掩膜版 mask 的制造

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相移掩膜版制作工艺流程

相移掩膜版制作工艺流程

相移掩膜版制作工艺流程English Answer.Photomask Fabrication Process.The photomask fabrication process involves several critical steps:1. Substrate Preparation: The substrate, typically a glass or quartz wafer, is cleaned and prepared to receive the photoresist.2. Photoresist Application and Soft Bake: A photoresist is applied to the substrate and then subjected to a soft bake to remove solvents and enhance adhesion.3. Mask Design Transfer: The mask design is transferred to the photoresist using a mask aligner or direct write lithography.4. Resist Development: The exposed photoresist is developed to create the desired pattern on the mask.5. Hard Bake: The mask is subjected to a hard bake to further harden the photoresist and improve its durability.6. Etching: The exposed substrate is etched using a dry or wet etching process to transfer the pattern to the substrate.7. Stripping: The remaining photoresist is stripped from the mask, leaving the final pattern on the substrate.Chinese Answer.相移掩膜版制作工艺流程。

MASK工艺介绍

MASK工艺介绍
液晶是兼有液体的流动性和晶体光学各向异性的液体。液晶的化学物有向列相液晶、近 晶相液晶、胆淄相液晶和板状液晶等。液晶显示器的工作模式有 DS 模式、GH 模式、TN 模式和 STN 模式等。液晶主要应用于液晶显示器中,液晶显示器属于平板显示器的一种。

Cr
Glass
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苏州美精微光电有限公司
光掩膜版(PHOTOMASK)知识介绍 (COLIN FONG)
第 4 页 共 11页
g. 切割(按生产工艺要求,将一大片拼版成品切割为各自独立的单个成品)
第 3 页 共 11页

i. 检查(检查参数:
光学密度(OD)Optics density:≥3(λ=436nm)
反射率<5%

厚度平整度:2~5um
平整度:≤30um)
j. 清洗(去除尘埃与杂质)
k. 涂胶(将光刻胶涂于铬层上层)

l. 检查(检查参数)

膜厚:0.1-0.15um±100nm
针孔:A、B、C、D 四个级别 m. 包装 5) 铬版掩膜版(图形)制作 a. CAD(Computer Aided Design)
平整度: ≤30um
g. 超声清洗(去除杂质及污物)

h. 镀铬(有两种方法:溅射和蒸发)
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苏州美精微光电有限公司 光掩膜版(PHOTOMASK)知识介绍 (COLIN FONG)
比等,它可以通过菲林笔或红胆进行修补,菲林笔价格低但不耐丙酮等试剂的擦拭;
红胆可耐丙酮擦拭但其修补处会有凸起(一般不影响曝光)且价格较贵。

掩膜

掩膜

感谢观看
②屏蔽作用,用掩模对图像上某些区域作屏蔽,使其不参加处理或不参加处理参数的计算,或仅对屏蔽区作处 理或统计。
③结构特征提取,用相似性变量或图像匹配方法检测和提取图像中与掩模相似的结构特征。
④特殊形状图像的制作。
掩膜是一种图像滤镜的模板,实用掩膜经常处理的是遥感图像。当提取道路或者河流,或者房屋时,通过一 个n*n的矩阵来对图像进行像素过滤,然后将我们需要的地物或者标志突出显示出来。这个矩阵就是一种掩膜。
图像
用选定的图像、图形或物体,对处理的图像(全部或局部)进行遮挡,来控制图像处理的区域或处理过程。 用于覆盖的特定图像或物体称为掩模或模板。光学图像处理中,掩模可以是胶片、滤光片等。数字图像处理中,掩 模为二维矩阵数组,有时也用多值图像。
数字图像处理中,图像掩模主要用于:
①提取感兴趣区,用预先制作的感兴趣区掩模与待处理图像相乘,得到感兴趣区图像,感技术的的图形“底片”
目录
01 单片机
02 图像
掩膜(MASK):全称单片机掩膜,是指程序数据已经做成光刻版,在单片机生产的过程中把程序做进去。 优点是:程序可靠、成本低。 缺点:批量要求大,每次修改程序就需要重新做光刻板,不同程序不能同时生产,供货周期长。
单片机
在半导体制造中,许多芯片工艺步骤采用光刻技术,用于这些步骤的图形“底片”称为掩膜(也称作“掩 模”),其作用是:在硅片上选定的区域中对一个不透明的图形模板遮盖,继而下面的腐蚀或扩散将只影响选定 的区域以外的区域。

光掩膜版制备流程

光掩膜版制备流程

光掩膜版制备流程光掩膜版是一种在光刻工艺中使用的重要工具,用于将图形转移到半导体材料上。

光掩膜版的制备过程是一个复杂的过程,涉及到多个步骤和技术。

下面将详细介绍光掩膜版的制备流程。

1.设计图形:首先,需要根据所需制备的器件的设计要求,使用计算机辅助设计软件(CAD)绘制器件的图形。

图形应包含所需的所有细节和尺寸。

2.制作掩膜模板:将设计图形转移到光掩膜版上,通常使用超薄玻璃或石英版作为基板。

将基板涂覆上一层光敏材料,例如光致聚合物。

然后使用直接光刻或电子束刻蚀技术将设计图形转移到光敏材料上。

刻蚀的深浅形成了图形的雕刻。

3.制备光刻胶:选择适当光刻胶,通常为光敏聚合物,它能够在光刻过程中固化并形成图形。

4.准备基板:将待制备器件的基板清洗并加热,以确保其表面干净且与光刻胶粘附性好。

然后在基板上进行背面对准和对准标记的设定。

5.编排版并涂覆光刻胶:在待制备器件的基板上,使用光刻机或喷涂技术对光刻胶进行涂覆。

涂覆厚度和均匀度对光刻的质量至关重要。

6.掩膜对准:将制备好的光掩膜版对准到涂有光刻胶的基板上。

这需要使用显微镜和对准器来确保图形的正确对准。

7.暴光:将对准好的基板放入光刻机中,启动光刻过程。

光源会通过光掩膜版,照射到光刻胶上,在暴光区域固化光刻胶。

8.显影:在暴光后,使用合适的显影液将未固化的光刻胶洗去。

在显影过程中,光刻胶的图形开始显示出来。

9.预烘烤:将图形显示出来的光刻胶进行烘烤,以去除残留的溶剂和使光刻胶固化。

10.补焦修整:使用补焦技术,修整光刻胶的表面,以确保图形的尺寸和形状准确。

11.后烘烤和氧气等离子去除:对光刻胶进行后烘烤来使其固化,并使用氧气等离子处理去除残留的杂质和有机物。

12.检查和测试:使用显微镜或扫描电子显微镜检查光刻胶上的图形是否准确。

然后使用其他测试方法对制备好的光掩膜版进行验证。

以上是光掩膜版制备的大致流程。

每个步骤都需要精确和仔细的操作,并需要高度的技术和经验。

掩膜制造工艺

掩膜制造工艺

如何高效制造掩膜?一起来了解掩膜制造工
艺!
掩膜在电子制造行业中扮演着重要的角色,它可以在制造过程中防止光照和化学物质的污染,从而保护电路板上的金属线路不受损坏。

那么,接下来我们就来了解掩膜的制造工艺。

第一步:确定掩膜的尺寸和形状。

在制造掩膜之前,必须先确定它的尺寸和形状,这是制造掩膜的第一步。

通常,我们会使用计算机软件来帮助我们设计掩膜,需要注意的是,设计出来的掩膜必须符合实际制造的要求。

第二步:准备基板材料。

制造掩膜的下一步是准备基板材料,基板通常采用的是聚酰亚胺(PI),聚四氟乙烯(PTFE)等高温材料,能够耐受高温和有机溶剂的腐蚀。

第三步:涂覆光刻胶。

将光刻胶涂覆在基板上,使其均匀分布。

然后,将基板放在紫外灯下,使用模板使光刻胶暴露在光源下。

紫外线照射使光刻胶与基板产生反应,形成固体图案,即为掩膜。

第四步:去除未固化的光刻胶。

去除未固化的光刻胶,这通常使用化学溶剂,如盐酸或高温去离子水,这可以去除未固化的光刻胶,并将图案固定在基板上。

第五步:铜化。

将铜化液体倒入容器中,放入固定的掩膜。

在铜化液体中进行电镀或浸泡,形成需求的金属芯片。

通过以上几个步骤,我们就可以完成掩膜的制造了。

这一工艺需要仔细操作,确保掩膜质量稳定,以保证成品的质量可靠性。

掩膜板的制造讲义.

掩膜板的制造讲义.

投影掩膜版缩影倍率和曝光场的比较
在投影掩 膜版上的 视场尺寸
投影透镜 硅片上的曝光
视场
透镜类型
10:1
5:1
4:1
投影掩模版视场 100 100 100 100 100 100 尺寸 (mm)
硅上的曝光视场 10 10 (mm)
20 20
25 25
每个曝光视场芯 4
16
25
投影掩膜版
投影掩膜版图的设计和尺寸
1) STI刻蚀
2) P阱注入
3) N阱注入
4) 多晶硅刻蚀
5) N+ S/D 注入
6) P+ S/D 注入
7) 氧化层接触刻蚀
最终层
5 4
2
1
6
3 7 8
剖面图
顶视图
8) 金属刻蚀
投影掩膜版的材料:
最主要的用于亚微米光刻的投影掩膜版衬底材料 是烧融石英。这种材料始终用在深紫外光刻中,因为 它在深紫外光谱部分(248nm和193nm)有高光学透射。 用做投影掩膜版的烧融石英是最贵的材料并且有非常 低的温度膨胀。低膨胀意味着投影掩膜版在温度改变 时尺寸是相对稳定的。掩膜版材料应具有的其它性能 是高光学透射和在材料表面或内部没有缺陷。
解决投影掩膜版上颗粒沾污的方法是用一个极薄的透 光膜保护表面,这种薄膜称为保护膜。
这层保护膜的厚度需要达到足够薄,以保证透光性, 同时又保证足够结实,能够耐清洗,此外,还要求保护膜 长时间暴露在UV射线的辐射下,仍能保持它的形状。目前 所使用的材料包括硝化纤维素醋酸盐和炭氟化合物。
有保护膜的掩膜版可以用去离子水清洗,这样可以保 护膜上大多数的颗粒,然后在通过活性剂和手工擦洗,就 可以对掩膜版进行清洗。
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