基于MATLAB的磁饱和式可控电抗器的仿真模型参数及过渡时间分析_田铭兴
磁饱和可控电抗器特性研究

磁饱和可控电抗器特性研究对磁饱和可控电抗器进行了理论分析,推导了数学模型,建立了仿真模型,在Matlab/Simulink中进行实例仿真,仿真结果表明理论分析的正确性,基于ansys 软件建模分析讨论了两种载荷情况下,对磁饱和可控电抗器的磁阀处铁芯磁场分布的影响。
标签:磁饱和可控电抗器;工作电流;ansys;仿真1 引言电网中的无功平衡对改善全网供电质量至关重要,是电力系统的重要任务之一,因而实现对电网的无功补偿成为是电力系统需要解决的关键技术问题,在高压线路中安装可控电抗器进行动态补偿是协调过电压和无功平衡问题的好方法[1-3]。
在众多的可控电抗器中,磁饱和式可控电抗器(magnetically saturation controlled reactor,MSCR)以其成本低、性能高,能够平滑调节系统的无功功率,提高系统的输电能力和稳定性的优点[4-5],而受到广泛的关注。
本文基于基本磁化曲线建立了MSCR的数学模型,通过仿真分析,探讨了MSCR的工作电流状态,采用ansys分析了MSCR磁阀结构铁心磁场的分布。
2 MSCR结构及数学模型MSCR电抗器的结构原理如图1所示。
其中,绕组匝数N1+ N2= NA=0.5N,抽头匝比为δ =2 N2/N,ua为施加的交流工作电压,i为电抗器的工作电流,RA 为NA匝绕组对应的电阻值。
在这里,采用基本磁化曲线表示B与H的关系。
用简化的两段折线表示硅钢片磁化曲线,设Bs为铁芯对应的饱和磁感应强度,Hs为此时对应的饱和磁场强度。
则可得:设tanα1= Hs /4Bs,tanα0= 1/μ0,B=f (H)曲线可以用下式描述:3 实例及仿真分析根据上述数学过程,对电抗器参数[8]:额定容量SAN= 60.044 MV·A;额定电压UAN=kV;额定频率fN= 50 Hz;绕组电阻RA= 40Ω。
进行仿真,设置在α=0°状态下在0 s 时刻,电抗器由空载突变到满载。
基于MATLAB的磁控电抗器仿真分析

( H a n g z h o u Y i n h u E l e c t r i c a l E q u i p me n t C o . , L t d . , Ha n g z h o u 3 1 0 0 2 7 , C h i n a ) A b s t r a c t : T h e p i r n c i p l e o f ma g n e t i c a l l y c o n t r o l l e d r e a c t o r f MC R )i s i n t r o d u c e d i n t h i s p a p e r ,a n d t h e
关键 词 : 磁 控 电抗 器( MC R) ;谐 波 ;晶 闸管 ; MA T L A B仿 真
S i mu l a t i o n An a l y s i s o f M CR Ba s e d o n M ATLAB
UU Xi n g e n,Z OU J u n f e n g ,S UN Xi n n i a n
2 0 1 5年 2月
D O I : 1 0 . 1 4 0 4 4 / j . 1 6 7 4 - 1 7 5 7 . p c r p c . 2 0 1 5 . 0 1 . 0 0 8
基 于MA T L A B 的磁控 电抗器仿真分析
刘 新根 , 邹俊峰 , 孙 新 年
( 杭 州 银 湖 电 气 设 备有 限公 司 , 浙江 杭州 3 1 0 0 2 7 )
r e l a t i o n b e t w e e n t h e MC R a d d i t i o n a l wi n d i n g t a p r a t i o a n d t h e h a r mo n i c c h a r a c t e is r t i c s i S a n a l y z e d a n d d i s c u s s e d i n a c c o r d a n c e wi t h t h e f e a t u r e t h a t t h e c o n t r o l a n d r e g u l a t i o n o f t h e MC R i S r e a l i z e d c o mp l e t e l y b y t h e a d d i t i o n a l wi n d i n g . T h e Ma t l a b s i mu l a t i o n s o f t wa r e i s u s e d f o r t h e mo d e l i n g o f t h e MCR a n d t h e
磁阀式可控电抗器的仿真分析

Blockset),建立仿真模型并进行仿真分析。 仿真得 出 了 晶 闸 管
触发角 α 分别为 36°、54°、 72°、 90°、 108°、144° 时 ,MVCR 的
伏安特性。 随着电压的变化,电流的变化量很小。 但是总体上,
MVCR 的伏 安 特 性 近 似 线 性 , 可 以 消 除 其 运 行 时 所 产 生 的 参
数谐振现象。
3.2 控制特性
磁阀式可控电抗器的控制特性是指: 电源电压为额定正
弦的情况下, 工作电流的基波幅值随控制触发角 α 变化的关
系。 由仿真可以得出 MVCR 基波电流幅值与触发角之间具有
明显的非线性关系,呈近似余弦特性。
3.3 谐波特性
磁阀式可控电抗器工作电流中的谐波成分, 主要是由于
铁芯磁路的饱和引起的。 分析谐波的方法是:在电抗器整个容
用耗能减震技术进行高层建筑结构加层的第一个工程。
5.结语
隔震与耗能减震技术同传统抗震体系相比, 具有巨大的 优越性,在突发性的超过设防烈度地震中不破坏、不倒塌,既 保护建筑结构本身, 又保护建筑物内部的仪器设备及人员的 安全,经济适用,将成为建筑抗震的主体。 今后的研究可以集 中在标准化、优化设计、细部构造、新产品的开发和完善方向, 新产品的开发应以低价、高效和高性能为目标,为减轻地震灾
当电源处于正半周期时, 晶闸管 VT1 承受正向电压, VT2 承受反向电压。 若 VT1 触发导通,电源经变比为 δ 的线圈(N/2) 自耦变压后由匝数为 N2 的线圈向电路提供直流控制电压和电 流。同理,在电源负半周期时 VT2 触发导通,同样产生直流控制 电压和电流, 且产生的 控 制 电 流 方 向 与 VT1 导 通 时 产 生 的 一 致。在电源的一个工频周期内, VT1 、 VT2 的轮流导通起到了全 波整流的作用,而二极管 D 的作用是续流。 改变晶闸管 VT1 、 VT2 的触发角就可以改变控制电流的大小,从而改变铁芯的 磁 饱和度,平滑调节可控电抗器的容量。
基于ANSYS的磁饱和式可控电抗器分析

基于ANSYS的磁饱和式可控电抗器分析基于ANSYS的磁饱和式可控电抗器分析引言:磁饱和式可控电抗器是一种能有效控制电网中电力系统的电压和电流波动的装置。
它在电力系统中的应用得到了广泛的关注和研究。
本文将介绍如何利用ANSYS软件进行磁饱和式可控电抗器的分析和仿真。
一、磁饱和式可控电抗器简介磁饱和式可控电抗器是一种在电力系统中用于补偿因电感和电容导致的电力波动的装置。
它由磁饱和型可控电源和串接在其后的电抗器组成。
通过改变可控电源的输出电压,可以调整电抗器的电压和电流,从而控制电网中的电压和电流波动。
二、磁饱和式可控电抗器的工作原理磁饱和式可控电抗器的工作原理基于磁饱和特性。
当电流通过磁饱和电感器时,电感器的磁场会饱和,导致电感器的磁阻增大,从而降低电感器的电感值。
这种现象可以用ANSYS中的磁场分析工具来模拟。
三、ANSYS软件介绍ANSYS是一款强大的工程仿真软件,提供了多种分析工具和模拟功能。
在磁饱和式可控电抗器分析中,可以使用ANSYS中的磁场分析工具进行仿真。
四、磁饱和式可控电抗器的建模和分析1. 创建磁饱和式可控电抗器的几何模型,包括可控电源、串接电抗器以及与电力系统相连的电源线和负载线等。
2. 在ANSYS中导入建模所需的材料参数,如磁导率、电导率等。
3. 运用ANSYS的磁场分析工具对模型进行仿真。
设置合适的分析类型和参数,包括电流密度和电磁力等。
4. 根据仿真结果进行分析和评估,包括电压波动、电流波动等参数的变化。
5. 通过改变可控电源输出电压,观察电抗器的电压和电流的变化,验证磁饱和式可控电抗器的控制效果。
五、仿真结果与分析通过ANSYS的磁场分析工具,可以得到磁饱和式可控电抗器在不同电压输出下的电抗器电压和电流变化情况。
根据仿真结果可以得到以下结论:1. 当可控电源的输出电压提高时,电抗器的电流和电压随之增大,实现了电力系统的电流和电压控制。
2. 可以根据实际需求调整可控电源的输出电压,从而更好地控制电力系统的电流和电压。
温度变化对磁饱和式可控电抗器特性的影响

温度变化对磁饱和式可控电抗器特性的影响张慧英;田铭兴【摘要】磁饱和式可控电抗器运行中,损耗或工作环境造成的温度变化会导致其本体结构材料特性变化,从而改变其工作特性.基于磁饱和度计算理论,提出分析温度变化对磁饱和度和工作电流影响的方法.首先,根据磁饱和度的计算公式以及磁饱和度与工作电流之间的关系,分析磁饱和度、工作电流随饱和磁密和绕组电阻变化的趋势;然后,根据材料的温度特性,得到饱和磁通密度和绕组电阻关于温度的表达式;最终获得温度变化对磁饱和度和工作电流影响的基本规律.理论分析和计算结果表明:饱和磁密和绕组电阻随温度变化的趋势相反;并且相同的温度变化对绕组电阻的影响程度较大,同样其对磁饱和度和工作电流的影响程度也不同.因此,在设计计算和运行性能评估中,要充分考虑温度变化的影响.【期刊名称】《兰州交通大学学报》【年(卷),期】2019(038)002【总页数】5页(P67-71)【关键词】磁饱和式可控电抗器;磁饱和度;工作电流;温度影响;特性分析【作者】张慧英;田铭兴【作者单位】兰州交通大学自动化与电气工程学院,甘肃兰州 730070;兰州交通大学甘肃省轨道交通电气自动化工程实验室,甘肃兰州 730070;兰州交通大学自动化与电气工程学院,甘肃兰州 730070;兰州交通大学甘肃省轨道交通电气自动化工程实验室,甘肃兰州 730070【正文语种】中文【中图分类】TM474电磁设备的运行中,损耗发热或工作环境造成的温度变化不可避免,磁饱和式可控电抗器(magnetically-saturated controllable reactor,MCR)也不例外,由于基于直流偏磁原理工作,其损耗发热问题相比一般电力变压器更突出.目前,在MCR损耗发热问题的研究方面,研究人员比较关注铁芯结构对损耗的影响[1-3]和损耗计算方法[4-6],研究温度变化对MCR特性的影响还很鲜见.运行过程中,损耗发热导致MCR的铁芯和绕组的温度上升,这不但破坏绝缘,也会改变本体结构材料的特性.研究中发现[7-10],MCR投入工程应用后,其实际磁饱和度或工作电流的实际值与设计值存在一定的偏差,但研究人员未对此问题进行进一步分析研究. MCR的磁饱和度表示一个工频周期内铁芯处于磁饱和状态的时间,其值与触发角角度之间的对应关系是调节工作电流进而实现补偿无功或电压控制的基础.额定磁饱和度是设计MCR时首先确定的基本参数之一[11].磁饱和度及其相关理论为电流、谐波特性的分析提供了理论基础.本文将分析和探讨温度变化对磁饱和度和工作电流特性的影响.首先分析本体材料特性与温度的关系以及材料特性的变化对磁饱和度和工作电流的影响;找出温度与磁饱和度、工作电流的关系;最后通过实例计算分析MCR磁饱和度和工作电流随温度变化的情况.1 磁饱和度和工作电流与参数的关系MCR通常并联使用在交流输电线路中,单相MCR的基本原理图如图1所示.图1中,u为工作电压,i为工作电流,抽头比δ=N2/N1,由晶闸管VT1、VT2和二极管VD组成的控制回路得到控制偏磁的直流电流.调节铁芯柱上的偏磁直流来改变铁芯磁饱和程度,实现MCR输出无功功率的变化.MCR磁饱和度β的取值范围为[0,2π],文献[12]中给出的β计算表达式如式(1)所示.(1)式中:μ0是空气磁导率,其值为4π×10-7;α为晶闸管触发角;UN为工作电压额定值;NA为一个铁芯柱上绕组匝数;RA为NA匝绕组的电阻;Bs为铁芯材料的饱和磁通密度,简称饱和磁密;l为磁路长度;mA为铁芯柱上小截面段与大截面的面积比.图1 MCR基本结构Fig.1 Basic structure diagram of MCR式(1)等号右边式子中参数NA、δ、mA、l是与本体结构尺寸相关的参数,MCR 设计制造完成后,这些参数不受温度影响.UN大小等于电网电压,α由MCR的控制系统给定,因此,UN和α也与温度无关.RA和Bs分别与绕组材料和铁芯材料的温度特性相关,因而本文主要考虑不同温度下RA和Bs的变化对磁饱和度和工作电流的影响.式(1)等号左边是以磁饱和度为变量的表达式,用函数f(β) 表示.β在[0,2π]范围内变化时,f(β)函数值随β单调增加的变化曲线如图2所示.图2 f(β)随β的变化曲线Fig.2 The curve of f(β) changing with β显然,式(1)等号右边的值随RA或Bs的增加而减小,因此,f(β)的值随绕组电阻和饱和磁密的增加而减小.结合图2中f(β)函数值随β变化趋势,可得到β随RA 或Bs的增加而减小的结论.由铁芯材料的磁饱和度特性,磁饱和度β的最大值只能为2π,式(1)右边的值最大为π.文献[11]中给出了MCR工作电流基波幅值的标幺值与磁饱和度β的关系式如下:(2)由式(2)可得到随β的变化曲线如图3所示.图随β的变化曲线Fig.3 The curve of changing with β由式(2)和图3可知,在β的变化范围内,随β的增加而增大.综上所述,MCR的工作电流随Bs、RA的增加而减小.2 参数与温度的关系2.1 饱和磁通密度电磁场理论中,磁场强度的定义式为[13](3)式中:H为磁场强度;B为磁通密度;M为磁化强度.铁磁材料的饱和磁密随温度升高而降低,温度升高到居里温度点后,铁磁材料饱和磁密几乎减小为零[14].基于Weiss铁磁性理论,铁磁材料的饱和磁化强度Ms与温度t的关系为[15](4)式中:是温度20 ℃时的饱和磁化强度;t是铁磁材料温度;tc是铁磁材料的居里温度;τ是与温度相关磁化常数.将式(4)代入式(3),得到饱和磁通密度Bs与温度t之间的关系表达式为(5)式中:为室温下的饱和磁场强度.先确定铁芯材料的居里温度tc,然后将室温下铁芯材料的和的值、温度t1下的饱和磁密和tc代入式(5)后,计算得到τ.将和的值代入式(5),就得到了铁芯材料的饱和磁密Bs关于温度t的表达式.2.2 绕组电阻MCR运行过程中损耗发热引起绕组温度升高,使绕组电阻RA变大.根据国家标准GB/T 3956-2008[16]中的规定,不同温度下绕组电阻的计算表达式为(6)式中:R0是温度t0时绕组的电阻值,t0取20 ℃;T为电阻温度常数.铁芯和绕组温度升高时,绕组电阻增加,饱和磁密却降低.因此,温度虽不是式(1)中的参数,却通过影响绕组和饱和磁密改变磁饱和度.仅考虑电阻变化时,磁饱和度随温度升高而减小;仅考虑饱和磁密变化时,磁饱和度随温度的增加而增加.3 实例计算本文将通过实例计算进一步分析铁芯材料饱和磁密和绕组电阻两参数随温度变化的情况以及单一参数变化和两参数同时变化对MCR磁饱和度和工作电流的影响情况.单相MCR样机的设计参数为UN=220 V、δ=0.037、mA=1/3、NA=400、RA=0.54 Ω、Bs=1.98 T、l=10 mm和额定磁饱和度βN=2π.其中,RA和Bs值为温度20 ℃的值.样机运行允许最高温度为105 ℃,触发角α变化范围为[180°,0°],对应的β范围是[0,βN].α=180°和0°分别对应MCR的空载和额定运行状态.3.1 饱和磁密的变化和影响样机铁芯材料属于冷轧取向硅钢片,硅钢片的居里温度tc=700 ℃[17].实验测量得温度为20 ℃时的铁心材料的当t=125 ℃时,饱和磁密Bs取值为1.9 T[18];将这些参数值代入式(5),计算得到τ=267.样机铁芯材料的饱和磁密关于温度的表达式如式(7)所示.(7)由式(7)计算得到温度为20 ℃、50 ℃、80 ℃和105 ℃下的Bs值.不同温度下Bs 值和样机设计值代入式(1),计算得到在α调节范围内β随Bs的变化曲线,如图4所示.再将不同Bs对应的β值代入式(2),得到对应的最后,画出不同Bs值下的关系曲线,如图5所示.图4 不同Bs下的α-β曲线Fig.4 Curves of α-β under different Bs图5 不同Bs下的α-曲线Fig.5 Curves f α- under different Bs铁芯温度升高, Bs的减小使α未减小到0°而β就已达到2π,且温度越高,达到2π时对应的α越大.当温度为105 ℃,磁饱和度为2π时对应α为30°左右.这是由于同样的偏磁直流激励下,铁芯饱和磁密值越小越容易达到磁饱和.铁芯达到磁饱和后,即使减小触发角,磁饱和度仍保持2π不变,触发角失去对磁饱和度的调节作用,工作电流也基本不变.因此,铁芯磁饱和后,继续减小触发角仅使MCR 损耗增大,不能增加电流.3.2 绕组电阻的变化和影响MCR样机绕组材料为铜,铜的电阻温度常数T=234.5[16],将T和RA的设计值代入式(6)得到MCR绕组电阻随温度变化的关系式:RA(t)=0.002 1×(t+234.5).(8)由式(8)计算得温度t=20 ℃、50 ℃、80 ℃和105 ℃的电阻值,将不同温度下的RA和其他设计参数代入式(1),得到不同RA值下磁饱和度随触发角的变化情况,如图6所示.再将不同RA对应的β值代入式(2),得到工作电流基波幅值及其随触发角的变化曲线,如图7所示.由图6和图7可看到,随温度升高,绕组电阻增加,结果使α=0°时对应的β小于设计值2π.温度升高至105 ℃,α=0°时的β和值分别比设计值小25%和12.6%.图6 不同RA下的α-β曲线Fig.6 Curves of α-β under different RA图7 不同RA下的α-曲线Fig.7 Curves of α- under different RA对比式(7)和式(8)可知,Bs和RA随温度的变化趋势相反,对β和的影响效果也相反.图4~7中的计算结果形象的说明了这一点.当温度由20 ℃升至105 ℃时,RA 增加了17%,而Bs减小了3%左右.由此可见温度变化对Bs影响程度比对RA的小.3.3 综合考虑饱和磁密和绕组电阻的变化和影响假设铁芯和绕组的温度相同,将20 ℃、50 ℃、80 ℃和105 ℃时的绕组电阻、饱和磁密以及MCR设计参数代入式(1),计算得到综合考虑温度影响的磁饱和度随触发角的变化曲线,如图8所示.将不同温度对应的β值代入式(2)得到综合考虑温度影响的α-关系曲线,如图9所示.图8 不同RA和Bs下的α-β关系曲线Fig.8 Curves of α-β under different RA and Bs由于绕组电阻和饱和磁密随温度变化的趋势相反,同时考虑二者变化的影响,RA 变化对磁饱和度或工作电流产生的影响将被Bs抵消掉一部分.但绕组电阻的影响程度大于饱和磁密的影响程度,被抵消掉的部分很小.因此,综合考虑Bs和RA的影响时,温度变化对MCR的磁饱和度和工作电流的影响仍不可忽视.图8中,t=105 ℃时,α=0°对应的β值与图6中β值差别不大,仅仅大了2%.同样,图9中,t=105 ℃时,α=0°对应的值比图7中值仅仅大了1.6%.因此,图7~9中的对比结果与理论分析一致,也说明温度变化时MCR磁饱和度和工作电流主要受绕组电阻变化的影响.图9 不同RA和Bs下的α-曲线Fig.9 Curves of α- under different RA and Bs 4 结论本文根据MCR本体结构材料的温度特性,确定了铁芯材料饱和磁密、绕组电阻与温度之间的关系表达式.然后,基于得到的关系表达式、磁饱和度计算理论以及磁饱和度与工作电流的关系,分析了温度变化对MCR磁饱和度和工作电流的影响.结果表明:1) 温度变化会引起MCR绕组电阻和铁芯材料饱和磁密的明显变化,进而导致磁饱和度、工作电流的实际值与其设计值存在偏差.2) 温度变化时,饱和磁密和绕组电阻受温度影响产生的变化趋势相反.3) 相同温度变化对绕组电阻的影响程度大于对饱和磁密的;进而绕组电阻变化对磁饱和度和工作电流的影响大于饱和磁密变化的影响.综合考虑饱和磁密和绕组电阻的影响时,磁饱和度和工作电流的变化主要受绕组电阻变化的影响.【相关文献】[1] 王子强,尹忠东,周丽霞.基于ANSYS的可控电抗器磁路结构与损耗分析[J].电网技术,2010,34(4):168-172.[2] 谢鹏康,陈恒林,陈国柱.并联磁阀三相六柱式磁阀式可控电抗器磁损特性[J].浙江大学学报(工学版),2015,49(12):2418-2424.[3] 朱可晴.可控电抗器的附加损耗计算[D].沈阳:沈阳工业大学,2012.[4] 许晖,尹忠东.新型磁控电抗器的损耗温升分析[J].电力科技,2014(16):154.[5] 欧振国.磁控电抗器的损耗研究[D].广州:广东工业大学,2014.[6] 顾生杰,张帆,田铭兴,等.带并联电抗器补偿的长距离输电线路的功率损耗[J].兰州交通大学学报,2014,33(4):12-15.[7] 石鹏太.磁阀式可控电抗器结构与运行性能关系研究[D].兰州:兰州交通大学,2016.[8] 陈柏超.新型可控饱和电抗器理论及应用[M].武汉:武汉水利水电大学出版社,1999.[9] 耿学斌.磁饱和电抗器最小输出电流的确定及最大输出电流的可靠获得[J].变压器,2017,54(3):9-12.[10] 章宝歌,田铭兴.具有低谐波的三相双级磁控电抗器特性研究[J].兰州交通大学学报,2016,35(4):56-59.[11] 尹忠东.磁阀式可控电抗器的理论研究及应用[D].武汉:武汉水利电力大学,1997.[12] 田铭兴,杨雪凇,顾生杰,等.基于MATLAB的磁饱和式可控电抗器的仿真模型参数及过渡时间分析[J].电力自动化设备,2013,33(6):47-51.[13] 马西奎.电磁场理论及应用[M].西安:西安交通大学出版社,2000.[14] 李超,徐启峰.J-A模型误差修正和温度特性仿真[J].电工技术学报,2014,29(9):232-238.[15] LADIMI A,MEKIDECHE M.Modeling of thermal effects on magnetic hysteresis using the Jiles-Atherton model[J].Przeglad 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基于磁饱和式可控电抗器无功补偿的研究的开题报告

基于磁饱和式可控电抗器无功补偿的研究的开题报告一、研究背景随着电力系统规模的不断扩大和电力负荷的不断增长,电力系统稳定性和可靠性的问题越来越引起人们的关注。
特别是无功补偿技术,是电力系统中解决电压稳定性和能效问题的重要手段之一。
现有的无功补偿技术主要包括电容器补偿和STATCOM无功补偿等,但存在效率低、体积大、成本高等问题。
因此,如何选取一种合适的无功补偿技术,对电力系统的正常运行和经济效益都具有深远的影响。
二、研究目的本项研究旨在研究基于磁饱和式可控电抗器无功补偿技术,探索其在电力系统中的应用。
具体目的包括:1.研究磁饱和式可控电抗器结构及原理;2.分析磁饱和式可控电抗器在电力系统中的应用;3.基于PSCAD/EMTDC仿真平台,搭建磁饱和式可控电抗器无功补偿系统,并进行仿真实验;4.分析磁饱和式可控电抗器无功补偿系统在电力系统中的性能和经济效益,探讨其在电力系统中的应用前景。
三、研究内容1.磁饱和式可控电抗器结构及原理的研究2.磁饱和式可控电抗器在电力系统中的应用及其优缺点的分析3.基于PSCAD/EMTDC仿真平台,搭建磁饱和式可控电抗器无功补偿系统4.进行仿真实验,分析系统的性能5.探讨磁饱和式可控电抗器无功补偿技术在电力系统中的应用前景四、研究方法本项研究采用文献研究、理论分析和仿真实验相结合的方法。
首先通过文献研究和理论分析,深入探讨磁饱和式可控电抗器结构、原理及其在电力系统中的应用,并制定仿真实验方案。
然后使用PSCAD/EMTDC 仿真平台,建立磁饱和式可控电抗器无功补偿系统,并进行仿真实验,分析系统的性能及经济效益。
最后,对研究结果进行总结,探讨磁饱和式可控电抗器无功补偿技术在电力系统中的应用前景。
五、预期成果1.研究报告:包括研究背景、研究目的、研究内容、研究方法、实验结果和分析以及结论等。
2.仿真实验报告:包括仿真实验方案、实验结果和数据分析等。
3.研究论文:撰写并发表一篇关于磁饱和式可控电抗器无功补偿技术在电力系统中的应用的研究论文。
单相磁阀式可控电抗器的设计原理研究
高度计算方法得出线圈高度日(m 。 ) m
34 绕 组漏 电抗 的计算 .
对于电抗器主、控绕组是双绕组形式还是合二 为一的单绕组形式的问题 ,根据电压等级和要求 的 不 同选择 。但是 生产企业 考虑 到成本 问题 , 同时也 为
了降低 损耗 、 简化线 圈结 构 , 大多会 采用 主绕 组 与控 制绕 组合 二为一 的单绕组 结构形式 , 图3 如 所示 。
中 图分 类 号 : M 0 T 41
文献 标 志 码 : A
单相磁 阀式 可控 电抗器 的设计原理研 究
刘言菊-田铭 兴L 何利l , 2 , , 黄琳
( 兰州 交通 大学 自动 化 与 电气 学院 , 肃 兰 州 70 7 ) 甘 30 0 De i n Prn i l fS ng e sg i c p e o i l-Pha e M ag e i l e Con r le a t s n tc Va v t o ld Re cor
第 2卷 7
第7 期
电网与清洁能源
37
式 中, 为电抗器每柱容量 ,v A, = # , 为电抗 k ・ S S'S z 2 器 的额 定容量 (V・1 k A; 为经 验系 数 , 6~ 0 取 O 7 。根据 文 献『1 压器 设 计 的有 关 规 定 , 出 的D 最 后 一 6变 算 值
= k ∑W
=
() 8
式 中 , 为估算线 圈匝电压, ; 电源频率;为心 e V伪 B
柱 磁 密 ,; TA 为心柱有 效截 面积 ,m 。 c 计 算 线 圈总 匝数 必 须 知道 MC 的 主 电抗 电压 , R 因此 应先 估 算 主 电抗 电压 占总 电抗 电压 的百分 数 , 通 常 为6%~ 5 0 9%。则线 圈匝数 为 :
基于 MATLAB 的磁阀式可控电抗器仿真建模
基于 MATLAB 的磁阀式可控电抗器仿真建模李蕾;程汉湘;彭湃;陈杏灿;杨健【摘要】以磁阀式可控电抗器(magnetically controlled reactors,MCR)无功补偿装置作为研究对象,阐述其工作原理和电磁特性。
选取2个相同参数的饱和变压器作为 MCR 的本体,在 MATLAB/SimPowerSystem 平台上搭建仿真模型,通过设定饱和变压器的额定容量、额定电压、自耦比、绕组电阻等参数,得到不同触发角的MCR工作电流和磁链波形。
仿真结果与铁心运行时的电磁特性理论分析结果相符,说明仿真模型正确。
%Taking reactive compensation device of magnetically controlled reactor (MCR)as research object,this paper states its working principle and electromagnetic characteristic. Two saturable transformers with same parameters are selected as MCR noumenon and simulation model is established on MATLAB/SimPowerSystem platform. By setting parameters such as rated capacity,rated voltage,self-coupling ratio,winding resistance,and so on,MCR working current and flux waveforms of different trigger angles are obtained. Simulation results and theoretical analysis results of electromagnetic characteristic at the time of core operating are consistent,which indicates that the simulation model is correct.【期刊名称】《广东电力》【年(卷),期】2016(029)002【总页数】4页(P45-47,63)【关键词】磁阀式可控电抗器;电磁特性;仿真模型;晶闸管【作者】李蕾;程汉湘;彭湃;陈杏灿;杨健【作者单位】广东工业大学自动化学院,广东广州 511495;广东工业大学自动化学院,广东广州 511495;广东工业大学自动化学院,广东广州 511495;广东工业大学自动化学院,广东广州 511495;广东工业大学自动化学院,广东广州511495【正文语种】中文【中图分类】TM714.3在电力系统的电压控制及无功补偿中,磁阀式可控电抗器(magnetically controlled reactors,MCR)因具有补偿容量可连续调节、自身抗干扰能力强和谐波电流含量小等特点[1],近年来备受重视并得到初步的应用。
基于MATLAB的电力系统继电保护仿真研究
基于MATLAB的电力系统继电保护仿真研究摘要:以MATLAB为基础的仿真技术能够完成电力体系继电保护的解析以及创设,笔者以电力体系的继电保护为中心环节,创建了体系仿真模型,并例举了电力体系故障、零序电流保护、变压器纵差保护等仿真案例的达成模式。
在参考这部分仿真案例的同时,对仿真成果实施了深度剖析。
关键词:MATLAB;电力体系;继电保护;仿真研究为了能够获得高特性的继电保护商品,通常要完成继电保护模拟实验,以往的继电保护试验多应用实体的物理模型,试验流程繁琐、成本居高不下,效果也不甚理想,其变通性不佳。
电力体系继电保护数字仿真是运用电脑软件模拟电力体系故障产生后电气量的波动特性,模拟继电保护设备的处置以及动作的流程,有着稳定性强、成本低、能够反复试验、脱离环境约束、研发时间短等优势。
透过对各类相异的继电保护技术的仿真,并辅以软件的协助,可以快速排查出设施运转时的故障并第一时间处理。
而MATLAB为核心的电力体系继电保护仿真是其中使用频率较高的技术。
一、电力系统故障仿真笔者使用双电源供应电能的体系模型,电压级别是220千伏,见下图:图1 电力体系故障模型上图的模型显示:同步发电机电机的容量是500MV?A,电压是13.8千伏;频率是50赫兹;三相变压器的容量是500MV?A,D11/Yg线路接入模式,频率是50赫兹。
150千米电线的正序阻抗是0.01165+j0.0008679欧姆/千米,对地电容是13.41×10-9F/km。
电荷1的电压达到220千伏;有功负荷达到220×106/250W;无功负荷达到200W;负荷3显示电压值是220千伏;有功负荷达到220×106/250W;无功负荷达到200W;负荷四电压值达到13.8千伏;有功负荷达到220×106/250W;没有无功负荷。
在设计故障体系MATLAB仿真模型的过程中,透过故障模块能够设计三相短路、两相短路、两相短路接地、单相短路接地故障。
基于MATLAB多绕组变压器模型的磁饱和式可控电抗器仿真建模方法_田铭兴
(1 - δ)
π 2
RA(1 + δ)(1 - δ) ψSim+ ψS δ 姨 2 UAN
取磁链基值为:
im= 0 im> 0
ψbase = 姨 2
U1N 2πfN
把式(3)代入式(16)可得:
ψbase = 姨 2
UAN / 2 2πfN
(1 - δ)
把式(17)代入式(15)可得:
1
ψ* =
π 2
1
ψ* = ψ = ψbase
1-δ 2
i*m+ 1
i*m= 0 i*m> 1
其中,i*m= im / Ibase,为磁化电流标幺值。
(13) (14) (15) (16) (17) (18)
(19) (20) (21)
3 建模
如 图 1 所 示 ,MSCR 的 每 个 铁 芯 及 其 绕 组 可 以 看作 1 个 4 绕组变压器,而 MATLAB 的 Powersystem Blocksets 中提供了多绕组变压器模型 Multi-Winding Transformer。 所以,用 2 个多绕组变压器模型,以及 晶闸管、二极管、电源等模型,并根据图 1 所示的连 线方式就可以建立 MSCR 的仿真模型。 其 中 ,核 心 模 型 是 2 个 完 全 一 样 的 多 绕 组 变 压 器 模 型 MultiWinding Transformer。 所建的 MSCR 仿真 模 型 在 形 式上与图 1 所示 MSCR 结构完全一致,直观简单,且 可仿真出图 1 中所有元器件的电压、电流的变化过程。
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电压 UAN = 500 / 姨 3 kV ; 额定频率 fN = 50 Hz ; 绕组电 阻 RA = 40 Ω 。 由式 (17) 算得 IAN = 208 A ; 由式 (18) 算 得 δ = 0.047 4 。 仿真时 , 电抗器在 0 s 时刻由空载突变到满载 。 工作电流 i1 和控制电流瞬时值 i2 波形如图 3 所示 ; 铁 芯 1 的 磁 链 ψ1 和 铁 芯 2 的 磁 链 ψ2 及 其 平 均 值 ψa1、ψa2 波形如图 4 所示 ; 工作电流 i1 的基波幅值 Im1 和控制电流 i2 的 平 均 值 I2 , 以及工作电流等于 0 条 件下控制电流平均值 I20 波形如图 5 所示 。 由图 3— 5 可知 , 仿真结果正确反映了电抗器工 作过程 , 所以仿真模型是有效的 。
(
2
)d
(2 )
电 力 自 动 化 设 备
RA * i1 NA u1 NA 2 NA 1 RA * NA i2 u2 2δ R A 1-δ
第 33 卷
式中等号右边项为图 2 中单相可控整流桥输出 平均电压 。 由文献 [11 ] 可得 :
I2 =
2 Bs l sin β - β cos β 2 2 2 πμ0(2NA)
收稿日期 :2012 - 07 - 12 ; 修回日期 :2013 - 04 - 15 基金项目 : 国家自然科学基金资助项目(51167009)
1
等效电路及参数计算
单相磁饱和式可控电抗器的结构原理图如图 1
所示 [14 -15]。 图 1 中 , 绕组匝数 NA = N1 + N2; 自耦比 δ = N2 / NA;铁芯 1、2 的等效磁路长度均为 l,等效磁路截 面积均为 A ;uA 为工作电压 ;iA 为工作电流 ;id 为直流 环流 ( 控制电流 );1 为铁芯 1 的磁通 ;2 为铁芯 2 的 磁通 。 NA 匝绕组的电阻为 RA, 则 N1 匝绕组的电阻为 (1 - δ )RA,N2 匝绕组的电阻为 δRA。
0
引言
MATLAB 的磁饱和式可控电抗器仿真模型参数与电
抗器参数之间的定量关系 , 明确仿真模型参数的设 置方法 , 并给出一个过渡时间计算的改进公式 。
可控电抗器在保证电网安全 、 可靠 、 经济运行方 面具有重要应用价值 , 对于超高压长距离输电网尤 其如此 。 文献 [1-2] 是关于可控电抗器应用研究方面 较早的论文 , 指出在新建的电网中应该广泛使用可 控电抗器 。 之后 , 可控电抗器的研究和应用在国内 外得到了长足发展 [3-5]。 可控电抗器种类较多 [6-7], 其 中 , 磁饱和式可控电抗器在我国研究成果较多 , 并得 到了实际应用 [8-10]。 建模仿真方法和过渡时间计算是磁饱和式可控 电抗器研究中值得关注的 2 个重要问题 。 在建模仿 真方法方面 , 目 前 有 3 种 方 法 : 一 是 以 文 献 [11-13] 为代表的通过建立电抗器的微分方程并求解该微分 方程的方法 ; 二 是 文 献 [9-10] 提 出 的 用 磁 路 分 解 法 建立电抗器的数学模型 ,并建立基于 PSCAD / EMTDC 的仿真模型的方法 ; 三是以文献 [14-15 ] 为代表的通 过研究电抗器的等效物理模型 、 数学模型和等效电 路 , 建立基于 MATLAB 的仿真模型的方法 。 较前 2 种方法 , 第 3 种方法具有避免或减轻自己编写仿真 计算程序的繁重工作和只关注电抗器的电气特性而 不使用电抗器结构尺寸等参数方面的优势 。 但是 , 文 献 [14-15 ] 并 未 明 确 给 出 仿 真 模 型 参 数 和 电 抗 器 参数之间的定量关系 , 给这种思路的推广使用带来 了不便 。 在过渡时间计算方面 , 文献 [11-12] 明确给 出了一个计算公式 , 但笔者在研究中发现该公式计 算误差较大 。 本文拟在文献 [11,15 ] 基础上 , 进一步给出基于
摘要 : 建模 仿真方 法 和 过 渡 时 间计 算 是 磁 饱 和 式 可 控 电抗 器 研究中 值 得关 注 的 2 个 重 要 问题 。 根 据磁 饱 和 式 可 控 电抗 器 的 饱 和特 性 , 通 过 对 小 斜 率磁化 特 性的分析 , 找 到了电抗 器 额 定 容 量 、 额 定 电压 、 自 耦 比 和 绕 组 电阻 之间 的 定 量 关 系 ,明 确了基于 MATLAB 的磁 饱 和 式 可 控 电抗 器 仿真 模型 参数 的 设 置方 法 。 通 过 对 小 斜 率 磁化 特 性的分 段 线性化 , 把 从 空载 到 满载 的 过 渡 过 程 分 为 直 流磁 链 随 时 间 线性 增 加 和控制 电流 根 据线性 RL 电路 充 电 规 律 变 化 这 2 个 过 程 , 得 到了 比 较 准确的 过 渡 时 间计 算 公 式 。 实 例 仿真结果 说 明所 提分析 方 法简 捷 有效 。 关键词 : 电抗 器 ; 可 控 电抗 器 ; 磁 饱 和 ; 仿真 ; 过 渡 时 间 ; MATLAB 中图分类号 : TM 554 文献标识码 : A DOI: 10.3969 / j.issn.1006-6047.2013.06.009
姨
姨
(9 )Βιβλιοθήκη 图 2 等效电路Fig.2 Equivalent circuit
其中 ,β 为电抗器饱和度 。 把式 (9) 代入式 (8) 可得 :
0 0≤ω t < α 1 α≤ω t <π (3 ) m= π 0 ≤ω t < π+ α π+ α≤ω t < 2π -1 式 (2 ) 中 , 自耦比 δ 一 般 取 0.015 ~ 0.05 [11], 所 以 可以近似认为等效电路中的工作电流 i1 就是电抗器 的实际工作电流 iA, 等效电路中的控制电 流 i2 是 实 际控制电流 (直流环流 )id 的 2 倍 。 式 (3)中 ,α 为晶闸 管触发角 ,α 的 0 时刻为电压 u1 的正向过零时刻 , 取 值范围为 0 ~π ( 满载时 α = 0 , 空载时 α =π )。 由图 1、2 可以看出 ,原 、副边绕组额定电压相等 , 且等于电抗器工作电压的一半 。 同时由于 2 个变压
≤ ≤ ≤ ≤ ≤ ≤ ≤ ≤ ≤
ψs
1 + δ R I = δ 姨 2 UAN(1 + cos α) A 2 π (1 - δ ) 1-δ
(8 )
UAN、δ、RA,额定容量也一样 ,如式 (17)所示 : 2 (17 ) SAN = UAN I1mm = 2δ UAN π(1 + δ)RA 姨2 由式 (17 ) 可得 : πSAN RA (18 ) δ= 2U2 AN - πSAN RA 自耦比 δ 一般取 0.015 ~ 0.05 [11], 所以 , 在设计电 抗器时 , 电抗器额定容量 SAN、 额定电压 UAN、 绕组电 阻 RA 应满足式 (19 ): πSAN RA (19 ) 0.015≤ ≤0.05 2U2 AN - πSAN RA 由 式 (17 ) 可 以 看 出 , 电 抗 器 额 定 容 量 、 额 定 电
≤ ≤ ≤ ≤ ≤ ≤ ≤ ≤ ≤ ≤ ≤ ≤ ≤
Un = UAN 2 Sn = UAN IAN = SAN 2 2
(4 )
其中 ,UAN、IAN、SAN 分别为电抗器额定工作电压 、 额定 工作电流和额定容量 ;Un、Sn 分别为变压器原 、 副 边 额定电压和额定容量 。 由于变压器空载电势就是其额定电压 , 且等于 电抗器额定电压的一半 , 所以得 :
第 33 卷第 6 期 2013 年 6 月
电 力 自 动 化 设 备
Electric Power Automation Equipment
Vol.33 No.6 Jun. 2013
基于 MATLAB 的磁饱和式可控电抗器的 仿真模型参数及过渡时间分析
田铭兴 ,杨 雪凇 ,顾 生 杰 ,原 东 昇
( 兰 州交通大学 自 动化 与 电 气 工 程学院 , 甘肃 兰 州 730070 )
≤ ≤ ≤ ≤ ≤ ≤ ≤ ≤ ≤ ≤ ≤ ≤ ≤
(15 ) I1m = δ2姨 2 UAN (β - sin β) π ( 1 + δ ) RA 当 β = βn 时 , 由式 (15 ) 可得工作电流基波幅值最 大值为 :
2 UAN = 2πf ψ (5 ) 姨 2 Un = 姨 N s 2 其中 ,fN 为额定频率 (50 Hz);ψs 为铁芯饱和磁链 ,ψs = ANA Bs,Bs 为铁芯饱和磁密 。 本文分析中设铁芯的磁化特性如式 (6) 所示 ( 小
斜率理想磁化曲线 ):
I1mm = 2δ 姨 2 UAN π(1 + δ)RA
(16 )
由式 (16 ) 可以看出 , 工作电流最大值只取决于
B=
B 姨 μ H+B
s 0
s
H=0 H>0
(6 )
式 (6) 转化成磁链 -电流关系时如式 (7) 所示 :
im = 0 (7 ) AN A μ0 N A i m + ψs i m > 0 l 其中 ,μ0 为空气磁导率 ;im 为磁化电流 。 图 2 中 , 稳态时 , 对于 i2 平均值 I2 而言 , 有 : ψ=
u1 = uA = Um sin ω t u2 = δ uA 1-δ i1 = iA - 2 m δ id
2
(1 )
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(51167009)
% i =2 1-m δ i
iA iA1 id 1 N1 N2 uA N2 N1
旁轭 铁芯 1 铁芯 2 交叉
iA2 2 N1 N2 N2 N1
旁轭
id
图 1 结构原理图 Fig.1 Schematic diagram of structure