高频小信号放大器的主要技术指标
高频一百题
题目部分，(卷面共有100题,348.0分,各大题标有题量和总分)一、填空题(23小题,共68.0分)(3分)[1] 高频电子线路主要用来实现对高频信号的产生、放大和变换，它们分别由高频振荡器电路、小信号谐振放大器和高频功率放大器电路和_调制、解调、混频电路来完成。
(5分)[2] 高频小信号谐振放大器的常用的稳定工作方法有中和_和_失配_；引起其工作不稳定的主要原因是__；该放大器随级数的增加；其增益将_变大___，通频带__变窄__。
(3分)[3] 谐振功率放大器电路组成特点是_谐振回路做负载_、_基极反偏_、_放大器工作在丙类状态_。
(2分)[4] 某谐振功率放大器原工作在临异状态，现测得其，为原设计值的1.01倍，为原设计值的6倍，则该放大器工作在_过压_状态，产生这种现象的可能原因是_或过大。
(4分)[5] 正弦波振荡器的振幅起振条件是________，而相位平衡的稳定条件是________。
(2分)[6] LC振荡器通常采用的偏置电路是_组合式_偏置。
(5分)[7] 包络检波器是用来解调_AM_信号，产生的非线性失真是_惰性失真_和_负峰切割失真_；而同步检波器通常是用来解调_DSB，SSB_信号的，它产生失真的原因是_与不同步_。
(5分)[8] 调幅已调波信号的分类有_AM_、_DSB_、_SSB_三种；它们分别用_包络检波_电路和_同步检波电路进行解调。
(1分)[9] 在功率合成器中，当A，B端反相激励时，_D_端有输出。
(3分)[10] 某接收机的中频为465kHz，在接收550kHz的信号时，收到的镜像干扰频率为_1480kHz_。
(3分)[11] 晶体振荡器的频率稳定度之所以比LC振荡器高几个数量级，是因为_晶体的标准性好、接入系数小，Q值高_。
(3分)[12] 谐振功放的工作状态分_欠压_、_临界_和_过压_三种。
(3分)[13] 负载特性是指当_VCC，VBB，Vbm_一定时，放大器性能随_负载变化的特性。
07-08 第二章——高频小信号放大器
m
4rbbCbeCce
通常，为使电路工作稳定，且有一定的功率增益，晶体 管的实际工作频率应等于fmax的1/3~1/4。
以上三个频率参数的大小顺序为： f max fT f 。
第二章 高频小信号放大器
2.3.1单调谐回路谐振放大器
一、电路结构和工作原理
1 直流偏置电路
第二章 高频小信号放大器
第二章 高频小信号放大器
uo Au ui
其中：
2 p1g oey p2 g ie p2 fe 2 p1 p2 y fe g g o p1 A u 1 1 2 C 2 1 g p g (1 ( jC )) Cie C C 1jCoe p2L j g jL
rbb ybe
b
I2 c + I g mVbe V2 I rbb 1 ybe rbb
ybc
I1 yre V2
V1 0
Vbe rbbV2
e
Vbe I 1 ybe rbb
I V2 1 1 ybc y 1 be rbb V2 ybc 1 rbb ybe 1 rbb ybe rbb ybc
第二章 高频小信号放大器
3. Y参数与π参数转换
Cb'c rbb' rb'c Cb'e ub'e rb'e gm ub’e rce
b + V1 -
I1
rbb ybe
b
ybc
I
g mVbe
I2 c + V2 -
ybc 1 / rbc jCbc jCbc ybe 1 / rbe jCbe gbe jCbe ybe ybc
42-3试简述高频小信号谐振放大器的主要技术指标。42-4对高频小
第4章高频小信号放大器4.1填空题4.1-1晶体管的截止频率fß是指当短路电流放大倍数|ß|下降到低频ß0的时所对应的工作频率。
4.1-2矩形系数是表征放大器好坏的一个物理量。
4.1-3消除晶体管y re的反馈作用的方法有和。
4.1-4晶体管的截止频率fß是指当短路电流放大倍数|ß|下降到低频ß0的时所对应的工作频率。
4.1-5矩形系数是表征放大器好坏的一个物理量。
4.1-6消除晶体管y re的反馈作用的方法有和。
4.2 分析问答题4.2-1简述宽带放大器的分析方法。
4.2-2简述共射-共基组合电路扩展通频带的原理。
4.2-3 试简述高频小信号谐振放大器的主要技术指标。
4.2-4对高频小信号放大器的主要要求是什么？高频小信号放大器有哪些分类？4.2-5高频谐振放大器中，造成工作不稳定的主要因素是什么？它有哪些不良影响？为使放大器稳定工作，可以采取那些措施？4.2-6说明fβ、f Tβ、fɑ和f max的物理意义。
分析说明它们之间的关系。
4.2-7为什么晶体管在高频工作时要考虑单向化或中和,而在低频工作时,可以不必考虑?4.2-8声表面波滤波器、晶体滤波器和陶瓷滤波器各有什么特点,各适用于什么场合?4.2-9在小信号谐振放大器中，三极管与回路之间常采用部分接入，回路与负载之间也采用部分接入，这是为什么？4.2-10简要叙述声表面波滤波器选频的工作原理。
4.3 计算题4.3-1调谐在中心频率为f0=10.7MHZ的三级单调谐放大器，要求BW0.7≥100KHZ，试确定每个谐振回路的有载品质因数Qe。
4.3-2中心频率都是6.5MHZ的单调谐放大器和临界耦合的双调谐放大器，若Qe均为30，试问这两个放大器的通频带各为多少？4.3-3一晶体管组成的单回路中频放大器，如图4.3-1所示。
已知0465f KHz=，晶体管经中和后的参数为：g m=4.4mS，Cie=142pF，goe=55μS，Coe=18pF，Yfe=36.8mS，Yoe=0。
高频电子线路思考题
1.高频小信号放大电路的主要技术指标?如何理解放大倍数、噪声系数与灵敏度之间的关系？如何理解选择性与通频带关系？高频小信号放大器的指标包括增益通带相应输入输出阻抗如果是调谐放大器还应考虑选择性带宽小的电路选择性好，带宽大的电路选择性差。
在中心频率一定的情况下，带宽就是由Q决定的。
带宽W=f。
/Q，所以通频带和Q可以认为是同一个因素，决定选择性好坏的可以说是Q,也可以说是通频带。
2.晶体管低频放大器与高频小信号放大器的分析方法有什么不同？高频小信号放大器能否用特性曲线来分析，为什么？直流分析，就是根据电子器件和电路元件参数，求出放大器的直流电压和电流，即输入端直流电流IBQ（输入直流电压VBEQ通常视为数一硅管为0.7V,锗管约为0.2V）和输出端直流电压UCEQ、直流电流ICQ，这三个量对应输出特性曲线上一个点称为直流（或静态）工作点交流分析（或称动态分析），即在输入信号作用下求出静态工作点上迭加的各极信号电压和电流，并在此基础上计算放大性能指示。
可以采用与分析一般音频放大器频率特性相似的方法,即稳态（又称频域分析法）.也可以用另一种分析方法,就是考察阶跃信号通过放大器后的失真情况,称为暂态法（又称时域分析法）.关于稳态分析法依据:任何复杂的信号都可看成是由许多不同频率,不同幅度的正弦波的叠加.方法:通过分析或测量宽带放大器对不同频率正弦波的响应,得到电路的幅频特性和相频特性,并由此分析出该放大器的一些性能指标.应用连接图示:关于暂态法分析依据:任一信号都可看成由许多起始时间不同,幅度不同的矩形脉冲的叠加.方法:通过观察矩形脉冲经宽带放大器放大后波形的失真情况,来判断该放大器的相关特性.3.为什么低频功放不能工作在丙类而高频功放可以？丙类功放导通角小，导通电流小故放大器的效率和功率较甲、乙类的高。
但丙类放大器的电流波形失真太大，因而不能用于低频功率放大，只能用于采用调谐回路作为负载的谐振功率放大。
高频电子线路思考题
1.高频小信号放大电路的主要技术指标?如何理解放大倍数、噪声系数与灵敏度之间的关系？如何理解选择性与通频带关系？高频小信号放大器的指标包括增益通带相应输入输出阻抗如果是调谐放大器还应考虑选择性带宽小的电路选择性好，带宽大的电路选择性差。
在中心频率一定的情况下，带宽就是由Q决定的。
带宽W=f。
/Q ，所以通频带和Q可以认为是同一个因素，决定选择性好坏的可以说是Q，也可以说是通频带。
2.晶体管低频放大器与高频小信号放大器的分析方法有什么不同？高频小信号放大器能否用特性曲线来分析，为什么？直流分析，就是根据电子器件和电路元件参数，求出放大器的直流电压和电流，即输入端直流电流IBQ（输入直流电压VBEQ通常视为数一硅管为0.7V，锗管约为 0.2V）和输出端直流电压UCEQ、直流电流ICQ，这三个量对应输出特性曲线上一个点称为直流（或静态）工作点交流分析（或称动态分析），即在输入信号作用下求出静态工作点上迭加的各极信号电压和电流，并在此基础上计算放大性能指示。
可以采用与分析一般音频放大器频率特性相似的方法,即稳态(又称频域分析法).也可以用另一种分析方法,就是考察阶跃信号通过放大器后的失真情况,称为暂态法(又称时域分析法).关于稳态分析法依据:任何复杂的信号都可看成是由许多不同频率,不同幅度的正弦波的叠加. 方法:通过分析或测量宽带放大器对不同频率正弦波的响应,得到电路的幅频特性和相频特性,并由此分析出该放大器的一些性能指标.应用连接图示:关于暂态法分析依据:任一信号都可看成由许多起始时间不同,幅度不同的矩形脉冲的叠加. 方法:通过观察矩形脉冲经宽带放大器放大后波形的失真情况,来判断该放大器的相关特性.3.为什么低频功放不能工作在丙类而高频功放可以？丙类功放导通角小，导通电流小故放大器的效率和功率较甲、乙类的高。
但丙类放大器的电流波形失真太大，因而不能用于低频功率放大，只能用于采用调谐回路作为负载的谐振功率放大。
高频小信号谐振放大器
任务一高频小信号谐振放大器任务引入我们知道，无线通信接收设备的接收天线接收从空间传来的电磁波并感应出的高频信号的电压幅度是（μV）到几毫伏（mV），而接收电路中的检波器（或鉴频器）的输入电压的幅值要求较高，最好在1V左右。
这就需要在检波前进行高频放大和中频放大。
为此，我们就需要设计高频小信号放大器，完成对天线所接受的微弱信号进行选择并放大，即从众多的无线电波信号中，选出需要的频率信号并加以放大，而对其它无用信号、干扰与噪声进行抑制，以提高信号的幅度与质量。
在此，首先引入应用广泛的高频小信号谐振放大器。
任务分析高频小信号谐振放大器的作用、电路组成、及工作原理，与低频小信号放大电路是基本一致的。
不同的是：一是在高频小信号谐振放大器中，所放大信号的频率远比低频放大电路信号频率高；二是高频小信号谐振放大器的频宽是窄带（要求只放大某一中心频率的载波信号）。
因此，首先在电路组成上应将低频放大电路中的低频三极管换成具有更高截止频率的高频三极管，将集电极负载换成了LC选频网络；再是在电路分析与设计中，应重点考虑电路的高频特性与选频特性。
高频小信号谐振放大器的核心元件是高频小功率晶体管和LC并联谐振回路。
相关知识一、高频小功率晶体管与LC并联谐振回路1．高频小功率晶体管高频小信号放大电路中采用的高频小功率晶体管与低频小功率晶体管不同，主要区别是工作截止频率不同。
低频晶体管只能工作在3MHz以下的频率上，而高频晶体管可以工作在几十到几百兆赫兹，甚至更高的频率上。
目前高频小功率晶体管工的作频率可达几千兆赫，噪声系数为几个分贝。
高频小功率晶体管的作用与低频小功率晶体管一样，工作在甲类工作状态，起电流放大作用。
2．LC并联谐振回路在接收机的各级高频小信号放大器中，利用LC并联谐振回路的选频作用，对谐振点频率的电流信号呈现较大的阻抗，而且是纯电阻性的，将电流信号转换成电压信号输出，而对失谐点频率的电流信号呈现很小的阻抗，抑制失谐点频率电流信号的输出，起到选择出所需接收的信号，抑制无用的信号和干扰的目的。
高频电子线路小信号放大器资料
I1
V1
yi
yrV2
I2
y f V1 yo V2
为因变量，其网络方程
为 I1 yi V1 yr V2
图3-4 Y参数等效电路
I2 y f V1 yo V2 .
12
即
I1
yi
yr
V1
I2 y f yo V2
式中，yi 、yr 、y f y、o 是晶体管的“内参数”，它们
注：教材P74图3-9
Vc
y fe yoe YL'
Vi
中 Vc 方向与此相反
(4)
YL'
1 p112
gp
jC
1
j
L
P22
yie
其中
g
gp
1， R
gp
为回路的谐振导纳。
Uc p1
Uo
p2 .
32
所以由
Au
Uo Ui
p2 p1
Uc Ui
，知
Au
p2 y fe p1( yoe YL' )
pi ：放大器的输入功率；
2
pi Vi2 gie1 ，
所以
po
p1
y fe g
Vi
p22 ge2
Apo
po pi
p12 p22 gie2 y fe
gie
g
2
2
Avo
g 2 ie2 gie
gie和gie
分别是本级和下一级. 晶体管的输入导纳。
式中，uo、u分i 别为放大电路中心频率上的输出、
输率入的电输压出有、效输值入；功P率o、，P分常i 别用为分放贝大表电示路。中心频
.
5
高频电子线路复习
高频电子线路复习第2章 高频小信号放大器高频小信号放大器与低频小信号放大器的主要区别：（1）晶体管在高频工作时，其电流放大系数与频率有关，晶体管的两个结电容将不能被忽略。
（2）高频小信号放大器的集电极负载为调谐回路，因此高频小信号放大器的主要性能在很大程度上取决于谐振回路。
1．LC 谐振回路的选频作用并联谐振回路的等效导纳：Y=G 0+j(ωC- ),谐振频率：ω0= ，并联回路的品质因数： 其中R=Q L ω0L2.串并联阻抗的等效变换：R 2≈Q 2r 1 ;X 2≈X 13.谐振回路的接入方式:变压器耦合连接，自耦变压器耦合连接，双电容分压耦合连接4.等效变换的接入系数与变换关系（上述三种耦合连接方式接入系数p 的计算公式）5.晶体管高频等效电路：晶体管y 参数等效电路6.高频谐振放大器的分析，等效电路，谐振电压放大倍数，通频带和矩形系数。
第3章 高频功率放大器高频功率放大器是一种能量转换器件，它将电源供给的直流能量转换为高频交流输出。
高频功率放大器与高频小信号放大器的主要区别：高频小信号放大器晶体管工作在线性区域；而高频功率放大器，为了提高效率，晶体管工作延伸到非线性区域，一般工作在丙类状态。
高频功率放大器的分析方法通常采用折线分析法。
1.谐振功率放大器的用途和特点（与小信号调谐放大器进行比较）2.折线近似分析法----晶体管特性的折线化3.丙类高频功率放大器的工作原理：静态时晶体管工作在截止状态；在正弦输入信号时，输出集电极电流为余弦电流脉冲；输出为并联谐振电路，故其输出电压仍为正弦波。
4. 丙类高频功率放大器的一些重要公式：（1）导通角：(2) 集电极余弦脉冲电流的高度（幅值）：（3）集电极余弦脉冲电流波形的表达式：（4）余弦电流脉冲的傅里叶级数表达式：i c =I c0+I c1m cos ωt+I c2m cos2ωt+···+I cnm cosn ωt其中：I c0=I cM α0(θc );I c1m =I cM α1(θc )5. 丙类高频功率放大器的功率和效率：P ==V CC I C0 ;P 0=(1/2)U cm I c1m ;η=P o /P = 。
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高频小信号放大器的主要技术指标
一、引言
高频小信号放大器是现代电子通信系统中的重要组成部分，它用于放大微弱的高频信号，以便在电信、广播、无线通信等领域中进行数据传输和通信。
本文将详细讨论高频小信号放大器的主要技术指标及其影响因素，以及如何优化这些指标以提高放大器的性能。
二、频率响应
频率响应是高频小信号放大器的重要技术指标之一。
它描述了放大器对不同频率信号的增益特性。
在设计放大器时，需要保证频率响应尽可能平坦，以便在整个频率范围内都能够实现高增益。
频率响应的平坦度可以通过调整电路的带宽和谐振频率来实现，同时还需要考虑放大器的稳定性和噪声特性。
1. 带宽
带宽是指放大器能够放大信号的频率范围。
在设计放大器时，需根据实际应用需求选择适当的带宽。
带宽的选择取决于信号频率范围和需要放大的信号的带宽。
2. 谐振频率
谐振频率是指放大器在谐振状态下的工作频率。
谐振频率取决于放大器的电感和电容参数，通过调整这些参数可以改变谐振频率。
谐振频率的选择与应用场景密切相关，不同的应用可能需要不同的谐振频率。
三、增益
增益是高频小信号放大器另一个重要的技术指标，它描述了放大器对信号的放大倍数。
增益的大小直接影响到放大器的灵敏度和信噪比。
1. 功率增益
功率增益是指放大器输出功率与输入功率之间的比值。
放大器的功率增益越大，表示放大器将输入信号放大得更强，提高了信号传输的距离和可靠性。
2. 电流增益
电流增益是指放大器输出电流与输入电流之间的比值。
电流增益反映了放大器对信号电流的放大效果，也是判断放大器性能优劣的重要指标之一。
3. 电压增益
电压增益是指放大器输出电压与输入电压之间的比值。
电压增益决定了放大器对信号电压的放大倍数，也是评估放大器性能的关键指标。
四、线性度
线性度描述了放大器输出信号与输入信号之间的线性关系，也反映了放大器的失真程度。
线性度越高，表示放大器输出的信号与输入信号的关系越接近直线，失真越小。
1. 非线性失真
非线性失真是指放大器输出信号与输入信号之间的偏离程度。
它可能会导致信号的失真、扭曲和交叉调制等问题。
减小非线性失真可以通过优化放大器的输入电路、增加负载电阻等方式来实现。
2. 谐波失真
谐波失真是指放大器输出信号中包含与输入信号频率成倍数关系的谐波分量。
谐波失真会导致信号频谱扩展，损害信号质量。
减小谐波失真可以通过增加反馈电路、选择合适的工作点等方式来实现。
3. 插入损耗
插入损耗是指放大器对信号的放大程度。
在实际应用中，希望插入损耗越小越好，以减少信号的衰减，提高信噪比。
噪声是指放大器输出信号中的无用信号，它与放大器的传输介质和工作环境有关。
减小噪声可以通过优化放大器的输入电路、增加滤波器、降低工作温度等方式来实现。
1. 热噪声
热噪声是由于放大器内部元件的热运动引起的随机信号。
在设计放大器时，需选择低噪声系数的模拟元件，同时优化放大器的工作温度以减小热噪声。
2. 互调失真
互调失真是指放大器因非线性特性而产生的新频率分量。
互调失真会引入新的频谱分量，降低信号质量。
减小互调失真可以通过优化放大器的线性度和选择合适的工作点来实现。
六、稳定性
稳定性是指放大器对环境和工作条件的变化的适应能力。
稳定性好的放大器能够保持稳定的增益和频率响应，不受温度、电源变化等因素的影响。
1. 温度稳定性
温度稳定性是指放大器在不同温度下对增益和频率响应的稳定性。
在实际应用中，放大器的工作温度可能会发生变化，因此需要选择合适的材料和组件，以保证放大器的稳定性。
2. 电源抗干扰能力
电源抗干扰能力是指放大器对电源噪声和电源波动的抑制能力。
在设计放大器时，需引入适当的电源滤波电路和稳压电路，以提高放大器的稳定性。
3. 负载稳定性
负载稳定性是指放大器对负载变化的适应能力。
在实际应用中，放大器的负载可能会发生变化，因此需要通过合适的负载匹配和输出电路设计，以提高放大器的稳定性。
高频小信号放大器是实现数据传输和通信的关键设备，其主要技术指标包括频率响应、增益、线性度、噪声和稳定性等。
在设计放大器时，需要根据实际应用需求选择合适的指标并优化各项指标。
通过综合考虑以上技术指标，可以设计出性能优异的高频小信号放大器，满足不同领域中对信号放大的需求。
最后，为了实现更好的性能，放大器设计过程中还需要注意选择合适的材料、改进器件结构和优化电路布局等方面的因素。