模电(模拟电子线路)试卷及答案

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：静态时输入Vi =0V，V o =0V Ic3=（

集电极电阻Rc2上的压降为V RC2≈ Ie3 Re3 + V

= 2I c1 = 0.64Ma。T1管的基极电位近似为零，

：

：将T3管的输入电阻看作差分放大器的单端输出负载，

=v od2/ v id=

= r bb' +（1+ β2 ）26/0.32 =4.24

b' e2

26/1 + （1+ β3 ）Re3 =245（

管构成发射极接电阻的共发放大器，

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串联负反馈后的闭环电压放大倍数。（16分）

基极

为同相输入端；下为反相输入端

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同相输入端电位：)(10)(121222I I I I f N p u u u u R

R u u -=-=

))(1(10)1212212I I p u u R R

u R R -+=?或：(101

I W o u R R u ?=u I2=20mv 代入上式得：u o =100mv

、根据题目所给参数，（u I2 -u I1）的最大值为20mv ，若R 1为最小值，则为保证集成运放工作=20mv 时，集成运放的输出电压应为+14v ，写成表达式为：

mv R u I 142010

10)min

11=??= ≈(10-0.143)kΩ≈9.86 kΩ

模拟电子线路期末试题及其答案(两套)

《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是。 3．从信号的传输途径看，集成运放由、、、这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的输出状态发生次跃变，迟滞比较器的输出状态发生次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是、、、。二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区

3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有交越失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ．减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

模电模拟试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 3．差分放大电路中，若u I1 = 100 μV，u I 2 = 80 μV则差模输入电压u Id= 20μV；共模输入电压u Ic = 90μV。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC =0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到78.5%，但这种功放有交越失真。二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（A）。A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（D）。 A．P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C）。 A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ D ）。 A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（A）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C)。 a．不用输出变压器b．不用输出端大电容c．效率高d．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C)，发光二极管发光时，其工作在( A)。 a．正向导通区b．反向截止区c．反向击穿区三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12 V，R S 10kΩ， R B1 120 kΩ，R B2 39 kΩ，R C 3.9 kΩ， R E 2.1 kΩ，R L 3.9 kΩ，r bb’ Ω，电流放大系数 β 50，电路中电容容量足够大，要求： 1．求静态值I BQ ，I CQ 和U CEQ ( 设U BEQ 0.6 V )； u I u o R L

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）

模电试题及答案

《模拟电子技术基础》试题（A 卷）学号姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分）（1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。（）（2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。（）（3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。（）（4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（）（5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。（）（6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（）（7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。（）（8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。（）（9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。（）（10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。（）二、选择填空（10分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入；为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入。（A ）电流负反馈（B ）电压负反馈（C ）直流负反馈（D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在 RC f f π210= =时呈。（A ）感性（B ）阻性（C ）容性（3）通用型集成运放的输入级多采用。（A ）共基接法（B ）共集接法（C ）共射接法（D ）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。（A ）β （B ）β 2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。（A ）共基放大电路（B ）共集放大电路（C ）共射放大电路（6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。（A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。

模电试题及答案

试题一一、选择题（每小题2分，共24分）：（1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B.前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏（2）N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C.五价磷元素（3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C.差动放大电路）。（4）高通滤波电路可以用于（ A 滤除高于某一频率的无用信号A. 滤除低于某一频率的无用信号 B. 让低于某一频率的有用信号通过C. 。（5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ） A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好C.引入了电流串联型负反馈。） B 等于（（6）、电路如图所示，其输出电压u O u?u?uu uu?C.A.B. i2i1i1i2i2i1 （7）当信号频率等于放大电路的f或f时，放大倍数的值约下降到中频时的HL0.7倍,即增益下降（ A ）。 A.3dB B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A．同相比例B．微分 C．同相求和（9）PN结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（10）OCL功率放大电路如图所示，当u为正半周时，则( A )。i-111A

A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通（11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u为如图所示的三角波， i则输出电压u的最大值为（ B ）。o A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分）

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础（1）》期末试题（A 卷）参考答案及评分标准一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。 2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，1T 接成共基组态，2T 接成共集组态，1R 和2R 的作用是为T1管提供基极偏置。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。

二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极；答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分，共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分）

2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接）答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分）

中南大学模电试卷及答案

中南大学模拟电子技术试卷（第1套）一、一、填空题（20分，每空1分） 1．双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。场效应管是控制器件。 2．在有源滤波器中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区。 3．在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是放大器，A u2是放大器，A u3是放大器。 4．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极R e 公共电阻对信号的放大作用无影响，对信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比K CMR ＝。 5．设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 2001200f j A += ，则此滤波器为滤波器，其通带放大倍数为，截止频率为。 6．如图所示的功率放大电路处于类工作状态；其静态损耗为；电路的最大输出功率为；每个晶体管的管耗为最大输出功率的倍。二、基本题：（每题5分，共25分） 1．如图所示电路中D 为理想元件，已知u i = 5sin ωt V ，试对应u i 画出u o 的波形图。

2．测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态（截止、饱和、放大）。 3．已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流，说明管子的类型（NPN 或PNP）并在圆圈中画出管子。 4．如图所示电路中，反馈元件R7构成级间负反馈，其组态为；其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。三、如图所示电路中，β＝100， Ω = ' 100 b b r，试计算：(15分) 1．放大电路的静态工作点；（6分） 2．画出放大电路的微变等效电路；（3分） 3．求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o；（6分）

模电试题及答案

试题一一、选择题：（每小题2分，共24分）（1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏（2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素（3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路（4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过（5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈（6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和（9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。

A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通（11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分）（1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。（2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。（3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。

模电试题及答案40678

《模拟电子技术基础》试题（A 卷）学号姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分）（1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。（）（2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。（）（3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。（）（4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（）（5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。（）（6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（）（7）未加外部电压时，PN 结中电流从 P 区流向 N 区。（）（8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。（）（9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。（）（10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。（）二、选择填空（10分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入；为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入。（A ）电流负反馈（B ）电压负反馈（C ）直流负反馈（D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈。（A ）感性（B ）阻性（C ）容性（3）通用型集成运放的输入级多采用。（A ）共基接法（B ）共集接法（C ）共射接法（D ）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。（A ）β （B ）β2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。（A ）共基放大电路（B ）共集放大电路（C ）共射放大电路（6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F）二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。精选文档

大学基础的数电模电试题及答案

一. 填空题 1、继电保护装置必须满足选择性、（快速性）、灵敏性和（可靠性）四个基本要求。 2、安全工作规程是中规定：设备对地电压高于（250V ）为高电压；在250V 以下为低电压；安全电压为36V以下；安全电流为（10mA ）以下。 3、软件测试时需要三类信息：软件配置、（测试配置）、（测试工具）。 4、存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为（12 ）条、数据线为（8 ）条。 5、产品质量特性包括：性能、（寿命）、可信性、（安全性）和经济性。 6、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 7、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 8、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开。 9、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 10、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 11、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 12、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。 13、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。 14、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F）。 15、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF）BW，其中BW=（fH –fL），（1+AF）称为反馈深度。 16、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。 17、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。

模电试卷题库(含答案)

1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中频时的（ B ） a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压信号进行放大，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A比B （ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA

模电试题及答案(大学期末考试题)

《模拟电子技术》期末考试试卷一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开； 4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电

阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、，则三个电极分别是（），该管是（）型。 A、（ B、 C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。 A、压串负 B、流串负 C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（）倍。 A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。 A、电压 B、电流 C、串联

模电试题及答案1-2

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于 3、本征半导体温度升高以后， C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.PNP 硅管 C.NPN 锗管 D.PNP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化 C.保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。 A.限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形，二者相位 A 。A.相同 B.相反 C.相差90° D.相差270° 16、NPN 管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除，这种失真一定是 B 失真。A.饱和 B.截止 C.双向 D.相位 17、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，I B =20μA ，I C =1mA 。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则I B 和I C 分别是 A 。 A. 10μA ，1mA B. 20μA ，2mA C. 30μA ，3mA D. 40μA ， 4mA ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2

模拟电子技术试卷五套(含答案)

模拟试卷一一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。 3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，V，则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管B．NPN 型锗管C．PNP 型硅管D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。 A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。

A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。 A．输入电阻高B．输出电阻低C．共模抑制比大D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。A．减小C，减小Ri B．减小C，增大Ri C．增大C，减小Ri D．增大C，增大Ri 6．如图所示复合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。 A．1500 B．80 C．50 D．30 7．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( )。 A．基本共射放大电路B．基本共集放大电路 C．反相比例运算电路D．同相比例运算电路 8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。 A．积分运算电路B．微分运算电路C．过零比较器D．滞回比较器三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的b1 、rbe1，V2的b2 、rbe2，电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。

模电试卷及答案

一、VD1,VD2为理想二极管，其导通电压为0V，电路如图所示，画出u O的波形。（15分）二、判别题：（21分） 1、若放大电路中三极管3个电极的电位分别为下列各组数值，试确定它们的电极和三极管的类型。（a）①5V ②1.2V ③0.5V （b）①6V ②5.8V ③1V （c）①-8V ②-0.2V ③0V 2、某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电流并联负反馈，这些反馈是否能够（1）稳定输出电压（）（2）稳定输出电流（）（3）增加输出电阻（）（4）增加输入电阻（）（5）增大静态电流（）（6）稳定静态电流（）三、某两级阻容耦合放大电路如图所示，已知β1= β2=40，试求：（24分）（1）各级电路的静态工作点；（2）各级电压放大倍数Au1，Au2和总电压放大倍数Au；（3）放大器输入电阻Ri和输出电阻Ro；（4）后级采用什么电路？有什么优点？

四、OTL电路如图所示，电容C足够大，三极管的饱和压降U CES=1V，求：（15分）（1）电路中VT1、VT2工作在哪一种方式？（2）R1、VD1、VD2的作用是什么？（3）电位器RP的作用是什么？（4）负载R L上能够得到的最大不失真输出功率P omax是多少？五、如图所示电路属长尾式差动放大器。已知VT1、VT2为硅管。β=100，试计算（15分）（1）电路静态工作点Q；（2）差模电压放大倍数A ud；（3）差模输入电阻R id和输出电阻R od。

六、判断图示电路中反馈是何种交流反馈类型，若满足深度负反馈条件，求电压放大增益。（15分）七、运算放大器应用电路如图所示，图中运放均为理想运放，U BE=0.7V。（15分）（1）求出三极管c、b、e各极对地电位；（2）若电压表读数为200mV，试求出三极管的β值。九、具有放大环节的串联型稳压电路如图所示，已知变压器副边u2的有效值为16V，三极管VT1、VT2的β1= β2 =50，U BE1=U BE2=0.7V, U Z=+5.3V，R1=300Ω，R2=200Ω，R3=300Ω，Rc2=2.5kΩ。（15分）（1）估算电容C1上的电压U1=？（2）估算输出电压Uo的可调围。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

模电模拟试卷

《模拟电子技术》模拟试题一一．填充题（每空1分，共20分） 1．在本征半导体中，有和两种载流子。 2．与反向偏置相比，正向偏置时PN 结的宽度、等效电阻。 3．晶体管工作在放大区时，要求发射结向偏置、集电结向偏置。 4．在晶体管三种基本放大电路中，输入电压与输出电压同相并具有电压放大能力的是共放大电路，没有电压放大能力的是共放大电路。 5．在多级放大电路中常用的三种耦合方式中，只能放大交流信号的耦合方式有耦合和耦合两种。 6．差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻E R ，可以使电路的电压放大倍数降低，提高。 7．负反馈放大电路产生自激振荡的条件是平衡条件和平衡条件。 8．在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在或状态。 9．组成正弦波振荡器的电路单元除了有放大电路、正反馈网络外，还有和。 10．整流电路的功能是将交流电压转换成电压，滤波电路主要用来滤除整流电路输出中的。二．分析计算题（共80分） 1．（12分）电路如附图1.1所示，已知I U =18V ，硅稳压管Z D 的稳定电压Z U =10V ，动态电阻Z r 可以忽略。试求：（1）O U 、O I 、I 、Z I 的值；（2）当负载电阻值减小一半，即L R =0.5k Ω时的O U 、O I 、I 、Z I 的值。 2．（16分）电路如附图1.2所示，已知T 的BE U =18V 、β=100、'bb r =300Ω。试求静态工作点及u A 、i R 、o R 的值。 3．（14分）电路如附图1.3所示，已知集成运放A 性能理想，T 1和T 2的特性一致，CES U 可以忽略。（1）请说出2R 引入的是哪种反馈？（2）试求该电路的电压放大倍数i o u /U U A =的值。（3）若t)V 3140(sin 414.1i =u ，试求输出功率o P 、功放级的电源消耗功率V P 和效率η。