模电第一章14节
模电第1章

(3)设v12=f(i1+i2),试问v12是否等于(v1+v2) ?
例题求解(1)
(1) i1=5A时, v1=1005+53=625V
i2=10A时, v2=10010+103=2000V
i3=0.01A时, v3=1000.01+(0.01)3=(1+10-6)V i4=0.001A时, v4=1000.001+(0.001)3=(0.1+10-9)V • 从上述计算可以看出,如果把这个电阻作为 100W的线性电阻,当电流不同时,引起的误差
v12 v1 v2
所以叠加定理不适用于非线性电路。
非线性电阻元件串联或并联
当非线性电阻元件串联或并联时,只有所有非线性 电阻元件的控制类型相同,才有可能得出其等效电 阻伏安特性的解析表达式。 如果把非线性电阻串联或并联为一个单端口网络, 则网络端口的电压电流关系被称为此端口的驱动点 特性。
电磁感应现象(1831年),电磁学得到了飞速发展。
另一方面,电路的研究也在发展。欧姆发现了欧姆
定律(1826年),基尔霍夫发现了电路网络的定律
(1849年),从而确立了电工学。
电子技术的发展
当代是电子学繁荣昌盛的时代,与电子电路元器件(电
子管-晶体管-集成电路)的不断发展有着密切的关系。
电子管:
1903年,爱迪生发现从电灯泡的热丝上飞溅出来的电
根据KCL有
v f i f1 i f 2 i
这表明两个电流控制的非线性电阻串联组合的等效电 阻还是一个电流控制的非线性电阻
图解方法分析非线性电阻的串联电路
i1
i2
v
v f i v f2i2 2 v f1i1 1
模电第1章复习精简版

第一章
半导体器件
价电子
(a) 硅、锗原子结构 最外层电子称价电子 4 价元素
+4
惯性核
4 价元素的原子常常用 + 4 电荷的正离子和周围 4 个价电子表示。
(b) 简化模型
图 1-1 原子结构及简化模型
第一章
半导体器件
2)
本征半导体的原子结构
完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导 体称为本征半导体。
带负电的自由电子 带正电的空穴
2. 本征半导体中,自由电子和空穴总是成对出现, 称为 电子 - 空穴对。
3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 表示,显然 ni = pi 。 4. 由于物质的运动,自由电子和空穴不断的产生又 不断的复合。在一定的温度下,产生与复合运动会达到 平衡,载流子的浓度就一定了。 5. 载流子的浓度与温度密切相关(它随着温度的升 高,基本按指数规律增加)。
I / mA
60 40 死区 20 电压
0 0.4 0.8 U / V
正向特性
第一章
半导体器件
I / mA
–50 –25
– 0.02
2. 反向特性 二极管加反向电压,反 向电流很小; 当电压超过零点几伏后, 反向电流不随电压增加而增 大,即饱和;
0U / V
反向饱 和电流
– 0.04
反向特性
如果反向电压继续升高,大到一定数值时,反向电 流会突然增大;
(a)N 型半导体
(b) P 型半导体
杂质半导体的的简化表示法
第一章
半导体器件
1.2 半导体二极管
1)PN 结的形成
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体,另 一侧掺杂成为 N 型半导体,两个区域的交界处就形成了 一个特殊的薄层,称为 PN 结。
模电课件-第1章-精选文档

直(交)流→交(直)流。
(5)信号发生电路:产生正弦、三角、矩形波等。 (6)直流电源:将交流电转换成不同输出电压和电流的 直流电。
33 MHz
目录
Analog Electronics
1
导言
33 MHz
2 运算放大器 3 二极管及其基本电路 4 晶体三极管及放大电路基础 5 场效应管放大电路 6 模拟集成电路 7 反馈放大电路 8 信号的运算和滤波 9 波形的发生与变换电路 10 直流稳压电源
信号的 信号的 信号的
信号的
提取
传感器 接收器
预处理
隔离、滤波 放大、阻抗 变换
加工
运算、转 换、比较
执行
功率放大 A/D转换
33 MHz
图1.2.1电子信息系统示意图
Analog Electronics
1.2.3
电子信息系统中的模拟电路
信号的 预处理 信号的 加工 信号的 执行
信号的 提取
(1)放大电路:用于信号的电压、电流或功率放大。 (2)滤波电路:用于信号的提取、变换或抗干扰。
Analog Electronics
模拟电子技术基本教程 Fundamentals of Analog Electronics 华成英 主编
33 MHz
Analog Electronics 1. 电子技术的发展简史
电子技术诞生的历史虽短,但深入的领域却是最深最广, 它不仅是现代化社会的重要标志,而且成为人类探索宇宙宏观 世界和微观世界的物质技术基础。 1904年第一只电子器件发明以来,世界电子技术经历了 电子管、晶体管和集成电路等重要发展阶段。
童诗白模电第一章课件

硅原子
多余电子
磷原子
电子空穴对
自由电子
N型半导体
++ + +
++ + +
++ ++
多数载流子——自由电子 少数载流子—— 空穴
第八页,共86页。
施主离子
2. P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓等。
硅原子
空穴 硼原子
电子空穴对
空穴
P型半导体 - - -- - - --
- - --
多数载流子—— 空穴
第三十八页,共86页。
1.3 半导体三极管
半导体三极管,也叫晶体三极管。由于工 作时,多数载流子和少数载流子都参与运行, 因 此 , 还 被 称 为 双 极 型 晶 体 管 ( Bipolar
Junction Transistor,简称BJT)。 BJT是由两个PN结组成的。
第三十九页,共86页。
EB
对于PNP型三极管应满足:
UEB > 0
UCB < 0 即 VC < VB < VE
输入 公 输出 回路 共 回路
端
第四十四页,共86页。
共发射极接法原理图
三极管在工作时要 加上适当的直流偏置 电压。
若在放大工作状态: 发射结正偏:
由VBB保证 UBE>0 正偏
集电结反偏: 由VCC、 VBB保证
i
I
0
u
u
u
i IS (e UT 1)
u Ri
第三十二页,共86页。
二极管的模型
二极管的V—A特性
i
0
u
模电课件第一章

+ Vi –
放大电路
+ Vo –
RL
AV AV ( ) ( )
Vo ( j ) AV ( ) V ( j )
i
Av为什么是 f 的函数?
原因:放大电路存在电抗
称为幅频响应 元件,如电容、电感。
称为相频响应
( ) o ( ) i ( )
1.5 放大电路的主要性能指标
九、联系方式
•姓名:张华
•单位:电子信息教研室 408
•Email: 8755166@
课程介绍 部分结束
进入绪论部分学习
1.1 信号 1.2 信号的频谱
1.3 模拟信号与数字信号 1.4 放大电路模型
1.5 放大电路的主要性能指标
1.1 信号
1. 信号: 信息的载体
T/℃ 2 200.5 2 200.0 2 199.5
在输入正弦信号情况下,输出随输入信号频率连续变化的 稳态响应,称为放大电路的频率响应。 电压增益可表示为
Vo ( j ) AV ( j ) V ( j )
i
Ii
Io
+ Vs –
Rs
Vo ( j ) [ o ( ) i ( )] Vi ( j )
或写为 其中
课程介绍
一、课程名称及教材 模拟电子技术基础
二、课程的性质
工程性、 实践性强 是一门技术基础课
三、课程的特点
1)规律性 基本电子电路的组成具有规律性
2)非线性 3)工程性
4)实践性
半导体器件具有非线性 即近似性。抓主要矛盾
实验和设计-实验课
四、课程研究内容
器件 二极管(chap3)
三极管(chap4)
模电 第一章(第五版)——康华光

& Vi 定义: 定义: Ri = & Ii
意义:本级对前级(或对信号源)的影响。 意义:本级对前级(或对信号源)的影响。在信号传输过程中直接 影响信号的衰减程度。 影响信号的衰减程度。
第一章 绪论
U D
2.输出电阻(方法:测试信号取代负载接入,并令Vi=0,测试信 .输出电阻(方法:测试信号取代负载接入,并令 号电压与测试电流之比, 号电压与测试电流之比,图1.5.3) )
或写为
& AV = AV (ω )∠ϕ (ω )
& Vo ( jω ) 其中AV (ω ) = & Vi ( jω )
称为幅频响应 ∠ϕ (ω ) = ϕ o (ω ) − ϕ i (ω ) 称为相频响应
第一章 绪论 例1.如果Rif, AVO无穷大,RO=0, . 用互阻放大电路等效模型等效该电路, & IS 求出Ri和ARO 解:解题思路:给出互阻放大电 解题思路: 路模型(如下图),并将题给电
& V 定义: 定义: Ro = & I
意义:本级输出带负载的能力。 意义:本级输出带负载的能力。 注意: 交流电阻。 注意:输入输出电阻通常指的是交流 交流
第一章 绪论 3.增益A .增益 意义:反映放大电路在输入信号控制下, 意义:反映放大电路在输入信号控制下,将供电电源
能量转换成信号能量的能力。 能量转换成信号能量的能力。 对于无量纲的AV和AI,常用分贝表示,如 电压增益: GV=20lgAV (dB) 电流增益: GI=20lgAI (dB) 功率增益:GP=10lgAP (dB) 例:AV=10——即20dB AV=100——即40dB AV=1000——即60dB 说明:1.AV、AI为负值,表示Vi、Vo反相;-20dB表示衰减到1/10,即|A|=0.1
模电第1章-电路模型和电路的基本定律
1.4 电路的基本元件及其特性
电路的基本元件是构成电路的基本元素。电路中 普遍存在着电能的消耗、磁场能[量]的储存和电场能 [量]的储存这三种基本的能[量]转换过程。表征这 三种物理性质的电路参数是电阻、电感和电容。 只含一个电路参数的元件分别称为理想电阻元 件、理想电感元件和理想电容元件,通常简称电 阻元件、电感元件和电容元件。 元件的基本物理性质是指当把它们接入电路时, 在元件内部将进行什么样的能量转换过程以及表现 在元件外部的特征。
1.4 电路的基本元件及其特性
1.4.1 电阻元件和欧姆定律 电阻:是电路中阻止电流流动、表示能量损耗大 小的参数。电阻有线性电阻和非线性电阻之分(这 里只讨论线性电阻)。 所谓线性电阻,是指电阻元件的阻值R是个常数, 加在该电阻元件两端的电压u和通过该元件中的电流 i之间成正比关系,即 u=Ri 非线性电阻的伏安特性:其曲线可以是通过坐标原点 或不通过坐标原点的曲线,也可以是不通过坐标原点 的直线。
P UI
或 p ui
(2)当电流、电压取非关联的参考方向时
P -UI 或 p -ui
如果P>0(或p>0)时,表示元件吸收功率,是负载 如果P<0(或p<0)时,表示元件发出功率,是电源
1.2.2 功率的计算 例: 如图所示各元件电流和电压的参考方向,已知 U1=3V,U2=5V,U3=U4=-2V,I1=-I2=-2A, I3=1A,I4=3A。试求各元件的功率,并指出是吸收 还是发出功率?是电源还是负载?整个电路的总功 率是否满足功率守恒定律?(a)(b)来自1.2.2 功率的计算
电功率: 该元件两端的电压与通过该元件电流的乘积
P UI
如果电压和电流都是时变量时,瞬时功率写成
p ui
模拟电子技术基础简明教程-(第三版)第一章
于扩散电流,漂移电流也称反向电流 I ; 由于少数载流子浓度很低,反向电流数值非常小。
反向电流又称反向饱和电流。对温度十分敏感,随
着温度升高,
IS
将急剧增大。 19
总结:
第二节 半导体二极管
当 PN 结正向偏置时,耗尽层变窄,回路
中产生一个较大的正向电流, PN 结处于 导通
状态;当 PN 结反向偏置时,耗尽层变宽,回
+4
+4
+4
电子 – 空穴对
+4
+4
+4
在一定温度下电子 – 空穴对的
产生和复合达到动态平衡。
本征载流子的浓度对温度十分敏感
6
第一节 半导体的特性
二、 杂质半导体
在本征半导体中掺入某种特定的杂质,就成为杂质半导体。
1. N型(或电子型)半导体 (N-type semiconductor) 在4价的硅或锗中掺入少量的5价杂质元素,
29
(b) PN 结加反向电压
第二节 半导体二极管
空间电荷区的正负离子数目发生变化,如同电 容的放电和充电过程。
势垒电容的大小可用下式表示:
Cb
dQ dU
S l
:半导体材料的介电比系数;
S :结面积; l :耗尽层宽度。
由于 PN 结 宽度 l 随外
Cb
加电压 U 而变化,因此势垒
电容 Cb不是一个常数。其 Cb = f (U) 曲线如图示。
第1章 半导体器件
1.1 半导体的特性 1.2 半导体二极管 1.3 双极型三极管(BJT) 1.4 场效应三极管
1
第一节 半导体的特性
本征半导体 杂质半导体
2
模电第一章演示文稿587502316
图1.1.3
2020/6/15
二、P型半导体
纯净硅晶体中掺入 三价元素(如硼),使 之取代晶格中硅原子的 位置。杂质原子提供空 穴,所以称之为受主原 子。空穴为多数载流子, 自由电子为少数载流子, 简称多子和少子。
2020/6/15
图1.1.4
1.1.3 PN结 一、 PN结的形成
浓度差—扩散运动 复 合—空间电荷区 内电场—漂移运动 多子扩散=少子漂移 达到动态平衡,形成 PN结。
ni pi 1.431010cm3,ni pi 2.381010cm3
2020/6/15
1.1.2 杂质半导体 一、N型半导体
纯净硅晶体中掺入 五价元素(如磷),使 之取代晶格中硅原子的 位置。杂质原子提供电 子,所以称之为施主原 子。自由电子浓度大, 为多数载流子,空穴为 少数载流子,简称多子和少子。
在空间电荷区内自 由电子和空穴都很少, 所以称为耗尽层。
2020/6/15
图1.1.5
二、PN结的单向导电性
1、外加正向电压时PN结处于导通状态
PN结处于正向偏置。外电 场将多数载流子推向空间电 荷区,使其变窄,削弱了内 电场,破坏了原来的平衡, 扩散加剧,漂移减弱。电源 作用下,扩散运动源源不断 地进行,从而形成正向电流, PN结导通。正向导通电压只 有零点几伏,所以串联电阻 以限制电流。
图1.1.6
2020/6/15
2、外加反向电压时PN 处于截止状态
PN结处于反向偏置状 态。外电场使空间电荷区 变宽,加强了内电场,阻 止扩散运动的进行,加剧 漂移运动的进行,形成反 向电流,也称为漂移电流。 因为少子的数目极少,即 使都参与漂移,反向电流 也非常小,认为PN结处于 截止状态。
图1.1.7
数电模电第一章知识点
数电模电第一章
知识点一杂质半导体
N型半导体:多子是电子,少子是空穴
1. 起导电作用的主要是多子
P型半导体:多子是空穴,少子是电子
2. 多子扩散PN结变宽;少子漂移PN结变窄
3. P端接低电位,N端接高电位,PN结反偏,处于高电阻截至状态;
4. P端接高电位,N端接低电位,PN结正偏,处于低电阻导通状态;
知识点二二极管
P N
电流方向
1.伏安特性曲线
2.二极管限幅
题型(书P10例1-2)
3.稳压二极管工作与反向击穿状态
知识点三三极管
1.e—发射区;b—基区;c—集电区
2.I E=I C+I B;IE≈IC>>IB ;I E=I EBS(e UBE/UT-1)
3.三极管输出特性
截止区:Uc>Ue>Ub 放大区:Uc>Ub>Ue 饱和区:Ub>Uc>Ue。
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1.4 放大电路的基本知识 输入电阻 输出电阻 电压放大模型 电流放大模型 1.4.1 模拟信号的放大 1.4.2 放大电路模型
1.5 放大电路的主要性能指标 增益
互阻放大模型 互导放大模型 隔离放大电路模型
频率响应及带宽 非线性失真 1.4.1 模拟信号的放大 电压增益(电压放大倍数) Rs放大电路
IoIi
+–Vo+–Vs+
–Vi
R
L
ioV
VAV
电流增益
ioI
IAI
互阻增益 )(ioIVAR互导增益 )S(ioVIAG
信号源 负载
A 1.4.2 放大电路模型
放大电路是一个双口网络。从端口特性来研究放大电路,可将其等效成具有某种端口特性的等效电路(即端口用一些基本元件等效)。
Rs放大电路
IoIi
+–Vo+–Vs+
–Vi
R
L
信号源 负载
输入端口特性可以等效为一个输入电阻 输出端口特性可以根据不同情况等效成不同的电路形式(信号源)。 1.4.2 放大电路模型 ——负载开路时的 电压增益
1. 电压放大模型 Rs
+
––Vi+–Vo+RLVsRi
–
+ Vi AVO
Ro
OVA
iR——输入电阻
oR——输出电阻
由输出回路得
LoLiOoRRRVAVV
则电压增益为
ioV
VAV
LoL
ORRRAV
可见 LRVA
即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响,则希望…? (考虑改变放大电路的参数) LoRR理想情况 0oR 1.4.2 放大电路模型 另一方面,考虑到输入回路对信号源的衰减
Rs +
– Vs – Vi + Ro – V
+ – +
Ri RL Vi AVO
siRR理想情况
有 sisiiVRRRV
要想减小衰减,则希望…? iR
适用于RS较小RL较大场合 Rs放大电路
IoIi
+–Vo+–Vs+
–Vi
R
L
Rs +
– Vs – Vi + Ro – V
+ – +
Ri RL Vi AVO
电压放大模型
电流放大模型
1.4.2 放大电路模型 关心输出电流与输入电流的关系,可变换为电流放大模型如下:
2. 电流放大模型
——负载短路时的 电流增益
SIA图中 1.4.2 放大电路模型 2. 电流放大模型 由输出回路得
LooiSoRRRIAII
则电流增益为 ioI
IAI
Loo
SRRRAI
由此可见 LRIA
要想减小负载的影响,则希望…? LoRR
理想情况 oR
由输入回路得 iss
siRRRII
要想减小对信号源的衰减,则希望…? si
RR
理想情况 0iR
适用于RS较大RL较小场合 1.4.2 放大电路模型 3. 互阻放大模型(自学)
输入输出回路没有公共端
4. 互导放大模型(自学) 5. 隔离放大电路模型 Ro
– + Ri Vi AVO – Vo + – Vi +
值得注意的是,各种模型端口中的等效信号源是受控源,而不是独立信号源。 1.5 放大电路的主要性能指标
1. 输入电阻
iiiI
VR
Rs
+
–Vs–Vi
+Ri
Ii
放
大电路
对输入为电压信号的放大电路(电压放大和互导放大电路),Ri愈大,则放大电路输入电压净值vi愈大;反之,对输入为电流信号的放大电路(电流放大和互阻放大电路), Ri愈小,则放大电路输入电流净值ii愈大。 1.5 放大电路的主要性能指标 2. 输出电阻 iOoVAVV
Ro
–Vo
+–+RLViA
VO
放大电路
Ro
–+ViAVO放大电路–+
Vo
LoLiOoRRRVAVV
所以 LLoooRRVVR
放大电路IT
+–VTRo+–Vs=0另一方法
0TTosVI
VR
注意:输入、输出电阻为交流电阻 1.5 放大电路的主要性能指标 2. 输出电阻 Ro
–Vo
+–+RLViA
VO
放大电路
Ro
–+ViAVO放大电路–+
VoLLooo
RRVVR
或 0TTosVI
VR
输出电阻RO的大小决定放大电路的
带负载能力。 所谓带负载能力,是指放大电路输出量随负载变化的程度。当负载变化时,输出量变化很小即表示带负载能力强,反之为弱。
显然,输出量为电压时,RO愈小带负载能力愈强,输出量为电流时, RO愈大带负载能力愈强。 1.5 放大电路的主要性能指标 3. 增益 反映放大电路在输入信号控制下,将供电电
源能量转换为输出信号能量的能力。
其中 (dB)lg20VA电压增益
“甲放大电路的电压增益为衰减20倍”和“乙放大电路的电压增益为-20dB”,问哪个电路的增益大?
四种增益 io
V
VAV
io
I
IAI
io
I
VAR
io
V
IAG
IVAA、常用分贝(dB)表示。
(dB)lg20IA电流增益(dB)lg10PA功率增益
乙放大电路的增益大!负分贝增益和负放大倍数意义不同。 1.5 放大电路的主要性能指标 4. 频率响应及带宽(频域指标) A.频率响应及带宽
电压增益可表示为 )j()j()j(ioVVAV
在输入正弦信号情况下,输出随输入信号频率连续变化的稳态响应,称为放大电路的频率响应。
Rs放大电路
IoIi
+–Vo+–Vs+
–Vi
R
L
)]()([)j()j(ioioV
V
或写为 )()(VVAA其中 称为幅频响应)j()j()(ioVVAV称为相频响应)()()(io 1.5 放大电路的主要性能指标 4. 频率响应及带宽(频域指标) A.频率响应及带宽 普通音响系统放大电路的幅频响应
该图称为波特图 纵轴:AV的对数坐标,单位为dB; 横轴:f的对数坐标;