双束扫描电镜HeliosNanolab600i使用手册

双束扫描电镜（HeliosNanolab 600i）使用手册

★实验前，必须用超薄切片观察样品的质量。

1. 先观察样品并设计一下样品切割拍照方案

2. Link样品

先用SEM低倍找到样品再用高倍聚焦样品再回到低倍点link使工作距离变到大约4(此时可以Pt沉积显示是绿色的)

3. 调整样品的位置

在FIB窗口观察：调整样品R，倾斜样品T，使样品与FIB垂直（看不到白色侧面）

4. Pt沉积：

先框选要切割的位置（rectangle），在Pt heat cold 双击变warm后再点成?图标(同时Pt 沉积管进入)

Application Value：Pt dep，Z：1.5μm，30kV, 9.3 nA或更小，Start开始沉积

沉积完成后，Pt沉积√去掉（沉积管出） warm→cold

沉积层完成后，先切掉样品拍照面要观察表面沉积的炭层和Pt层），（clean cress section，application value: Si, Z=15μm，30kV，47nA）（粗切可用大电流）

切好后用SEM界面观看是否是要观察的区域再进行下一步的操作

5. 挖凹槽

将要观察的样品两侧挖大约10μm宽的2个凹槽（一定要2个分别挖槽）（clean cress section，application value: Si, Z=15μm，30kV，47nA）

再切掉表面的一层（因为两面挖槽会溅射到表面）

1)30 kV 2)2.5 nA(小电流可以精细的切割) 3)Z=15 4)cleaning cross section

6. 做标记

将样品旋转R +180度,使样品要切的面对着离子束

在两个凹槽的右侧的做上扫描电镜拍照标记(先Pt沉积一个方块,再用离子束打一个环状结

构或其他的图形，可以两个凹槽里都做不同的标记)

做好标记后再转回原来的R，然后再调整focus 使SEM和FIB的界面都清晰并且在界面的同

一高度

7. 打开自动切割的的程序-Auto slice and viewG3（2）

1）写一下用户名例如：Liwen-20121015-normal

2）next（FIB界面分辨率HFW ～138μm）

3）软件右侧出现FIB样品的界面（小黄框是用来选择要切割的位置的）

High ～10μm Depth 15μm slicing current 束流一般用 2.5nA

Image resolution 4×3 要是设置×的标记时候

1μm creat-----

一般不用调整参数

*不改变参数就不用刷新了

（做成的×尽量在一个不妨碍样品切割的位置为好）

4）next 提示将样品两边抠出凹槽和选择切割位置这一步之前已经做了就把所有的√都去掉就行了

此时样品是与FIB垂直的，拍照时候应该将样品转到与SEM垂直（T+38度）

5）next image parameter（图片设置参数）→刷新一下

EB 4k×4k, 3μs, 1

√E.Aligment …√autofocus…

（刷新一下）√Enable ACB …只修改scan mode

reduced area

切一下如果要找2个位置的照片

就再设置一次（add）多次拍照一定要在每个位置分别聚焦6）next sleep when finish √

7)前几张照片要看一下运行的怎么样