实验2 场效应管放大电路设计
电子专业技术实验报告—实验5场效应管放大器
电子技术实验报告—实验5场效应管放大器————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：电子技术实验报告实验名称：场效应管放大器系别：班号：实验者姓名：学号：实验日期：实验报告完成日期：目录一、实验目的 (5)二、实验原理 (5)1. 场效应管的主要特点 (5)2. 结型场效应管的特性 (5)3. 自给偏置场效应管放大器 (7)4. 恒流源负载的场效应管放大器 (8)5. 场效应管放大器参数测试方法 (8)三、实验仪器 (10)四、实验内容 (10)1.电路搭接 (10)2 .静态工作点的调试测量 (11)3. 场效应管放大参数测试 (12)五、实验小结 (13)一、实验目的1. 学习场效应管放大电路设计和调试方法；2. 掌握场效应管基本放大电路的设计及调整、测试方法。
二、实验原理1. 场效应管的主要特点场效应管是一种电压控制器件，由于它的输入阻抗极高（一般可达上百兆、甚至几千兆），动态范围大，热稳定性好，抗辐射能力强，制造工艺简单，便于大规模集成。
因此，场效应管的使用越来越广泛。
场效应管按结构可分为MOS型和结型，按沟道分为N沟道和P沟道器件，按零栅压源、漏通断状态分为增强型和耗尽型器件，可根据需要选用。
那么，场效应管由于结构上的特点源漏极可以互换，为了防止栅极感应电压击穿要求一切测试仪器，都要有良好接地。
2. 结型场效应管的特性(1) 转移特性（控制特性）：反映了管子工作在饱和区时栅极电压V GS对漏极电流I D 的控制作用。
当满足|V DS|>|V GS|－|V P|时，I D对于V GS的关系曲线即为转移特性曲线。
如图1所示。
由图可知。
当V GS=0时的漏极电流即为漏极饱和电流I DSS，也称为零栅漏电流。
使I D=0时所对应的栅极电压，称为夹断电压V GS=V GS(TH)。
⑵ 转移特性可用如下近似公式表示：)0()1(2)(P GS TH GS GS DSS D V V V V I I ≥≥-=当这样，只要I DSS 和V GS(TH)确定，就可以把转移特性上的其他点估算出来。
负反馈放大电路实验报告
实验二 由分立元件构成的负反馈放大电路一、实验目的1．了解N 沟道结型场效应管的特性和工作原理； 2．熟悉两级放大电路的设计和调试方法； 3．理解负反馈对放大电路性能的影响。
二、实验任务设计和实现一个由N 沟道结型场效应管和NPN 型晶体管组成的两级负反馈放大电路。
结型场效应管的型号是2N5486，晶体管的型号是9011。
三、实验内容1. 基本要求：利用两级放大电路构成电压并联负反馈放大电路。
（1）静态和动态参数要求1）放大电路的静态电流I DQ 和I CQ 均约为2mA ；结型场效应管的管压降U GDQ < - 4V ，晶体管的管压降U CEQ = 2～3V ；2）开环时，两级放大电路的输入电阻要大于90kΩ，以反馈电阻作为负载时的电压放大倍数的数值 ≥ 120；3）闭环电压放大倍数为10so sf -≈=U U A u 。
（2）参考电路1）电压并联负反馈放大电路方框图如图1所示，R 模拟信号源的内阻；R f 为反馈电阻，取值为100 kΩ。
图1 电压并联负反馈放大电路方框图2）两级放大电路的参考电路如图2所示。
图中R g3选择910kΩ，R g1、R g2应大于100kΩ；C 1～C 3容量为10μF ，C e 容量为47μF 。
考虑到引入电压负反馈后反馈网络的负载效应，应在放大电路的输入端和输出端分别并联反馈电阻R f ，见图2，理由详见“五 附录－2”。
图2 两级放大电路实验时也可以采用其它电路形式构成两级放大电路。
3.3k Ω（3）实验方法与步骤 1）两级放大电路的调试a. 电路图：（具体参数已标明）¸b. 静态工作点的调试实验方法：用数字万用表进行测量相应的静态工作点，基本的直流电路原理。
第一级电路：调整电阻参数， 4.2s R k ≈Ω，使得静态工作点满足：I DQ 约为2mA ，U GDQ< - 4V 。
记录并计算电路参数及静态工作点的相关数据（I DQ ，U GSQ ，U A ，U S 、U GDQ ）。
场效应管、复合管及多级放大电路
场效应管在多级放大电路中的使用方法
选择合适的型号
根据多级放大电路的需求，选择合适的场效应管型号，如N沟道或 P沟道、功率大小等。
正确连接栅极和源极
栅极和源极是场效应管的控制电极和接地电极，正确连接这两个电 极是保证场效应管正常工作的前提。
合理设置偏置电路
偏置电路是影响场效应管工作状态的重要因素，需要根据电路需求合 理设置。
场效应管、复合管及多级放大电路
目录
• 引言 • 场效应管基础 • 复合管原理及应用 • 多级放大电路设计 • 场效应管在多级放大电路中的应用 • 复合管在多级放大电路中的应用 • 比较与选择
01 引言
背景介绍
电子技术的快速发展
研究的必要性和紧迫性
随着电子技术的快速发展，场效应管、 复合管及多级放大电路等电子器件在各 种电子设备中得到了广泛应用。
为了提高电子设备的性能和稳定性， 对场效应管、复合管及多级放大电路 的研究具有必要性和紧迫性。
模拟电路的重要性
模拟电路是电子设备的基础，而放大电 路是模拟电路中的重要组成部分，用于 放大微弱信号，以满足各种应用需求。
目的和意义
研究目的
本研究的目的是深入了解场效应管、复合管及多级放大电路的工作原理、性能 特点和应用范围，为电子设备的设计和优化提供理论支持和实践指导。
描述了栅极电压与漏极电 流之间的关系，呈现出非 线性特征。
增强型与耗尽型
根据转移特性曲线的不同， 场效应管分为增强型和耗 尽型。
场效应管分类
NMOS管
以电子为主要导电载流子的场效 应管。
PMOS管
以空穴为主要导电载流子的场效应 管。
CMOS管
互补金属氧化物半导体场效应管， 具有低功耗、高速和高可靠性等优 点。
场效应管放大器实验报告
一、实验目的1. 了解场效应管的基本特性和工作原理。
2. 掌握场效应管放大器的设计与调试方法。
3. 学习测量场效应管放大器的各项性能参数。
二、实验原理场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种电压控制器件，具有输入阻抗高、动态范围大、热稳定性好、抗辐射能力强等优点。
根据结构，场效应管可分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）。
1. 结型场效应管（JFET）：JFET是一种三端器件，包括源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
其工作原理是利用导电沟道之间耗尽区的宽窄来控制电流。
2. 绝缘栅型场效应管（IGFET）：IGFET是一种四端器件，包括源极（S）、漏极（D）、栅极（G）和衬底。
其工作原理是利用感应电荷的多少来控制导电沟道的宽窄，从而控制电流的大小。
场效应管放大器主要由输入级、中间级和输出级组成。
输入级主要起信号放大作用，中间级主要起信号传递作用，输出级主要起功率放大作用。
三、实验仪器与设备1. 实验箱：包含电源、示波器、信号发生器等。
2. 场效应管：JFET、IGFET各一只。
3. 电阻、电容、电感等电子元件。
4. 接线板、导线等。
四、实验步骤1. 搭建场效应管放大电路，包括输入级、中间级和输出级。
2. 调整电路参数，使放大器处于正常工作状态。
3. 使用示波器观察放大器的输出波形，分析放大器的性能。
4. 测量放大器的各项性能参数，如增益、带宽、输入阻抗、输出阻抗等。
五、实验结果与分析1. 放大器输出波形通过示波器观察，放大器输出波形基本符合预期，说明放大器能够正常工作。
2. 放大器性能参数（1）增益：通过测量输入信号和输出信号的幅度，计算得到放大器的增益为20dB。
（2）带宽：通过测量放大器的-3dB带宽，得到放大器的带宽为1MHz。
（3）输入阻抗：通过测量放大器输入端电压和电流，计算得到放大器的输入阻抗为1kΩ。
（4）输出阻抗：通过测量放大器输出端电压和电流，计算得到放大器的输出阻抗为50Ω。
第四章 场效应晶体管及其放大电路
ID
IDSS(1源自U GS U GS(off)
)
2
3. 结型场效应管
结型场效应管的特性和耗尽型绝 缘栅场效应管类似。图4-7 a)、 b) 分别为Ｎ沟道和Ｐ沟道的结型场效 应管图形符号。
图4-7
使用结型场效应管时，应使栅极与源极间加反偏电压，漏 极与源极间加正向电压。对于Ｎ沟道的管子来说，栅源电压应 为负值，漏源电压为正值。
图4-1
（1）工作原理
增强型MOS管的源区(N+)、衬底(P型)和漏区(N+)三者之 间形成了两个背靠背的PN+结，漏区和源区被P型衬底隔开。
当栅-源之间的电压 uGS 0时，不管漏源之间的电源VDD 极 性如何，总有一个PN+结反向偏置，此时反向电阻很高，不能 形成导电通道。
若栅极悬空，即使漏源之间加上电压 uDS，也不会产生漏 极电流 iD ，MOS管处于截止状态。
2) 输出特性曲线 I D f (U DS ) UGS常数
图4-4b)是N沟道增强型MOS管的输出特性曲线，输出特性曲 线可分为下列几个区域。
① 可变电阻区
uDS很小时，可不考虑 uDS 对沟道的影响。于是 uGS一 定时，沟道电阻也一定， 故 iD 与 uDS 之间基本上是 线性关系。
uGS 越大，沟道电阻越
的变化而变化，iD 已趋于饱和， 具有恒流性质。所以这个区域 又称饱和区。
③ 截止区
uGS UGS(th)时以下的区域。
（夹断区）
当uDS增大一定值以后，漏源之间会发生击穿，漏极电流 iD急剧增大。
2. N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的结构
上述的增强型绝缘栅场效应管只有当 uGS U GS(th) 时才能形成导电沟道，如果在制造时就使它具有一个原始 导电沟道，这种绝缘栅场效应管称为耗尽型。
采用2个MOS场效应管构成的功率放大器
本电路采用2个MOS 场效应管构成功率放大器，为甲乙类（AB类）功率放大器，上面采用N 沟道增强型MOS 场效应管IRF130，下面采用P 沟道增强型MOS 场效应管IRF9130，IRF130和IRF9130是IR 公司生产的配对N 沟道和P 沟道器件，性能几乎是对称的。
为了克服交越失真，必须使输入信号避开场效应管的截止区，可以给场效应管加入很小的静态偏置电流，使输入信号叠加在很小的静态偏置电流上，这样可以避开场效应管的截止区，使输出信号不失真。
增强型MOS 场效应管有个开启电压V T ，V GS 必须要大于V T ，该场效应管才能进入放大区。
IRF130和IRF9130的V GS 最小值为2V ，设计时使2个场效应管栅极之间的电压在2V*2=4V ，或者为了减小直流电源的消耗，取比4V 稍小一点，也是可以的。
只要保持电压的分压比，电阻上的电流是不必考虑的，因为场效应管的栅级输入阻抗是非常高的，栅级几乎不消耗电流，因此，分压GND_0VOFF = 0v电阻的阻值取常用的即可。
从单个场效应管看，这是源级跟随器，所以电压放大倍数为1。
功率放大器对输入电压范围是没有限制的，取决于场效应管的参数，IRF130和IRF9130的绝对最大V GS=±20V，就是说，输入电压范围±15V是没有问题的。
功率放大器根据输入电压，放大接近1倍，得到输出电压，由输出电压，根据负载，得到输出电流。
如果电源电压是±24V，减去2个场效应管的正常工作时的V DS，输出电压范围应该大于±22V，具体做一下实验，也是简单的事。
甲乙类放大器电路的主要特点如下所述：(a).这种放大器同乙类放大器电路一样，也是用两只场效应管分别放大输入信号的正、负半周，但给两只场效应管加入了很小的静态偏置电流，以使场效应管刚刚进入放大区。
(b).由于给场效应管所加的静态直流偏置电流很小，所以在没有输入信号时放大器对直流电源的消耗比较小(比起甲类放大器要小得多)，这样具有乙类放大器的省电优点，同时因加入的偏置电流克服了场效应管的截止区，对信号不存在失真，又具有甲类放大器没有非线性失真的优点。
电子电工学——模拟电子技术 第五章 场效应管放大电路
场效应管正常工作时漏极电流的上限值。
2. 最大耗散功率PDM
由场效应管允许的温升决定。
3. 最大漏源电压V(BR)DS 当漏极电流ID 急剧上升产生雪崩击穿时的vDS值。
4. 最大栅源电压V(BR)GS
是指栅源间反向电流开始急剧上升时的vGS值。
5.2 MOSFET放大电路
场效应管是电压控制器件，改变栅源电压vGS的大小，就可以控制漏极 电流iD，因此，场效应管和BJT一样能实现信号的控制用场效应管也 可以组成放大电路。
场效应管放大电路也有三种组态，即共源极、共栅极和共漏极电路。
由于场效应管具有输入阻抗高等特点，其电路的某些性能指标优于三极 管放大电路。最后我们可以通过比较来总结如何根据需要来选择BJT还
vGS＜0沟道变窄，在vDS作用下，iD 减小。vGS=VP(夹断电压，截止电 压）时，iD=0 。
可以在正或负的栅源电压下工作，
基本无栅流。
2.特性曲线与特性方程
在可变电阻区 iD
Kn
2vGS
VP vDS
v
2 DS
在饱和区iD
I DSS 1
vGS VP
2
I DSS KnVP2称为饱和漏极电流
4. 直流输入电阻RGS
输入电阻很高。一般在107以上。
二、交流参数
1. 低频互导gm 用以描述栅源电压VGS对漏极电流ID的控制作用。
gm
iD vGS
VDS 常数
2. 输出电阻 rds 说明VDS对ID的影响。
rds
vDS iD
VGS 常数
3. 极间电容
极间电容愈小，则管子的高频性能愈好。
三、极限参数
D iD = 0
场效应管电路实训报告
一、实训目的1. 理解场效应管的基本工作原理和特性。
2. 掌握场效应管在电路中的应用，如放大、开关等。
3. 学会使用场效应管进行电路设计和调试。
4. 增强动手能力和实际操作经验。
二、实训器材1. 场效应管（如JFET或MOSFET）2. 电阻、电容、二极管等电子元件3. 万用表4. 信号发生器5. 电路板及焊接工具三、实训内容1. 场效应管基本特性测试（1）测量场效应管的静态特性，如漏源电流、栅源电压等。
（2）测试场效应管的动态特性，如跨导、输出阻抗等。
2. 场效应管放大电路设计（1）设计一个简单的场效应管放大电路，实现信号的放大。
（2）调整电路参数，如栅源电压、漏源电压等，观察放大效果。
3. 场效应管开关电路设计（1）设计一个场效应管开关电路，实现信号的开关控制。
（2）测试开关电路在不同输入电压下的开关特性。
4. 场效应管电路调试（1）对设计的放大电路和开关电路进行调试，确保电路正常工作。
（2）使用万用表等工具测量电路的关键参数，如电压、电流等。
四、实训步骤1. 准备工作（1）查阅场效应管相关资料，了解其基本特性和应用。
（2）根据设计要求，选择合适的场效应管型号。
（3）准备所需的电子元件和工具。
2. 电路设计（1）根据设计要求，绘制电路原理图。
（2）选择合适的电路元件，计算电路参数。
3. 电路焊接（1）按照电路原理图，将元件焊接在电路板上。
（2）注意焊接质量和电路布局。
4. 电路调试（1）使用万用表等工具测量电路的关键参数，如电压、电流等。
（2）根据测量结果，调整电路参数，确保电路正常工作。
5. 实验记录（1）记录实验过程中观察到的现象和结果。
（2）分析实验结果，总结经验教训。
五、实训结果与分析1. 放大电路设计的场效应管放大电路在输入电压为0.5V时，输出电压可达10V，放大倍数为20倍。
经过调试，电路工作稳定，满足设计要求。
2. 开关电路设计的场效应管开关电路在输入电压为5V时，输出电压可达15V，开关特性良好。
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3.2 场效应管放大电路设计
3.2.1、实验目的
1．掌握场效应管的特性和参数的测试方法。
2．掌握场效应管放大器性能的调测方法。
3.2.2、实验原理与设计方法
1.场效应管的分类
场效应管（FET）是一种电压控制电流器件。
其特点是输入电阻高，噪声系数低，受温度和辐射影响小。
因而特别使用于高灵敏度、低噪声电路中。
场效应管的种类很多，按结构可分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）.结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种。
绝缘栅场效应管主要指金属一氧化物—半导体（MOS）场效应管。
MOS管又分为“耗尽型”和“增强型”两种，而每一种又分为N沟道和P沟道。
结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽区的宽窄来控制电流的，输入电阻（105---1015）之间；绝缘栅型是利感应电荷的多少来控制导点沟道的宽窄从而控制电流的大小
其输入阻抗很高(其栅极与其他电极互相绝缘)，以及它在硅片上的集成度高，因此在大规模集成电路中占有极其重要的地位。
2.场效应管的特性
下面以N沟道增强型MOS场效应管为例进行说明场效应管的特性. 图3.2.1为N沟道增强型MOS场效应管的输出特性曲线。
输出特性曲线分为三个区：可变电阻区、恒流区和击穿区。
(1)可变电阻区
当UGs>Ut时，沟道形成；在UDS= 0时，沟道内横向电场等于零，所以I D=0；当U DSd大于~0时，沟道内的
击
穿
区
图 3.2.1 N 沟道增强型 MOS 场效应管
电子在横向电场作用下，产生漏极电流ID。
但当UDS较小时，由于UDS的变化对沟道大小影响不大，沟道电阻基本为一常数，ID基本随UGS作线性变化。
当UGs恒定时，沟道导通电阻近似为一常数，从此意义上说，该区域为恒定电阻区，当Ucs变化时，沟道导通电阻的值将随UGS变化而变化，因此该区域又可称为可变电阻区。
利用这一特点，可用场效应管作为可变电阻器。
(2)恒流区
当UGs 恒定，在未饱和时，增加UDs ，使漏极电流ID 增加，当加大到使靠近漏极端的栅漏电压等于开启电压，，漏极电流达到最大值，漏极端的导电沟道将开始消失(称为预夹断)，此时场效应管刚好饱和；若继续增加UDS ，即UDs>UT ，会使漏极端导电沟道被夹断而出现耗尽层，并随着UDS 的增加，夹断点向源极移动。
由于耗尽层的电阻率远大于沟道的电阻率，因此当漏极端出现耗尽层后，所增加的UDS 几乎全部降在耗尽层两端，而加在沟道两端的电压几乎不变，从而使漏极电流ID 基本不随UDs 而变。
在输出特性曲线上，将不同值时的预夹断点连起来，即是图3.2.1中左侧的虚线。
虚线右面即为恒流区(或称为饱和区)。
场效应管作为放大器使用时，一般工作在此区域内。
(3)击穿区当
UDs 增加到某一临界值时，I D 开始迅速增大, 曲线上翘, 场效应管不工作,甚至烧毁，场效应管工作时要避免进入此区间. 3.场效应管的参数
衡量场效应管控制能力的重要参数指标是跨导m g 。
即
D GS
i m Q
v g ∂=
∂
其大小表征在工作点Q 处栅源交流电压UGS 对漏极交流电流的控制作用，其典型直为lms 一10ms 。
表征场效应管器件输出电流减小到接近于零时的栅源电压称为夹断电压，它是耗尽型场效应管的重要参数；表征场效应管器件开始有输出电流时的栅源压¨，它是增强型场效应管的重要参数。
4．场效应管的判别与实验测试
结型场效应管有三个电极，即源极、栅极和漏极，可以用万用表测量电阻的方法，把栅极找出，而源极和漏极一般可对调使用，所以不必区分。
测的依据是，源极和漏极之间为一个半导体材料电阻，用万用表测量电阻的R×1kQ 量程挡，分别测量源极对漏极、漏极对源极的电阻值，它们应该相等。
也可以根据栅极相对于源极和漏极都应为PN 结，用测量二极管的办法，把栅极找出。
一般PN 结的正向电阻为5kQ ～10kn ，反向电阻近似为无穷大。
若黑表笔接栅极、红表笔分别接源极和漏极，测得PN 结正向电阻较小时，则场效应管为N 沟道型。
场效应管的种类和系列品种比较多，但它们的电路测试原理和测量方法基本相同。
在测量和存放绝缘栅型场效应管时，由于其输入电阻非常高，管内不存在保护性元件，一般将它的三只管脚短路，以免静电感应而击穿其绝缘层，待测试电路与其可靠连接后，再把短路线拆除，然后进行测量。
测试操作过程应十分细心周密，稍有不慎，造成栅极悬空，很可能损坏晶体管。
5．场效应管的正确使用
场效应管主要用于前置电压放大、阻抗变换电路、振荡电路、高速开关电路等方面。
不同类型的场效应管的偏置电压极性要求是不一样的，表3.2.1列出了各类场效应管的偏置极性要求。
式电烙铁，并有良好的接地措施，或在焊接时切断电烙铁电源。
6．场效应管的基本应用 共源极放大器
图3.2.3为场效应管共源极放大器实验电路图。
该电路采用的自给偏压的方式为放大器建立静态工作点，栅极通过R 1接地，因R 1中无电流流过，所以栅极与地等电位。
即V G =0，所以：
V GS =V G -V S =-I S ·R S =-I D ·R S
I I m A ()
GS (V)
场效应管漏极特性曲线
图 3.2.2
V 10K
L 图 3.2.3 场效应管共极放大器
场效应管放大电路的放大倍数为
D m i
V R g V V A '0
⋅-==
式中 L D L
D D R R R R R +⋅=
'， 常数==∆∆=DS CS
O m V V i g
g m 为场效应管的跨导（即类同于三极管的β），它的单位为毫西（mS ），因场效应管的跨
导比较小，要提高Av ，只有增大R D 和R L ，但R D 和R L 的增大，相应地漏极电源电压必须提高。
2
121GS GS D D GS D m V V I
I V I g --=∆∆=
．场效应管放大电路电压放大倍数A V 的测试 （1）输入端输入正弦信号（f=1KHZ ，V 1=25mV ），用示波器观察输入电压波形，如果输出波形出现双向切顶失真，可以减小输入电压幅值；如输出波形单峰切顶失真，可增大或减小R S 使输出波形不失真。
则
i
o
V V V A
（2）去掉输入信号，串入电流表（可用万用表）测出静态工作点I DQ 和V DSQ 值。
（3）将源极自偏压电阻R S 改换成另一阻值（如680Ω或200Ω），得测I DQ 、V DSQ ，V i ，V 0，并将两次结果进行比较。
5．场效应管放大电路的输出电阻R 0和输入电阻R i 的测试（半电压测试法）
3.2.3实验要求
1．基本要求
1] 测量结型场效应管的可变电阻
在可变电阻区内，ID 与VDs 的关系近似于线性关系，，ID 增加的比率受UGS 控制。
因此，可以把场效应管的D 、s 之间看成一个受UGS 控制的电阻。
测量rDs 电路如图7—4—3所示。
图中，
ID=V1/RD r Ds=V2/ID=V2/V1RD
． (1)按图7—4—3接线。
其中，Vi 为10mV 一100mV,f =1000Hz 的正弦波信号。
(2)令VGS=0，调节Vi 使v2在0mV 一100mV 范围内变化，读出V1和v2的值，计算 rDs 值并填入表.
(3)分别将ugs 调至VP-5,2VP-5，3VP-5.4VP-5，重复以上几步
(4)以测得的UDs 为X 轴，ID 为Y 轴，画出MOSFET 栅极一漏极连接的电阻特性曲 线。
2）． 设计一个AV=10的绝缘栅型场效应管共源放大电路。
已知输入信号有效值Vi=150mv ，Rl=20kQ ，选3D01D 型场效应管，其参数为 2扩展要求 场效应管源极跟随器电路设计 .AV=1 Ri=2m 。
R 0 fl fh
3.2.4、实验仪器
1．直流稳压电源 l 台 2．函数信号发生器 1台 3．双踪示波器 VP —M5220A —1型 1台 4．晶体管毫伏表 1台 5．万用表 500型 1只
3.2.5、预习要求实验报告
1．复习场效应管的内部结构、组成及特点。
2．复习场效应管放大电路的工作原理。
4．比较场效应管放大器与晶体管放大器的特点。
5．通过实验测得的放大倍数A v、输入电阻R i、输出电阻R0与理论值进行比较。
4．分析R S和R D对放大器的性能有何影响。
3.2.6 实验与思考题
’1测量场效应管的输入电阳R时，应考虑哪些因素?为什么?
2 为什么场效应管输入端的耦合(隔直)电容c。
一般只要0．021uF左右(它比晶体管的耦
合电容要小得多17
3 为什么场效应管电压放大器的放大倍数一般没有晶体管的电压放大倍数大?
··。