LED制造工艺流程
LED制造工艺流程
LED制造工艺流程LED（发光二极管）是一种半导体光源，具有高亮度、低功耗和长寿命等特点，因而在照明、显示和通信等领域得到广泛应用。
下面将介绍LED的制造工艺流程。
第一步：晶片生长晶片生长是LED制造的第一步，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）或分子束外延（MBE）等技术，在蓝宝石衬底上生长GaN等半导体材料，形成LED的发光层。
第二步：晶片分割晶片分割是将生长好的LED晶片切割成小尺寸的方形或圆形芯片，以便后续工艺处理。
第三步：晶渣去除晶渣是晶片分割后产生的残留物，需要通过化学腐蚀或机械研磨等方法去除，以保证晶片表面的平整和光洁。
第四步：金属化通过蒸镀、溅射或印刷等工艺，在LED晶片的表面覆盖金属电极，以便连接外部电路。
第五步：芯片封装LED芯片通过封装工艺，将其封装在透光的塑料封装体内，同时加入辅助材料如荧光粉等，以改变发光颜色。
第六步：测试对封装好的LED芯片进行光电参数测试，包括亮度、颜色、波长等，以保证其品质。
第七步：分选分级根据测试结果对LED芯片进行分类，分为不同等级，以满足不同应用需求。
通过以上工艺流程，LED芯片的制造过程完成，最终可用于LED照明、显示屏和其他应用中，为人们的生活和工作提供更加高效、节能和环保的光源。
LED（发光二极管）制造工艺是一个高度技术化的过程，需要精密的设备和复杂的工艺流程。
通过不断的研究和创新，LED技术在不断进步，成为照明、显示和通信等领域的主流光源之一。
下面将继续介绍LED制造的相关内容。
第八步：组装组装是LED制造的关键环节之一。
在组装过程中，LED芯片通常会与散热器、电路板和透光的封装体结合，组装成LED灯具或LED显示屏等成品。
第九步：包装LED成品需要通过包装，以保护其不受外部环境的影响，同时便于运输和存储。
常见的LED灯具包装材料包括泡沫塑料、纸盒和塑料膜等。
第十步：品质控制LED制造过程中需要严格的品质控制，对原材料、工艺和成品进行全面的检测和监控，确保LED产品符合规定的质量标准。
led生产工艺流程
led生产工艺流程LED（Light Emitting Diode，发光二极管）是一种电子发光器件，其工作原理是通过电流通过半导体材料结构时，电子与空穴重新结合产生光。
LED的生产过程可以分为单晶片制造、包装和测试三个主要步骤。
首先，单晶片制造是整个LED生产工艺的第一步。
它包括以下几个关键步骤：1. 材料准备：首先需要准备各种原材料，包括LED芯片所需的半导体材料，如砷化镓（GaAs）、砷化镓铝（AlGaAs）等，还需要金属材料和氮化镓基板等。
2. 晶体生长：将准备好的材料通过熔化、再结晶等过程，在特定温度和压力条件下进行晶体生长。
通常采用的方法有分子束外延（MBE）和金属有机化学气相沉积（MOCVD）等。
3. 衬底制备：晶体生长完成后，需要将其粘贴在薄而平整的衬底上，以便后续工艺步骤的进行。
4. 切割和抛光：将已经粘贴在衬底上的晶体进行切割和抛光，制成具有一定尺寸和形状的单晶片。
接下来是LED的包装过程，即将制造好的单晶片进行封装，以便与电路板连接使用。
主要步骤如下：1. 基座制备：首先，需要准备一个金属或塑料的基座，用来固定LED芯片和引出电路。
2. 焊接：将单晶片与基座通过焊接的方式固定在一起，使其能够相互连接。
3. 注射封装：使用注射成型机将造好的LED芯片和引线封装到透明的塑料壳体内，并固化成型。
最后是测试阶段，通过对已封装好的LED进行质量检测和性能测试，以确保其达到设计要求，主要包括以下几个步骤：1. 电性能测试：对封装好的LED进行电流和电压等电性能参数的测试，以确保其正常工作。
2. 光输出测试：通过特定设备测量LED的光输出强度、光谱特性和色温等关键光学参数。
3. 温度测试：将LED芯片加热至一定温度，测试其在高温环境下的工作性能和稳定性。
4. 寿命测试：通过长时间运行和老化试验，测试LED在不同条件下的使用寿命和稳定性。
总的来说，LED的生产工艺流程包括单晶片制造、包装和测试三个主要步骤。
LED生产工艺及封装步骤
LED生产工艺及封装步骤LED（Light Emitting Diode）是一种半导体器件，能够将电能转化为光能的能量转换器。
LED的生产工艺及封装步骤是一个复杂的过程，下面将详细介绍LED的生产工艺及封装步骤。
1.衬底选材LED的衬底选材通常采用氮化镓（GaN）材料。
GaN材料具有优良的导电性和热特性，能够满足LED工作时需要的高温和高电流。
2.薄膜生长在衬底上生长多个层次的半导体材料薄膜。
通常包括衬底的缺陷层、n型导电层、活性层和p型导电层。
这些薄膜的顺序和厚度会影响LED的电性能和光性能。
3.芯片制备将薄膜衬底切割成小块，形成独立的LED芯片。
每个芯片都要经过电性能测试和光性能测试，以确保符合要求。
4.金属电极制备在LED芯片上制备金属电极。
金属电极一般是由金属薄膜或金属线制成，用于引出电流和控制电池的正负极性。
5.封装材料选择在LED芯片上方涂覆一层透明的封装材料。
这种封装材料通常选择有机树脂或硅胶，能够保护LED芯片并提高光的折射率，提高光的输出效率。
6.色温和亮度校正根据需要，对LED的色温和亮度进行校正。
通过调整封装材料的混合比例和制造工艺，可以使LED发出不同颜色和亮度的光。
7.封装将LED芯片放置在封装材料内，利用封装设备将封装材料固化。
这一步骤可以选择多种封装方式，如晶粒封装、敞口封装和有灯泡的封装等。
8.电性能测试对封装好的LED进行电性能测试，包括电压、电流、电阻和功率等参数的测量。
确保封装后的LED与设计要求一致，并具有稳定的电性能。
9.光性能测试对封装好的LED进行光性能测试，包括颜色、亮度、发光角度和光衰等参数的测量。
确保封装后的LED具有稳定的光性能，并满足应用需求。
10.温度老化测试将封装好的LED放置在高温环境中进行老化测试。
通过长时间高温老化测试，可以评估LED的长期稳定性和寿命，并提前筛选出潜在的缺陷。
11.出货检验对符合要求的LED进行出货检验，保证质量和性能的一致性。
led工艺流程
led工艺流程LED工艺流程是指将LED芯片通过一系列的加工工艺处理，使其成为一颗完整的LED发光元件的过程。
下面是LED工艺流程的简要介绍：1. 晶圆制备：晶圆是LED芯片的基础，通常由砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等半导体材料制成。
制备晶圆的过程包括原料准备、化学气相沉积、研磨抛光等步骤。
2. 掩膜制作：在晶圆上制作掩膜，用于定义LED芯片的结构，包括电极、层次等。
掩膜制作通常采用光刻技术，其中包括溅射法、电子束曝光法等。
3. 晶圆衬底：将晶圆粘贴到衬底上，用于增加机械强度和散热性能。
通常使用金属或陶瓷材料作为衬底。
4. 磷化：在晶圆表面镀上磷化物，用于调节LED的发光颜色。
常见的磷化物有三磷化镓（GaP）、三磷化铝（AlP）等。
5. 架晶：将LED芯片碎片切割成小块，然后将其架设到芯片承载架上。
承载架通常采用金属材料，如镍。
6. 焊接：将上步骤中架设好的芯片与引线进行焊接，形成电子电路连接。
常见的焊接方式有球焊、金线焊接等。
7. 嵌入：将芯片与本体进行结合，形成最终的LED发光元件。
通常使用封装材料，如环氧树脂封装。
8. 散热处理：对LED发光元件进行散热处理，以确保其正常工作和寿命。
常见的散热方式有铝基板散热、风扇散热等。
9. 光电性测试：对LED发光元件进行光电性能测试，包括亮度、色温、色差、电阻等参数的测量。
10. 分选与包装：根据光电性测试的结果，对LED发光元件进行分类和包装，以满足不同应用需求。
常见的包装形式有芯片、贴片、灯珠等。
以上是LED工艺流程的大致步骤，不同厂家和产品可能会有所不同。
LED工艺流程的优化和改进可以提高LED产品的性能和可靠性，降低成本，推动LED产业的发展。
led 工艺流程
led 工艺流程LED（Light Emitting Diode）是一种半导体器件，具有发光效果，是现代照明领域中常见的光源之一。
LED工艺流程是指在制造LED 器件时所采取的一系列生产工艺步骤。
本文将详细介绍LED工艺流程的各个环节及其作用。
1. 衬底准备：在LED制造过程中，需要选择合适的衬底材料，常用的有蓝宝石、氮化镓等。
衬底准备是制备LED器件的第一步，其主要目的是为了提供一个稳定的基底，便于后续工艺的进行。
2. 衬底清洗：在衬底准备完成后，需要对衬底进行清洗，以去除表面的杂质和污染物。
这是保证器件质量的重要步骤，清洗过程中要使用去离子水和有机溶剂等，确保衬底表面的干净度。
3. 衬底外延：外延是指在衬底表面沉积一层具有所需结构和性质的材料。
常用的外延方法有分子束外延、金属有机化学气相沉积等。
外延过程中需要控制温度和材料的流动速度，以获得均匀的薄膜。
4. 光刻：光刻是将光致化学反应用于半导体材料，通过光刻胶的光偏置，将图案转移到衬底上的一种技术。
光刻主要用于定义LED器件的结构，包括电极、导线等。
光刻液的选择和曝光时间的控制对于器件性能具有重要影响。
5. 腐蚀：制作LED器件时，需要将不需要的材料部分去除，以保留所需的结构。
腐蚀是一种常用的加工方法，可以通过化学反应去除材料。
腐蚀液的选择和腐蚀时间的控制对于器件的性能和外观有重要影响。
6. 电极制备：电极是LED器件的重要组成部分，它是LED的正负极连接点，以便于电流的注入和分布。
电极制备需要选择合适的材料和工艺方法，常用的有金属蒸发、电镀等。
电极的形状和尺寸对器件的性能和光输出有重要影响。
7. 封装：LED器件制备完成后，需要进行封装，以保护器件，提高光效和可靠性。
封装过程中需要将LED芯片与导线连接，并加入透明的封装材料。
封装的方法有多种，如胶滴封装、球型封装等，需要根据器件的应用需求选择合适的封装方式。
8. 测试与筛选：完成LED器件的制备和封装后，需要对其进行测试和筛选。
LED制造工艺流程
LED制造工艺流程1. 概述LED（Light-Emitting Diode）是一种半导体光电器件，具有能够将电能直接转化为光能的特性，广泛应用于照明、显示等领域。
LED的制造工艺流程主要包括晶体生长、芯片切割、封装和测试等步骤。
2. 晶体生长晶体生长是LED制造的第一步，其目的是在衬底上形成高质量的半导体晶体。
常用的晶体生长方法包括金属有机化学气相沉积（MOCVD）和分子束外延（MBE）等。
在MOCVD过程中，金属有机气相沉积法通过将金属有机化合物和气体源反应，使得半导体原料在衬底上逐层沉积，形成多层结构。
而MBE则是通过在真空环境中，将各种原子束束流直接照射到衬底上，使得原子在衬底上沉积，形成单晶生长。
3. 芯片切割芯片切割是将生长好的晶体切割成小块，用于制作LED芯片。
首先，将晶体固定在切割机上。
然后，采用钻头或切割盘等工具，将晶体切割成大小合适的芯片。
切割后的芯片通常是由正方形或圆形构成。
芯片切割的目的是将晶体切割成均匀且尺寸合适的芯片，以便于后续的封装步骤。
4. 封装封装是LED制造的重要步骤，其目的是将LED芯片进行保护，并提供方便的引出电极。
### 4.1 封装材料选择在封装过程中，常见的封装材料有环氧树脂、硅胶等。
这些材料具有耐高温、耐湿、耐腐蚀等特点，能够有效地保护LED芯片。
4.2 封装工艺步骤封装的主要步骤包括以下几个方面：- 准备封装材料：将封装材料进行预处理，如去气泡、搅拌均匀等。
- 封装腔体设计：根据LED芯片的尺寸和要求，设计合适的封装腔体。
- 制作封装模具：根据封装腔体的设计要求，制作相应的封装模具。
- 封装材料注入：将准备好的封装材料注入封装模具中，确保完全填满腔体，并使材料均匀分布。
- 固化封装材料：将注入封装材料的模具经过固化处理，使封装材料完全硬化并与LED芯片牢固结合。
5. 测试测试是LED制造工艺流程的最后一步，其目的是确保LED芯片的品质和性能。
led照明生产工艺流程
led照明生产工艺流程LED（Light Emitting Diode）照明是一种高效、耐用的照明技术，具有节能、环保、寿命长等优点。
下面将介绍LED照明的生产工艺流程。
1. 芯片制备：首先，从半导体原料中制备出GaN（氮化镓）晶体。
接下来，在GaN晶体上进行各种物理和化学处理，以制备出LED芯片。
这包括沉积导电层、制备发光层等步骤。
2. 芯片切割：将得到的LED芯片进行切割，以得到单个的LED芯片。
这个过程通常使用钻石刀片进行切割。
3. 固晶：将切割好的LED芯片固定在支架上，通常使用射频（RF）固晶来实现。
4. 焊接：将固晶好的LED芯片与金线连接。
这一步骤通常使用自动焊接机来完成，将金线精确地连接到芯片的金属引脚上。
5. 封装：将焊接好的LED芯片封装在塑料或陶瓷外壳中，以保护芯片并提供适当的光学特性。
封装也有不同的类型，如LED球泡灯、LED灯管等。
6. 测试：对封装好的LED产品进行测试，以确保其性能符合要求。
这包括电气参数测试、蓝光波长测试、光通量测试等。
7. 散热处理：LED照明产生的热量需要通过散热器来散发，以保持LED芯片的正常工作温度。
散热器的设计和选型非常重要，可以采用散热铝板、散热风扇等方式。
8. 二次封装：对已测试好的LED产品进行二次封装，如安装支架、外壳等。
这一步骤是为了提供更好的安装和使用便利性。
9. 质量控制：对最终的LED产品进行质量控制，包括外观质量、亮度一致性、颜色一致性等方面的检查。
10. 包装和出货：将经过质量控制的LED产品进行包装，并安排出货。
综上所述，LED照明生产工艺流程包括芯片制备、芯片切割、固晶、焊接、封装、测试、散热处理、二次封装、质量控制和包装出货等多个环节。
这些工艺环节相互配合，确保了最终产品的质量和性能。
随着技术的不断进步，LED照明的生产工艺也在不断演变和改善，以满足不断增长的市场需求。
led工艺流程
led工艺流程LED工艺流程。
LED（Light Emitting Diode）是一种半导体器件，具有发光、耐震动、寿命长等特点，因此在照明、显示、通信等领域得到广泛应用。
LED的制造过程包括晶片制备、封装、测试等环节，下面将对LED工艺流程进行详细介绍。
首先是LED的晶片制备。
晶片制备是LED制造的关键环节，主要包括外延生长、光刻、蚀刻、扩散、金属化等工艺步骤。
外延生长是在衬底上生长n型外延层、发光层和p型外延层，形成LED的发光结构。
光刻工艺是利用光刻胶和掩膜，将图形转移到外延片表面，用于形成LED的电极和结构。
蚀刻工艺是利用化学腐蚀或物理腐蚀，去除不需要的材料，形成LED的结构和电极。
扩散工艺是通过高温处理，使掺杂物扩散到外延片内部，改变材料的导电性能。
金属化工艺是在外延片表面沉积金属膜，形成LED的电极。
其次是LED的封装。
封装是将LED晶片、金线、支架、胶水等材料封装在一起，形成LED灯珠或LED封装件。
封装工艺包括固晶、金线焊接、树脂封装、测试等步骤。
固晶是将LED晶片粘合在支架上，以提高LED的散热性能。
金线焊接是将LED晶片与支架之间用金线连接，形成LED的电路。
树脂封装是将LED晶片、金线等材料封装在透明的树脂中，保护LED并散发光线。
测试是对封装后的LED进行电参数测试和光参数测试，以筛选出合格品。
最后是LED的测试和分选。
测试和分选是对封装后的LED进行电参数测试和光参数测试，以保证LED的质量和性能。
电参数测试包括正向电压、反向电流、漏电流等测试项目，以判断LED的电性能。
光参数测试包括光通量、光强度、色温、色坐标等测试项目，以判断LED的光性能。
测试合格的LED将进行分选，按照光通量、色温等参数进行分档，以满足不同应用领域的需求。
综上所述，LED的制造过程包括晶片制备、封装、测试和分选等环节，每个环节都是关键的工艺步骤，需要严格控制和管理。
随着LED技术的不断发展，LED工艺流程也在不断完善，以满足市场对LED产品质量和性能的需求。
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点胶 在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于 GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、 黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、 绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。）工艺难 点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有 详细的工艺要求。 由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银 胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的 事项。
涂粘结剂，正胶并前烘
曝 光
曝 光 后
显 影 并 坚 膜
腐 蚀
去 胶
等 离 子 去 胶 机
正胶 :腐蚀，去除被照的部分 负胶:剥离，去除被挡住的部分，后烘
刻蚀RIE和 ICP 以CF4刻蚀SiO2为例说明 刻蚀包括化学过程和物理过程，化学过程是指 反应气体与被刻蚀物质的化学反应，物理过程 是指离子在电场作用下对被刻蚀物质的物理轰 击 e* + CF4 → CF3 + F + e 4F + SiO2(s) → SiF4(g) + 2O
N电极蒸发（Al）
N电极光刻（Al）
芯片点测
划片
芯片分选
自动分选
扫描
手选
崩膜，扩膜 贴标签 计数
封装
LED的封装的任务 是将外引线连接到LED芯片的电极上，同时 保护好LED芯片，并且起到提高光取出效率 的作用。关键工序有装架、压焊、封装。
封装形式有Lamp-LED、 TOP-LED、SideLED、SMD-LED、High-Power-LED等。
外延片
P面工艺
反射欧姆电极蒸镀Cr/Pt73产品 (Ag) Cr不与Ag形 成欧姆接触，绝缘。Cr易氧化，粘附力差，Pt 保护Cr， CrPt互补 蒸发台: 温度 厚度 压力 功率 速度 蒸发前清洗 80℃王水煮40min冲水10min后 HCl:H2O=1:1 泡5min Ni/Ag蒸发 Ni粘附力好，但挡光，1埃 合金 P面电极图形
LAMP
食人鱼
TOP LED
大功率LED
封装工艺说明
芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill） 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否 完整 扩片 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约 0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对 粘结芯片的膜进行扩张，使LED芯片的间距拉伸到约 0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉 落浪费等不良问题。
5×InGaN/GaN多量子阱 N型导电GaN掺Si层 氮化镓(GaN)缓冲层 氮化铝(AlN)缓冲层
Silicon Substrate
3~4um 430um
Si(111)衬底
外延层主要结构：缓冲层、N型导电层、量子 阱发光层、P型导电层
外延片检测
PL机 半峰宽 主波长 台阶仪 清洗，去除有机物等BOE
压焊 压焊的目的将电极引到LED芯片上，完成产品内 外引线的连接工作。 LED的压焊工艺有金丝球焊和铝丝压焊两种。右 图是铝丝压焊的过程，先在LED芯片电极上压上第一 点，再将铝丝拉到相应的支架上方，压上第二点后扯 断铝丝。金丝球焊过程在在压第一点前先烧个球，其 余过程类似。 压焊是LED封装技术中的关键环节，工艺上主要 需要监控的压焊金丝（铝丝）拱丝形状，焊点形状， 拉力。 对压焊工艺的深入研究涉及到多方面的问题，如 金（铝）丝材料、超声功率、压焊压力、劈力（钢嘴） 选用、劈刀（钢嘴）运动轨迹等等。（下图是同等条 件下，两种不同的劈刀压出的焊点微观照片，两者在 微观结构上存在差别，从而影响着产品质量。）
切筋和划片 由于LED在生产中是连在一起的（不是单个）， Lamp封装采用切筋切断LED支架的连筋。 SMD-LED则是在一片PCB板上，需要划片机 来完成分离工作。 测试 测试LED的光电参数、检验外形尺寸，同时 根据客户要求对LED产品进行分选。 包装 将成品进行计数包装。超高亮LED需要防静 电包装。
RIE (Reactive Ion Etching)反应离子刻蚀
ICP (Induced Coupled Plasma)
电感耦合等离子体
外延材料生长
MOCVD 记编号 放片子
反应原理、反应方程式
氨气NH3
反应管
Ga(CH3)3(v)+NH3(v)一GaN(s)+3CH4(v)
衬底 石墨支撑盘
LED制ห้องสมุดไป่ตู้工艺流程
工艺过程
氮化镓(GaN)
硅(Si)
50毫米
制造衬底 制造发光 二极管外 延片
200微米=0.2毫米
制造 芯片 40000个 一片2直径英寸的外 延片可以加工20000 多个LED芯片
封状成 成品
例如GaAs、 Al2O3 、Si、 SiC 等
例如MOCVD
上游产业： 材料的外延与生长
灌胶封装 Lamp-LED的封装采用灌胶的形式。灌封的过程是先 在LED成型模腔内注入液态环氧，然后插入压焊好的 LED支架，放入烘箱让环氧固化后，将LED从模腔中 脱出即成型。 固化与固化后 固化是指封装环氧的固化，一般环氧固化条件在 135℃，1小时。模压封装一般在150℃，4分钟。 后固化 后固化是为了让环氧充分固化，同时对LED进行热老 化。后固化对于提高环氧与支架（PCB）的粘结强度 非常重要。一般条件为120℃，4小时。
中游产业： 芯片制造
下游产业： 器件封装与应用
技术路线
衬底制备 外延材料生长 外延片检测
N面工艺
薄膜转移
P面工艺
芯片点测
划片
芯片分选
衬底制备
直拉法 主要包括以下几个 过程： 加料→熔化→缩颈 生长→放肩生长→ 等径生长→尾部生 长
切片 磨片
抛光
清洗:2h 光刻: 刻蚀:1h一炉(8片)
光刻是一个整体概念，它包括以下几个过程(以正胶 为例)： (1) 涂光刻胶；(2) 前烘；(3) 曝光(使用光刻版掩 膜)； (4) 显影；(5) 坚膜；(6) 腐蚀；(7) 去胶
去边
（2）SiO2掩膜光刻
去边 （3）去边腐蚀
去边
（4）去Pt (P型接触层)
去边 （5）去SiO2
剥离？LLO
N面工艺
表面粗化(AFM观察) 尖的高度和大小 钝化蓝光SiON 2800埃 SiO2 N电极蒸发Al/Ti/Au 电极光刻
钝化
（1）SiN生长
钝化 （2）SiN光刻
备胶 和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在ＬＥＤ 背面电极上，然后把背部带银胶的ＬＥD安装在支 架上。备胶的效率远高于点胶，但不是所有产品均 适用备胶工艺。 手工刺片 将扩张后LED芯片（备胶或未备胶）安置在刺片台的 夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针 将LED芯片一个一个刺到相应的位置上。手工刺片 和自动装架相比有一个好处，便于随时更换不同的 芯片，适用于需要安装多种芯片的产品。
自动装架 自动装架其实是结合了粘胶（点胶）和安装芯片 两大步骤，先后在LED支架点上银胶（绝缘胶）， 然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动位置，再安置 在相应的支架位置上。 自动装架在工艺上主要熟悉设备操作编程，同时 对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用 上尽量选用胶木吸嘴，防止对LED芯片表面的损伤， 特别是蓝、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴会划 伤芯片表面的电流扩散层。
烧结 烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监 控，防止批次性不良。 银胶烧结的温度一般控制在150℃，烧结时间2小 时。根据实际情况可以调整到170℃，1小时。 绝缘胶一般150℃，1小时。银胶烧结烘箱的必须 按工艺要求隔2小时（或1小时）打开更换烧结的产品， 中间不得随意打开。烧结烘箱不得再其他用途，防止 污染。
Reactor chamber (CH3 )3 Ga + NH3 --> GaN + 3 CH4 NH3 Substrate Susceptor H2 TMG bubbler
NH3 TMG
氢气H2 三甲基镓源 TMG
外延层结构
200nm
2nm=0.002um 8nm=0.008um
P型导电GaN掺Mg层
P型接触层蒸发合金
粘结层蒸发
粘结层光刻
压力/温度
薄膜转移
bonding
压头
石墨
双面镀金基板
外延片与基板
灌蜡 堵住沟槽，保护Ag
金锡邦定 金金邦定不牢，表面不干净，因在邦定前不能用 H2SO4泡（Ag不允许）
去Si衬底
522( HNO3:HF:冰乙酸)
N型层
去沟槽，去蜡 丙酮超声
去边(去GaN防止漏电) （1）SiO2掩膜生长