ISE TCAD使用简介
Cadence 实验系列_器件模拟_Silvaco TCAD
定义各个区域材料，并用polarization calc.strain polarization calc.strain等申明极 化效应，并对极化效应大小及极化电荷密度进行计算。
电极、掺杂、 电极、掺杂、材料特性和物理模型等的定义
定义电极
electrode name=source electrode name=gate electrode name=drain
材料区域的定义
材料区域的定义
region number=1 material=oxide y.max=0 region number=2 material=AlGaN y.min=0 y.max=0.03 polarization calc.strain region number=3 material=GaN y.min=0.03 position=0.3 polarization substrate
workfunc=4.31 workfunc=4.31 surf.rec workfunc=4.31 surf.rec
器件输出特性（ 曲线 曲线） 器件输出特性（I-V曲线）的仿真
solve init solve previous save outfile=GaN.str log outfile=GaN_0. log solve vdrain=0.2 vstep=0.2 vfinal=5 name=drain previous log off
器件最终结构
用tonyplot输出仿真结果 输出仿真结果
tonyplot GaN_0.log
定义材料特性
material ni.min=1e-10 taun0=1e-9 taup0=1e-9 mobility fmct.n GaNsat.n
ESD与TCAD-Silvaco仿真(浙江大学)
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1.1：TCAD总体简介
TCAD－Technology Computer Aided Design Tsuprem/Medici（Avanti，被Synopsys收购） Athena/Atlas（Silvaco公司） Dios/Dessis（Ise公司，被Synopsys 收购）
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1.2：Tsuprem4/Medici
1. There is only one command per line 2. The line can be up to 80 characters long. If it s longer, we can continue in the next line, but the last character in the previous line must be a “+” character.
1. 单元1：TCAD简介 2. 单元2：ESD的TCAD仿真简介 3. 单元3：ESD的仿真评价体系
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单元1
• • • • 1.1：TCAD总体简介 1.2：Tsuprem4/Medici 1.3：Athena/Atlas 1.4：Dios/ Dessis （ISE-TCAD）
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• TYPES OF COMMANDS
There are two types of commands 1. Declaration (used to set parameters) 2. Action (execution – used to perform a process step)
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CREATE A SIMULATION
MESH Initiates a mesh and must appear first when defining a structure.
如何学会使用AutoCAD软件
如何学会使用AutoCAD软件自动计算机辅助设计（AutoCAD）是一种广泛使用的计算机辅助设计软件。
它在建筑、机械、电气等领域被广泛应用。
对于想要学习和使用AutoCAD软件的人来说，掌握基本操作和高级技巧非常重要。
本文将分为以下几个章节，介绍如何学会使用AutoCAD软件。
第一章：软件安装和基本配置在学习使用AutoCAD之前，首先需要安装软件并进行基本的配置。
用户可以从官方网站下载并安装AutoCAD软件。
安装过程中，需要根据系统要求选择合适的版本，并按照提示进行安装。
安装完成后，还需要进行基本的设置和配置，例如，设置默认图形刻度、单位和坐标系等，这样可以为后续的学习和使用奠定基础。
第二章：界面介绍与基本操作AutoCAD的界面布局由菜单栏、工具栏、绘图区和命令行组成。
用户需要熟悉这些界面元素，并了解其作用。
此外，还需要掌握一些基本操作技巧，如绘制直线、画圆、创建多边形等。
这些基本操作是学习AutoCAD的基石，只有掌握了这些基本操作，才能进行后续的高级操作。
第三章：图形编辑和修改AutoCAD提供了丰富的图形编辑和修改功能，例如移动、复制、旋转、缩放、镜像等。
用户需要学会使用这些功能，以便根据需求对已有图形进行修改和编辑。
此外，还需要掌握一些高级的编辑技巧，如拉伸、阵列、镂空等。
这些编辑和修改功能的灵活运用，可以大大提高设计效率和精度。
第四章：图层管理与属性设置图层是AutoCAD中一个非常重要的概念，它可以用于管理绘图中的不同元素。
在学习使用AutoCAD时，需要学会创建、编辑和管理图层。
同时，还需要设置图层的属性，如颜色、线型、线宽等。
合理使用图层和属性设置，可以方便地控制和管理不同元素，并增加图纸的可读性和可编辑性。
第五章：二维绘图与注释除了基本的图形绘制，AutoCAD还提供了丰富的二维绘图功能。
用户可以学会使用标注、尺寸和文字工具，添加注释和图纸信息。
同时，还可以学会使用表格、公式和链接等功能，方便地进行数据处理和展示。
TCAD工具_devise编程
设置接触
(define XSourceContact (/ (+ Xmax_ Xs) 2.0)) (define XDrainContact (/ (+ Xmax Xd) 2.0)) (define XGateContact 0.0) (isegeo:define-2d(isegeo:define-2d-contact (find-edge(find-edge-id (position XSourceContact Y0 0.0)) "source")
放置掺杂
; Place doping profiles to refinement windows (isedr:define-constant-profile(isedr:define-constant-profile-placement "PlaceCD.SourceOhmic" "CD.SourceOhmic" "RW.CD.SourceOhmic" 0) (isedr:define-constant-profile(isedr:define-constant-profile-placement "PlaceCD.DrainOhmic" "CD.DrainOhmic" "RW.CD.DrainOhmic"
0)
定义网格窗口
; Meshing Strategy: ; Define meshing refinement windows (isedr:define-refinement-window "RW.Mesh.All" "Rectangle" (position (- Xmax_ 0.1) (+ Y0 2.0) 0.0) (position (+ Xmax 0.1) (+ YSubs 0.4) 0.0) ) (isedr:define-refinement-window "RW.Mesh.ChannelTop" "Rectangle" (position Xmax_ YBarr 0.0) (position Xmax YBuff 0.0) )
TCAD器件模拟功能-浙江大学信息与电子工程学院复习进程
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扩散相关其他模型
为了更精确的模拟扩散分布，在扩散过程中还采用一 系列模型，如扩散率模型、点缺陷（空位和间隙）模 型、点缺陷的注入和再复合模型、空隙聚集模型 等等。
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离子注入模型
杂质离子注入的模型有两种： 解析离子注入模型 蒙特卡罗离子注入模型
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DIOS
半导体工艺仿真工具； 能仿真完整的一维和二维的制造工艺过程，如刻蚀、
淀积、离子注入、扩散和氧化，DIOS部分功能还支持 三维仿真； 主要包括一维和二维蒙特卡罗Crystal-Trim仿真器和 三维蒙特卡罗MCimpl仿真器界面，机械效应如压力、 流动和热扩张等也可被包含在仿真过程中。
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扩散模型
受扩散系数、杂质电场、点缺陷和载流子密度影响，扩散 表达式是非线性性的。在扩散计算时，将扩散时间分割成一系 列很短的时间Δt之和，然后分别对Δt时间进行求解。
1 ni n1jn 1|REL.ERRjgC iC j ij ABSgERRj |21
n是结构所有节点数 Cij是节点（i,j）浓度，ΔCij是Cij的估计误差
MINIMOS-2是由奥地利维也纳工业大学开发的平面MOSFET 静态特性二维模拟程序；
MEDICI则是近年来运用最广泛的半导体器件二维模拟软件， 最早的版本出现于1992年。
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目前形成的商用TCAD软件
TSUPREM/MEDICI软件——AVANTI公司 （已被SYNOPSYS收购） ATHENA/ATLAS软件—— SILVACO公司 ISE-TCAD软件系列—— ISE公司（也已被 SYNOPSYS收购） SENTAURUS软件包—— SYNOPSYS公司
ISE的使用简介
DIGILENT BASYS2为目标板，设计利用LED显示的8位计数器
外部约1Hz时钟
FPGA
复位信号 C（8 8位计数
A7 器）
8bit
八位LED显示计数的值
M5、M11、P7、P6、N5、N4、P4、G1
BASYS2需要的资源： FPGA：SPARTAN3E系列
Platform Flash XCF02S
点击展开
双击I/O Pin Planning(PlanAhead)Post-Synthesis
点击Yes
点击Close
点击保存
点击退出
定义端口位置 定义端口电平属性
点击展开 双击打开
生成的用户约束文件
（6）布局布线和结果的查看
选中顶层模块文件 counter_top
双击运行布局布线
运行成功！否则会 有出错提示。
选择Platform Flash
选择Xilinx Flash/PROM
选择xcf02s
输入存储器烧写 文件名
8bitcounter
点击下一步
点击Add Storage Device
点击下一步
选择工程目录
点击OK
点击OK
选择待转换二进制文件 counter_top.bit
点击打开
点击No
点击OK
点击OK
下载进度条
下载成功！
关闭电源开关，设置为PROM启动。重新打开电源，FPGA就从 PROM引导启动执行！
XC3S100E 封装为CPG132 速度等级为4
8位LED显示（端口为：M5、M11、P7、P6、N5、N4、 P4、G1）
1位按键开关（端口为：A7）
ISE入门手册第一章ISE简介
ISE入门手册第一章ISE简介1.1关于ISE NEWS1.1.1 ISE CEO的话作为ISE的创立者和CEO，我很骄傲地展示我们地最新版本——ISE NEWS。
通过这个news字母，ISE的全体工作人员想告诉你我们公司的地位和新的发展计划，以便使你产生兴趣。
ISE优秀的性能和软件产品质量的显著增长、最好的技术支持、咨询服务是我们全体工作人员最好的礼物。
为了与这种增长相协调，截至2004年六月ISE的全体员工增加到100人左右。
在news这个版本中，我们提供了几个各领域中大家感兴趣的应用例子，比如：100nm以下CMOS和三维的非易失存储器结构的生成和网格剖分，垂直腔面发射激光器（VCSEL）的优化以及现代CMOS图像传感器的特性模拟。
VCSEL的部分由我们的客户和我们的研究咨询人员合作完成，是连接工业、学术和ISE一个成功的例子。
我相信你将喜欢这个news字母和它的内容。
为了得到进一步的信息，请访问我们的网站。
向大家表示最好的祝愿。
Wolfgang Fichtner1.1.2 ISE剧烈的增长路线通过对重要人力和资源的计划和投资考虑，将继续扩大ISE商业和利益。
从2001开始，在2002里有38％的增长，在2003年的进程中――ISE公司的十周年纪念日，ISE在网络规模中额外地增长了41％。
这种增长在2004年里将会继续下去，预期网络规模将增长35％。
咨询和客户工程服务已经是ISE最重要的发展部门。
这种有力的增长是以企业根基为基础。
除了在全球范围内赢得主要的新客户外，ISE正繁荣昌盛，因为长期支持ISE的客户反复地表示他们对ISE的忠诚和他们对ISE能力的信任，并表达了这种结果。
通过强有力的支持和ISE不断的培养强有力的商业关系，ISE努力使每一个客户得到满意。
图1.1 ISE集成系统的应用情况当今ISE已经成功进入光电子学市场。
除了ISE TCADTM软件引导客户的这种规模外，ISE可以在工业环境中毫无疑问地建立ISE光电子学的标准，另外一个强调的重点是满足CMOS传感器件压倒性的需求。
ESD与TCAD-Silvaco仿真(浙江大学)
FILES ASSOCIATED WITH RUNNING TSUPREM-4 SIMULATIONS Input file (*.inp) Output file (*.out – appended automatically by program) TSUPREM-4 structure file (*.str) MEDICI/DAVINCI file (*.dev) Universal (TIF) format file (*.tif)
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• 1. 2. 3.
CREATE A SIMULATION Setting up the initial grid Models and coefficients (method) Process statements (deposition, expose, develop, etch, implant, diffusion, epitaxy) 4. Electrical calculations in TSUPREM-4 5. Extracting results (Non-electrical) from TSUPREM-4
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1.2 .2：Medici
• • •
Features： Medici solves Poisson’s equation and the current continuity of electrons and holes in two dimensions These equations can be extended to include the heat equation and the energy-balance equations The following modes of analysis can be considered: DC, AC, Transient
第1章 半导体工艺及器件仿真工具Sentaurus TCAD资料
增加了这些小尺寸模型，提高了工艺软件的仿真精度，
适应了半导体工艺发展的需求。
2019/4/26 浙大微电子 10/117
Sentaurus Process 基本命令介绍
用户可以通过输入命令指导Sentaurus Process的执行。 而这些命令可以通过输入命令文件或者用户终端直接输入。
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photo: 淀积光刻胶。
strip: 去除表面的介质层。 stress: 用于计算应力。
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浙大微电子
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(4) 模型和参数说明语句
beam: 给出用于离子束刻蚀的模型参数。 gas_flow: 设置扩散步骤中的气体氛围。 kmc: 设定蒙特卡罗模型。 pdbNewMaterial：用于引入新的材料。 pdbGet: 用于提取数据库参数。 pdbSet: 用于完成数据库参数的修改。 SetFastMode: 忽略扩散和模特卡罗注入模型，加快仿真速度。 SetTemp: 设置温度。 solution: 求解或设置求解参数。 strain_profile: 定义因掺杂引入的张力变化。 temp_ramp: 定义扩散过程中的温度变化。 update_substrate: 设置衬底中的杂质属性，张力，晶格常量等信息。
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本章内容
1 集成工艺仿真系统 Sentaurus Process
2 器件结构编辑工具Sentaurus Structure Editor 3 器件仿真工具Sentaurus Device 4 集成电路虚拟制造系统Sentaurus Workbench简介
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浙大微电子
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bound: 提取材料边界并返回坐标列表。
ISE使用指南完整版
第4章ISE开发环境使用指南第1节ISE套件的介绍与安装4.1.1 ISE简要介绍Xilinx是全球领先的可编程逻辑完整解决方案的供应商，研发、制造并销售应用范围广泛的高级集成电路、软件设计工具以及定义系统级功能的IP（Intellectual Property）核，长期以来一直推动着FPGA技术的发展。
Xilinx的开发工具也在不断地升级，由早期的Foundation 系列逐步发展到目前的ISE 9.1i系列，集成了FPGA开发需要的所有功能，其主要特点有：•包含了Xilinx新型SmartCompile技术，可以将实现时间缩减2.5倍，能在最短的时间内提供最高的性能，提供了一个功能强大的设计收敛环境；•全面支持Virtex-5系列器件（业界首款65nm FPGA）；•集成式的时序收敛环境有助于快速、轻松地识别FPGA设计的瓶颈；•可以节省一个或多个速度等级的成本，并可在逻辑设计中实现最低的总成本。
Foundation Series ISE具有界面友好、操作简单的特点，再加上Xilinx的FPGA芯片占有很大的市场，使其成为非常通用的FPGA工具软件。
ISE作为高效的EDA设计工具集合，与第三方软件扬长补短，使软件功能越来越强大，为用户提供了更加丰富的Xilinx平台。
4.1.2 ISE功能简介ISE的主要功能包括设计输入、综合、仿真、实现和下载，涵盖了FPGA开发的全过程，从功能上讲，其工作流程无需借助任何第三方EDA软件。
•设计输入：ISE提供的设计输入工具包括用于HDL代码输入和查看报告的ISE文本编辑器（The ISE Text Editor），用于原理图编辑的工具ECS（The Engineering Capture System），用于生成IP Core的Core Generator，用于状态机设计的StateCAD以及用于约束文件编辑的Constraint Editor等。
•综合：ISE的综合工具不但包含了Xilinx自身提供的综合工具XST，同时还可以内嵌Mentor Graphics公司的LeonardoSpectrum和Synplicity公司的Synplify，实现无缝链接。
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器件模拟集成化工具ISE TCAD使用简介池雅庆yqchi@1．ISE TCAD部署与运行方法 (1)2．器件描述：mdraw (6)2．1 启动 (6)2．2 构造二维剖面图 (8)2．3 掺杂 (15)2．4 产生网格与调整设计 (20)3．器件模拟：Dessis (24)3．1 模拟输入文件 (24)3．2 模拟过程 (27)4．可视化 (28)4．1 曲线可视化：Inspect (29)4．2 分布可视化：Picasso (31)1．ISE TCAD部署与运行方法部署：1．安装EXCEED Xserver for win32；2．拷贝文件夹“ISE”到C盘根目录下；3．拷贝文件夹“ISE_DATA”到E盘根目录下；4．添加系统环境变量如下（或确保系统环境变量中有如下内容，参照环境变量.txt）：Path 项中添加：%TEC80HOME%\BIN;C:\ISE\bin新建项：ISEDB E:\ISE_DATAISERELEASE 7.0ISEROOT C:\ISETEC80HOME C:\ISE\TEC80FP_NO_HOST_CHECK NODISPLAY 此电脑的计算机名:0.0（点“我的电脑”的“属性”中“计算机名”，即可看到计算机名）5．导入文件夹“破解”中所有注册表信息（双击即可导入）。
运行（后面以一个例子来说明使用方法，该例子计算一个VDMOS器件的阈值电压）：1．启动exceed；2．启动C:\ISE\BIN\GENESISEe，也可为其添加一个快捷方式。
3．启动后，出现窗口如图1或图2：图1 GENESISe窗口1图2 GENESISe窗口24．打开ISE Projects窗口（双击“Projects”图标，左上角），在左边树状图中右键点击Example_Library_7.0.lnk——Applications——DMOS－Vt，左键点击“duplicate”（如图3所示），弹出窗口如图4所示，点击“Yes All”，“Vt”就被复制到“COPYED_OBJECT_【计算机名】”目录下了，如图5所示。
右键点击复制后的“Vt”，再左键点击“active”（如图6所示），激活这个工程。
我们也可以新建一个工程。
在“ISE Projects”子窗口中，可以打开左上角的“File”菜单，里面的选项可以让我们新建目录，也可以新建工程。
新建的工程可以用鼠标拖到任何一个目录中，也可以按上段讲述的方法激活并编辑。
图3 ISE Project图4 点击“Yes All”图5 复制后的“Vt”图6 激活工程5．双击主窗口左边第二个图标“Status”，出现子窗口如图7所示。
该窗口右边有9个按钮，其中“edit”配置器件结构的描述、模拟过程、结果显示等所有输入文件，“Run all”即开始模拟，“Abort”可以中断模拟。
“Deselect”取消该工程的激活状态，等等。
图7 Status窗口6．点击“Edit”，进入“Vt”工程的修改状态，然后双击主窗口左边的“Tool Flow”图标，出现工具使用流程窗口，如图8所示。
该窗口左边显示了本工程使用的工具和使用流程，右边是本集成环境可以使用的工具，我们可以把右边的工具拖入到左边的流程中，完成自己的设计。
“Vt”这个工程使用了三个工具，另外设置了一个全局参数。
该工程的模拟流程为：MDraw把输入的器件二维剖面结构调用Mesh工具产生模拟用的离散化网格，然后Dessis模拟器件的工作，统计数据，得到电流、电场等结果，最后用Inspect 把模拟结果用曲线图显示出来，另外也可以用picasso来观察器件内部的电场、电流分布等情况。
我们将在后两节详细讲述这四个工具的使用方法。
全局参数“VDrain”设置了模拟时使用的漏极电压。
双击流程图中的“VDrain”图标，可以看到其初始值，如图9所示。
双击主窗口中“Parameter”图标，可以对该参数进行详细设置（如图10所示），不再赘述，读者可在该软件的manual中找到其具体使用方法。
图8 Tool Flow窗口图9 全局参数默认值图10 全局参数配置2．器件描述：mdraw2．1 启动在“ISE Tool Flow Editer”子窗口中将MDraw拖入到左边流程图中（工程“Vt”中已完成）。
点击选中左边流程图中的“MDraw”图标，然后点击菜单上的“Edit”－“input”（如图11），此时弹出子菜单，点击“Boundary”项（如图12），MDraw就启动了。
如果点击“Commands”项，会打开“Vt”的掺杂信息与构造网格前对器件各个区域网格大小的配置文件，默认命名为“mdr.cmd”。
MDraw的主要功能就是将此掺杂与网格配置文件和器件二维结构框图文件（默认命名为“mdr.bnd”）可视化，然后集成了网格产生程序生产网格文件供后续模拟工具进行模拟。
图11 启动MDraw第一步图12 启动MDraw第二步MDraw启动后出现图形界面。
图13所示为“Vt”打开后出现的VDMOS的结构图，我们将在下一节讲述此VDMOS器件结构图的画法。
图13 MDraw启动界面2．2 构造二维剖面图在前面打开的MDraw中，已经有了一个VDMOS的二维剖面结构。
为更好地说明使用方法，我们新建一个结构文件（在菜单上选择“File”－“New”，如图14所示）。
图14 新建结构图新建后右边作图区清空，我们重新画一个VDMOS的二维截面图。
画硅基MOS器件的流程一般是：A．作出器件所在的体（单晶硅）；B．作出栅极下的二氧化硅层；C．作出栅极（多晶硅）；D．作出各个接触点（contact）；E．作出表面上方的硅绝缘层（可省略）；F．对各个区域掺杂（下一节介绍）。
下面详细介绍上面流程的实现方法。
首先选择要画的区域使用的材料。
点击菜单上的“material”，会弹出很多材料供选择，点击其中的“Silicon”，选择器件所在的体为单晶硅，如图15所示。
图15 选择材料接下来，选择左上按钮中的“Add Rectangle”，画体硅矩形（如图16）。
为了精确定义体硅区域，我们选中左下选项中的“Exact Coordinates”，如图17所示。
图16 选择作矩形图17 选择精确坐标现在可以在右边作图区任意拖一个框，此时弹出一个对话框，它会让你填写你所画矩形的精确信息，填写内容如图18所示。
我们可以将边界坐标定义为区域需要的尺寸大小。
图18 精确填写体硅的边界坐标确定后，作图区出现体硅的图形，如图19所示。
如果产生的图形位置不便于观察，可以选中左边的“Zoom”按钮放大观察，也可以点击其下面的“Zoom Out”按钮缩小观察。
如果图形位置不正，可以点击菜单中“View”－“Zoom Reset”，图形会自动调整到最佳观察位置。
如果产生的图形不合适，可以选中左边的“Delete”按钮，然后再单击作图区中的图形块就可以将该块删除。
如果想修改区域边界，选中左边的“Move Point”按钮，并确保“Exact Coordinates”项选中。
此时将鼠标放在一个边界点上，就会弹出一个对话框（如图20），此时可以修改该点坐标，修改后区域形状也随之变化。
如果想作多边形，选中左边的“Multiline”按钮，在右边作图区拖出多边形各条边即可。
如果材料选错且已经作好了图形，可以选中左边的“Change Material”按钮，在菜单上的“Material”中重新选择材料，然后用鼠标点中想要改变材料的区域，此区域的材料就被替换了。
图19 体硅截面图图20 修改区域边界作出体硅区域后，接着用上述同样的方法作出栅极下的SiO2和多晶硅栅极，不妨将SiO2边界坐标设为（4,-0.06）—(8,0)，多晶硅边界坐标设为（4,-0.5）—(8,-0.06)如图21所示。
图21 作出栅极最后，我们添加接触点（Contact）作为器件对外的接口电极。
点击坐标的“Add Contact”按钮，弹出一个对话框，将此Contact取名为“source”，如图22所示。
然后选中“Set/Unset Contact”按钮，将鼠标放在源区的表面点一下，可以看见一根红线添加到了源区表面，这样就完成了源区接触点的添加如图23所示。
如果想在器件上去掉这个contact，确保坐标下拉框中选择了要去掉的contact，然后选中“Set/Unset Contact”按钮，再用鼠标点一下作图区的该contact即可去掉。
如果觉得该contact接触面太大，想缩小长度，首先去掉该contact，然后选中左边的“Add Point”按钮，在源区表面点出两个点，再在这两个点之间放置该contact即可，如图24所示。
选中“Exact Coordinates”项同样可以精确确定这两个点的坐标。
依照上面的方法，我们在栅极上放置“gate”接触点作为栅电极，在衬底下边沿放置“drain”接触点作为漏电极。
这样，我们就完成了一个VDMOS的结构图，如图25所示。
下一节我们将学习掺杂的方法。
图22 新建contact图23 添加contact到器件上图24 修改contact长度图25 完成后的结构图2．3 掺杂点击MDraw左下角的“Doping”项，就可以进入掺杂和建立网格视图（图26）。
如果还想返回上一步修改结构，可以点“Doping”项上面的“Boundary”项返回结构视图。
我们需要掺杂产生沟道、源区、漏区，参照“Vt”的掺杂参数，掺杂步骤为：A．衬底掺杂：掺磷，浓度4×1015B．沟道掺杂：掺硼，浓度1×1017C．源区掺杂：掺磷，浓度2×1019D．衬底接触（源区左边）掺杂：掺硼，浓度1×1019E．漏区掺杂：掺磷，浓度1×1019掺杂视图中左上角有两个按钮，分别是“Add Analytical P.”和“add Constant P.”。
第一个按钮是为扩散或注入掺杂准备的，主要用于制作源、漏和沟道，使用的时候是用鼠标拖一根线，杂质就会在这根线的单边或双边按一定的衰减分布。
第二个按钮是为在外延时就混合杂质准备的，主要用于制作掺杂的衬底。
图26 进入掺杂和建立网格视图首先进行衬底掺杂。
衬底的杂质是制作基片或者外延时就生长的，所以选中“add Constant P.”。
确保左边的“Exact Coordinates”项选中，然后按住鼠标在作图区随便拖一个框，松开鼠标时会弹出一个对话框，我们填好具体掺杂区域的材料、边界坐标和浓度，为该掺杂取名“substrate”，如图27所示。
然后进行沟道掺杂。
沟道的杂质是扩散进入体硅的。
在VDMOS中，沟道掺杂在制作好栅极之后，沟道杂质是通过掺入源区的杂质横向扩散到栅极下面形成的，因此选中“Add Analytical P.”按钮。