北理工《模拟电子技术》期末考试精选题汇总【含答案解析】 39

北京理工大学远程教育学院

《模拟电子技术》模拟题第四套答案一、填空（2×10=20分）

1 . P沟道增强型MOS管工作在截止区的条件 V

GS

th

(V

th

<0)，欲使其能放大信

号，则应将其设置在饱和区。

2．为稳定输出电流，应引入电流负反馈。

3．场效应管属于电场控制器件。

4．双极型（BJT）构成的互补推挽电路采用的共集组态电路，原因是共集组态电路带负载能力强。

5．假设某放大电路只有一个耦合电容，当该电容增大时，电路的下限频率会随

着下降。

6. 集成电路一般采用直接耦合电路。

7．运放共模抑制比的定义为|A AA

A AA

|，理想情况下该为无穷大。

二、分析与计算（50分）

1. （20分）放大电路如图

2.1所示，R

G1=100K，R

G2

=50K，R

D

=10K，R

s1

=0.2K，R

s2

=1.8K

R

L

=10K；场效应管T的参数如下：K n=0.25mA/V2，V th=2V，r ds=∞。（I A=A A(A AA?A AA)2）

1)计算晶体管T

1的静态工作点I

DQ

，V

GSQ

和V

DSQ

；

2)g

m

, 中频电压放大倍数A v，输入电阻R i和输出电阻R o；

解：1）A A =A AA A A2

A A1+A A2

=5A

A AA=A A?A A(A

A1

+A A2)（1）

I A=A A(A AA?A AA)2（2

联立求解可得

I AA=0.68m A 代入（1）式，可知

A AAA=3.64V

V AAA=A AA?A AA（A

A

+A A1+A2）=6.84A

2) A A=2A A(A AA?A AA)=0.82AA

A A=?A A(A A//A A)

1+A A A A1

=?3.52

A A=A A1//A A2=33.3A

A A=A A=10A

2. （20分）（1）说出理想运放的5个特征；

（2）运放组成的电路如图2.2所示，分析该电路的功能。（3）推导出v o1-v o2的表达式，以及v o的表达式。

+V R

R

R

R

C

C

v

v

R

R C