磁控溅射铁镁镀层的结构与力学性能关系
磁控溅射镀膜工艺参数对薄膜性能影响
磁控溅射镀膜工艺参数对薄膜性能影响一、磁控溅射镀膜技术概述磁控溅射技术，作为一种先进的物理气相沉积技术，广泛应用于薄膜制备领域。
该技术通过在高真空环境中，利用磁场和电场的共同作用，使得靶材表面产生等离子体，靶材原子或分子被激发并溅射出来，随后沉积在基底上形成薄膜。
磁控溅射技术因其高沉积速率、良好的膜厚均匀性、较低的沉积温度以及能够制备高纯度薄膜等优点，被广泛用于制备各种高性能薄膜材料。
1.1 磁控溅射技术的原理磁控溅射技术的核心原理是利用磁场对等离子体中的电子进行约束，形成所谓的“磁镜效应”，使得电子在靶材表面附近形成高密度区域，从而提高溅射效率。
在溅射过程中，靶材原子或分子被等离子体中的离子撞击而逸出，并在电场的作用下飞向基底，沉积形成薄膜。
1.2 磁控溅射技术的应用磁控溅射技术在多个领域有着广泛的应用，包括但不限于：- 光学薄膜：用于制射镜、增透膜、滤光片等。
- 电子器件：用于制备半导体器件中的绝缘层、导电层等。
- 装饰镀膜：用于制备各种装饰性金属膜。
- 耐磨镀膜：用于提高材料表面的硬度和耐磨性。
二、磁控溅射镀膜工艺参数磁控溅射镀膜工艺参数对薄膜的性能有着决定性的影响。
这些参数包括溅射功率、溅射气压、溅射气体种类、溅射时间、基底温度等。
通过精确控制这些参数，可以优化薄膜的物理、化学和机械性能。
2.1 溅射功率对薄膜性能的影响溅射功率是影响薄膜性能的关键因素之一。
溅射功率越高，靶材表面的等离子体密度越大，溅射速率也越高。
然而，过高的溅射功率可能导致薄膜内部产生较多的缺陷，如气泡、晶格畸变等，从而影响薄膜的性能。
因此，选择合适的溅射功率对于获得高质量的薄膜至关重要。
2.2 溅射气压对薄膜性能的影响溅射气压同样对薄膜性能有着显著的影响。
较低的溅射气压有利于提高薄膜的致密性，减少薄膜内部的孔隙率，但过低的气压可能导致薄膜生长过程中的原子迁移率降低，影响薄膜的均匀性。
相反，较高的溅射气压可以增加薄膜的沉积速率，但可能会降低薄膜的致密性。
《磁控溅射CrAlSiN膜层制备及综合性能研究》
《磁控溅射CrAlSiN膜层制备及综合性能研究》一、引言随着现代工业技术的不断发展，材料表面性能的改进和优化成为了众多领域研究的热点。
磁控溅射技术作为一种重要的薄膜制备技术，因其可以在较低温度下实现薄膜的高速率沉积、优异的成分控制和结构性能等特点，在诸多领域如电子、光电子、机械、航空航天等领域都有广泛应用。
本研究将探讨利用磁控溅射技术制备CrAlSiN膜层的方法及其综合性能研究。
二、磁控溅射CrAlSiN膜层制备1. 实验材料与设备实验材料主要包括Cr、Al、Si和N的靶材，基底材料为需要镀膜的基材。
实验设备为磁控溅射镀膜机。
2. 制备工艺（1）基底预处理：对基底进行清洗、抛光等处理，以提高基底与膜层的结合力。
（2）靶材制备：将Cr、Al、Si按照一定比例混合，制成靶材。
（3）磁控溅射：在真空环境下，利用高能粒子轰击靶材，使靶材中的原子或分子溅射出来并沉积在基底上，形成CrAlSiN膜层。
（4）后处理：对制备好的膜层进行热处理等后处理工艺，以提高其性能。
三、CrAlSiN膜层的综合性能研究1. 结构性能分析利用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）等手段对CrAlSiN膜层的结构进行表征，分析其晶格常数、晶粒大小等结构性能。
2. 化学性能分析通过X射线光电子能谱（XPS）分析CrAlSiN膜层的化学成分及化学键合状态，了解其化学稳定性。
3. 力学性能分析利用纳米压痕仪等设备对CrAlSiN膜层的硬度、弹性模量等力学性能进行测试，分析其耐磨、耐刮等性能。
4. 耐腐蚀性能分析通过浸泡实验和电化学测试等方法对CrAlSiN膜层的耐腐蚀性能进行研究，了解其在不同环境下的耐腐蚀性能。
四、结果与讨论1. 结构性能结果及讨论XRD和SEM结果表明，通过磁控溅射技术制备的CrAlSiN 膜层具有较高的结晶度和致密度，晶粒分布均匀。
同时，随着溅射时间和功率的改变，膜层的厚度和结构也会发生变化。
2. 化学性能结果及讨论XPS分析表明，CrAlSiN膜层具有较高的化学稳定性，能够在不同环境下保持其化学成分和化学键合状态的稳定。
磁控溅射制备Mo薄膜的优化工艺和组织及性能探讨.doc
磁控溅射制备Mo 薄膜的优化工艺和组织及性能探讨-难熔金属钼(Mo)具有熔点高、硬度高、导热导电性好、膨胀系数小和化学稳定性好等优点，是一种不可或缺的重要战略资源。
随着高新技术的发展，钼及其合金材料不仅继续在钢铁、石油化工和有色金属等传统工业领域发挥着重要作用，而且各种Mo 基薄膜在太阳能电池、液晶显示器和固体润滑等新兴领域的特殊应用正引起广泛关注。
各种制备金属Mo 薄膜的方法中，磁控溅射沉积技术具有薄膜致密、均匀，易于控制厚度，便于大面积成膜等优点而得到了广泛应用。
薄膜成形质量受多因素的交叉耦合作用，尤其是制备工艺参数直接决定着薄膜的微观组织结构，进而影响薄膜的服役性能。
针对不同的使用性能要求和各自镀膜设备的可调工艺参数，研究人员大量开展了溅射工艺参数与薄膜结构、性能之间关系的研究。
例如，黎刚研究了溅射电流、溅射时间和Ar 气压强对成膜质量的影响。
范海波研究了溅射电流和时间对Mo 薄膜电学性能的影响。
王天兴研究了溅射功率及压强对Mo 薄膜电学性能和表面形貌的影响。
尽管各类磁控溅射设备的可控工艺参数千差万别，但其中一些共性参数是制约薄膜质量的主导因素。
本研究基于正交试验，研究了溅射镀膜中最典型、最通用的溅射靶功率、基片温度、氩气流量和真空度 4 个参数对溅射Mo 薄膜综合力学性能以及组织结构的影响，并提出了磁控溅射制备Mo 薄膜的优化工艺参数。
1 实验溅射Mo 靶由北京有色金属研究总院制备，纯度为99.99 %。
镀膜基材为淬火、回火处理的9Cr18 轴承钢(Ra=0.02 m)和单晶Si(100)片(Ra=0.2 nm)。
用丙酮、无水乙醇和去离子水分别对基片清洗10 min，后经真空干燥待镀。
正式镀膜前先对基片进行15 min 的预溅射以去除表面氧化层。
溅射室本底真空为510-4Pa，工作气体为高纯Ar 气。
基片与靶材距离为60 mm，并随工件台以5 r/min的速度转动。
各组薄膜厚度约为2 m。
《磁控溅射CrAlSiN膜层制备及综合性能研究》
《磁控溅射CrAlSiN膜层制备及综合性能研究》一、引言随着现代工业技术的不断发展，材料表面性能的改进和优化已成为提高产品性能和使用寿命的关键。
磁控溅射技术作为一种先进的薄膜制备技术，在材料科学领域得到了广泛的应用。
本文以CrAlSiN膜层为研究对象，通过磁控溅射技术制备该膜层，并对其综合性能进行深入研究。
二、磁控溅射CrAlSiN膜层制备1. 材料选择与设备准备本实验选用高纯度的Cr、Al、Si和N等靶材作为溅射原料。
设备采用磁控溅射镀膜机，具有高溅射速率、低损伤等特点。
2. 制备工艺流程（1）清洗基底：将基底（如不锈钢、铝合金等）进行清洗，去除表面油污和杂质。
（2）预处理：对清洗后的基底进行预处理，如抛光、蚀刻等，以提高基底与膜层的结合力。
（3）磁控溅射：将靶材放置于镀膜机中，调整好溅射参数（如功率、气压、溅射时间等），进行磁控溅射。
（4）后处理：溅射完成后，对膜层进行适当的后处理，如退火、氧化等，以提高膜层的性能。
三、CrAlSiN膜层综合性能研究1. 结构与形貌分析采用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）等手段，对CrAlSiN膜层的结构和形貌进行分析。
结果表明，CrAlSiN膜层具有致密的晶体结构，表面平整度较高。
2. 机械性能研究通过硬度测试、耐磨性测试等方法，对CrAlSiN膜层的机械性能进行研究。
结果表明，该膜层具有较高的硬度和良好的耐磨性，可有效提高基底的表面硬度和使用寿命。
3. 耐腐蚀性能研究在模拟实际使用环境条件下，对CrAlSiN膜层的耐腐蚀性能进行测试。
结果表明，该膜层具有较好的耐腐蚀性能，可在恶劣环境下保持良好的性能。
4. 热稳定性研究通过高温测试等方法，对CrAlSiN膜层的热稳定性进行研究。
结果表明，该膜层具有较高的热稳定性，可在高温环境下保持稳定的性能。
四、结论本文通过磁控溅射技术成功制备了CrAlSiN膜层，并对其综合性能进行了深入研究。
结果表明，该膜层具有致密的晶体结构、较高的硬度和良好的耐磨性、耐腐蚀性能及热稳定性。
磁控溅射TiN薄膜工艺优化及其结构性能研究
通过调整Ｎ２流量、溅射功率和偏压等＿Ｔ艺参数对ＴｉＮ薄膜的颜色及力学性能进行优化。 优化后的ＴｉＮ薄膜颜色金黄，光泽度好，完全满足仿金装饰膜的要求；薄膜硬度从１２００ ｋｇ／ｍｍ２提高到２４００ｋｇ／ｍｍ２，完全达到商用硬质膜的要求；通过增加适当厚度中间Ｔｉ层该 薄膜与高速钢衬底结合良好；薄膜的微观结构从粗人的柱状品转变为纳米尺寸的致密结构。
ｌｏｗ，ｔｈｅ ｆｉｌｍ ｉｓ ｂｒｏｗｎ． Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ｈａｖｅ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅｓ ｏｎ ｔｈｅ ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ ａｄｈｅｓｉｖｅ ｐｒｏｐｅｒｔｙ ｏｆ ＴｉＮ ｆｉｌｍｓ．
Ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙ ｆｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｕｓｉｎｇ ｂｉａｓ ｖｏｌｔａｇｅ，ｐｈｙｓｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ｗｉｌｌ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｔｈｅ ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆｆｉｌｍｓ．
功率是影响薄膜结构和性能的另一个重要参数。ＴｉＮ薄膜中Ｔｊ／Ｎ原子比和薄膜沉积速 率均随功率增大而增加；功率通过改变膜层中Ｔｉ／Ｎ原子含晕比来影响ＴｉＮ薄膜的颜色，功 率较大时，薄膜呈银白色，功率较小时，薄膜旱棕色。
衬底材料会影响ＴｉＮ薄膜的微观结构以及薄膜与衬底间的结合性能。特别是在偏压条件 下沉积薄膜时，衬底材料本身的物理性能会改变薄膜的生长条件从而影响薄膜的结构和性 能。
研究生签名：垒ｚ毫： 日期：塑！：＞．＿Ｉ
高功率脉冲磁控溅射 涂层结合力
高功率脉冲磁控溅射涂层结合力
高功率脉冲磁控溅射（High Power Pulsed Magnetron Sputtering，HPPMS）是一种溅射技术，通过在溅射过程中加入高功率脉
冲电源来实现。
这种溅射技术具有较高的离子密度和能量，可以在涂层表面形成致密、紧密的结构，从而提高涂层的结合力。
涂层的结合力主要取决于多个因素，包括基材表面质量、溅射功率和能量、靶材的性质以及溅射气体的种类等。
HPPMS溅
射技术通过增加脉冲功率，在溅射过程中产生更多的离子和高能量离子，这些离子能够更好地击打基材表面并在涂层表面形成更致密的结构。
由于这种结构的致密性，涂层与基材之间的结合力也会增强。
此外，HPPMS溅射技术还可以提供更高的脉冲频率和较长的
脉冲宽度，从而使得离子在溅射过程中能更好地扩散到基材表面并形成更为均匀的涂层结构。
这也有助于提高涂层与基材之间的结合力。
总而言之，高功率脉冲磁控溅射技术通过产生高能量离子和形成致密的涂层结构，可以显著提高涂层的结合力。
这种溅射技术在应用上具有很大的潜力，可以用于增强材料表面的性能和提高涂层的质量。
磁控溅射镀膜机结构设计及动态特性分析
磁控溅射镀膜机结构设计及动态特性分析磁控溅射镀膜机是一种常用的表面处理设备，广泛应用于金属、陶瓷、塑料等材料的镀膜加工领域。
本文将对磁控溅射镀膜机的结构设计及动态特性进行分析。
磁控溅射镀膜机主要由溅射室、真空系统、电源系统和控制系统等组成。
溅射室是镀膜的核心部分，其结构设计直接影响镀膜质量。
溅射室通常由壁体、靶材支架和基座组成。
壁体通常采用不锈钢材料，具有良好的密封性能和强度，可以有效防止外界气体进入溅射室影响真空度。
靶材支架是将靶材固定在合适位置的装置，其结构应该稳定可靠，能够满足靶材的更换等操作需求。
基座是支撑整个溅射室的重要组成部分，其刚度和稳定性对于镀膜质量具有重要影响。
动态特性是指磁控溅射镀膜机在工作过程中的响应行为。
磁控溅射镀膜机通常采用直流或脉冲直流磁控溅射技术，其工作过程中靶材会受到磁场和离子轰击等力的作用。
这些力的大小和方向会影响溅射过程中的靶材烧损、溅射效率和镀膜均匀性等因素。
因此，磁控溅射镀膜机的结构设计应该考虑这些动态特性，以提高镀膜质量和生产效率。
在磁控溅射镀膜机的结构设计过程中，需要考虑以下几个方面。
首先是溅射室的尺寸和形状设计，应该使得溅射过程中的离子轰击能够均匀分布在靶材表面，减小靶材烧损和提高镀膜均匀性。
其次是靶材支架的设计，应该能够满足不同尺寸和形状的靶材的更换需求。
此外，基座的结构设计应该具有足够的刚度和稳定性，以保证溅射室在工作过程中不产生过大的振动和变形。
综上所述，磁控溅射镀膜机的结构设计及动态特性分析是提高镀膜质量和生产效率的重要环节。
通过合理设计溅射室的结构，优化靶材支架和基座的设计，可以实现磁控溅射镀膜机的高效工作，并满足不同材料的镀膜需求。
这对于推动材料表面处理技术的发展和应用具有重要意义。
基体温度对磁控溅射TiN薄膜结构与力学性能的影响_张金林
２ 结果与讨论
２． １ 薄膜的表面及断面形貌 不同 基 体 温 度 下 Ｔ ｉ Ｎ 薄膜的表面 Ｆ Ｅ Ｓ ＥＭ
图 １ 不同基体温度下 Ｔ ｉ Ｎ 薄膜的 Ｆ Ｅ Ｓ Ｅ Ｍ 表面形貌 Ｆ ｉ ． １ Ｆ Ｅ Ｓ Ｅ Ｍ ｍ ｉ ｃ ｒ ｏ ｒ ａ ｈ ｓ ｏ ｆ Ｔ ｉ Ｎ ｆ ｉ ｌ ｍ ｓ ｄ ｅ ｏ ｓ ｉ ｔ ｅ ｄ ａ ｔ ｖ ａ ｒ ｉ ｏ ｕ ｓ ｓ ｕ ｂ ｓ ｔ ｒ ａ ｔ ｅ ｔ ｅ ｍ ｅ ｒ ａ ｔ ｕ ｒ ｅ ｓ ｇ ｇ ｐ ｐ ｐ （ ） — 室温 ；（ ） —１ ） —３ ） —４ ａ ｂ ５ ０℃ ；（ ｃ ０ ０℃ ；（ ｄ ５ ０℃．
第２ ４卷 第４期 ２ ０ １ ２年 ８月
沈 阳 大 学 学 报 （自 然 科 学 版 ） ） Ｊ ｏ ｕ ｒ ｎ ａ ｌ ｏ ｆ Ｓ ｈ ｅ ｎ ａ ｎ Ｕ ｎ ｉ ｖ ｅ ｒ ｓ ｉ ｔ Ｎ ａ ｔ ｕ ｒ ａ ｌ Ｓ ｃ ｉ ｅ ｎ ｃ ｅ ｙ ｇ ｙ（
Ｖ ｏ ｌ ． ２ ４， Ｎ ｏ ． ４ Ａ ｕ ．２ ０ １ ２ ｇ
第 ４ 期 张金林等 ： 基体温度对磁控溅射 Ｔ ｉ Ｎ 薄膜结构与力学性能的影响 显的孔洞等缺陷 ， 柱状晶的尺寸与图１中颗粒尺 基 体 温 度 为 室 温、 寸能 很 好 地 对 应 ． １ ５ ０、 ３ ０ ０和 ４ ５ ０ ℃ 时薄 膜 厚 度 分 别 为 ０ ． ６ ３、 ０ ． ９ ８、 １ ． ０ １、 ０ ． ９ ７ 可见 ， 室温沉积时沉积速率较慢 ， 加温后沉积 ｍ． μ 但加温 后 基 体 温 度 对 沉 积 速 率 影 响 不 速率较快 ， 明显 ． 室 温 时， 吸 附 原 子 的 迁 移 率 低， 入射粒子与 吸附原子的结合能力差导致沉积速率低 ； 加温后 ， 吸附原子迁移率 高 ， 导 Ｔ ｉ与 Ｎ 的 结 合 概 率 增 加 ，
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矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。
如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。
㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。
(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。
如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。
对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。
二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。
2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。
㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。
2、矿产品价格稳定性及变化趋势。
三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。
2、矿区矿产资源概况。
3、该设计与矿区总体开发的关系。
㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。
2、矿床开采技术条件及水文地质条件。