LED制造工艺流程
LED灯生产工艺流程
LED灯生产工艺流程第一步：原材料准备原材料主要包括LED芯片、LED封装材料、PCB板、散热器、驱动电源等。
在这一步，需要根据产品设计要求采购相关材料，并对材料进行检验，确保质量合格。
第二步：PCB板制作PCB板是电路的基础，它用于连接LED芯片和其他电子元器件。
首先，将原材料FR4经过切割和打磨，制作成符合要求的尺寸和形状。
然后，通过蚀刻、钻孔、图形铺铜、焊接等工艺，制作出电路板上的线路和焊盘。
第三步：LED芯片封装LED芯片是LED灯的核心部件，它需要封装在透明材料中起到保护和增强发光效果的作用。
首先，将LED芯片放置在封装机器上，然后涂抹透明胶水，并用紫外光固化。
最后，将封装好的LED芯片进行温度和湿度测试，确保质量稳定。
第四步：组装灯珠在这一步，将封装好的LED芯片与PCB板进行焊接连接。
首先，使用专用设备将LED芯片粘贴到预定位置上。
然后，通过自动焊接设备将LED芯片与PCB板上的焊盘进行连接。
最后，通过人工或自动设备对焊接质量进行检查，确保焊接稳定可靠。
第五步：安装散热器LED灯在工作过程中会产生热量，为了保证灯的寿命和性能稳定，需要对LED灯进行散热处理。
首先，将散热器安装在PCB板上，使其与LED芯片紧密接触。
然后，通过螺丝固定散热器，确保散热器与PCB板连接牢固。
第六步：驱动电源安装驱动电源是供应电流和电压给LED灯的设备，它是LED灯正常工作的保障。
在这一步，将驱动电源安装在LED灯内部，与LED灯的电源连接部分焊接连接。
然后，通过专业设备对接线质量进行检测，确保连接牢固可靠。
第七步：调试和测试将组装好的LED灯接入电源进行调试和测试。
首先，通过电流表和电压表等测试仪器，对LED灯的电流和电压进行测试。
然后，通过光度计等测试仪器，对LED灯的光亮度和光效进行测试。
最后，根据测试结果进行灯具的调整和改进，确保符合产品设计要求。
第八步：外观质检和包装在这一步，对LED灯的外观进行质检，包括灯体表面是否有刮痕、变形、色差等问题。
LED制造工艺流程
LED制造工艺流程LED（发光二极管）是一种半导体光源，具有高亮度、低功耗和长寿命等特点，因而在照明、显示和通信等领域得到广泛应用。
下面将介绍LED的制造工艺流程。
第一步：晶片生长晶片生长是LED制造的第一步，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）或分子束外延（MBE）等技术，在蓝宝石衬底上生长GaN等半导体材料，形成LED的发光层。
第二步：晶片分割晶片分割是将生长好的LED晶片切割成小尺寸的方形或圆形芯片，以便后续工艺处理。
第三步：晶渣去除晶渣是晶片分割后产生的残留物，需要通过化学腐蚀或机械研磨等方法去除，以保证晶片表面的平整和光洁。
第四步：金属化通过蒸镀、溅射或印刷等工艺，在LED晶片的表面覆盖金属电极，以便连接外部电路。
第五步：芯片封装LED芯片通过封装工艺，将其封装在透光的塑料封装体内，同时加入辅助材料如荧光粉等，以改变发光颜色。
第六步：测试对封装好的LED芯片进行光电参数测试，包括亮度、颜色、波长等，以保证其品质。
第七步：分选分级根据测试结果对LED芯片进行分类，分为不同等级，以满足不同应用需求。
通过以上工艺流程，LED芯片的制造过程完成，最终可用于LED照明、显示屏和其他应用中，为人们的生活和工作提供更加高效、节能和环保的光源。
LED（发光二极管）制造工艺是一个高度技术化的过程，需要精密的设备和复杂的工艺流程。
通过不断的研究和创新，LED技术在不断进步，成为照明、显示和通信等领域的主流光源之一。
下面将继续介绍LED制造的相关内容。
第八步：组装组装是LED制造的关键环节之一。
在组装过程中，LED芯片通常会与散热器、电路板和透光的封装体结合，组装成LED灯具或LED显示屏等成品。
第九步：包装LED成品需要通过包装，以保护其不受外部环境的影响，同时便于运输和存储。
常见的LED灯具包装材料包括泡沫塑料、纸盒和塑料膜等。
第十步：品质控制LED制造过程中需要严格的品质控制，对原材料、工艺和成品进行全面的检测和监控，确保LED产品符合规定的质量标准。
led生产工艺流程
led生产工艺流程LED（Light Emitting Diode，发光二极管）是一种电子发光器件，其工作原理是通过电流通过半导体材料结构时，电子与空穴重新结合产生光。
LED的生产过程可以分为单晶片制造、包装和测试三个主要步骤。
首先，单晶片制造是整个LED生产工艺的第一步。
它包括以下几个关键步骤：1. 材料准备：首先需要准备各种原材料，包括LED芯片所需的半导体材料，如砷化镓（GaAs）、砷化镓铝（AlGaAs）等，还需要金属材料和氮化镓基板等。
2. 晶体生长：将准备好的材料通过熔化、再结晶等过程，在特定温度和压力条件下进行晶体生长。
通常采用的方法有分子束外延（MBE）和金属有机化学气相沉积（MOCVD）等。
3. 衬底制备：晶体生长完成后，需要将其粘贴在薄而平整的衬底上，以便后续工艺步骤的进行。
4. 切割和抛光：将已经粘贴在衬底上的晶体进行切割和抛光，制成具有一定尺寸和形状的单晶片。
接下来是LED的包装过程，即将制造好的单晶片进行封装，以便与电路板连接使用。
主要步骤如下：1. 基座制备：首先，需要准备一个金属或塑料的基座，用来固定LED芯片和引出电路。
2. 焊接：将单晶片与基座通过焊接的方式固定在一起，使其能够相互连接。
3. 注射封装：使用注射成型机将造好的LED芯片和引线封装到透明的塑料壳体内，并固化成型。
最后是测试阶段，通过对已封装好的LED进行质量检测和性能测试，以确保其达到设计要求，主要包括以下几个步骤：1. 电性能测试：对封装好的LED进行电流和电压等电性能参数的测试，以确保其正常工作。
2. 光输出测试：通过特定设备测量LED的光输出强度、光谱特性和色温等关键光学参数。
3. 温度测试：将LED芯片加热至一定温度，测试其在高温环境下的工作性能和稳定性。
4. 寿命测试：通过长时间运行和老化试验，测试LED在不同条件下的使用寿命和稳定性。
总的来说，LED的生产工艺流程包括单晶片制造、包装和测试三个主要步骤。
LED生产工艺及封装步骤
LED生产工艺及封装步骤LED（Light Emitting Diode）是一种半导体器件，能够将电能转化为光能的能量转换器。
LED的生产工艺及封装步骤是一个复杂的过程，下面将详细介绍LED的生产工艺及封装步骤。
1.衬底选材LED的衬底选材通常采用氮化镓（GaN）材料。
GaN材料具有优良的导电性和热特性，能够满足LED工作时需要的高温和高电流。
2.薄膜生长在衬底上生长多个层次的半导体材料薄膜。
通常包括衬底的缺陷层、n型导电层、活性层和p型导电层。
这些薄膜的顺序和厚度会影响LED的电性能和光性能。
3.芯片制备将薄膜衬底切割成小块，形成独立的LED芯片。
每个芯片都要经过电性能测试和光性能测试，以确保符合要求。
4.金属电极制备在LED芯片上制备金属电极。
金属电极一般是由金属薄膜或金属线制成，用于引出电流和控制电池的正负极性。
5.封装材料选择在LED芯片上方涂覆一层透明的封装材料。
这种封装材料通常选择有机树脂或硅胶，能够保护LED芯片并提高光的折射率，提高光的输出效率。
6.色温和亮度校正根据需要，对LED的色温和亮度进行校正。
通过调整封装材料的混合比例和制造工艺，可以使LED发出不同颜色和亮度的光。
7.封装将LED芯片放置在封装材料内，利用封装设备将封装材料固化。
这一步骤可以选择多种封装方式，如晶粒封装、敞口封装和有灯泡的封装等。
8.电性能测试对封装好的LED进行电性能测试，包括电压、电流、电阻和功率等参数的测量。
确保封装后的LED与设计要求一致，并具有稳定的电性能。
9.光性能测试对封装好的LED进行光性能测试，包括颜色、亮度、发光角度和光衰等参数的测量。
确保封装后的LED具有稳定的光性能，并满足应用需求。
10.温度老化测试将封装好的LED放置在高温环境中进行老化测试。
通过长时间高温老化测试，可以评估LED的长期稳定性和寿命，并提前筛选出潜在的缺陷。
11.出货检验对符合要求的LED进行出货检验，保证质量和性能的一致性。
led工艺流程
led工艺流程LED工艺流程是指将LED芯片通过一系列的加工工艺处理，使其成为一颗完整的LED发光元件的过程。
下面是LED工艺流程的简要介绍：1. 晶圆制备：晶圆是LED芯片的基础，通常由砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等半导体材料制成。
制备晶圆的过程包括原料准备、化学气相沉积、研磨抛光等步骤。
2. 掩膜制作：在晶圆上制作掩膜，用于定义LED芯片的结构，包括电极、层次等。
掩膜制作通常采用光刻技术，其中包括溅射法、电子束曝光法等。
3. 晶圆衬底：将晶圆粘贴到衬底上，用于增加机械强度和散热性能。
通常使用金属或陶瓷材料作为衬底。
4. 磷化：在晶圆表面镀上磷化物，用于调节LED的发光颜色。
常见的磷化物有三磷化镓（GaP）、三磷化铝（AlP）等。
5. 架晶：将LED芯片碎片切割成小块，然后将其架设到芯片承载架上。
承载架通常采用金属材料，如镍。
6. 焊接：将上步骤中架设好的芯片与引线进行焊接，形成电子电路连接。
常见的焊接方式有球焊、金线焊接等。
7. 嵌入：将芯片与本体进行结合，形成最终的LED发光元件。
通常使用封装材料，如环氧树脂封装。
8. 散热处理：对LED发光元件进行散热处理，以确保其正常工作和寿命。
常见的散热方式有铝基板散热、风扇散热等。
9. 光电性测试：对LED发光元件进行光电性能测试，包括亮度、色温、色差、电阻等参数的测量。
10. 分选与包装：根据光电性测试的结果，对LED发光元件进行分类和包装，以满足不同应用需求。
常见的包装形式有芯片、贴片、灯珠等。
以上是LED工艺流程的大致步骤，不同厂家和产品可能会有所不同。
LED工艺流程的优化和改进可以提高LED产品的性能和可靠性，降低成本，推动LED产业的发展。
led 工艺流程
led 工艺流程LED（Light Emitting Diode）是一种半导体器件，具有发光效果，是现代照明领域中常见的光源之一。
LED工艺流程是指在制造LED 器件时所采取的一系列生产工艺步骤。
本文将详细介绍LED工艺流程的各个环节及其作用。
1. 衬底准备：在LED制造过程中，需要选择合适的衬底材料，常用的有蓝宝石、氮化镓等。
衬底准备是制备LED器件的第一步，其主要目的是为了提供一个稳定的基底，便于后续工艺的进行。
2. 衬底清洗：在衬底准备完成后，需要对衬底进行清洗，以去除表面的杂质和污染物。
这是保证器件质量的重要步骤，清洗过程中要使用去离子水和有机溶剂等，确保衬底表面的干净度。
3. 衬底外延：外延是指在衬底表面沉积一层具有所需结构和性质的材料。
常用的外延方法有分子束外延、金属有机化学气相沉积等。
外延过程中需要控制温度和材料的流动速度，以获得均匀的薄膜。
4. 光刻：光刻是将光致化学反应用于半导体材料，通过光刻胶的光偏置，将图案转移到衬底上的一种技术。
光刻主要用于定义LED器件的结构，包括电极、导线等。
光刻液的选择和曝光时间的控制对于器件性能具有重要影响。
5. 腐蚀：制作LED器件时，需要将不需要的材料部分去除，以保留所需的结构。
腐蚀是一种常用的加工方法，可以通过化学反应去除材料。
腐蚀液的选择和腐蚀时间的控制对于器件的性能和外观有重要影响。
6. 电极制备：电极是LED器件的重要组成部分，它是LED的正负极连接点，以便于电流的注入和分布。
电极制备需要选择合适的材料和工艺方法，常用的有金属蒸发、电镀等。
电极的形状和尺寸对器件的性能和光输出有重要影响。
7. 封装：LED器件制备完成后，需要进行封装，以保护器件，提高光效和可靠性。
封装过程中需要将LED芯片与导线连接，并加入透明的封装材料。
封装的方法有多种，如胶滴封装、球型封装等，需要根据器件的应用需求选择合适的封装方式。
8. 测试与筛选：完成LED器件的制备和封装后，需要对其进行测试和筛选。
LED的生产工艺流程及其设备ppt课件
LED衬底材料制作--研磨和蚀刻
晶面研磨
通以特定粒度及粘性的研磨液，加 外研磨盘的公转和自转，达到均匀 磨平晶片切片时留下的锯痕、损伤 等不均匀表面。
晶片蚀刻
蚀刻的目的在于除去先前各步机械 加工所造成的损伤，同时获得干净 且光亮的表面，刻蚀化学作用可区 分为酸性及碱性反应。
晶片研磨机
LED衬底材料制作--退火与抛光
按着淀积过程中发生化学的种类不同可以分为热解法 、氧化法、还原法、水解法、混合反应等。
LED外延制作--CVD的优缺点
CVD制备的薄膜最大的特点是致密性好、高效率、良好的台阶 覆、孔盖能力、可以实现厚膜淀积、以及相对的低成本；
缺点是淀积过程容易对薄膜表面形成污染、对环境的污染等 常压CVD（APCVD）的特点是不需要很好的真空度、淀积速度
蓝宝石衬底紫外LED
LED生产工艺流程
蓝宝石衬底白光LED
LED生产工艺流程
所举例子只是一种LED制作工艺， 不同的厂家都有自己独到的一套制作工 艺，各厂家所使用的设备都可能不一样 ，各道工序的作业方式、化学配方等也 不一样，甚至不同的厂家其各道制作工 序都有可能是互相颠倒的。
但是万变不离其宗，其主要的思想 都是一样的：外延片的生长（PN结的 形成）---电极的制作（有金电极，铝电 极，并形成欧姆接触）---封装。
LED外延制作--液相外延的缺点
当外延层与衬底的晶格失配大于1%时生ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ长发生困难。
由于生长速率较快，难以得到纳米厚度 的外延材料。
外延层的表面形貌一般不如汽相外延的 好。
LED外延制作液相外延的生长原理
LED外延制作
液相外延示意图
LED外延制作
实 际 液 相 外 延 设 备
led灯工艺流程五大步骤
led灯工艺流程五大步骤在现代照明行业中，LED（Light Emitting Diode）灯光技术的应用越来越广泛。
作为一种高效、节能的照明方式，LED灯具具有长寿命、高亮度和环保等优点，因此备受青睐。
但是，为了生产出高品质的LED灯具，需要经过一系列严格的工艺流程。
本文将介绍LED灯工艺流程的五大步骤。
步骤一：LED芯片制备LED灯具的核心是LED芯片，其制备是整个工艺流程的首要步骤。
LED芯片的制备过程包括晶片制备、封装和测试。
首先，通过半导体材料的特殊工艺，制备出微米尺寸的LED芯片晶圆。
然后，将这些晶圆进行分割和获得单个的LED芯片。
最后，对获得的芯片进行封装，即将芯片粘贴在载体上，并在其表面涂覆保护层。
完成封装后，还需要进行严格的测试，以确保芯片的质量和性能。
步骤二：PCB板制作PCB（Printed Circuit Board）即印刷电路板，是LED灯具中负责连接电子器件的重要组成部分。
为了制作高质量的PCB板，需要先行设计电路图，然后使用电子设计自动化软件进行布局与布线。
接下来，将设计好的电路图进行印刷，形成PCB板。
制作PCB板的关键步骤包括板面暴光、腐蚀、清洗和丝网印刷等。
这些步骤的目的是使电路图形成电导路径，并确保其稳定性和可靠性。
步骤三：LED灯具组装在LED灯具组装步骤中，各个组件将会被组合在一起，形成完整的灯具。
这些组件包括LED芯片、PCB板、散热器、透镜等。
首先，将LED芯片固定在PCB板上。
然后，将电路连接器安装在合适的位置，以便灯具与电源之间的连接。
接下来，通过螺丝或其他固定装置，将散热器和透镜等组件安装在一起。
最后，进行精细的调试和检验，以确保各个组件之间的连接和灯具的正常工作。
步骤四：整体测试与调试在灯具组装完成后，需要进行整体测试与调试，以验证灯具的品质和性能。
这一步骤可以通过专业的测试设备进行，例如光度计、电流计和温度计等。
在测试过程中，会对LED灯具进行亮度、电流、功率、发光效率等方面的测试。
led照明生产工艺流程
led照明生产工艺流程LED（Light Emitting Diode）照明是一种高效、耐用的照明技术，具有节能、环保、寿命长等优点。
下面将介绍LED照明的生产工艺流程。
1. 芯片制备：首先，从半导体原料中制备出GaN（氮化镓）晶体。
接下来，在GaN晶体上进行各种物理和化学处理，以制备出LED芯片。
这包括沉积导电层、制备发光层等步骤。
2. 芯片切割：将得到的LED芯片进行切割，以得到单个的LED芯片。
这个过程通常使用钻石刀片进行切割。
3. 固晶：将切割好的LED芯片固定在支架上，通常使用射频（RF）固晶来实现。
4. 焊接：将固晶好的LED芯片与金线连接。
这一步骤通常使用自动焊接机来完成，将金线精确地连接到芯片的金属引脚上。
5. 封装：将焊接好的LED芯片封装在塑料或陶瓷外壳中，以保护芯片并提供适当的光学特性。
封装也有不同的类型，如LED球泡灯、LED灯管等。
6. 测试：对封装好的LED产品进行测试，以确保其性能符合要求。
这包括电气参数测试、蓝光波长测试、光通量测试等。
7. 散热处理：LED照明产生的热量需要通过散热器来散发，以保持LED芯片的正常工作温度。
散热器的设计和选型非常重要，可以采用散热铝板、散热风扇等方式。
8. 二次封装：对已测试好的LED产品进行二次封装，如安装支架、外壳等。
这一步骤是为了提供更好的安装和使用便利性。
9. 质量控制：对最终的LED产品进行质量控制，包括外观质量、亮度一致性、颜色一致性等方面的检查。
10. 包装和出货：将经过质量控制的LED产品进行包装，并安排出货。
综上所述，LED照明生产工艺流程包括芯片制备、芯片切割、固晶、焊接、封装、测试、散热处理、二次封装、质量控制和包装出货等多个环节。
这些工艺环节相互配合，确保了最终产品的质量和性能。
随着技术的不断进步，LED照明的生产工艺也在不断演变和改善，以满足不断增长的市场需求。
led灯制造工艺流程
LED灯制造工艺流程1. 简介LED（Light Emitting Diode）是一种半导体发光装置，具有高效、节能、长寿命等优势，被广泛应用于照明、背光、显示等领域。
LED灯具制造工艺流程是指将LED芯片和其他组件组装在一起，并最终形成可使用的LED灯具的过程。
2. 原料准备2.1 LED芯片 LED芯片是LED灯的核心部件，通常由多个不同材料的半导体层组成。
在制造过程中，需要准备好合适的LED芯片，根据需要选择不同的颜色、亮度和功率等。
2.2 PCB板 PCB（Printed Circuit Board）是一个电子元器件的基类载体，也是LED灯制造中重要的组成部分。
PCB板上有导线和连接孔，用于连接LED芯片和其他电子元件。
2.3 散热器由于LED发光时会产生热量，为了保证LED的发光效果和寿命，需要使用散热器来散发热量。
散热器通常由铝合金或铜制成。
2.4 电子元件和线材 LED灯具中还需要使用一些电子元件和线材，如电容器、电感、二极管、电阻器等。
3. 制造工艺流程3.1 PCB板制作3.1.1 软件设计首先，利用电路设计软件对PCB板进行设计，包括布线、排布元件的位置和大小等。
3.1.2 制作印刷电路板根据设计，使用相应的设备将电路图印刷在玻璃纤维增强塑料（FR-4）板上。
这一过程一般包括涂覆光敏胶、曝光、腐蚀、钻孔等步骤。
3.1.3 化学镀铜将制作好的印刷电路板经过清洁处理后，通过化学方法进行镀铜，形成导线和连接孔，以便后续的组装。
3.2 LED芯片安装3.2.1 将LED芯片固定在PCB板上首先，使用焊锡将LED芯片的引脚与PCB板上的连接点焊接，确定其位置和方向。
3.2.2 导线连接使用导线将LED芯片与其他电子元件进行连接，如电容器、电感等，以实现电路的功能。
3.3 散热器安装3.3.1 安装散热器将已经焊接好LED芯片和其他电子元件的PCB板安装在散热器上，通常使用导热胶或螺丝固定。
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氨气NH3
Reactor chamber (CH3 )3Ga+NH3 -->GaN+3CH4 NH3
Substrate Susceptor H2 TMGbubbler
氢气H2 三甲基镓源 TMG
Ga(CH3)3(v)+NH3(v)一GaN(s)+3CH4(v)
衬底 石墨支撑盘
NH3 TMG
外延层结构
外延片检测
PL机 半峰宽 主波长
台阶仪 清洗，去除有机物等BOE
外延片
P面工艺
反射欧姆电极蒸镀Cr/Pt73产品 (Ag) Cr不与Ag 形成欧姆接触，绝缘。Cr易氧化，粘附力差， Pt保护Cr， CrPt互补 蒸发台: 温度 厚度 压力 功率 速度
蒸发前清洗 80℃王水煮40min冲水10min后 HCl:H2O=1:1 泡5min
522( HNO3:HF:冰乙酸)
N型层
去沟槽，去蜡 丙酮超声
去边(去GaN防止漏电) （1）SiO2掩膜生长
去边 （2）SiO2掩膜光刻
去边 （3）去边腐蚀
去边 （4）去Pt (P型接触层)
去边 （5）去SiO2
剥离？LLO
N面工艺
表面粗化(AFM观察) 尖的高度和大小 钝化蓝光SiON 2800埃 SiO2 N电极蒸发Al/Ti/Au 电极光刻
点胶
在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于 GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、 黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、 绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。）工艺难 点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有 详细的工艺要求。
由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银 胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的 事项。
Ni/Ag蒸发 Ni粘附力好，但挡光，1埃 合金
P面电极图形
P型接触层蒸发合
bonding
双面镀金基板
压力/温度
压头
石墨 外延片与基板
灌蜡 堵住沟槽，保护Ag
金锡邦定
金金邦定不牢，表面不干净，因在邦定前不能用 H2SO4泡（Ag不允许）
去Si衬底
钝化 （1）SiN生长
钝化 （2）SiN光刻
N电极蒸发（Al）
N电极光刻（Al）
芯片点测
划片
芯片分选
自动分选 扫描
手选
崩膜，扩膜 贴标签 计数
封装
LED的封装的任务 是将外引线连接到LED芯片的电极上，同时 保护好LED芯片，并且起到提高光取出效率 的作用。关键工序有装架、压焊、封装。
涂粘结剂，正胶并前烘
曝光
曝光后
显影并坚膜
腐蚀
去胶
等离子去胶机
正胶 :腐蚀，去除被照的部分 负胶:剥离，去除被挡住的部分，后烘
刻蚀RIE和 ICP 以CF4刻蚀SiO2为例说明
刻蚀包括化学过程和物理过程，化学过程是指 反应气体与被刻蚀物质的化学反应，物理过程 是指离子在电场作用下对被刻蚀物质的物理轰 击
下游产业：
芯片制造
器件封装与应用
技术路线
衬底制备
外延材料生长
外延片检测
N面工艺 芯片点测
薄膜转移 划片
P面工艺 芯片分选
衬底制备
直拉法 主要包括以下几个 过程： 加料→熔化→缩颈 生长→放肩生长→ 等径生长→尾部生 长
切片 磨片 抛光
清洗:2h 光刻: 刻蚀:1h一炉(8片)
光刻是一个整体概念，它包括以下几个过程(以正胶 为例)： (1) 涂光刻胶；(2) 前烘；(3) 曝光(使用光刻版掩 膜)； (4) 显影；(5) 坚膜；(6) 腐蚀；(7) 去胶
LED制造工艺流程
工艺过程
氮化镓(GaN)
硅(Si)
50毫米
制造衬底
制造发光 二极管外
延片
例如GaAs、 Al2O3 、Si、 SiC
等
例如MOCVD
上游产业： 材料的外延与生长
200微米=0.2毫米
制造 芯片 40000个
封状成 成品
一片2直径英寸的外 延片可以加工20000
多个LED芯片
中游产业：
自动装架
自动装架其实是结合了粘胶（点胶）和安装芯片 两大步骤，先后在LED支架点上银胶（绝缘胶）， 然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动位置，再安置 在相应的支架位置上。
自动装架在工艺上主要熟悉设备操作编程，同 时对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选 用上尽量选用胶木吸嘴，防止对LED芯片表面的损 伤，特别是蓝、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴 会划伤芯片表面的电流扩散层。
200nm
2nm=0.002um 8nm=0.008um
3~4um
430um
P型导电GaN掺Mg层
N型导电GaN掺Si层
Si(111)衬底
5×InGaN/GaN多量子阱
氮化镓(GaN)缓冲层 氮化铝(AlN)缓冲层
Silicon Substrate
外延层主要结构：缓冲层、N型导电层、量子 阱发光层、P型导电层
备胶
和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在ＬＥＤ 背面电极上，然后把背部带银胶的ＬＥD安装在支 架上。备胶的效率远高于点胶，但不是所有产品均 适用备胶工艺。
手工刺片
将扩张后LED芯片（备胶或未备胶）安置在刺片台的 夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针 将LED芯片一个一个刺到相应的位置上。手工刺片 和自动装架相比有一个好处，便于随时更换不同的 芯片，适用于需要安装多种芯片的产品。
e* + CF4 → CF3 + F + e 4F + SiO2(s) → SiF4(g) + 2O
RIE (REACTIVE ION ETCHING)反应离子刻蚀
ICP (Induced Coupled Plasma)
电感耦合等离子体
外延材料生长
MOCVD 记编号 放片子
反应原理、反应方程式 反应管
封装形式有Lamp-LED、 TOP-LED、SideLED、SMD-LED、High-Power-LED等。
LAMP
食人鱼
TOP LED
大功率LED
封装工艺说明
芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑 （lockhill）芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求 电极图案是否完整
扩片 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约 0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对 粘结芯片的膜进行扩张，使LED芯片的间距拉伸到约 0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉 落浪费等不良问题。