现代电子技术课后作业.doc
现代检测技术~电子测量~作业及答案整理版本
选择1.欲测量一个标称频率f=1MHZ的石英振荡器，要求测量准确度优于10*-6，选用的计数器标准频率准确度和闸门时间应为(1*10e-7，T=1s)2.用计数器测频的误差主要包括：（）B. 量化误差、标准频率误差3.在通用计数器测量低频信号的频率时，采用倒数计数器是为了（）D.减小测频时的量化误差影响4.调制域描述的是( )之间的关系。
D．时间－频率5.在用计数式频率计测量频率比N=Fa/Fb，选用的门控信号由（）产生。
B.Fb放大后的信号6.从基本的测量对象来看，电子测量是对( ) 的测量。
A.电信号Ｃ．电系数7.测量系统的理想静态特性为（）．B.y=Sx8.电子信息技术应用在电子测量中的优点有（）A.速度极快B. 分辨力高C.范围宽D.利于信息传递9.下列参量中有源量有（）B.功率D.信号频率10.已知系统输入量的拉氏变换为X(S)，输出量的拉氏变换为Y(S)，则测量系统的传递函数为（）。
D.Y(S)/ X(S )11.频谱分析仪的频率范围是____。
A: 频谱仪可测得最大/最小频率值之差12.两个等幅信号的频率间距为30KHz，至少需要______的分辨率带宽才能分辨出两个峰。
B: 30KHz13.以下哪些因素对频率分辨率有贡献？C: RBW D: 相位噪声14.在进行阿伦方差的测量时，组与组之间以及组内两次测量之间必须都是连续的。
（错）15.用计数器直接测周的误差主要有三项：即量化误差、触发误差以及标准频率误差。
（对）16.在通用计数器测量低频信号的频率时，采用倒数计数器是为了克服转换误差。
（错）17.当计数器进行自校时，从理论上来说不存在±1个字的量化误差。
（对）18.为了减少测量误差，应使被测量的数值尽可能地在仪表满量程的2/3 以上。
（对），因为当示值X越接近于满度值Xm时，其测量准确度越高。
19.粗大误差具有随机性，可采用多次测量，求平均的方法来消除或减少。
（错）因为粗大误差明显的歪曲了测量结果，应该剔除不用20.通过多次测量取平均值的方法可减弱随机误差对测量结果的影响。
现代传感器技术课后作业
2、什么是零点残余电压？说明零点残余电压产生的原因以及消除的方法。
差动变压器在零点位置理论上两个次级线圈电压抵消，输出为零。
实际上由于移动铁芯时的机械摩擦、间隙等原因要让铁芯完全处于零位，或检测出铁芯是否处于零位都有相当的难度，也没有必要。
通常是在人为给出一个范围，只要输出在这个范围内就认为输出为零。
这时实际输出并不一定是真正的零电压，这个电压就是零点残余电压。
1。
由于两次级线圈结构上的不对称，因而两次级电压的幅值平衡点与相位平衡点两者不重合引起的。
2。
由于铁芯材料B - H曲线的弯曲部分所引起的输出电压有高次谐波造成的。
3。
由于激磁电压波形中的高次谐波引起的。
减小零点残余电压的方法有：(1)减小电源中的谐波成分，并控制铁芯的最大工作磁感应强度，使磁路工作在磁化曲线的线性段，减小高次谐波。
(2)减小激励电流，以使电感传感器工作在磁化曲线的线性段。
(3)在设计和制造工艺上．力求做到几何尺寸对称、传感器尺寸，对称发困对称，铁磁材料要均匀，要经过适当的热处理。
以去除机械应力，改善磁性能。
(4)选用合适的测量电路．并采用补偿电路进行补偿。
在差动变压器次级串、并联适当数值的电阻、电容元件、调整这些元件的参数，可使零泣输出减少。
补偿电路的形式较多，但基本原则是：采用串联电阻来减小零他输出的基波分量；并联电阻、电容来减小零位输出的谐波分量；加上反馈支路以减小基波和谐波分量。
1、试简述为何要对热电偶进行冷端温度补偿？常用冷端温度补偿方法有哪些？试简述其原理。
热电偶热电势的大小是热端温度和冷端的函数差，为保证输出热电势是被测温度的单值函数，必须使冷端温度保持恒定；热电偶分度表给出的热电势是以冷端温度0℃为依据，否则会产生误差。
因此，常采用一些措施来消除冷锻温度变化所产生的影响，如冷端恒温法、冷端温度校正法、补偿导线法、补偿电桥法。
1．冷端恒温法一般热电偶定标时冷端温度以0℃为标准。
因此，常常将冷端置于冰水混合物中，使其温度保持为恒定的0℃。
《电子技术基础》作业
《电子技术基础》作业一．电路如图所示：1、请计算该电路的静态工作点Q ；112:b B a b R Q V V R R =⋅+ B BE E eV V I R -= c E I I ≈ c B I I β= c B I I β-= 12////b b be Rin R R γ= o c R R =2、 请画出该电路的微变等效电路图；3、请计算该电路的输入电阻Ri;输出电阻Ro;12////b b be Rin R R γ= o c R R =二．电路如图所示，试判断：1.该电路的反馈类型； 答：该反溃为电压串联页反溃2.该反馈稳定什么输出量，该反馈对输入输出电阻有什么影响。
答：该反溃稳定输出电压，该反溃减少输出电阻，增大输入电阻三．电路如图所示：a) 请画出该电路的差模单边等效电路并计算差模输入电阻Rid ，输出电阻Rod ； 22(//)b be Rid R γ= 2c Rod R =b) 请画出该电路的共模单边等效电路并计算共模输入电阻Ric ，输出电阻Roc ；12(//)ic b be R R γ= 2c Rod R =c) 请计算该电路的差模电压放大倍数Aud ， cud beR A βγ=-d) 共模电压放大倍数Auc 。
四．电路如图所示，请分析输入与输出之间的关系。
o12o if V V R R -= 12f o i R V V R =- 1o o V V = 2f o i R V V R =-五．请分析下列电路，试分析：1.该电路中二极管的作用；该电路中的二极管给12,V V2.计算该电路的最大输出功率。
答：222(182max 8a a aL L LV V V Po R R R ===六．请判断该波形描述何种电路元件。
结型N 沟道场效应管七．请分析下列电路图，试判断：1.该电路的反馈类型；答：A 图为电压串联页反溃 B 图为电流并联页反溃 2.该反馈稳定什么输出量,该反馈对输入输出电阻有什么影响。
模拟电子技术课后习题及答案
第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。
（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。
（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（）解：（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管B. 增强型MOS 管C. 耗尽型MOS 管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。
解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
电力电子课后作业
填空题电力电子技术包括电力电子器件、电力电子电路和控制技术3个部分。
现代电力电子器件分为不可控型器件、半控型器件和全控型器件三类。
电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管和肖特基二极管三种。
晶闸管的外形大致有塑封形、平板型和螺栓形三种。
晶闸管额定电流与有效值电流的关系IT=1.57IT(AV) o双向晶闸管的门极控制方式有两种：移向触发和过零触发。
2. 判断题(x ) 1)普通晶闸管内部有两个PN结。
(X ) 2)普通晶闸管外部有3电极，分别是基极、发射极和集电极。
(V ) 3)型号为KP50-7的半导体器件，是一额定电流为50A的普通晶闸管。
(X) 4)只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。
(X ) 5)只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。
(X) 6)晶闸管加上阳极电压后，不给门极加触发电压，晶闸管就会导通。
(X ) 7)加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100V。
3. 选择题1) 在型号KP100-10G中，数字10表示(C )oA、额定电压为10V B 、额定电流为10AC额定电压为1000V D 、额定电流为100A2) 晶闸管内部有(C ) PN结A 1个B 、2个C 、3个D 、4个3）晶闸管的3个引出电极分别是（B ）A、阳极、阴极、栅极 B 、阳极、阴极、门极C栅极、漏极、源极 D 、发射极、基极、集电极4）普通晶闸管的额定通态电流是用（A ）表示。
A、流过晶闸管的平均电流 B 、直流输出平均电流C整流输出电流有效值 D 、交流有效值5）当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（B ）A、导通状态B 、关断状态C、饱和状态D、不定6）处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极与阴极间加正向电压，且在门极与阴极间作（C ）处理才能使其幵通。
A、并联一电容 B 、串联一电感C加正向触发电压 D 、加反向触发电压7）在晶闸管工作过程中，管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以（ A ）A、阳极电流 B 、门极电流C阳极电流与门极电流之差 D 、阳极电流与门极电流之和填空题典型的全控型器件主要有门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体臣和绝缘栅双型晶体管四种。
模拟电子技术简明教程课后习题
+ U&i Rb1 -
+
RF RL
U&o
Re Ce -
UCEQ VCC ICQRc IEQ RF Re 5.3V
②微变等效电路 Rb Rb1 // Rb2
R+s U&s-
+
Ui Rb rbe -
Ib RL
Uo
RF Rc
③
rbe
rbb
(1
)
26 I EQ
Ro Rc 3.9k
习题2-15 设图P2-15中三极管的β=100, UBEQ=0.6V,rbb’ =100Ω,
VCC=10V, Rc=3kΩ, Re=1.8kΩ, RF=200Ω, Rb1=33kΩ, Rb2=100kΩ,
负载电阻RL=3kΩ，电容C1、C2、C3均足够大。
①求静态工作点；
-1.3V
+11.7V
0V (e)
截止
+5V (f)
临界饱和
-1V (g)
放大
+12V (h)
放大
习题1-16 已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性 曲线如图P1-16所示。试作出uDS=15V时的转移特性曲线，并 由特性曲线求出该场效应管的开启电压 UGS(th )和 IDO值，以及 当uDS=15V，uGS=4V时的跨导gm。
Ri和输出电阻Ro。
Rb C1 +
_U&i
Rc
C2 +
RL U&_o
解：①
I BQ
VCC
U BEQ Rb
10 A
ICQ IBQ 0.6mA
模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
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1.5 求220V、40W灯泡灯丝的电阻(假定为线型电阻)为多少?如果每天用电5小时,一个月(30)天消耗电能多少度? 解: P=U2/R=>R=U2/P=(2202)/40=1210 W=Pt=40×5×30＝6000Wh=6KWh 1.7 试计算题图1.7所示各电路中的U或I.
28I
)(aA362U)(b
V10A2
10I
)(c 题图1.7 解:(a)I=10/(8//2)=5A (b)u=2V (c)I=2A 1.8 求题图1.8所示各电路中电流源的端电压U和它发出的功率.
)(bA51)(cU)(dA5UV3A5
U10
)(a
A5
U2
3v 题图1.8 解: (a)U=10V P=UI=50W (b)U=50V P=UI=250W (c)U=－3V P=UI=15W (d)U=3V P=U2/R=9W 1.17 试计算题图1.17所示各电路中a、b、c、d、e各点的电位值,f为参考点.
)(b2V8
)(a6
V10
46a
bcd
efV16
aV104151591112bcdf
e 题图1.17 解: (a)I=(U1+U2)/(2+6+4+6)=18/18=1A Ua=U1=10V Ub=Ua-IR1=10-1*2=8(V) Uc=Ub+U2=8+8=16(V) Ud=Uc-IR2=16-1*6=10(V) Ue=Ud-IR3=10-1*4=6(V) Uf=Ue-IR4=6-1*6=0 (b) Ua=4*16/(12+4)=4V Ub==Uc=Uf=0(V) Uc=0V Ud=9*10/(11+9)=4.5(V) Ud=4.5V Ee=0-11*10/(11+9)=-5.5(V) Ue=-5.5V
1.18 在题图1.18所示的电路中,求开关S在断开和闭合两种情况下A点得电位VA.
K6K4V12
V12AS
题图1.18 解：断开时：I= UA=12-24R3/（R1+R2+R3） 闭合时：Ua=R3*12/（R2+R3）
2.1 求题图2.1中各电路得等效电阻Rab.
)(b)(c)(d)(a6ab10101010abRRRRRRR22226635 题图2.1 解：(a)Rab=10//10//10//10=2.5(Ω) (b)Rab=R+R//(R+R//3R)=18/11R(Ω) (c)Rab=2+2//4=10/3(Ω) (d)Rab=6//6+6//3=5(Ω)
2.3 题图2.3电路,除R外其它电阻均为已知,外加电压U=200V,电路总消耗功率400W,求R值及个支路电流. U
R50
505025
题图2.3 解：R并=(50+50//50)//25=18.75Ω I=P/U=2A 所以 R总=R+R并=U/I=200/2=100 R=R总-R并=100-18.75=81.25Ω 通过三条支路的电流分别为I1=0.5A I2=1.5A I3=0.25A
2.7 用支路电流法求题图2.7所示各电路的支路电流I.
)(bA2V40)(a50
3020
V832.1
2V12
题图2.7 解；(a)利用网孔电流分析法，通过两个网孔的电流(取顺时针为正)分别为： I1*R1+I3*R2-U1=0 I2*R3+I3*R2-U2=0 I1+I2-I3=0 I1=2.4A I2=1.6A I3=4.0A
(b)根据叠加定律，电流源单独作用时产生的 I1=IS*R3/(R2+R3)=40/50=0.8A 电压源单独作用时产生的电流 I2=U1/(R2+R3)=40/50=0.8A 所以，总电流I=I1+I2=1.6A
2.13 试用叠加定理计算题图2.13(a)中的电压U和图(b)中的电流I.
)(b)(aUV273
64
V18
36V151015
A3
题图2.13 解：(a)U=-14V U1=I*R2=6*5/3=10V U2=IS*R总=-3*8=-24 U=U1+U2=10-24=14V
(b) 设 US2=0 I总1=US1/R总1=18/6=3A I1=I总1*R2/(R2+R3)=2A 设US1=0 R总2=R1//R2+R3=5.4 I2=US2/R总2=-27/5.4=-5A
I=I1+I2 = 2-5=-3A I=-3A
4.1 已知tVuA314cos200, VtuoB)120314cos(2100.求: (1) 写出它们的有效值、初相、频率和周期; (2) uA与uB与相位差; (3) 在同一坐标平面上画出uA与uB的波形图. 答:(1)UA的有效值为200/√2=141.4V 初相ΦA=0,频率FA=50Hz,周期TA=1/FA=0.02s UB的有效值为100V, ΦB=-120ο,FB=FA=50Hz,TB=1/FB=0.02s (2) ΦA－ΦB=120ο (3) 略.(波形相同,UB滞后UA1/3个周期.) 4.6 某线圈电阻可以忽略,其电感为0.1H,接于电压为220V、频率为50Hz的电源上.求电路中电流的有效值;若电源频率改为100Hz,重求电流的有效值.
4.9 日光灯电源电压为220V,频率为50Hz,灯管相当于300的电阻,与灯管串联的镇流器的感抗为500 (电阻忽略不计).试求灯管两端电压与工作电流的有效值.
4.10 题图4.10电路中,若Atios)452cos(22,tVu2cos10,试确定R和C的值.
URCsi 题图4.10 5.1 (1)PN结的最主要特性是单向导点性(正偏导通,反偏截止). (2)在常温下,硅二极管的死区电压约为0.5V,导通后在较大的电流下的正向压降约为0.7V,锗二极管的死区电压约为0.1V,导通后在较大的电流下的正向压降约为0.2V. (3)利用PN结的电容效应特性,可以制造出变容二极管.
5.2 半导体导电和导体导电又什么区别? 答:半导体和导体的导电性能大小有差别，一般说来，导体的导电性能更好些。另外，半导体还具有一些重要的物理特性，比如，导电能力随温度的升高显著增加，在纯净的半导体中掺杂微量元素，半导体的导电性能也将显著增加。
5.4 为什么二极管的反向饱和电流在环境温度升高时会显著变大? 答：反向饱和电流主要是由于少子的漂移运动形成的，当环境温度升高时，少子的活动显著加剧，漂移显著加大，所以反向饱和电流会显著增加。
5.5 有二极管组成的电路如题图5.5(a)~(e)所示,试分别指出其传输特性;若输出为正弦波tuisin10V,试分别画出相应的输出波形.
序号 电路 传输特性 输出波形
a )(aRiuDEk1V30U 将二极管看成理想模型: Ui>-3V时,U0=-3V Ui<-3V时,U0=Ui
略
b )(biuREV30Uk1D 将二极管看成理想模型: Ui>3V时,U0= Ui Ui<3V时,U0=3V
略
c )(ciuRDEV3k10U 将二极管看成理想模型: Ui>3V时,U0= 3V Ui<3V时,U0= Ui
略
d )(diuRk1EV3D0U 将二极管看成理想模型: Ui>3V时,U0= U i Ui<3V时,U0=3V
略 e )(eRiuDEk1V30U 将二极管看成理想模型: Ui>-3V时,U0= Ui Ui<-3V时,U0=-3V
略
6.5 某晶体管的极限参数PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CEO=30V,若其工作电压UCE=10V,则工作电流不得超过15mA; 若其工作电压UCE=1V,则工作电流不得超过150mA;若工作电流IC=1mA,则工作电压UCE不得超过150V.
6.7 设所有的二、三极管均为硅管,请判断题图6.7中各三极管的工作状态. V5K100
1TV1
D2T
V6
K1
K3V123TK3V5
V6.3
V4.6
题图6.7 解:(1)UBE=1V-UD=0.3VIC≈(VCC-UD)/100 KΩ=0.043 mA UCE=5V-100 KΩ×IC>UBE 所以晶体管工作在截止区; (2)IE≈IC=12V/(1 KΩ+3KΩ)= 3mA UB=6V UE= IE×1KΩ=3V UC=12V- IC×3KΩ=3V UBE=UB-UE=2.3V>UON=0.7V UCE=UC-UE=0V (3)UBE≈5V-3.6V=1.4V> UON=0.7V UCE=6.4V-3.6V=2.8V>UBE 所以晶体管工作在放大区.
6.9 某放大电路在负载开路时的输出电压的有效值为4V,接入3k负载电阻后,输出电压的有效值降为3V,据此计算放大电路的输出电阻. 解:UO=4V UOL=3V RL=3KΩ UOL=RL/(RL+RO)×UO=3V 解得RO=1 KΩ