模电第一章14节

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模电第1章

模电第1章

(3)设v12=f(i1+i2),试问v12是否等于(v1+v2) ?
例题求解(1)
(1) i1=5A时, v1=1005+53=625V
i2=10A时, v2=10010+103=2000V
i3=0.01A时, v3=1000.01+(0.01)3=(1+10-6)V i4=0.001A时, v4=1000.001+(0.001)3=(0.1+10-9)V • 从上述计算可以看出,如果把这个电阻作为 100W的线性电阻,当电流不同时,引起的误差
v12 v1 v2
所以叠加定理不适用于非线性电路。
非线性电阻元件串联或并联
当非线性电阻元件串联或并联时,只有所有非线性 电阻元件的控制类型相同,才有可能得出其等效电 阻伏安特性的解析表达式。 如果把非线性电阻串联或并联为一个单端口网络, 则网络端口的电压电流关系被称为此端口的驱动点 特性。
电磁感应现象(1831年),电磁学得到了飞速发展。
另一方面,电路的研究也在发展。欧姆发现了欧姆
定律(1826年),基尔霍夫发现了电路网络的定律
(1849年),从而确立了电工学。
电子技术的发展
当代是电子学繁荣昌盛的时代,与电子电路元器件(电
子管-晶体管-集成电路)的不断发展有着密切的关系。
电子管:
1903年,爱迪生发现从电灯泡的热丝上飞溅出来的电
根据KCL有
v f i f1 i f 2 i
这表明两个电流控制的非线性电阻串联组合的等效电 阻还是一个电流控制的非线性电阻
图解方法分析非线性电阻的串联电路
i1

i2
v

v f i v f2i2 2 v f1i1 1

模电第1章复习精简版

模电第1章复习精简版

第一章
半导体器件
价电子
(a) 硅、锗原子结构 最外层电子称价电子 4 价元素
+4
惯性核
4 价元素的原子常常用 + 4 电荷的正离子和周围 4 个价电子表示。
(b) 简化模型
图 1-1 原子结构及简化模型
第一章
半导体器件
2)
本征半导体的原子结构
完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导 体称为本征半导体。
带负电的自由电子 带正电的空穴
2. 本征半导体中,自由电子和空穴总是成对出现, 称为 电子 - 空穴对。
3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 表示,显然 ni = pi 。 4. 由于物质的运动,自由电子和空穴不断的产生又 不断的复合。在一定的温度下,产生与复合运动会达到 平衡,载流子的浓度就一定了。 5. 载流子的浓度与温度密切相关(它随着温度的升 高,基本按指数规律增加)。
I / mA
60 40 死区 20 电压
0 0.4 0.8 U / V
正向特性
第一章
半导体器件
I / mA
–50 –25
– 0.02
2. 反向特性 二极管加反向电压,反 向电流很小; 当电压超过零点几伏后, 反向电流不随电压增加而增 大,即饱和;
0U / V
反向饱 和电流
– 0.04
反向特性
如果反向电压继续升高,大到一定数值时,反向电 流会突然增大;
(a)N 型半导体
(b) P 型半导体
杂质半导体的的简化表示法
第一章
半导体器件
1.2 半导体二极管
1)PN 结的形成
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体,另 一侧掺杂成为 N 型半导体,两个区域的交界处就形成了 一个特殊的薄层,称为 PN 结。

模电课件-第1章-精选文档

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(3)运算电路:完成一个或多个信号的各种运算。 (4)信号转换电路: 电压(流)→电流(压)、
直(交)流→交(直)流。
(5)信号发生电路:产生正弦、三角、矩形波等。 (6)直流电源:将交流电转换成不同输出电压和电流的 直流电。
33 MHz
目录
Analog Electronics
1
导言
33 MHz
2 运算放大器 3 二极管及其基本电路 4 晶体三极管及放大电路基础 5 场效应管放大电路 6 模拟集成电路 7 反馈放大电路 8 信号的运算和滤波 9 波形的发生与变换电路 10 直流稳压电源
信号的 信号的 信号的
信号的
提取
传感器 接收器
预处理
隔离、滤波 放大、阻抗 变换
加工
运算、转 换、比较
执行
功率放大 A/D转换
33 MHz
图1.2.1电子信息系统示意图
Analog Electronics
1.2.3
电子信息系统中的模拟电路
信号的 预处理 信号的 加工 信号的 执行
信号的 提取
(1)放大电路:用于信号的电压、电流或功率放大。 (2)滤波电路:用于信号的提取、变换或抗干扰。
Analog Electronics
模拟电子技术基本教程 Fundamentals of Analog Electronics 华成英 主编
33 MHz
Analog Electronics 1. 电子技术的发展简史
电子技术诞生的历史虽短,但深入的领域却是最深最广, 它不仅是现代化社会的重要标志,而且成为人类探索宇宙宏观 世界和微观世界的物质技术基础。 1904年第一只电子器件发明以来,世界电子技术经历了 电子管、晶体管和集成电路等重要发展阶段。

童诗白模电第一章课件

童诗白模电第一章课件

硅原子
多余电子
磷原子
电子空穴对
自由电子
N型半导体
++ + +
++ + +
++ ++
多数载流子——自由电子 少数载流子—— 空穴
第八页,共86页。
施主离子
2. P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓等。
硅原子
空穴 硼原子
电子空穴对
空穴
P型半导体 - - -- - - --
- - --
多数载流子—— 空穴
第三十八页,共86页。
1.3 半导体三极管
半导体三极管,也叫晶体三极管。由于工 作时,多数载流子和少数载流子都参与运行, 因 此 , 还 被 称 为 双 极 型 晶 体 管 ( Bipolar
Junction Transistor,简称BJT)。 BJT是由两个PN结组成的。
第三十九页,共86页。
EB
对于PNP型三极管应满足:
UEB > 0
UCB < 0 即 VC < VB < VE
输入 公 输出 回路 共 回路

第四十四页,共86页。
共发射极接法原理图
三极管在工作时要 加上适当的直流偏置 电压。
若在放大工作状态: 发射结正偏:
由VBB保证 UBE>0 正偏
集电结反偏: 由VCC、 VBB保证
i
I
0
u
u
u
i IS (e UT 1)
u Ri
第三十二页,共86页。
二极管的模型
二极管的V—A特性
i
0
u

模电课件第一章

模电课件第一章

+ Vi –
放大电路
+ Vo –
RL
AV AV ( ) ( )
Vo ( j ) AV ( ) V ( j )
i
Av为什么是 f 的函数?
原因:放大电路存在电抗
称为幅频响应 元件,如电容、电感。
称为相频响应
( ) o ( ) i ( )
1.5 放大电路的主要性能指标
九、联系方式
•姓名:张华
•单位:电子信息教研室 408
•Email: 8755166@
课程介绍 部分结束
进入绪论部分学习
1.1 信号 1.2 信号的频谱
1.3 模拟信号与数字信号 1.4 放大电路模型
1.5 放大电路的主要性能指标
1.1 信号
1. 信号: 信息的载体
T/℃ 2 200.5 2 200.0 2 199.5
在输入正弦信号情况下,输出随输入信号频率连续变化的 稳态响应,称为放大电路的频率响应。 电压增益可表示为
Vo ( j ) AV ( j ) V ( j )
i
Ii
Io
+ Vs –
Rs
Vo ( j ) [ o ( ) i ( )] Vi ( j )
或写为 其中
课程介绍
一、课程名称及教材 模拟电子技术基础
二、课程的性质
工程性、 实践性强 是一门技术基础课
三、课程的特点
1)规律性 基本电子电路的组成具有规律性
2)非线性 3)工程性
4)实践性
半导体器件具有非线性 即近似性。抓主要矛盾
实验和设计-实验课
四、课程研究内容
器件 二极管(chap3)
三极管(chap4)

模电 第一章(第五版)——康华光

模电 第一章(第五版)——康华光

& Vi 定义: 定义: Ri = & Ii
意义:本级对前级(或对信号源)的影响。 意义:本级对前级(或对信号源)的影响。在信号传输过程中直接 影响信号的衰减程度。 影响信号的衰减程度。
第一章 绪论
U D
2.输出电阻(方法:测试信号取代负载接入,并令Vi=0,测试信 .输出电阻(方法:测试信号取代负载接入,并令 号电压与测试电流之比, 号电压与测试电流之比,图1.5.3) )
或写为
& AV = AV (ω )∠ϕ (ω )
& Vo ( jω ) 其中AV (ω ) = & Vi ( jω )
称为幅频响应 ∠ϕ (ω ) = ϕ o (ω ) − ϕ i (ω ) 称为相频响应
第一章 绪论 例1.如果Rif, AVO无穷大,RO=0, . 用互阻放大电路等效模型等效该电路, & IS 求出Ri和ARO 解:解题思路:给出互阻放大电 解题思路: 路模型(如下图),并将题给电
& V 定义: 定义: Ro = & I
意义:本级输出带负载的能力。 意义:本级输出带负载的能力。 注意: 交流电阻。 注意:输入输出电阻通常指的是交流 交流
第一章 绪论 3.增益A .增益 意义:反映放大电路在输入信号控制下, 意义:反映放大电路在输入信号控制下,将供电电源
能量转换成信号能量的能力。 能量转换成信号能量的能力。 对于无量纲的AV和AI,常用分贝表示,如 电压增益: GV=20lgAV (dB) 电流增益: GI=20lgAI (dB) 功率增益:GP=10lgAP (dB) 例:AV=10——即20dB AV=100——即40dB AV=1000——即60dB 说明:1.AV、AI为负值,表示Vi、Vo反相;-20dB表示衰减到1/10,即|A|=0.1

模电第1章-电路模型和电路的基本定律


1.4 电路的基本元件及其特性
电路的基本元件是构成电路的基本元素。电路中 普遍存在着电能的消耗、磁场能[量]的储存和电场能 [量]的储存这三种基本的能[量]转换过程。表征这 三种物理性质的电路参数是电阻、电感和电容。 只含一个电路参数的元件分别称为理想电阻元 件、理想电感元件和理想电容元件,通常简称电 阻元件、电感元件和电容元件。 元件的基本物理性质是指当把它们接入电路时, 在元件内部将进行什么样的能量转换过程以及表现 在元件外部的特征。
1.4 电路的基本元件及其特性
1.4.1 电阻元件和欧姆定律 电阻:是电路中阻止电流流动、表示能量损耗大 小的参数。电阻有线性电阻和非线性电阻之分(这 里只讨论线性电阻)。 所谓线性电阻,是指电阻元件的阻值R是个常数, 加在该电阻元件两端的电压u和通过该元件中的电流 i之间成正比关系,即 u=Ri 非线性电阻的伏安特性:其曲线可以是通过坐标原点 或不通过坐标原点的曲线,也可以是不通过坐标原点 的直线。
P UI
或 p ui
(2)当电流、电压取非关联的参考方向时
P -UI 或 p -ui
如果P>0(或p>0)时,表示元件吸收功率,是负载 如果P<0(或p<0)时,表示元件发出功率,是电源
1.2.2 功率的计算 例: 如图所示各元件电流和电压的参考方向,已知 U1=3V,U2=5V,U3=U4=-2V,I1=-I2=-2A, I3=1A,I4=3A。试求各元件的功率,并指出是吸收 还是发出功率?是电源还是负载?整个电路的总功 率是否满足功率守恒定律?(a)(b)来自1.2.2 功率的计算
电功率: 该元件两端的电压与通过该元件电流的乘积
P UI
如果电压和电流都是时变量时,瞬时功率写成
p ui

模拟电子技术基础简明教程-(第三版)第一章


于扩散电流,漂移电流也称反向电流 I ; 由于少数载流子浓度很低,反向电流数值非常小。
反向电流又称反向饱和电流。对温度十分敏感,随
着温度升高,
IS
将急剧增大。 19
总结:
第二节 半导体二极管
当 PN 结正向偏置时,耗尽层变窄,回路
中产生一个较大的正向电流, PN 结处于 导通
状态;当 PN 结反向偏置时,耗尽层变宽,回
+4
+4
+4
电子 – 空穴对
+4
+4
+4
在一定温度下电子 – 空穴对的
产生和复合达到动态平衡。
本征载流子的浓度对温度十分敏感
6
第一节 半导体的特性
二、 杂质半导体
在本征半导体中掺入某种特定的杂质,就成为杂质半导体。
1. N型(或电子型)半导体 (N-type semiconductor) 在4价的硅或锗中掺入少量的5价杂质元素,
29
(b) PN 结加反向电压
第二节 半导体二极管
空间电荷区的正负离子数目发生变化,如同电 容的放电和充电过程。
势垒电容的大小可用下式表示:
Cb
dQ dU
S l
:半导体材料的介电比系数;
S :结面积; l :耗尽层宽度。
由于 PN 结 宽度 l 随外
Cb
加电压 U 而变化,因此势垒
电容 Cb不是一个常数。其 Cb = f (U) 曲线如图示。
第1章 半导体器件
1.1 半导体的特性 1.2 半导体二极管 1.3 双极型三极管(BJT) 1.4 场效应三极管
1
第一节 半导体的特性
本征半导体 杂质半导体
2

模电第一章演示文稿587502316


图1.1.3
2020/6/15
二、P型半导体
纯净硅晶体中掺入 三价元素(如硼),使 之取代晶格中硅原子的 位置。杂质原子提供空 穴,所以称之为受主原 子。空穴为多数载流子, 自由电子为少数载流子, 简称多子和少子。
2020/6/15
图1.1.4
1.1.3 PN结 一、 PN结的形成
浓度差—扩散运动 复 合—空间电荷区 内电场—漂移运动 多子扩散=少子漂移 达到动态平衡,形成 PN结。
ni pi 1.431010cm3,ni pi 2.381010cm3
2020/6/15
1.1.2 杂质半导体 一、N型半导体
纯净硅晶体中掺入 五价元素(如磷),使 之取代晶格中硅原子的 位置。杂质原子提供电 子,所以称之为施主原 子。自由电子浓度大, 为多数载流子,空穴为 少数载流子,简称多子和少子。
在空间电荷区内自 由电子和空穴都很少, 所以称为耗尽层。
2020/6/15
图1.1.5
二、PN结的单向导电性
1、外加正向电压时PN结处于导通状态
PN结处于正向偏置。外电 场将多数载流子推向空间电 荷区,使其变窄,削弱了内 电场,破坏了原来的平衡, 扩散加剧,漂移减弱。电源 作用下,扩散运动源源不断 地进行,从而形成正向电流, PN结导通。正向导通电压只 有零点几伏,所以串联电阻 以限制电流。
图1.1.6
2020/6/15
2、外加反向电压时PN 处于截止状态
PN结处于反向偏置状 态。外电场使空间电荷区 变宽,加强了内电场,阻 止扩散运动的进行,加剧 漂移运动的进行,形成反 向电流,也称为漂移电流。 因为少子的数目极少,即 使都参与漂移,反向电流 也非常小,认为PN结处于 截止状态。
图1.1.7

数电模电第一章知识点

数电模电第一章
知识点一杂质半导体
N型半导体:多子是电子,少子是空穴
1. 起导电作用的主要是多子
P型半导体:多子是空穴,少子是电子
2. 多子扩散PN结变宽;少子漂移PN结变窄
3. P端接低电位,N端接高电位,PN结反偏,处于高电阻截至状态;
4. P端接高电位,N端接低电位,PN结正偏,处于低电阻导通状态;
知识点二二极管
P N
电流方向
1.伏安特性曲线
2.二极管限幅
题型(书P10例1-2)
3.稳压二极管工作与反向击穿状态
知识点三三极管
1.e—发射区;b—基区;c—集电区
2.I E=I C+I B;IE≈IC>>IB ;I E=I EBS(e UBE/UT-1)
3.三极管输出特性
截止区:Uc>Ue>Ub 放大区:Uc>Ub>Ue 饱和区:Ub>Uc>Ue。

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1.4 放大电路的基本知识  输入电阻  输出电阻  电压放大模型  电流放大模型 1.4.1 模拟信号的放大 1.4.2 放大电路模型

1.5 放大电路的主要性能指标  增益

 互阻放大模型  互导放大模型  隔离放大电路模型

 频率响应及带宽  非线性失真 1.4.1 模拟信号的放大 电压增益(电压放大倍数) Rs放大电路

IoIi

+–Vo+–Vs+

–Vi

R

L

ioV

VAV

电流增益

ioI

IAI

互阻增益 )(ioIVAR互导增益 )S(ioVIAG

信号源 负载

A 1.4.2 放大电路模型

放大电路是一个双口网络。从端口特性来研究放大电路,可将其等效成具有某种端口特性的等效电路(即端口用一些基本元件等效)。

Rs放大电路

IoIi

+–Vo+–Vs+

–Vi

R

L

信号源 负载

 输入端口特性可以等效为一个输入电阻  输出端口特性可以根据不同情况等效成不同的电路形式(信号源)。 1.4.2 放大电路模型 ——负载开路时的 电压增益

1. 电压放大模型 Rs

+

––Vi+–Vo+RLVsRi

+ Vi AVO

Ro

OVA

iR——输入电阻

oR——输出电阻

由输出回路得

LoLiOoRRRVAVV



则电压增益为

ioV

VAV

LoL

ORRRAV



可见 LRVA

即负载的大小会影响增益的大小

要想减小负载的影响,则希望…? (考虑改变放大电路的参数) LoRR理想情况 0oR 1.4.2 放大电路模型 另一方面,考虑到输入回路对信号源的衰减

Rs +

– Vs – Vi + Ro – V

+ – +

Ri RL Vi AVO

siRR理想情况

有 sisiiVRRRV

要想减小衰减,则希望…? iR

适用于RS较小RL较大场合 Rs放大电路

IoIi

+–Vo+–Vs+

–Vi

R

L

Rs +

– Vs – Vi + Ro – V

+ – +

Ri RL Vi AVO

电压放大模型

电流放大模型

1.4.2 放大电路模型 关心输出电流与输入电流的关系,可变换为电流放大模型如下:

2. 电流放大模型

——负载短路时的 电流增益

SIA图中 1.4.2 放大电路模型 2. 电流放大模型 由输出回路得

LooiSoRRRIAII



则电流增益为 ioI

IAI

Loo

SRRRAI

由此可见 LRIA

要想减小负载的影响,则希望…? LoRR

理想情况 oR

由输入回路得 iss

siRRRII



要想减小对信号源的衰减,则希望…? si

RR

理想情况 0iR

适用于RS较大RL较小场合 1.4.2 放大电路模型 3. 互阻放大模型(自学)

输入输出回路没有公共端

4. 互导放大模型(自学) 5. 隔离放大电路模型 Ro

– + Ri Vi AVO – Vo + – Vi +

值得注意的是,各种模型端口中的等效信号源是受控源,而不是独立信号源。 1.5 放大电路的主要性能指标

1. 输入电阻

iiiI

VR

Rs

+

–Vs–Vi

+Ri

Ii

大电路

对输入为电压信号的放大电路(电压放大和互导放大电路),Ri愈大,则放大电路输入电压净值vi愈大;反之,对输入为电流信号的放大电路(电流放大和互阻放大电路), Ri愈小,则放大电路输入电流净值ii愈大。 1.5 放大电路的主要性能指标 2. 输出电阻 iOoVAVV

Ro

–Vo

+–+RLViA

VO

放大电路

Ro

–+ViAVO放大电路–+

Vo

LoLiOoRRRVAVV



所以 LLoooRRVVR

放大电路IT

+–VTRo+–Vs=0另一方法

0TTosVI

VR

注意:输入、输出电阻为交流电阻 1.5 放大电路的主要性能指标 2. 输出电阻 Ro

–Vo

+–+RLViA

VO

放大电路

Ro

–+ViAVO放大电路–+

VoLLooo

RRVVR

或 0TTosVI

VR

输出电阻RO的大小决定放大电路的

带负载能力。 所谓带负载能力,是指放大电路输出量随负载变化的程度。当负载变化时,输出量变化很小即表示带负载能力强,反之为弱。

显然,输出量为电压时,RO愈小带负载能力愈强,输出量为电流时, RO愈大带负载能力愈强。 1.5 放大电路的主要性能指标 3. 增益 反映放大电路在输入信号控制下,将供电电

源能量转换为输出信号能量的能力。

其中 (dB)lg20VA电压增益

“甲放大电路的电压增益为衰减20倍”和“乙放大电路的电压增益为-20dB”,问哪个电路的增益大?

四种增益 io

V

VAV

io

I

IAI

io

I

VAR

io

V

IAG

IVAA、常用分贝(dB)表示。

(dB)lg20IA电流增益(dB)lg10PA功率增益

乙放大电路的增益大!负分贝增益和负放大倍数意义不同。 1.5 放大电路的主要性能指标 4. 频率响应及带宽(频域指标) A.频率响应及带宽

电压增益可表示为 )j()j()j(ioVVAV

在输入正弦信号情况下,输出随输入信号频率连续变化的稳态响应,称为放大电路的频率响应。

Rs放大电路

IoIi

+–Vo+–Vs+

–Vi

R

L

)]()([)j()j(ioioV

V



或写为 )()(VVAA其中 称为幅频响应)j()j()(ioVVAV称为相频响应)()()(io 1.5 放大电路的主要性能指标 4. 频率响应及带宽(频域指标) A.频率响应及带宽 普通音响系统放大电路的幅频响应

该图称为波特图 纵轴:AV的对数坐标,单位为dB; 横轴:f的对数坐标;

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