

表3-9-2 亥姆霍兹线圈轴线上磁感应强度

位置/cm-9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 +1 +2 +3 +4 +5 +6 +7 +8 +9 单线圈磁场a B

单线圈磁场b B

B+b B

a

亥姆霍兹线圈的

磁场B

两线圈轴向间距d=10cm时的磁感应强度

表3-9-3 两线圈轴向间距d=5cm时的磁感应强度

位置/cm-9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 +1 +2 +3 +4 +5 +6 +7 +8 +9 单线圈磁场a B

单线圈磁场b B

B+b B

a

亥姆霍兹线圈的

磁场B

表3-9-4 两线圈轴向间距d=20cm时的磁感应强度

位置/cm-9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 +1 +2 +3 +4 +5 +6 +7 +8 +9 单线圈磁场a B

单线圈磁场b B

B+b B

a

亥姆霍兹线圈的

磁场B

3、所测磁感应强度B 与z 之间的关系图即B-z 图。 根据以上所测数据,作出B-Z 图如下:

七、误差分析

本次试验在测量单线圈轴线磁感应强度上的数据上得到了比较大的误差,经过分析,得出以下可能影响测量数据的因素。

1、没有做到每测量一点的磁感应强度之前做好调零工作,使得测量一些点数据的时候没有消除外界磁场影响,造成测量数据不准确。

2、测量若干点数据的时候没有按照正确的测量方法,没有做到探头的摆放方式一致,造成每一点的测量都会因为测量方法的不同而产生差异。

八、实验结论:

由图及数据观察有,轴线上的点b a B =a B +b B ,即亥姆霍兹线圈轴线上任一点磁感应强度是两个载流单线圈在该点上产生磁感应强度之和。

同时,当Ba 和Bb 共同作用的同时,曲线在两线圈中中间几乎水平,到两端急剧下降。可知通电螺线管中间为匀强磁场。

九、思考题:

1、为什么在实验中每测一点的磁感应强度之前都必须调零?

答:在实验中,测量坐标板上的每一点,由于所处的环境不同,所受到周围环境的电磁波大小就有一个差异,因为我们在实验中主要是研究在该点由这个线圈所激发的磁场的磁感应强度是多少,所以绝对有这个必要在测量每一点之前调零来排除周围环境的电磁波的影响。

2、亥姆霍兹线圈的磁场分布有什么特点?

答:亥姆霍兹线圈是两个彼此平行且连通的共轴圆形线圈,他的磁场分布是两个通电圆圈磁场的叠加。半径和两个圆圈的距离不同,叠加的结果也不同。两个线圈之外是逐渐减弱的,但是两个线圈之间可能是中间最弱,也可以是中间最强,还可以是匀强磁场。

3、若将两线圈通以相反方向的电流,则在两线圈内部和外部的轴线上的磁场将会如何分布?

答:其内部磁场将会相互抵消,而外部磁场则维持跟原来一样。

霍尔传感器位移特性实验

实验14 直流激励时霍尔传感器位移特性实验 141270046 自动化杨蕾生 一、实验目的: 了解直流激励时霍尔式传感器的特性。 二、基本原理: 根据霍尔效应,霍尔电势U H=K H IB,当霍尔元件处在梯度磁场中运动时,它的电势会发生变化,利用这一性质可以进行位移测量。 三、需用器件与单元: 主机箱、霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、测微头、数显单元。 四、实验步骤: 1、霍尔传感器和测微头的安装、使用参阅实验九。按图14示意图接线(实验模板的输出V o1接主机箱电压表Vin),将主机箱上的电压表量程(显示选择)开关打到2V档。 2、检查接线无误后,开启电源,调节测微头使霍尔片大致在磁铁中间位置,再调节Rw1使数显表指示为零。 3、以某个方向调节测微头2mm位移,记录电压表读数作为实验起始点;再反方向调节测微头每增加0.2mm记下一个读数,将读数填入表14。

作出V-X曲线,计算不同线性范围时的灵敏度和非线性误差。 五、实验注意事项: 1、对传感器要轻拿轻放,绝不可掉到地上。 2、不要将霍尔传感器的激励电压错接成±15V,否则将可能烧毁霍尔元件。 六、思考题: 本实验中霍尔元件位移的线性度实际上反映的是什么量的变化? 答:本人认为应该是实际的输入、输出与拟合的理想的直线的偏离程度的变化,当X不同的时候,实际的输出值与根据拟合直线得到的数值的偏离值是不相同的。 七、实验报告要求: 1、整理实验数据,根据所得得实验数据做出传感器的特性曲线。 实验数据如下: 表9-2

(1)由上图可知灵敏度为S=ΔV/ΔX=-0.9354V/mm (2)由上图可得非线性误差: 当x=1mm时, Y=-0.9354×1+1.849=0.9136 Δm =Y-0.89=0.0236V yFS=1.88V δf =Δm /yFS×100%=1.256% 当x=3mm时: Y=-0.9354×3+1.849=-0.9572V Δm =Y-(-0.94)=-0.0172V yFS=1.88V δf =Δm /yFS×100%=0.915% 2、归纳总结霍尔元件的误差主要有哪几种,各自的产生原因是什么,应怎样进 行补偿。 答:(1)零位误差。零位误差由不等位电势所造成,产生不等位电势的主要原因是:两个霍尔电极没有安装在同一等位面上;材料不均匀造成电阻分布不均匀;控制电极接触不良,造成电流分布不均匀。补偿方法是加一不等位电势补偿电路。 (2)温度误差。因为半导体对温度很敏感,因而其霍尔系数、电阻率、霍尔电势的输入、输出电阻等均随温度有明显的变化,导致了霍尔元件产生温度误差。补偿方法是采用恒流源供电和输入回路并联电阻。

FD-HM-I亥姆霍兹线圈磁场测定仪说明书(100318修订)

FD-HM-I 亥姆霍兹线圈磁场测定仪 一、概述 亥姆霍兹线圈磁场测定仪是综合性大学和工科院校物理实验教学大纲重要实验之一。该实验可以学习和掌握弱磁场测量方法,证明磁场迭加原理,根据教学要求描绘磁场分布等。传统的亥姆霍兹线圈磁场测量实验,一般用探测线圈配以指针交流电压表测量磁感应强度。由于线圈体积大,指针式交流电压表等级低等原因,测量的误差较大。 近年来,在科研和工业中,集成霍耳传感器由于体积小,测量准确度高,易于移动和定位,所以被广泛应用于磁场测量。例如:A SS 95型集成霍耳传感器就是一种高灵敏度的优质磁场传感器,它的体积小(面积mm mm 34?,厚mm 2),其内部具有放大器和剩余电压补偿电路,采用此集成霍耳传感器(配直流数字电压表)制成的高灵敏度毫特计,可以准确测量mT 000.20~的磁感应强度,其分辨率可达T 6 101-?。因此,用它探测载流线圈及亥姆霍兹线圈的磁场,准确度比用探测线圈高得多。用高灵敏度集成霍耳传感器测量T T 3 5 102101--??~弱交、直流磁场的方法已在科研与工业中广泛应用。 本仪器采用先进的95A 型集成霍耳传感器作探测器,用直流电压表测量传感器输出电压,探测亥姆霍兹线圈产生的磁场,测量准确度比探测线圈优越得多,仪器装置固定件牢靠,实验内容丰富。 本仪器经复旦大学物理实验教学中心使用,取得良好的教学效果。 二、原理 (1)根据毕奥—萨伐尔定律,载流线圈在轴线(通过圆心并与线圈平面垂直的直线)上某点的磁感应强度为: I N x R R B ?+?= 2 /322 2 0) (2μ (1) 式中0μ为真空磁导率,R 为线圈的平均半径,x 为圆心到该点的距离,N 为线圈匝数,I 为通过线圈的电流强度。因此,圆心处的磁感应强度0B 为: I N R B ?= 20 0μ (2)

传感器测试实验报告

实验一 直流激励时霍尔传感器位移特性实验 一、 实验目的: 了解霍尔式传感器原理与应用。 二、基本原理: 金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时,在垂直于磁场和电流的方向上将产生电动势,这种物理现象称为霍尔效应。具有这种效应的元件成为霍尔元件,根据霍尔效应,霍尔电势U H =K H IB ,当保持霍尔元件的控制电流恒定,而使霍尔元件在一个均匀梯度的磁场中沿水平方向移动,则输出的霍尔电动势为kx U H ,式中k —位移传感器的灵敏度。这样它就可以用来测量位移。霍尔电动势的极性表示了元件的方向。磁场梯度越大,灵敏度越高;磁场梯度越均匀,输出线性度就越好。 三、需用器件与单元: 霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、±15V 直流电源、测微头、数显单元。 四、实验步骤: 1、将霍尔传感器安装在霍尔传感器实验模块上,将传感器引线插头插入实验模板的插座中,实验板的连接线按图9-1进行。1、3为电源±5V , 2、4为输出。 2、开启电源,调节测微头使霍尔片大致在磁铁中间位置,再调节Rw1使数显表指示为零。 图9-1 直流激励时霍尔传感器位移实验接线图 3、测微头往轴向方向推进,每转动0.2mm 记下一个读数,直到读数近似不变,将读数填入表9-1。 表9-1 X (mm ) V(mv)

作出V-X曲线,计算不同线性范围时的灵敏度和非线性误差。 五、实验注意事项: 1、对传感器要轻拿轻放,绝不可掉到地上。 2、不要将霍尔传感器的激励电压错接成±15V,否则将可能烧毁霍尔元件。 六、思考题: 本实验中霍尔元件位移的线性度实际上反映的时什么量的变化? 七、实验报告要求: 1、整理实验数据,根据所得得实验数据做出传感器的特性曲线。 2、归纳总结霍尔元件的误差主要有哪几种,各自的产生原因是什么,应怎样进行补偿。

霍尔传感器制作实训报告

佛山职业技术学院 实训报告 课程名称传感器及应用 报告内容霍尔传感器制作与调试 专业电气自动化技术 班级08152 姓名陈红杰‘’‘’‘’‘’‘’‘’‘’‘ 学号31 二0一0年六月 佛山职业技术学院

《传感器及应用》 霍尔传感器制作实训报告 班级08152学号31 姓名陈红杰时间2009-2010第二学期项目名称霍尔传感器电路制作与 指导老师张教雄谢应然调试 一、实验目的与要求: 1.对霍尔传感器的实物(电路部分)进行一个基本的了解。 2.了解双层PCB板以及一定(霍尔传感器)的焊接排版的技术和工艺。 二、实验仪器、设备与材料: 1.认识霍尔传感器(电路部分)的元件(附图如下): 2.焊接电路PCB板(双层)和对电路设计的排版工艺的了解。 3.对霍尔传感器的电路原理图进行基本的分析(附图如下):

实验开始,每组会得到分发的元件,我先由霍尔传感器的电路原理图开始分析,将每个元件插放好位置,这点很重要,如果出了问题那么会使电路不能正常工作,严重的还有可能导致电路元件受损而无法恢复。所以我先由霍尔传感器的电路原理图开始着手,分析清楚每个元件的指定位置,插放好了之后再由焊接,最后要把多余的脚剪掉。 整个电路的元件除了THS119是长脚直插式元件之外,其余的元件均为低位直插或者贴板直插。 焊接的过程中,所需要注意的事情就是不能出现虚焊脱焊或者更严重的烙铁烫坏元件的表壳封装损坏印制电路板等。这些都是在焊接的整个过程中要注意的事情。 比如,焊接三端稳压管7812时,要考虑到电路板的外壳封装和三端稳压管7812的散热问题,如果直插焊接的话那么就会放不进塑料外壳里,还有直插没有折引脚的话对三端稳压管7812的散热影响很大。综合这些因素再去插放焊接元件,效果会好很多。 又比如,焊接THS119的时,原本PCB板在设计的时已经排好版了,就是在TL082的背面插放THS119。这样的设计很巧妙,能够保证每一个THS119插进去焊接完了之后都能很好地与塑料外壳严密配合安放进去。因为这是利用了IC引脚与PCB板的间距来实现定距离的,绝不会给焊接带来任何麻烦。 最后,顺便提及一下,在保证能将每一个元件正确地焊接在印制电路板上的前提条件下要尽量将元件插放焊接得美观。 五、实验心得体会 (1)首先,从整个霍尔传感器来看,设计的电路的合理性,元件的选用,还有焊接的制作工艺是保证整个电路能正常工作前提。 (2)在学习电子电路的过程中,急需有一个过度期,焊接霍尔传感器电路的过程当中就会得到一个这样的练习。 (3)简单的说就是,拿到一张电路原理图未必做得出一个比较好的产品,这里需要对整个电路设计的元件参数的考虑和排版,元件插放等等。只有将这些问题逐一解决了,才能做好一个电路,也只有这样才能做好一个产品。 (4)霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高,磁场越弱,电压越低。霍尔电压值很小,通常只有几个毫伏,但经集成电路中的放大器放大,就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用,需要用机械的方法来改变磁场强度。 六、实验收获 从拿到第一个元件开始,我仍然没有太多的收获,直到开始分析整个电路原理图的时候才慢慢开始了解到一些确实精巧的设计,可以说是独具匠心,到整个霍尔传感器电路完成之后才算是明白了一二。 在此,我具体地说说。首先,为什么不用一个普通的稳压管替代Z2这个精密稳压集成电路TL431呢?我查阅相关资料知道它的温度范围宽能在 区间工作。将其的R、C脚并焊再串上一个电阻来等效代替电

实验十九 开关式霍尔传感器测转速实验

实验十九开关式霍尔传感器测转速实验 一、实验目的:了解开关式霍尔传感器测转速的应用。 二、基本原理:开关式霍尔传感器是线性霍尔元件的输出信号经放大器放大,再经施密特电路整形成矩形波(开关信号)输出的传感器。开关式霍尔传感器测转速的原理框图19—1所示。当被测圆盘上装上6只磁性体时,圆盘每转一周磁场就变化6次,开关式霍尔传感器就同频率f相应变化输出,再经转速表显示转速n。 图19—1开关式霍尔传感器测转速原理框图 三、需用器件与单元:主机箱中的转速调节0~24V直流稳压电源、+5V直流稳压电源、电压表、频率\转速表;霍尔转速传感器、转动源。 四、实验步骤: 1、根据图19—2将霍尔转速传感器安装于霍尔架上,传感器的端面对准转盘上的磁钢并调节升降杆使传感器端面与磁钢之间的间隙大约为2~3mm。 2、将主机箱中的转速调节电源0~24V旋钮调到最小(逆时针方向转到底)后接入电压表(电压表量程切换开关打到20V档);其它接线按图19—2所示连接(注意霍尔转速传感器的三根引线的序号);将频频\转速表的开关按到转速档。 3、检查接线无误后合上主机箱电源开关,在小于12V范围内(电压表监测)调节主机箱的转速调节电源(调节电压改变直流电机电枢电压),观察电机转动及转速表的显示情况。

图19—2 霍尔转速传感器实验安装、接线示意图 4、从2V开始记录每增加1V相应电机转速的数据(待电机转速比较稳定后读取数据);画出电机的V-n(电机电枢电压与电机转速的关系)特性曲线。实验完毕,关闭电源。 n(转/ 406286108132157179203225250分) V(mv)2003004635006017037999019991104 电机的V-n(电机电枢电压与电机转速的关系)特性曲线 五、思考题: 利用开关式霍尔传感器测转速时被测对象要满足什么条件? 被测物能够阻挡或透过或反射霍尔信号,般都是一个发射头一个接收头若发射接收安装在同侧,则被测物必须能反射该信号,发射接收安装在对侧,则被测物必须能阻挡透过该信

磁场的测定(霍尔效应法)汇总

霍尔效应及其应用实验(FB510A 型霍尔效应组合实验仪) (亥姆霍兹线圈、螺线管线圈) 实 验 讲 义 长春禹衡时代光电科技有限公司

实验一 霍尔效应及其应用 置于磁场中的载流体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场,这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的,后被称为霍尔效应。如今霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段,而且利用该效应制成的霍尔器件已广泛用于非电量的电测量、自动控制和信息处理等方面。在工业生产要求自动检测和控制的今天,作为敏感元件之一的霍尔器件,将有更广泛的应用前景。掌握这一富有实用性的实验,对日后的工作将有益处。 【实验目的】 1.了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。 2.学习用“对称测量法”消除副效应的影响,测量试样的S H I ~V 和M H I ~V 曲线。 3.确定试样的导电类型。 【实验原理】 1.霍尔效应: 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场,即霍尔电场H E 。如图1所示的半导体试样,若在X 方向通以电流S I ,在Z 方向加磁场B ,则在Y 方向即试样A A '- 电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试样的导电类型。对图1(a )所示的N 型试样,霍尔电场逆Y 方向,(b )的P 型试样则沿Y 方向。即有 ) (P 0)Y (E )(N 0)Y (E H H 型型?>?< 显然,霍尔电场H E 是阻止载流子继续向侧面偏移,当载流子所受的横向电场力H E e ?与洛仑兹力B v e ??相等,样品两侧电荷的积累就达到动态平衡,故有

传感器实验报告 (2)

传感器实验报告(二) 自动化1204班蔡华轩 U201113712 吴昊 U201214545 实验七: 一、实验目的:了解电容式传感器结构及其特点。 二、基本原理:利用平板电容C=εA/d 和其它结构的关系式通过相应的结 构和测量电路可以选择ε、A、d 中三个参数中,保持二个参数不变,而 只改变其中一个参数,则可以有测谷物干燥度(ε变)测微小位移(变d)和测量液位(变A)等多种电容传感器。 三、需用器件与单元:电容传感器、电容传感器实验模板、测微头、相敏 检波、滤波模板、数显单元、直流稳压源。 四、实验步骤: 1、按图6-4 安装示意图将电容传感器装于电容传感器实验模板上。 2、将电容传感器连线插入电容传感器实验模板,实验线路见图7-1。图 7-1 电容传感器位移实验接线图 3、将电容传感器实验模板的输出端V01 与数显表单元Vi 相接(插入主控 箱Vi 孔),Rw 调节到中间位置。 4、接入±15V 电源,旋动测微头推进电容传感器动极板位置,每间隔0.2mm 图(7-1) 五、思考题: 试设计利用ε的变化测谷物湿度的传感器原理及结构,并叙述一 下在此设计中应考虑哪些因素? 答:原理:通过湿度对介电常数的影响从而影响电容的大小通过电压表现出来,建立起电压变化与湿度的关系从而起到湿度传感器的作用;结构:与电容传感器的结构答大体相同不同之处在于电容面板的面积应适当增大使测量灵敏度更好;设计时应考虑的因素还应包括测量误差,温度对测量的影响等

六:实验数据处理 由excle处理后得图线可知:系统灵敏度S=58.179 非线性误差δf=21.053/353=6.1% 实验八直流激励时霍尔式传感器位移特性实验 一、实验目的:了解霍尔式传感器原理与应用。 二、基本原理:霍尔式传感器是一种磁敏传感器,基于霍尔效应原理工作。 它将被测量的磁场变化(或以磁场为媒体)转换成电动势输出。 根据霍尔效应,霍尔电势UH=KHIB,当霍尔元件处在梯度磁场中 运动时,它就可以进行位移测量。图8-1 霍尔效应原理 三、需用器件与单元:霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、直流源±4V、± 15V、测微头、数显单元。 四、实验步骤: 1、将霍尔传感器按图8-2 安装。霍尔传感器与实验模板的连接 按图8-3 进行。1、3 为电源±4V,2、4 为输出。图8-2 霍尔 传感器安装示意图 2、开启电源,调节测微头使霍尔片在磁钢中间位置再调节RW2 使数显表指示为零。

亥姆霍兹线圈磁场实验

亥姆霍兹线圈磁场实验 实验名称:亥姆霍兹 日期: 2017.3.8 专业班级:环境工程163班 试验人: 李璐驿 学号:58021161000 指导老师: 钟双英 实验目的 (1) 学习感应法测量磁场的原理和方法; (2) 研究研究亥姆霍兹线圈周线上的磁场分布. 主要仪器 磁场测试仪、亥姆霍兹线圈架和亥姆霍兹磁场实验控制箱.工作温度10~35℃,相对湿度25%~75%. 两个励磁线圈各500匝,圆线圈的平均半径105R =mm,两线圈中心间距105mm.感应线圈距离分辨率0.5mm. 实验原理 一、 载流圆线圈与亥姆霍兹线圈 1、载流圆线圈磁场 半径为R 通以电流为I 的圆线圈,周线上磁场的公式为 ) (2222 320 X R R N I B += μ 式中0N 为线圈的匝数;x 为轴上某一点到圆心O 的距离;710410H m μπ-=??.本次实验取I=200mA. 2、亥姆霍兹线圈 两个相同线圈彼此靠近,使线圈上通以同向电流理论计算证明:线圈间距a 等于线圈半径R 时,两线圈合场在轴附近较大范围内是均匀的.这时线圈称为亥姆霍兹线圈,如图所示. 实验内容 1. 测量亥姆霍兹线圈周线上的磁场分布 2. 验证公式cos m m NS B εωθ= 3. *研究励磁电流频率改变对磁场强度的影响 数据记录与处理: 表 1

X/mm -50 -45 -40 -35 -30 -25 -20 B/mT 0.422 0.447 0.468 0.489 0.508 0.528 0.546 X/mm -15 -10 -5 0 5 10 15 B/mT 0.558 0.568 0.576 0.580 0.579 0.574 0.565 X/mm 20 25 30 35 40 45 50 B/mT 0.555 0.540 0.520 0.502 0.481 0.464 0.436 单线圈 0.700 0.600 0.500 0.400 0.300 0.200 0.100 0.000 -50 -45 -40 -35 -30 -25 -20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 表二 X/mm -100 -90 -80 -70 -60 -50 -40 B/mT 0.553 0.615 0.672 0.723 0.761 0.805 0.835 X/mm -30 -20 -10 0 10 20 30 B/mT 0.846 0.855 0.853 0.853 0.850 0.846 0.844 X/mm 40 50 60 70 80 90 100 B/mT 0.828 0.802 0.764 0.722 0.667 0.602 0.548

霍尔转速传感器测速实验

实验九霍尔转速传感器测速实验 一、实验目的 了解霍尔转速传感器的应用。 二、基本原理 根据霍尔效应表达示U H=K H IB,当K H I不变时,在转速圆盘上装上N只磁性体,并在磁钢上方安装一霍尔元件。圆盘每转一周,表面的磁场B从无到有就变化N次,霍尔电势也相应变化N次。此电势通过放大、整形和计数电路就可以测量被测旋转体的转速。 三、需用器件与单元 霍尔转速传感器、转速测量控制仪。 四、实验步骤 1、根据图9-1,将霍尔转速传感器装于转动源的传感器调节支架上,探头对准转盘内的磁钢。 图9-1 霍尔转速传感器安装示意图 2、将+15V直流电源加于霍尔转速器的电源输入端,红(+)、绿( ),不要接错。 3、将霍尔传感器输出端(黄线)接示波器或者频率计。 4、调节电动转速电位器使转速变化,用示波器观察波形的变化(特别注意脉宽的变化), 或用频率计观察输出频率的变化。

五、实验结果分析与处理 1、记录频率计六组输出频率数值如下: 由以上数据可得:最快转速对应的频率f1=152.83Hz,最慢转速对应频率f6=20.1Hz。随着转速的减小,脉宽T1逐渐变大,但占空比基本保持不变,而且速度不能无限减小。 六、思考题 1、利用霍尔元件测转速,在测量上是否有所限制? 答:有,测量速度不能过慢,因为磁感应强度发生变化的周期过长,大于读取脉冲信号的电路的工作周期,就会导致计数错误。 2、本实验装置上用了二只磁钢,能否只用一只磁钢? 答:如果霍尔是单极的,可以只用一只磁钢,但可靠性和精度会差一些;如果霍尔是双极的,那么必须要有一组分别为n/s极的磁钢去开启关断它,那么至少要两只磁钢。 1

亥姆霍兹线圈实验报告

亥姆xx兹线圈实验报告 【实验原理】 1.载流圆线圈xxxx线圈的磁场 (1)载流圆线圈磁场 一半径为R,通以电流I的圆线圈,轴线上磁场的公式为 (1-1) 式中N 0为圆线圈的匝数,X为轴上某一点到圆心O的距离。 它的磁场分布图如图1-1所示。 (2)亥姆xx兹线圈 所谓亥姆霍兹线圈为两个相同线圈彼此平行且共轴,使线圈上通以同方向电流I,理论计算证明: 线圈间距a等于线圈半径R时,两线圈合磁场在轴上(两线圈圆心连线)附近较大范围内是均匀的,如图1-2所示。 2.xx效应法测磁场 (1)xx效应法测量原理 将通有电流I的导体置于磁场中,则在垂直于电流I和磁场B方向上将产生一个附加电位差,这一现象是霍尔于1879年首先发现,故称霍尔效应。 电位差U H称为xx电压。 如图3-1所示N型半导体,若在MN两端加上电压U,则有电流I沿X轴方向流动(有速度为V运动的电子),此时在Z轴方向加以强度为B的磁场后,运动着的电子受洛伦兹力F

B的作用而偏移、聚集在S平面;同时随着电子的向S平面(下平面)偏移和聚集,在P平面(上平面)出现等量的正电荷,结果在上下平面之间形成一个电场E H(此电场称之为霍尔电场)。这个电场反过来阻止电子继续向下偏移。当电子受到的洛伦兹力和霍尔电场的反作用力这二种达到平衡时,就不能向下偏移。此时在上下平面(S、P平面)间形成一个稳定的电压U H(xx电压)。 (2)xx系数、xx灵敏度、xx电压 设材料的长度为l,宽为b,厚为d,载流子浓度为n,载流子速度v,则与通过材料的电流I有如下关系: I=nevbd xx电压U H=IB/ned=R HIB/d=K HIB 式中xx系数R H=1/ne,单位为m3/c;霍尔灵敏度K H=R H/d,单位为mV/mA 由此可见,使I为常数时,有U H= K HIB =k 0B,通过测量xx电压U H,就可计算出未知磁场强度B。

实验十一亥姆霍兹线圈磁场测定全解

实验十一 亥姆霍兹线圈磁场测定 一、概述 亥姆霍兹线圈磁场测定仪是综合性大学和工科院校物理实验教学大纲重要实验之一。该实验可以学习和掌握弱磁场测量方法,证明磁场迭加原理,根据教学要求描绘磁场分布等。传统的亥姆霍兹线圈磁场测量实验,一般用探测线圈配以指针交流电压表测量磁感应强度。由于线圈体积大,指针式交流电压表等级低等原因,测量的误差较大。 近年来,在科研和工业中,集成霍耳传感器由于体积小,测量准确度高,易于移动和定位,所以被广泛应用于磁场测量。例如:A SS 95型集成霍耳传感器就是一种高灵敏度的优质磁场传感器,它的体积小(面积mm mm 34?,厚mm 2),其内部具有放大器和剩余电压补偿电路,采用此集成霍耳传感器(配直流数字电压表)制成的高灵敏度毫特计,可以准确测量mT 000.20~的磁感应强度,其分辨率可达 T 6101-?。因此,用它探测载流线圈及亥姆霍兹线圈的磁场,准确度比用探测线圈高 得多。用高灵敏度集成霍耳传感器测量T T 35102101--??~弱交、直流磁场的方法已在科研与工业中广泛应用。 本仪器采用先进的95A 型集成霍耳传感器作探测器,用直流电压表测量传感器输出电压,探测亥姆霍兹线圈产生的磁场,测量准确度比探测线圈优越得多,仪器装置固定件牢靠,实验内容丰富。 本仪器经复旦大学物理实验教学中心使用,取得良好的教学效果。 二、原理 (1)根据毕奥—萨伐尔定律,载流线圈在轴线(通过圆心并与线圈平面垂直的直线)上某点的磁感应强度为: I N x R R B ?+?= 2 /3222 0)(2μ (1) 式中0μ为真空磁导率,R 为线圈的平均半径,x 为圆心到该点的距离,N 为线圈匝数,I 为通过线圈的电流强度。因此,圆心处的磁感应强度0B 为: I N R B ?= 20 0μ (2)

传感器测速实验报告(第一组)

传感器测速实验报告 院系: 班级: 、 小组: 组员: 日期:2013年4月20日

实验二十霍尔转速传感器测速实验 一、实验目的 了解霍尔转速传感器的应用。 二、基本原理 利用霍尔效应表达式:U H=K H IB,当被测圆盘上装有N只磁性体时,圆盘每转一周磁场就变化N次。每转一周霍尔电势就同频率相应变化,输出电势通过放大、整形和计数电路就可以测量被测旋转物的转速。 本实验采用3144E开关型霍尔传感器,当转盘上的磁钢转到传感器正下方时,传感器输出低电平,反之输出高电平 三、需用器件与单元 霍尔转速传感器、直流电源+5V,转动源2~24V、转动源电源、转速测量部分。 四、实验步骤 1、根据下图所示,将霍尔转速传感器装于转动源的传感器调节支架上,调节探头对准转盘内的磁钢。 图 9-1 霍尔转速传感器安装示意图 2、将+15V直流电源加于霍尔转速器的电源输入端,红(+)、黑( ),不能接错。 3、将霍尔传感器的输出端插入数显单元F,用来测它的转速。 4、将转速调解中的转速电源引到转动源的电源插孔。 5、将数显表上的转速/频率表波段开关拨到转速档,此时数显表指示电机的转速。 6、调节电压使转速变化,观察数显表转速显示的变化,并记录此刻的转速值。

五、实验结果分析与处理 1、记录频率计输出频率数值如下表所示: 电压(V) 4 5 8 10 15 20 转速(转/分)0 544 930 1245 1810 2264 由以上数据可得:电压的值越大,电机的转速就越快。 六、思考题 1、利用霍尔元件测转速,在测量上是否有所限制? 答:有,测量速度不能过慢,因为磁感应强度发生变化的周期过长,大于读取脉冲信号的电路的工作周期,就会导致计数错误。 2、本实验装置上用了十二只磁钢,能否只用一只磁钢? 答:如果霍尔是单极的,可以只用一只磁钢,但可靠性和精度会差一些;如果霍尔是双极的,那么必须要有一组分别为n/s极的磁钢去开启关断它,那么至少要两只磁钢。

霍尔传感器制作实训报告1

佛山职业技术学院实训报告 课程名称传感器及应用 报告内容霍尔传感器制作与调试专业电气自动化技术 班级08152 姓名陈红杰 学号31 二0一0年六月 佛山职业技术学院

《传感器及应用》 霍尔传感器制作实训报告 班级08152学号31 姓名陈红杰时间2009-2010第二学期项目名称霍尔传感器电路制作与 指导老师张教雄谢应然调试 一、实验目的与要求: 1.对霍尔传感器的实物(电路部分)进行一个基本的了解。 2.了解双层PCB板以及一定(霍尔传感器)的焊接排版的技术和工艺。 二、实验仪器、设备与材料: 1.认识霍尔传感器(电路部分)的元件(附图如下): 2.焊接电路PCB板(双层)和对电路设计的排版工艺的了解。 3.对霍尔传感器的电路原理图进行基本的分析(附图如下):

四、实验制作 在这里强调一点就是,实验制作的整个过程可以看作是焊接一个霍尔集成电路起传感作用的电路(需要外加磁场)。 实验开始,每组会得到分发的元件,我先由霍尔传感器的电路原理图开始分析,将每个元件插放好位置,这点很重要,如果出了问题那么会使电路不能正常工作,严重的还有可能导致电路元件受损而无法恢复。所以我先由霍尔传感器的电路原理图开始着手,分析清楚每个元件的指定位置,插放好了之后再由焊接,最后要把多余的脚剪掉。 整个电路的元件除了THS119是长脚直插式元件之外,其余的元件均为低位直插或者贴板直插。 焊接的过程中,所需要注意的事情就是不能出现虚焊脱焊或者更严重的烙铁烫坏元件的表壳封装损坏印制电路板等。这些都是在焊接的整个过程中要注意的事情。 比如,焊接三端稳压管7812时,要考虑到电路板的外壳封装和三端稳压管7812的散热问题,如果直插焊接的话那么就会放不进塑料外壳里,还有直插没有折引脚的话对三端稳压管7812的散热影响很大。综合这些因素再去插放焊接元件,效果会好很多。 又比如,焊接THS119的时,原本PCB板在设计的时已经排好版了,就是在TL082的背面插放THS119。这样的设计很巧妙,能够保证每一个THS119插进去焊接完了之后都能很好地与塑料外壳严密配合安放进去。因为这是利用了IC引脚与PCB板的间距来实现定距离的,绝不会给焊接带来任何麻烦。 最后,顺便提及一下,在保证能将每一个元件正确地焊接在印制电路板上的前提条件下要尽量将元件插放焊接得美观。 五、实验心得体会 (1)首先,从整个霍尔传感器来看,设计的电路的合理性,元件的选用,还有焊接的制作工艺是保证整个电路能正常工作前提。 (2)在学习电子电路的过程中,急需有一个过度期,焊接霍尔传感器电路的过程当中就会得到一个这样的练习。 (3)简单的说就是,拿到一张电路原理图未必做得出一个比较好的产品,这里需要对整个电路设计的元件参数的考虑和排版,元件插放等等。只有将这些问题逐一解决了,才能做好一个电路,也只有这样才能做好一个产品。 (4)霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高,磁场越弱,电压越低。霍尔电压值很小,通常只有几个毫伏,但经集成电路中的放大器放大,就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用,需要用机械的方法来改变磁场强度。 六、实验收获 从拿到第一个元件开始,我仍然没有太多的收获,直到开始分析整个电路原理图的时候才慢慢开始了解到一些确实精巧的设计,可以说是独具匠心,到整个霍尔传感器电路完成之后才算是明白了一二。 在此,我具体地说说。首先,为什么不用一个普通的稳压管替代Z2这个精密稳压集成电路TL431呢?我查阅相关资料知道它的温度范围宽能在

《大学物理实验》2-11实验十一 亥姆霍兹线圈磁场测定

实验十一 圆线圈和亥姆霍兹线圈磁场测定 亥姆霍兹线圈是一对相同的、共轴的、彼此平行的各有N 匝的圆环电流。 当它们的间距正好等于其圆环半径R 时,称这对圆线圈为亥姆霍兹线圈。在亥姆霍兹线圈的两个圆电流之间的磁场比较均匀。在生产和科研中经常要把样品放在均匀磁场中作测试,利用亥姆霍兹线圈是获得一种均匀磁场的比较方便的方法。 一、实验目的 1.学习和掌握弱磁场测量方法, 2.验证磁场迭加原理, 3.描绘载流圆线圈和亥姆霍兹线圈轴线磁场分布。 二、实验原理 (1)根据毕奥—萨伐尔定律,载流线圈在轴线(通过圆心并与线圈平面垂直的直线)上某点(如图1所示)的磁感应强度为: 2 0223/2 2()R B N x μ?= +I ? (1) 式中0μ为真空磁导率, R 为线圈的平均半径,x 为圆心到该点P 的距离,为线圈匝数,N I 为通过线圈的电流强度。因此,圆心处的磁感应强度0B 为: I N B ?= 200μ (2) (2)亥姆霍兹线圈是一对彼此平行且连通的共轴圆形线圈(如图2所示),两线圈内的电流方向一致,大小相同,线圈之间的距离正好等于圆形线圈的半径d R 。这种线圈的特点是能在其公共轴线中点附近产生较广的均匀磁场区,设x 为亥姆霍兹线圈中轴线上

某点离中心点处的距离,则亥姆霍兹线圈轴线上任意一点的磁感应强度为: O ?? ???????????????????????++??????????????++=??2/3222/322 202221x R R x R R NIR B μ (3) 而在亥姆霍兹线圈上中心O 处的磁感应强度B 为: ' 00 3/285N I B R μ??= (4) 三、实验仪器 FD—HM—Ⅰ圆线圈和亥姆霍兹线圈实验平台, 毫特斯拉计,三位半数字电流表及直流稳流电源组合仪一台;传感器探头, 电源线 1根,连接线 4根,不锈钢直尺 1把,铝合金靠尺1把。 图3 实验装置图 1-毫特斯拉计,2-电流表,3-直流电流源,4-电流调节旋钮, 5-调零旋钮,6-传感器插头, 7-固定架, 8-霍耳传感器, 9-大理石台面, 10、线圈, 注:A、B、C、D 为接线柱 四、实验内容和步骤 1.仪器调试 (1)开机后应预热10分钟,再进行测量; (2)将两个线圈和固定架按照图3所示简图安装。大理石台面(图3中9所示有网格线的平面)应该处于线圈组的轴线位置。根据线圈内外半径及沿半径方向支架厚度,

霍尔效应测磁场实验报告(完整资料).doc

【最新整理,下载后即可编辑】 实 验 报 告 学生姓名: 学 号: 指导教师: 实验地点: 实验时间: 一、实验室名称:霍尔效应实验室 二、 实验项目名称:霍尔效应法测磁场 三、实验学时: 四、实验原理: (一)霍耳效应现象 将一块半导体(或金属)薄片放在磁感应强度为B 的磁 场中,并让薄片平面与磁场方向(如Y 方向)垂直。如在薄片的横向(X 方向)加一电流强度为H I 的电流,那么在与磁场方向和电流方向垂直的Z 方向将产生一电动势H U 。 如图1所示,这种现象称为霍耳效应,H U 称为霍耳电压。霍耳发现,霍耳电压H U 与电流强度H I 和磁感应强度B 成正比,与磁场方向薄片的厚度d 反比,即 d B I R U H H = (1) 式中,比例系数R 称为霍耳系数,对同一材料R 为一常数。因成品霍耳元件(根据霍耳效应制成的器件)的d 也是一常数,故d R /常用另一常数K 来表示,有 B KI U H H = (2) 式中,K 称为霍耳元件的灵敏度,它是一个重要参数,表示该元件在单位磁感应强度和单位电流作用下霍耳电压的大小。如果霍

耳元件的灵敏度K 知道(一般由实验室给出),再测出电流H I 和霍耳电压H U ,就可根据式 H H KI U B = (3) 算出磁感应强度B 。 图 1 霍 耳 效 应 示 意 图 图2 霍耳效应解释 (二)霍耳效应的解释 现研究一个长度为l 、宽度为b 、厚度为d 的N 型半导体制成的霍耳元件。当沿X 方向通以电流H I 后,载流子(对N 型半导体是电子)e 将以平均速度v 沿与电流方向相反的方向运动,在磁感应强度为B 的磁场中,电子将受到洛仑兹力的作用,其大小为 evB f B = 方向沿Z 方向。在B f 的作用下,电荷将在元件沿Z 方向的两端面堆积形成电场H E (见图2),它会对载流子产生一静电力E f ,其大小为 H E eE f = 方向与洛仑兹力B f 相反,即它是阻止电荷继续堆积的。当B f 和E f 达到静态平衡后,有E B f f =,即b eU eE evB H H /==,于是电荷堆积的两端面(Z 方向)的电势差为 vbB U H = (4)

实验 线性霍尔式传感器位移特性实验

实验 线性霍尔式传感器位移特性实验 一、实验目的:了解霍尔式传感器原理与应用。 二、基本原理:霍尔式传感器是一种磁敏传感器,基于霍尔效应原理工作。它将被测量的磁场变化(或以磁场为媒体)转换成电动势输出。霍尔效应是具有载流子的半导体同时处在电场和磁场中而产生电势的一种现象。如图28—1(带正电的载流子)所示,把一块宽为b ,厚为d 的导电板放在磁感应强度为B 的磁场中,并在导电板中通以纵向电流I ,此时在板 图28—1霍尔效应原理 的横向两侧面A ,A 之间就呈现出一定的电势差,这一现象称为霍尔效应(霍尔效应可以用洛伦兹力来解释),所产生的电势差U H 称霍尔电压。霍尔效应的数学表达式为: U H =R H d IB =K H IB 式中:R H =-1/(ne)是由半导体本身载流子迁移率决定的物理常数,称为霍尔系数; K H = R H /d 灵敏度系数,与材料的物理性质和几何尺寸有关。 具有上述霍尔效应的元件称为霍尔元件,霍尔元件大多采用N 型半导体材料(金属材料中自由电子浓度n很高,因此R H 很小,使输出U H 极小,不宜作霍尔元件),厚度d 只有1μm 左右。 霍尔传感器有霍尔元件和集成霍尔传感器两种类型。集成霍尔传感器是把霍尔元件、放大器等做在一个芯片上的集成电路型结构,与霍尔元件相比,它具有微型化、灵敏度高、可靠性高、寿命长、功耗低、负载能力强以及使用方便等等优点。 本实验采用的霍尔式位移(小位移1mm~2mm)传感器是由线性霍尔元件、永久磁钢组成,其它很多物理量如:力、压力、机械振动等本质上都可转变成位移的变化来测量。霍尔式位移传感器的工作原理和实验电路原理如图28—2 (a)、(b)所示。将磁场强度相同的两块永久磁钢同极性相对放置着,线性霍尔元件置于两块磁钢间的中点,其磁感应强度为0,

亥姆霍兹线圈磁场测定-实验报告

开放性实验实验报告—— 亥姆霍兹线圈磁场测定 姓名学号班级 亥姆霍兹线圈是一对相同的、共轴的、彼此平行的各有N匝的圆环电流。当它们的间距正好等于其圆环半径R时,称这对圆线圈为亥姆霍兹线圈。在亥姆霍兹线圈的两个圆电流之间的磁场比较均匀。在生产和科研中经常要把样品放在均匀磁场中作测试,利用亥姆霍兹线圈是获得一种均匀磁场的比较方便的方法。 一、实验目的 1. 熟悉霍尔效应法测量磁场的原理。 2. 学会亥姆霍兹磁场实验仪的使用方法。 3. 测量圆线圈和亥姆霍兹线圈上的磁场分布,并验证磁场的叠加原理 二、实验原理 同学们注意,根据自己的理解,适当增减,不要太多,有了重点就可以了。 1.霍尔器件测量磁场的原理 图3—8—1 霍尔效应原理

如图3—8—1所示,有-N型半导体材料制成的霍尔传感器,长为L,宽为b,厚为d,其四个侧面各焊有一个电极1、2、3、4。将其放在如图所示的垂直磁场中,沿3、4两个侧面通以电流I,电流密度为J,则电子将沿负J方向以速度运动,此电子将受到垂直方向磁场B的洛仑兹力 作用,造成电子在半导体薄片的1测积累过量的负电荷,2侧积累过量的正电荷。因此在薄片中产生了由2侧指向1侧的电场,该电场对电子的作用力,与反向,当两种力相平衡时,便出现稳定状态,1、2两侧面将建立起稳定的电压,此种效应为霍尔效应,由此而产生的电压叫霍尔电压,1、2端输出的霍尔电压可由数显电压表测量并显示出来。 如果半导体中电流I是稳定而均匀的,则电流密度J的大小为

(3—8—1) 式中b为矩形导体的宽,d为其厚度,则bd为半导体垂直于电流方向的截面积。 如果半导体所在范围内,磁场B也是均匀的,则霍耳电场也是均匀的,大小为 (3—8—2) 霍耳电场使电子受到一与洛仑兹力F m相反的电场力F e,将阻止电子继续迁移,随着电荷积累的增加,霍耳电场的电场力也增大,当达到一定程度时,F m与F e大小相等,电荷积累达到动态平衡,形成稳定的霍耳电压,这时根据F m=F e有 (3—8—3) 将(3—8—2)式代入(3—8—3)式得 (3—8—4) 式中、容易测量,但电子速度难测,为此将变成与I有关的参数。根据欧姆定理电流密度,为载流子的浓度,得,故有 (3—8—5) 将(3—8—5)式代入(3—8—4)式得

霍尔传感器实验步骤

【实验步骤】 (一)清点主要仪器(二)测量1.调节仪器①将仪器按照如图4所示安装:将弹簧固定在焦利秤上部的横梁上,在一 个刻有水平线的小平面镜杆下端挂上砝码盘,小平面镜杆穿过固定在立柱上的玻璃管,其上端与弹簧的下端相连, ②调节焦利秤的底脚螺旋,使焦利秤立柱竖直;调节螺旋E 使小平面镜上水平线与玻璃管壁上的水平线重合作为平衡位置,并调节支架让小镜面及其它参于振动的物体竖直。 2.测量弹簧的倔强系数K 2.1利用新型焦利秤(静态法)测定弹簧倔强系数K ①调节实验装置底脚螺丝,使焦利秤立柱垂直(目测);②将弹簧固定在焦利秤上部悬臂上,旋转悬臂,使挂于弹簧下放的砝码 盘的尖针(1)靠拢游标尺上的小镜; (2)在砝码盘放入10个1g 的砝码,然后依次取出。在三线重合(小钩中的平面镜中有一水平刻线G ,玻璃管上有一水平刻线D ,D 在平面镜中有一像D’,通过转动标尺调节旋钮可将弹簧上下移动,则平面镜同时上下移动。当G 、D 、D’三者重合时称“三线重合”。)时,记录各次标尺读数y1,y2,……y10。(3)作Mi ~Yi 图,验证Mi ~Yi 满足线性关系,并求出斜率,'K 即为弹簧的倔强系数。'/K g K 2.2测量弹簧振子振动周期求弹簧倔强系数(动态法)K (1)用电子秒表测弹簧振子振动50次的时间,然后求得弹簧振子的周期。T (2)用集成开关型霍尔传感器测量弹簧振动周期,求弹簧倔强系数。(3)将集成霍尔开关的三个引脚分别与电源和周期测试仪相接。OUT 接周期测试仪正级,V-接电源负极,并和周期测试仪负级连接,V+接电源正级,见图3;、管路敷设技术通过管线敷设技术不仅可以解决吊顶层配置不规范高中资料试卷问题,而且可保障各类管路习题到位。在管路敷设过程中,要加强看护关于管路高中资料试卷连接管口处理高中资料试卷弯扁度固定盒位置保护层防腐跨接地线弯曲半径标高等,要求技术交底。管线敷设技术中包含线槽、管架等多项方式,为解决高中语文电气课件中管壁薄、接口不严等问题,合理利用管线敷设技术。线缆敷设原则:在分线盒处,当不同电压回路交叉时,应采用金属隔板进行隔开处理;同一线槽内,强电回路须同时切断习题电源,线缆敷设完毕,要进行检查和检测处理。、电气课件中调试对全部高中资料试卷电气设备,在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验;通电检查所有设备高中资料试卷相互作用与相互关系,根据生产工艺高中资料试卷要求,对电气设备进行空载与带负荷下高中资料试卷调控试验;对设备进行调整使其在正常工况下与过度工作下都可以正常工作;对于继电保护进行整核对定值,审核与校对图纸,编写复杂设备与装置高中资料试卷调试方案,编写重要设备高中资料试卷试验方案以及系统启动方案;对整套启动过程中高中资料试卷电气设备进行调试工作并且进行过关运行高中资料试卷技术指导。对于调试过程中高中资料试卷技术问题,作为调试人员,需要在事前掌握图纸资料、设备制造厂家出具高中资料试卷试验报告与相关技术资料,并且了解现场设备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况,然后根据规范与规程规定,制定设备调试高中资料试卷方案。 、电气设备调试高中资料试卷技术电力保护装置调试技术,电力保护高中资料试卷配置技术是指机组在进行继电保护高中资料试卷总体配置时,需要在最大限度内来确保机组高中资料试卷安全,并且尽可能地缩小故障高中资料试卷破坏范围,或者对某些异常高中资料试卷工况进行自动处理,尤其要避免错误高中资料试卷保护装置动作,并且拒绝动作,来避免不必要高中资料试卷突然停机。因此,电力高中资料试卷保护装置调试技术,要求电力保护装置做到准确灵活。对于差动保护装置高中资料试卷调试技术是指发电机一变压器组在发生内部故障时,需要进行外部电源高中资料试卷切除从而采用高中资料试卷主要保护装置。

传感器实验报告

实验一 箔式应变片性能 一、实验目地: 1、观察了解箔式应变片的结构及粘贴方式。 2、测试应变梁变形的应变输出。 3、了解实际使用的应变电桥的性能和原理。 二、实验原理: 本实验说明箔式应变片在单臂直流电桥、半桥、全桥里的性能和工作情况。 应变片是最常用的测力传感元件。当用应变片测试时,应变片要牢固地粘贴在测试体表面,当被测件受力发生形变,应变片的敏感栅随同变形,其电阻值也随之发生相应的变化。通过测量电路,转换成电信号输出显示。 电桥电路是最常用的非电量电测电路中的一种,当电桥平衡时,桥路对臂电阻乘积相等,电桥输出为零,在桥臂四个电阻R 1、R 2、R 3、R 4中,电阻的相对变化率分别为△R 1/R 1、△R 2/R 2、△R 3/R 3、△R 4/R 4,当使用一个应变片时,R ΔR R = ∑;当二个应变片组成差动状态工作,则有R R R Δ2=∑;用四个应变片组成二个差动对工作,且R 1=R 2=R 3=R 4=R ,R R R Δ4=∑。 由此可知,单臂,半桥,全桥电路的灵敏度依次增大。根据戴维南定理可以得出测试电桥的输出电压近似等于1/4·E ·∑R ,电桥灵敏度Ku =V /△R /R ,于是对应于单臂、半桥和全桥的电压灵敏度度分别为1/4E 、1/2E 和E.。由此可知,当E 和电阻相对变化一定时,电桥及电压灵敏度与各桥臂阻值的大小无

关。 三、实验所需部件: 直流稳压电源(±4V 档)、电桥、差动放大器、箔式应变片、砝码(20g )、电压表(±4v )。 四、实验步骤: 1、调零 开启仪器电源,差动放大器增益至100倍(顺时针方向旋到底),“+、-”输入端用实验线对地短路。输出端接数字电压表,用“调零”电位器调整差动放大器输出电压为零,然后拔掉实验线。调零后电位器位置不要变化。 2、按图(1)将实验部件用实验线连接成测试桥路。桥路中R 1、R 2、R 3、和W D 为电桥中的固定电阻和直流调平衡电位器,R 为应变片(可任选上、下梁中的一片工作片)。直流激励电源为±4V 。 图 (1) 3、确认接线无误后开启仪器电源,并预热数分钟。 +-

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