透射电镜TEM电子衍射分析
透射电镜TEM电子衍射分析

1-3-3 正点阵与倒易点阵的指数变换
正点阵与倒易点阵互为倒易关系,正点阵的(hkl)晶面与倒易点阵的同指数倒易方向[hkl]*正交,正点阵 的[uvw]晶向与倒易点阵同指数倒易平面(uvw)*正交,在电子衍射分析中,常需要知道(hkl)晶面的法
线方向[uvw]的指数,反过来要知道与晶向[uvw]正交的晶面指数(hkl),只有立方晶系中 h=u,k=v,l=w,
对其它晶系无此关系一般说来,(hkl)晶面的法线指数 u,v,w 与[uvw]晶向正交的晶面指数 h,k,l 不一
定是整数,故需下列计算:
已知晶面(hkl)求法线[uvw]公式
u
ar* ⋅ ar*
ar
*
⋅
r b
*
ar* ⋅ cr*
h
v
=
r b
*
⋅
ar
*
r b
*
⋅
br*
r b
*
⋅
cr
*
k
w
cr* ⋅ ar*
2.71
2.51
1
1-2 晶体对电子的散射
1-2-1 布拉格定律:
晶体内部的质点是有规则的排列,由于这种组织结构的规则性,电子的弹性
散射波可以在一定方向相互加强,除此以外的方向则很弱,这样就产生一束
或几束衍射电子波,晶体内包含着许多族晶面的堆垛,每一族晶面的每一个
晶面上质点都按同样的规律排列且这族晶面的堆垛间距是一个恒定的距离,
:
O''G'
Q 电子波长短,掠射角θ 很小, tgθ ≈ sinθ , G' 与 G'' 很近,则
Q O''G'≈ O''G'= R
tem衍射花样原理

tem衍射花样原理
TEM衍射花样原理
透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)是一种利用电子束来观察物质结构的高分辨率显微镜。
TEM的分辨率比光学显微镜高得多,可以观察到更小的物质结构。
TEM的一个重要应用是通过衍射花样来研究物质的晶体结构。
TEM衍射花样是指当电子束穿过物质时,由于物质的晶体结构对电子的散射作用,电子束会形成一系列明亮和暗淡的环形花样。
这些花样可以用来确定物质的晶体结构和晶格常数。
TEM衍射花样的形成原理是基于布拉格衍射定律。
布拉格衍射定律是指当X射线或电子束穿过晶体时,会被晶体中的原子散射,形成一系列衍射峰。
这些衍射峰的位置和强度与晶体的晶格常数和原子排列有关。
TEM衍射花样的形成过程可以分为三个步骤。
首先,电子束穿过样品,与样品中的原子相互作用。
其次,电子束被散射,形成一系列衍射峰。
最后,这些衍射峰被记录在衍射图上,形成TEM衍射花样。
TEM衍射花样可以用来确定物质的晶体结构和晶格常数。
通过比较实验得到的衍射花样和理论计算得到的衍射花样,可以确定物质的晶体结构和晶格常数。
这对于研究物质的性质和应用具有重要意
义。
TEM衍射花样是一种重要的研究物质晶体结构的方法。
通过观察TEM衍射花样,可以确定物质的晶体结构和晶格常数,为研究物质的性质和应用提供了重要的信息。
TEM透射电镜测试衍射谱标定

12
3 标定一套指数 取(110)为A点指 数,根据立方晶系晶面夹角公式
cos ϕ = h1h2 + k1k 2 + l1l2
2 2 2 h12 + k12 + l12 h2 + k2 + l2
110 211 121 110 000 φ A
计算{112}中所有指数与(110)的夹角,
121 B 211
020
002 200 200
002 110
按系统消光规律,该晶体的 h0l 衍射的消光条件是: h+l=2n+1 图 a 和 c 中,因为存在 g 1 + g 2 = g 3 的条件,300、003 等禁止衍射都出现了。 图 b 中,没有出现禁止衍射斑,原因是不可能由两个 倒易矢量之和获得 h+l=2n+1 的反射。
24
六角密堆晶系中由二次衍射产生的附加斑点
012 011 010 011 012
002 001 000 002
012 011 010 011 012
112 110 112
002 000 002
112 110 112
(100)*
(110)*
25
Nd2Fe14B晶体的二次衍射
下图是Nd2Fe14B晶体的三个晶带轴的电子衍射谱。
213 213 213 213 313 313 313 313 323 323 323 323
16
未知结构的衍射分析
不同结构晶体的 电子衍射谱具有不同 的对称特征。利用电 子衍射谱的对称性, 往往可迅速判断其所 属的晶系。
17
旋转晶体重构三维倒易点阵法
通过绕晶体某一特定 晶轴旋转试样,获得一系 列电子衍射花样,根据这 些电子衍射花样和旋转角 度,重构三维倒易点阵, 可确定未知结构所属晶系 及点阵参数。 试用简单立方晶体予 以说明。
透射电镜(TEM)讲义

05
TEM操作与注意事项
操作步骤与技巧
01
02
03
04
准备样品
选择适当的样品,进行适当的 处理和固定,以确保观察效果 最佳。
调整仪器参数
根据观察需求,调整透射电镜 的加速电压、放大倍数等参数 ,以达到最佳观察效果。
操作步骤
按照仪器操作手册的步骤进行 操作,包括安装样品、调整焦 距、观察记录等。
技巧
定量分析方法
颗粒统计
对图像中颗粒的数量、大 小和分布进行统计,计算 颗粒的平均尺寸和粒度分 布。
电子衍射分析
利用电子衍射技术分析晶 体结构和相组成,确定晶 格常数和晶面间距。
能谱分析
通过能谱仪测定图像中各 点的元素组成和相对含量, 进行定性和定量分析。
04
TEM图像解析实例
晶体结构分析
利用高分辨的TEM图像,可以观察到晶体内部的原 子排列和晶体结构,如面心立方、体心立方或六方 密排结构等。
掌握操作技巧,如正确使用操 作杆、合理利用观察窗口等, 以提高观察效果和效率。
仪器维护与保养
定期清洁
定期对透射电镜进行清 洁,保持仪器内部和外
部的清洁度。
检查部件
更换消耗品
定期检查透射电镜的部 件,如电子枪、镜筒等,
确保其正常工作。
根据需要,及时更换透射 电镜的消耗品,如真空泵
油、电子枪灯丝等。
保养计划
在操作透射电镜时,应严格遵守操作规程, 确保仪器和人身安全。
THANK YOU
感谢聆听
80%
观察模式
根据观察目的选择不同的观察模 式,如明场、暗场、相位对比和 微分干涉等。
图像解析与解读
01
02
03
透射电子衍射及显微分析

电磁透镜的磁场
电磁透镜可以放大和汇聚电子束,是因为它产生的磁场沿透 镜长度方向是不均匀的,但却是轴对称的,其等磁位面的几 何形状与光学玻璃透镜的界面相似,使得电磁透镜与光学玻 璃凸透镜具有相似的光学性质。
第28页,共51页。
4. 电子衍射物相分析
4.1电子衍射花样的形成 4.2 电子衍射的基本公式 4.3 各种结构的衍射花样 4.4 选区电子衍射
透射电镜的结构组成
电子照明系统 电子光学系统
真空系统
观观察记察录记系录统系统
电源系统
基本结构组成: 电子照明系统
电子光学系统
观察记录系统 真空系统 电源系统
300kv高分辨透射电镜
第8页,共51页。
透射电镜的结构组成
(1)电子照明系统
由电子枪和聚光镜 共同组成,其作用 是提供高能量、小 直径的透射电子束 用以后续成像。
于微晶、表面和薄膜的晶体结构研究。 由于电子衍射束的强度有时几乎与透射束相当,以致两者产生交
互作用,使衍射花样,特别是强度分析变得复杂,不能像X射线 那样从测量衍射强度来确切测定结构。
此外,由于电子穿透能力小,要求试样薄,使试样制备比X
射线复杂,花样在精度方面远比X射线低。
第31页,共51页。
4.1电子衍射花样的形成
三是物相的晶体结构未知,也不了解有关信息。标定这 类图比较困难,通常需要倾转试样获得两个或多个电子 衍射图,最终准确地鉴定衍射物质的晶体结构。
第37页,共51页。
4.5 衍射花样分析
4.5.1 多晶体结构分析 4.5.2 单晶体结构分析
4.5.3 复杂电子衍射花样
第38页,共51页。
4.5.1多晶体结构分析
第35页,共51页。
TEM分析技术的原理与应用

TEM分析技术的原理与应用1. 介绍透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)是一种使用透射电子进行成像的高分辨率显微镜。
它可以提供比光学显微镜更高的分辨率,可以观察到更小的细节,因此在材料科学、纳米科学和生物学等领域有广泛的应用。
本文将介绍TEM分析技术的原理与应用。
2. 原理TEM分析技术的原理是基于电子的波粒二象性。
电子具有波动性,可以通过一系列显微镜系统来控制电子的传播和交互,从而实现对样品的成像和分析。
TEM系统由电子源、透镜系统和检测器组成。
首先,电子源产生的电子经过加速器加速,形成一束高速电子。
然后,这束电子经过准直系统和透镜系统的聚焦,最终射到样品上。
在透射过程中,样品会吸收、散射和透射电子。
透射的电子将进入显微镜的投影平面上,经过检测器的接收和处理,形成最终的图像。
TEM分析技术的关键在于如何解读投影平面上的图像。
通过对透射电子的散射和相位差的分析,可以得到样品的结构信息、晶格参数、缺陷等。
通过对透射电子的能量损失和电子衍射的分析,还可以获得样品的成分、原子排列和晶体取向等。
3. 应用TEM分析技术在材料科学、纳米科学和生物学等领域有广泛的应用。
以下是一些典型的应用领域和应用案例:3.1 材料科学•纳米材料的结构表征:TEM可以观察纳米材料的形态、尺寸和形貌,进而分析其结构和性质。
•高分辨率成像:TEM可以提供高分辨率的图像,用于观察材料的晶格结构、晶体缺陷和界面特征。
3.2 纳米科学•纳米颗粒的制备和表征:TEM可以观察纳米颗粒的形貌、尺寸分布和组成,帮助研究人员优化纳米材料的制备方法。
•纳米结构的电子衍射分析:TEM可以对纳米结构进行电子衍射分析,从而获得其晶体结构和取向信息。
3.3 生物学•细胞和组织的超高分辨率成像:TEM可以观察细胞和组织的超高分辨率结构,帮助研究人员了解生物体的微观结构与功能关系。
•生物分子的定位和结构分析:TEM可以通过标记技术将生物分子标记出来,并通过电子显微镜观察它们在细胞内的定位和相互关系。
TEM电子衍射的原理
TEM电子衍射的原理TEM是透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope)的简称,是一种使用电子束而不是光束进行观察和分析的显微镜。
TEM利用电子束穿过样品并与样品相互作用,然后将电子衍射的图样转换为样品的结构信息。
TEM电子衍射的原理基于布拉格公式,即nλ = 2dsinθ,其中n为衍射级数,λ为入射电子的波长,d为晶格参数,θ为衍射角。
当电子束穿过晶体时,晶格中的原子对电子束起到散射作用,形成衍射图样。
这些衍射图样即可用来分析晶格信息及其结构。
1.电子源:电子转移系统通过高压电子火花或透射电子枪产生一束高速电子流。
电子束由一系列电磁透镜束聚并形成高能束。
2.准直系统:使用透镜系统将电子束准直,以确保它在整个样品上尽可能平行。
3.样品台:样品台是一个用于支撑样品的平台,样品被安置在这个平台上。
平台上提供了一系列探测器,以捕捉散射的电子。
4.电子与样品相互作用:电子束穿过样品并与样品中的原子相互作用。
原子对电子产生散射效应,并产生衍射图样。
5.探测器:使用一系列探测器来收集电子的散射。
这些探测器可以测量衍射电子的强度和角度,以确定晶体结构。
6.图像形成:电子衍射模式进入与样品台相连的CCD摄像机,生成衍射图像。
通过TEM电子衍射,我们可以得到样品的晶体结构、晶格参数、晶面指数、晶体取向等信息。
这对于理解材料的性质和行为非常重要。
另外,TEM还可以结合其他技术如能谱分析和显微成像技术,实现对样品的更全面的表征。
然而,使用TEM电子衍射还会面临一些挑战。
首先,电子束的能量较高,容易对样品造成辐射损伤,因此需要进行谨慎的操作和控制。
其次,电子束在穿过样品时容易受到散射和多次散射的影响,导致失真和模糊的衍射图样。
这需要使用一些衍射技术如选区电子衍射(Selected Area Electron Diffraction)和倾斜衍射(Precession Electron Diffraction)来克服这些问题并提高分辨率。
TEM 分析中电子衍射花样标定
TEM分析中电子衍射花样的标定原理第一节 电子衍射的原理1.1 电子衍射谱的种类在透射电镜的衍射花样中,对于不同的试样,采用不同的衍射方式时,可以观察到多种形式的衍射结果。
如单晶电子衍射花样,多晶电子衍射花样,非晶电子衍射花样,会聚束电子衍射花样,菊池花样等。
而且由于晶体本身的结构特点也会在电子衍射花样中体现出来,如有序相的电子衍射花样会具有其本身的特点,另外,由于二次衍射等会使电子衍射花样变得更加复杂。
上图中,图a和d是简单的单晶电子衍射花样,图b是一种沿[111]p方向出现了六倍周期的有序钙钛矿的单晶电子衍射花样(有序相的电子衍射花样);图c是非晶的电子衍射结果,图e和g是多晶电子的衍射花样;图f是二次衍射花样,由于二次衍射的存在,使得每个斑点周围都出现了大量的卫星斑;图i和j是典型的菊池花样;图h和k是会聚束电子衍射花样。
在弄清楚为什么会出现上面那些不同的衍射结果之前,我们应该先搞清楚电子衍射的产生原理。
电子衍射花样产生的原理与X 射线并没有本质的区别,但由于电子的波长非常短,使得电子衍射有其自身的特点。
1.2 电子衍射谱的成像原理在用厄瓦尔德球讨论X射线或者电子衍射的成像几何原理时,我们其实是把样品当成了一个几何点,但实际的样品总是有大小的,因此从样品中出来的光线严格地讲不能当成是一支光线。
之所以我们能够用厄瓦尔德来讨论问题,完全是由于反射球足够大,存在一种近似关系。
如果要严格地理解电子衍射的形成原理,就有必要搞清楚两个概念:Fresnel(菲涅尔)衍射和Fraunhofer(夫朗和费)衍射。
所谓Fresnel(菲涅尔)衍射又称为近场衍射,而Fraunhofer(夫朗和费)衍射又称为远场衍射.在透射电子显微分析中,即有Fresnel(菲涅尔)衍射(近场衍射)现象,同时也有Fraunhofer(夫朗和费)衍射(远场衍射)。
Fresnel(菲涅尔)衍射(近场衍射)现象主要在图像模式下出现,而Fraunhofer(夫朗和费)衍射(远场衍射)主要是在衍射情况下出现。
TEM透射电镜中的电子衍射及分析
TEM透射电镜中的电子衍射及分析TEM透射电镜(Transmission Electron Microscopy)是一种高分辨率的显微镜,它利用电子束穿透样品,并通过电子衍射和显微成像技术来观察样品的内部结构和晶格信息。
本文将通过一个实例来介绍TEM透射电镜中的电子衍射及分析过程。
实例:研究纳米材料的晶格结构研究目标:使用TEM透射电镜研究一种纳米材料的晶格结构,确定其晶格常数和晶体结构。
实验步骤:1.样品制备:首先,需要制备纳米材料的TEM样品。
常见的制备方法包括溅射,化学气相沉积和溶液法等。
在本实验中,我们将使用溶液法制备纳米颗粒样品,并将其沉积在碳膜上。
2.装载样品:将TEM样品加载到TEM透射电镜的样品台上,并进行适当的调整,以使样品位于电子束的路径中。
3.调整TEM参数:调整透射电镜的参数,如电子束的亮度,聚焦和对比度等。
这些参数的调整对于获得良好的电子衍射图像至关重要。
4. 获得电子衍射图:通过调整TEM中的衍射镜,观察和记录电子衍射图。
可以使用选区衍射(Selected Area Diffraction,SAD)模式,在样品上选择一个小区域进行衍射。
电子束通过纳米颗粒样品时,会与晶体的原子排列相互作用,并在相应的探测器上形成衍射斑图。
5.解析电子衍射图:利用电子衍射图分析软件,对获得的电子衍射图进行解析。
通过测量衍射斑的位置和相对强度,可以推断出样品的晶格常数和晶体结构。
6.确定晶格常数:根据衍射斑的位置,使用布拉格方程计算晶格常数。
布拉格方程为:nλ = 2dsin(θ)其中,n是衍射阶数,λ是电子波长,d是晶体平面的间距,θ是入射角。
通过测量不同衍射斑的位置和计算,可以得到晶格常数及其误差范围。
7.确定晶体结构:根据衍射斑的相对强度以及已知的晶格常数,可以利用衍射斑的几何关系推断样品的晶体结构。
常见的晶体结构包括立方晶系、六方晶系等。
8.结果分析:根据实验获得的数据,进行晶格常数和晶体结构的分析和比较。
透射电子显微镜(TEM)
日本日立公司H-700 电子显微镜,配有双倾台 ,并带有7010扫描附件和 EDAX9100能谱。该仪器 不但适合于医学、化学、 微生物等方面的研究,由 于加速电压高,更适合于 金属材料、矿物及高分子 材料的观察与结构分析, 并能配合能谱进行微区成 份分析。 ● ● ● ● ● 分 辨 率:0.34nm 加速电压: 加速电压:75KV-200KV - 放大倍数: 万倍 放大倍数:25万倍 能 谱 仪:EDAX-9100 - 扫描附件: 扫描附件:S7010
TEM 形貌分析
透射电镜具有很高的空间分辩能力,特别适合 纳米粉体材料的分析。 其特点是样品使用量少,不仅可以获得样品的 形貌,颗粒大小,分布,还可以获得特定区域 的元素组成及物相结构信息。 透射电镜比较适合纳米粉体样品的形貌分析, 但颗粒大小应小于300nm,否则电子束就不能 但颗粒大小应小于300nm,否则电子束就不能 透过了。对块体样品的分析,透射电镜一般需 要对样品进行减薄处理。
多晶花样的标定
1. 花样特征: 一组同心圆 花样特征: 一组同心圆
2.标定方法:比值法 2.标定方法: 标定方法 根据R1, 根据R1, R2 , R3 ….的比值来确定结构和标定花样 比值法主要适合立方晶系
3)显象部分
这部分由观察室和照相机构组成。 在分析电镜中,还有探测器和电子能量分析附件。 如下图所示。
电子束 扫描发生仪
显象管 和X-Y 记录仪
扫描线圈
数据 处理
能量选择光阑 入射光阑
放大器 探测器
电子能量 分析仪
图1-14 扫描电子衍射和电子能谱分析附件示意图
2 . 真空系统 为了保证在整个通道中只与试样发生相互作用,而 不与空气分子发生碰撞,因此,整个电子通道从电子 枪至照相底板盒都必须置于真空系统之内,一般真空 度为 毫米汞柱。
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已知晶向[uvw]求与其正交的晶面指数(hkl) h k l 或
=
a⋅a b⋅a c⋅a
a ⋅b a ⋅c b⋅b b⋅c c⋅b c⋅c
u v w
3 r r hi = ∑ u j ⋅ ai* ⋅ a * j
j =1
各晶系
r r ai ⋅ a j 可由表 查出
例如对六方晶系
u v w =
4 3a 2 2 3a 2
r r r r r r a* ⋅ a = b * ⋅ b = c * ⋅ c = 1 r r r r r r r r a* ⋅b = b * ⋅ c = c * ⋅ a = a* ⋅ c = 0
(1.5)
可以证明:倒易点阵的倒易是正点阵,即正点阵与倒易点阵互为倒易关系,即
r r (a * )* = a
r r a* ⋅ a*
r r b * ⋅ a*
r r a* ⋅ b * r r b* ⋅b* r r c* ⋅b*
r r a* ⋅ c *
r r b* ⋅ c*
h k l
r r c * ⋅ a*
r r c* ⋅ c*
3 r r ui = ∑ h j ⋅ ai* ⋅ a * j j =1
各晶系
r r 查出 ai* ⋅ a * j 可由表
R = Lλ ⋅ 1 d
即 R = Lλ ⋅ g
由此可知:电子衍射谱是一个二维倒易点列的投影,它代表倒易点阵的二维截面 由上式变换
∴
电子衍射谱是一个放大的二维倒易点列,放大倍数 L λ 为相机常数。
7
VC[100]晶带电子衍射谱
VC[100]*倒易面上倒易点列
1-5 晶带定律
晶体中的许多晶面族(hkl)同时与一个晶向[uvw]平行时(图 3-6) ,这些晶面族总称为一个晶带,这 个晶向称为晶带轴。我们常常用晶带轴代表整个晶带,如[uvw]晶带。 既然这些晶面族都平行于晶带轴的方向,那么它们的倒易矢量 g = ha + kb + 1c 就构成一个与晶带 轴方向 r = ua + vb + wc 正交的二维倒易点阵平面(uvw)*。从 g ⋅ r = 0 的正交关系可以得出晶带定律
0
2 3a 2 4 3a 2
0
0 0
h k l
1 c2
6
h
α2 α2
2
−
α2
2
0
u
k
=
−
α2
0
0
v
l
0
c2
w
1-4 倒易平面与电子衍射谱
倒易点阵分析方法是从衍射谱分析点阵类型和结构的桥梁。对电子衍射来 说,电子衍射谱能直观地显示倒易点阵的一个二维截面,这是由电子束的 波长非常短的特点决定的。在高能电子衍射的情况下,200 仟伏加速电压 产生的电子波的波长为 2.51× 10
2d sin θ = nλ
这就是布拉格定律或布拉格方程,其中 n 为整数,晶面间距 d 代表晶体的特征, λ 为电子波长代表入 射电子束的特征,θ 为掠射角代表入射束与 d 代表的晶面间的几何关系。布拉格定律规定了一个晶体产生 衍射的几何条件,它是分析电子衍射谱的几何关系的基础。只要晶面间距 dhkl 和它对入束的取向 θ 满足布 拉格定律,可以同时产生衍射:
100 3.70
120 3.35
125 3.27
150 2.95
160 2.85
175 2.71
200 2.51
1
1-2 晶体对电子的散射
1-2-1 布拉格定律:
晶体内部的质点是有规则的排列,由于这种组织结构的规则性,电子的弹性 散射波可以在一定方向相互加强,除此以外的方向则很弱,这样就产生一束 或几束衍射电子波,晶体内包含着许多族晶面的堆垛,每一族晶面的每一个 晶面上质点都按同样的规律排列且这族晶面的堆垛间距是一个恒定的距离, 称之为晶面间距 dhkl。 当一束平面单色波照射到晶体上时,各族晶面与电子束成不同坡度,电子束在晶面上的掠射角 θ 标记 上述特征入射束的波前 A、B,散射束的波前为 A’、B’,当第一层晶面的反射束 QA’与透射束在第二层晶 面反射束 RB’间的光程差 δ = SR + RT ,晶面间距 d,则 δ = 2d sin θ 按波的理论证明,两支散射束相干 加强的条件为波程差是波长的整数倍,即:
r
r*
r*
r*
r
r
r
r
r r
hu + kv + 1w = 0 (3-22) 在正点阵中, (hkl)是属于[uvw]晶带的晶面族的指数。在倒易点阵中,hkl 是(uvw)*倒易平面上倒易阵 点的指数。 如果(h1k1l1)和(h2k2l2)是[uvw]晶带中的两个晶面族,则可由方程组
h1u + k1v + l1 w = 0 h2 u + k 2 v + l 2 w = 0
1-3-1 倒易点阵的概念:
倒易矢量或倒易点是晶体学的一种表达方式,其优点是可用一个矢量或一个点代表一个晶面族。矢量 的长度代表晶面间距的倒数,矢量的方向代表晶面的法线方向,这使一族二维晶面可用一个一维的矢量或 零维的点表示,使一些晶体学关系显得简化。 对于每一种晶体点阵,它的每族晶面都可以引出一个相应的倒易点,许多倒易点可构成倒易面,许多 倒易面构成倒易点阵,所以倒易点的集合构成一个新的点阵,称之为倒易点阵,通常的晶体点阵称为正点 阵,七大晶系的每一正点阵,其对应的都有一个倒易点阵。 正点阵的晶胞由基矢量 a , b , c 表示,正空间的矢量 R 为:
o
−2
A ,反射球的半径是 40 A ,而典型金
o −1
o
o −1
属晶体低指数晶面间距约 2 A ,相应倒易矢量的长度为 0.5 A ,故反射球 半径 O1O 是倒易矢量 OG 长度的 80 倍,这样,在倒易点阵原点 O 附近低 电子衍射的几何构图 指数倒易点范围内,反射球非常接近平面,反射球面与倒易点交截是一 个平面,此平面内低指数倒易点都落在反射球面上,满足衍射条件,产 生相应的衍射束。
Q 电子波长短,掠射角 θ 很小, tgθ ≈ sin θ , G ' 与 G ' ' 很近,则
(1.2) 这是电子衍射几何分析基本公式,L, λ ,R 由实验条件确定,L λ 称为相机常数。
Q O' ' G ' ≈ O' ' G ' = R ∴ Rd = Lλ
Q G ' ' 是 G 是投影
∴ O' ' G ' ' 可视为 OG 的投影,R 则为 1 的投影长度。 d
r
r
1
λ
,
r
r
r r r g = kg − k 0
2
矢量 g 的大小为 点 G 叫倒易点。
r
1 ,方向与晶面(hkl)法线方向相同,故称为晶面(hkl)的倒易矢量倒易矢量的端 d
r
任一晶面的倒易矢量 g hkl 的大小为该晶面组晶面间距的 d hkl 的倒数,其方向是该晶面的法线方向。
1-3
倒易点阵
r
如电子衍射几何构图知,在下方垂直于电子入射方向放一张底片,就可以 O1O 方向记录一个透射斑点 O’’ (中心班点) ,在 O1G 方向记录一个衍射班点 G’’。 电子衍射谱上中心斑点到衍射斑点的距离为 R,电子衍射仪中样品到底板的距离 L 为相机长度。
Q ΔO1OG ~ ΔO1O' ' G '
∴ 1 : L = 1 : O' ' G ' d λ
2d sin θ = λ 1-2-2 反射球一布拉格定律的图解:
若把晶体置于球心 O ,
1
λ
= OO1 = AO1 为半径作一个球,AO1 为入
射电子束, O1O 为透射束,反射束为 O1G ,若 ∠OAG = θ 即掠射 角则 OG = AO ⋅ sin θ 反射球构图 即: OG =
λ
2
sinθ 由布拉格定律变换得:
得出[uvw]的解是 k1 l1 u:v:w= k2 l2 或写成便于运算的形式 h1 k1 l1 h 2 k2 l2 : l2 h 2 l1 h 1 : h2 k2 h1 k1 (3-33)
h1 h2
k1
k2 u v w 这也就是倒易阵点 h1k1l1、h2k2l2 与原点一起构成的二维倒易点阵平面(uvw)*的指数。同理我们也可以由 晶带定律求出由两个晶向[u1v1w1]及[u2v2w2]构成的晶面(hkl)的指数。 图 3-7 是晶带定律的示意图,属于[uvw]晶带的晶面族的倒易阵点 hkl 都在一个二维倒易点阵平面上。 根据倒易关系,正点阵的[uvw]方向与倒易点阵的(uvw)*倒易平面正交,因此这些 hkl 倒易点构成的二维 倒易点阵平面就是(uvw)*。这个倒易点阵平面通过原点,满足关系式 g ⋅ r =
r r r
r
r r r r R = ua + vb + wc
(1.3)
倒易点阵的晶胞由基矢量 a , b , c 表示倒易空间的倒易矢量 g 为:
r* r* r*
r
r r r r g = ha * + kb * + lc *
(1.4)
依照倒易矢量的概念,同理可知,倒易基矢量与相应正空间的基矢量相互平行,所以倒易基矢量与正 点阵基矢的关系为:
eU 12 ) 是相对论修正系数,经修正后电子波长为: 2 m0 c 2
λ=
12.26 V (1 + 0.979 × 10 −6 V )
。 V 为加速电压(伏) , λ 为电子波长(埃) 1-1 电子波长数据表(经相对论修正) 加速电压(Kv) 电子波长( A )10-2
o
75 4.32