存储器接口

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存储器的分类和主要性能指标(微机原理)

存储器的分类和主要性能指标(微机原理)
西南大学电子信息工程学院 1
第6章 半导体存储器及接口
作用:保存正在执行的程序和数据; 掩膜型ROM 主存储器 可一次编程PROM (内存) ROM 紫外线擦除的 EPROM 电可擦除的EEPROM 微型计算机 元件: 快擦型Flash MEM 的存储器由 静态RAM RAM 动态RAM 作用:保存主存的副本或暂时不执行的 辅助存储器 程序和数据; (外存) 软/硬磁盘 介质: 光盘 磁带等
第6章 半导体存储器及接口
§6.1
存储器的分类和主要性能指标
存储器是计算机系统的记忆设备。它用来存放 计算机的程序指令、要处理的数据、运算结果以 及各种需要计算机保存的信息,是计算机中不可 缺少的一个重要组成部分。 1、存储器的分类 (1)按存储器与中央处理器的关系分 内部存储器大学电子信息工程学院
第6章 半导体存储器及接口
6264芯片在上述系统中的地址范围:
A19A18A17A16A15A14A13A12A11…A0 0 … 0 0 1 1 1 1 1 1 1 …1 0 1 1 1 1 1 0 0 …0
所以该6264芯片的地址范围为3E000H~3FFFFH
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第6章 半导体存储器及接口 §6.2 半导体存储器件 ⒈只读存储器(ROM) ROM具有掉电后信息不会丢失的特点,一般用于存放 固定的程序和数据等。如监控程序、BIOS程序、字库等。
⑴ ROM的结构和特点
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第6章 半导体存储器及接口 ⑵ ROM的分类 按生产工艺和工作特性分为: ①掩膜编程的ROM(Mask Programmed ROM) 例如:采用“并联单元阵列”的掩膜ROM 薄栅氧化层的 管子为正常开启 厚栅氧化层的 管子为高开启

DM6437介绍整理7-21

DM6437介绍整理7-21

TMS320DM6437 DMP介绍TMS320DM6437 Digital Media Processor—一种高性能数字媒体处理器:VelociTI.2结构DSP内核,先进超长指令字(VLIW)C64x+指令集特性C64x+ L1/L2存储器结构口仅支持小端模式视频处理子系统(VPSS)外部存储器接口(EMIF)增强型直接存储器访问控制器(EDMA):64个独立通道1个64位看门狗定时器2个UART(带RTS和CTS流控信号)主/从I2C总线控制器两个多通道缓冲串行接口(McBSP)多通道音频串行接口(McASP0)高端CAN控制器(HECC)16位主机接口(HPI)32位、33MHz、3.3V PCI主从接口10/100Mb/s以太网MAC(EMAC)VL YNQ接口(FPGA 接口)VL YNQTM接口(FPGA 接口)片上ROM Bootloader独特的节电模式灵活的PLL时钟产生器IEEE-1149.1(JTAG)多达111个GPIO(与其他功能复用)引脚及封装3.3V/1.8V I/O;1.2V/1.05V内部一、DaVinci DM6437 概述TMS320C64x DSP内核:TMS320DM6437是专门为高性能、低成本视频应用开发的、32位定点DSP达芬奇(DaVinci(TM)) 技术的处理器。

该器件采用TI第2代超长指令字(VLIW)结构(VelociTI.2)的TMS320C64x+ DSP内核,主频可达700MHz,支持8个8位或4个16位并行MAC (multiply-accumulates)运算,峰值处理能力高达5600MIPS。

> C64x片内有2个数据通道、8个功能单元和2个通用寄存器文件(A和B)。

8个功能单元(2个乘法器和6个算术逻辑单元)用于提高影像和图像应用的性能。

每个通用寄存器文件包含32个32-bit寄存器。

这些通用寄存器可以用做数据指针或者数据地址指针。

基于FPGA的DDR2 SDRAM存储器用户接口设计

基于FPGA的DDR2 SDRAM存储器用户接口设计

基于FPGA 的DDR2SDRAM 存储器用户接口设计杨斌,段哲民,高峰(西北工业大学电子信息学院,陕西西安710129)摘要:使用功能强大的FPGA 来实现一种DDR2SDRAM 存储器的用户接口。

该用户接口是基于XILINX 公司出产的DDR2SDRAM 的存储控制器,由于该公司出产的这种存储控制器具有很高的效率,使用也很广泛,可知本设计具有很大的使用前景。

本设计通过采用多路高速率数据读写操作仿真验证,可知其完全可以满足时序要求,由综合结果可知其使用逻辑资源很少,运行速率很高,基本可以满足所有设计需要。

关键词:DDR2SDRAM ;FPGA ;用户接口;DDR2SDRAM 存储控制器中图分类号:TN919.8文献标识码:A文章编号:1674-6236(2012)23-0147-03Design of DDR2SDRAM memory user interface based on FPGAYANG Bin ,DUAN Zhe -min ,GAO Feng(School of Electronic Information ,Northwestern Polytechnical University ,Xi ’an 710129,China )Abstract:The user interface of a DDR2SDRAM memory is implemented by using the powerful FPGA .The user interface is based on DDR2SDRAM memory controller produced by the XILINX company .The company produced such memory controllers with high efficiency and used widely .So that this design has great prospects .Through the simulation of multi -channel high -speed data read and write operations we can know that it can fully meet the timing requirements .Through the synthesis results we can know that the use of logic resources is very little ,run rate is high .It can basically meet all design needs.Key words:DDR2SDRAM ;FPGA ;user interface ;DDR2SDRAM memory controller收稿日期:2012-08-06稿件编号:201208014作者简介:杨斌(1981—),男,陕西佳县人,硕士研究生。

soc中的sram

soc中的sram

soc中的sram
SRAM(静态随机存储器)是一种常用于计算机系统中的存储器类型,也被广泛应用于系统芯片(SoC)中。

SRAM 是一种易失性存储器,它能够在没有电源的情况下保持数据。

相对于动态随机存储器(DRAM),SRAM 的读写速度更快,因为它使用了一种不需要刷新操作的存储单元设计。

在SoC 中,SRAM 通常用于多个目的,包括:
1. 缓存:SRAM 可以作为高速缓存存储器,用于存储处理器的指令和数据,以提高系统性能。

由于SRAM 的高速读写特性,它可以快速响应处理器的读取请求,减少了对主存储器的访问延迟。

2. 寄存器文件:SRAM 经常被用作寄存器文件,用于存储处理器的寄存器状态。

寄存器文件是计算机体系结构中的一个关键组件,用于存储临时数据、运算结果和控制信号。

3. 存储器接口:SRAM 可以作为与其他外部存储器(如闪存或硬盘驱动器)进行交互的接口。

它可以用作缓冲区或数据传输的中间存储器,以提高数据传输速度。

总之,SRAM 在SoC 中具有重要的作用,可以提供快速的数据存储和访问功能,对于提高系统性能和响应能力非常关键。

1。

存储器类型综述及DDR接口设计的实现(下)

存储器类型综述及DDR接口设计的实现(下)
D R输入 电路 D

过程 中获得最佳的建立和保持时间,这个边沿必须
经 过仔 细 的选择 。这 就是 上面 所示 的时钟 边沿 多路
选择器的用途 。这种时钟极性选择的方法在后面详
细说 明。 最 糟糕 的细 节
个 完 整 的 D R收 发 器 或者 输 入 接 口的实 现 D
这是很重要的一点 : 请注意与一个高速 D R恢 D
维普资讯
巾 国 集 成 电 路
C hi na nt I egr ed icui at C r t
设 计
存储■类墨综述及 D R接口设计的实现I D l = 下)
莱迪思半导体公 司
用 FG P A器 件 实 现 D R 储 器 接 口 D存
压下 , 设计 者仍 然 难 以达 到 D R 3 D 33的速度 。 现在莱迪 思半 导体公 司提供 在一个 硬 I / 0块
中) 之间的相位关系是未知 的。许多 F G P A器件将
这个 问题 留给 用 户解 决 。LtcE ate C系列拥有 专 用 电 i 路来 决 定这个 必 要 的系统 时钟 的极 性 ,实现 这个 选
(O IB) 中集成了所有 5 个输入寄存器和相关布线 的 FG 。 P A 这样保证了设计的性 能和成功。 设计者只
需简单地把 I / O块 和 D S子 模 块 连 接 起 来 而得 到 Q 确保 可 以工 作 的接 口。
者并且实施这些域之 间的数据传送 。为 了防止在
D S 经 延 时 的 ) 系统 时 钟 域 间转 换 时建 立 和 保 Q ( 和
前 同步状态 中 D R存储器 间把 D S D Q 置为低电平 。

际的延时必须得到仔细地控制。一个低成本的解决

51单片机存储器结构介绍

51单片机存储器结构介绍

51单片机存储器结构介绍单片机是一种微型电脑芯片,他能够实现数字信号的处理和控制。

而存储器是单片机的核心组成部分之一,用于存储程序指令和数据。

本文将介绍51单片机的存储器结构。

一、内部存储器1. 代码存储器(ROM)代码存储器是用来存放程序指令的地方,它通常具有只读的特点,因此称之为只读存储器(Read-Only Memory)。

在51单片机中,常见的ROM有EPROM、EEPROM和Flash。

其中,EPROM需要使用紫外线擦除后才能进行写入操作,而EEPROM和Flash则支持电子擦除和写入操作。

2. 数据存储器(RAM)数据存储器用于存储程序中的数据,可以进行读取和写入操作。

51单片机中的RAM分为内部RAM和外部RAM两种类型。

内部RAM 是静态随机存储器(SRAM),容量通常较小,但读取速度快。

而外部RAM则可以通过外部接口来扩展存储容量。

二、外部存储器除了内部存储器之外,51单片机还支持外部存储器的连接,以扩展存储容量。

1. 并行存储器并行存储器是指通过并行接口与单片机进行数据交换的存储器,常见的有静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)和闪存等。

并行存储器的访问速度较快,但通信线路和引脚较多,连接复杂。

2. 串行存储器串行存储器是通过串行接口与单片机进行数据交换的存储器,常见的有串行EEPROM和串行闪存等。

串行存储器相对于并行存储器来说,引脚和通信线路较少,连接较为简单,但访问速度相对较慢。

三、存储器扩展技术1. 存储器芯片选择在实际应用中,我们需要根据需求选择合适的存储器芯片。

不同的存储器芯片具有不同的特性,比如容量大小、访问速度、耗能情况等,需要根据具体需求进行选择。

2. 存储器接口设计单片机与存储器之间的通信需要通过特定的接口进行连接。

在设计存储器接口时,需要考虑接口的引脚数目、速度要求、稳定性等因素,并且保证接口与存储器芯片的电气特性匹配。

3. 存储器管理技术存储器管理是针对大容量存储器的一种管理方法,用于提高存储效率和数据存取速度。

微机原理和接口技术-5-2 存储系统

微机原理和接口技术-5-2 存储系统
0110000000000000 1111111111111111
20
Zuo 华中科技大学计算机学院
微机原理与接口技术---Chapter5 存储器
例3 (1)解:如果ROM和RAM存储器芯片都采用 8K×1的芯片,试画出存储器与CPU的连接图。
MREQ# A15-0 R/W#
CPU
D7~D0
OE#
例2解
微机原理与接口技术---Chapter5 存储器
MREQ# A20-0 R/W#
CPU
D7~D0
OE#
A20-18
000
3-8译码器
001
010
A17-0
WE A CS
256K ×8
D
WE A CS
256K ×8
D
WE A CS
256K ×8
D
D7~D0
D7~D0
D7~D0

111
WE A CS
如果采用的字节编址方式,则需要20条地址线,因为220=1024K byte。
注:字编址方式时,每个32位字地址能够访问4个字节; 如果按照字节编址方式,则每个地址只对应一个字节, 因此所需的地址数是前者的4倍, 218* 4=220 ,即需要20条地址线)
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Zuo 华中科技大学计算机学院
微机原理与接口技术---Chapter5 存储器
解:256K*8位SRAM芯片包含18根地址线 (1) 该存储器需要2048K/256K = 8片SRAM芯片; (2) 需要21条地址线, 因为221=2048K, 其中高3位经过译码器输出后用于芯片选择, 低18位作为每个存储器芯片的地址输入。 (3) 该存储器与CPU连接的结构图如下。

铁电存储器FRAM及其与MCU的接口技术

铁电存储器FRAM及其与MCU的接口技术
电和 失 电 过 程 中 不 使 数 据 产 生 混 乱 ; 而 上 述 的 非 易 失性 存 储 器 , 在 性 能 上 或 多 或 少 有 一 些 不 如 人 意 的地 方 。 如 有 的读 写速 度 不 高 , 有 的读 写 次数 ( 寿 命 ) 有 限 , 有 的 数 据 可 靠 性 不 理 想 , 有 的 写 入时 功 耗 较 大等 。 对 这 些 问 题 , 我 们 或 是 可 以 通 过 系 统 设 计 加 以避 免 , 或 是 在 硬 件 和 软 件 设 计 中配 台 其 他 措 施 加 以 克 服 。 本 文 介 绍 一 种 新 型 存 储 器 —— 铁 电存 储器 F A (eree tcR R M F r lc i AM) 它 具有 高速 读 写 、 o r 。
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一 深圳市赋安安全 系统有限公司 郑 春 华
摘 要 鼓 电存 储 嚣 F 是 具 有 低 砷 耗 、 高写 八 速 度 、 高耐 久 力 的新 型 非 易失性 存 储 嚣 , 应 用 范 围 RAM 广 泛 本 文介 绍 F A R M及 其 应 用 , 并 给 出 F A 与 M 一 R M C 51单 片机 的接 口 电路 和 软 件 设 计 。 s
的标 准 型产 品, 也 有 工作 电压 为 2 7 36 V 的低 电压 — .
型产 品 ; 既 有 双 列 直 插 封 装 产 品 , 也 有 表 面 贴 装 产
品 。 随着 FRAM 技 术 的不 断 发 展和 电 子工 程 师 对 其
失性 存储器 的基本要求 是数据掉 电不丢 失, 且在上
其 他 公 司 的 2 C1 4 6进 行 比较 , 即可 体会 到 F RAM 器
件 的优 点 : ( ) 读 写速 度 快 。 F AM 不 是 用 电荷 来 存 储 数 1 R 据 而 是 工 作 在 极 化 状 态 , 故 在 写 入 数 据 后 无 需 等
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