电子辐照对功率半导体器件电学参数的影响
离子束辐照对半导体材料性能的影响
离子束辐照对半导体材料性能的影响半导体材料是现代科技中不可或缺的材料之一。
它们在电子元器件、光电器件、化学传感器和生物传感器等领域有着广泛的应用。
然而，半导体材料在使用过程中会受到各种因素的影响，从而影响其性能。
其中，离子束辐照是一个会对半导体材料性能产生重要影响的因素之一。
离子束辐照技术是一种可以用来改变材料性能的技术。
它是利用离子束高能量的特性，对半导体材料进行辐照。
在离子束辐照过程中，离子束会与材料中的原子发生相互作用，从而改变材料的结构和性质。
这种辐照技术可以通过控制辐照温度、能量和剂量等参数，来实现对材料性能的精确控制。
离子束辐照对半导体材料的影响主要包括以下方面：1.缺陷形成与损伤离子束辐照会在半导体材料中产生大量的晶格缺陷，如点缺陷、线缺陷和面缺陷等。
这些缺陷会严重影响材料的电学、光学和力学性能。
同时，离子束辐照还会引起材料的损伤，如晶格畸变和晶界的形成。
这些损伤也会影响材料的性能。
2.电学性能离子束辐照对半导体材料的电学性能有着显著的影响。
在辐照过程中，离子束的能量将被转化为电子和空穴的能量，并引起电子-声子相互作用。
这会导致材料电导率的变化，从而影响其电学性能。
同时，离子束辐照还可以改变材料的电子能带结构和载流子浓度，从而影响材料的半导体特性。
3.光学性能离子束辐照对半导体材料的光学性能也有着显著的影响。
离子束辐照可以改变半导体材料的吸收谱和发射谱，从而影响它们的发光性能。
此外，辐照还可以引起材料的晶格畸变和晶界的形成，从而影响材料的光学性质。
4.力学性能离子束辐照会对半导体材料的力学性能产生影响。
具体地说，它会引起材料的形变和塑性变形，从而影响其弹性模量和硬度等力学性质。
此外，辐照还会引起材料的微观结构变化，从而影响其力学性能。
综上所述，离子束辐照对半导体材料的性能有着广泛的影响。
因此，在进行半导体材料的研究与开发中，需要深入了解离子束辐照的机理和影响规律，以实现对半导体材料性能的精确控制和优化。
光电效应对半导体器件性能的影响分析
光电效应对半导体器件性能的影响分析引言：光电效应是指在光照条件下，物质吸收光能后，产生电子束的现象。
在半导体器件中，光电效应是一项至关重要的物理现象，对其性能产生重大影响。
本文将探讨光电效应对半导体器件性能的影响，并分析其中的机制、类型和应用。
第一部分：光电效应的机制和原理光电效应是基于光子的量子行为，当光子与物质相互作用时，能量和动量的转移会导致电子的激发和发射。
光电效应的机制主要包括光吸收、电子激发和电子释放三个过程。
首先，光吸收是光电效应的起始步骤。
来自光源的光子能量可以被半导体吸收，使得物质内部的电子从基态跃迁到激发态。
接下来，电子激发是指吸收光射后，电子的能级跃迁。
在半导体中，电子激发可能会导致载流子生成以及电子和空穴的寿命延长。
最后，电子释放是指光吸收后，电子从高能级返回基态并重新辐射光子的过程。
通过这种方式，光电效应将电子能量转化为光能量。
第二部分：光电效应的类型和应用光电效应可以分为光电导效应、理研电效应和光电效应三种类型。
首先，光电导效应是指当光照射在半导体器件中时，光子能量激发了电子和空穴，形成电导效应。
这种效应常用于可见光传感器、光电导开关和光电传感器等器件中。
其次，理研电效应是指光照射后产生电场效应。
在半导体器件中，由于光激发电荷分离，会形成一个电场，从而影响器件的电学性能。
例如，太阳能电池就是通过理研电效应将光能转化为电能的。
最后，光电效应是指光子激发了光电子，将光能转化为电能。
这种效应广泛应用于半导体光电器件，如光电二极管、光电晶体管和光电场效应等。
第三部分：光电效应对半导体器件性能的影响光电效应对半导体器件性能产生了多重影响。
首先，光电效应可以增加半导体器件的灵敏度和响应速度。
当光照射到器件表面时，光子的能量可以激发更多的载流子，并加速其移动速度。
这样一来，器件可以提高其信号检测灵敏度，并提高其响应速度。
其次，光电效应可以影响器件的电学特性。
通过光电效应，电子和空穴会产生电场和电流，并改变器件的电子能带结构和电荷分布。
电子束辐照对GaN基蓝光LED特性参数影响
３２Ｖ ．
． ＿ ｕ ａ ｉｔｄ — ＿ ｎｒ ｄ ａｅ
为２ ．１ 光通 量 衰 减 了近 ３ ％。如 图８ 示 ，蓝 光 １ ｍ， ２ ０ 所
甸 化
３ 结论
采 用 地 那 米 加 速 器 产 生 的 低 能 电 子 束 对 Ｇａ Ｎ
基 蓝 光 Ｌ Ｄ进 行 辐 照 ，通 过 对 比 辐 照 前 后 颜 色 参 Ｅ 数 和 光 度 参 数 ，发现 Ｌ Ｄ的 主 波 长 发 生 了漂 移 ， Ｅ 色 纯 度 提 高 ， 光通 量 、 光 效 都 有 所 降 低 ， 电子 束 辐 照 会 引起 Ｌ Ｄ芯 片量 子 阱 中 的 原 子 位 移 ，非 复 Ｅ
图 １ＩＧ Ｎ 蓝 光Ｌ Ｄ芯 片 外 形 结 构 图 ｎ ａ Ｅ
Ｐ—ｔ ｅｅ ｔ ｏｄ ｙｐｅ ｌｃ ｒ ｅ ｍｅｔ ｌ ｕｒ ｅ ｔ ｓ ｅ ｉ ｌ ｙ ｒ ａ ｃ ｒ ｎ ｐｒ ａｄ ｎｇ ａ ｅ
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图２ 单 面 双 电极 结 构 图
ｄ ｔａ ｎｇ ａｉ ｉｍｅｌ ｎ ｒ
功 率 型 蓝 光 Ｌ Ｄ为 核 心 的半 导 体 照 明 光 源 ，被 认 Ｅ
为是 继 白炽灯 和 荧 光灯之 后的 第三 代照 明光 源 。
１ ＬＤ Ｅ 芯片及辐照参 数的确定
１１ Ｅ ． Ｌ Ｄ芯 片 的选取
质子辐照功率半导体
质子辐照功率半导体半导体材料在当今科技领域中发挥着极为重要的作用，而其中质子辐照对半导体材料的性能进行改善和调控具有一定的研究价值。
质子辐照作为一种非常有效的方法，可以提高半导体材料的辐照抗性，改善其电学性能，增强其稳定性和可靠性，从而使半导体器件在高能量粒子环境下具有更好的表现。
质子辐照功率半导体的过程中，质子能量的选择和控制是至关重要的。
质子的能量将直接影响到质子在半导体中的穿透深度和辐照效果。
不同能量的质子对半导体材料的辐照效果也有所不同，因此在实际应用中需要根据具体的要求选择合适的质子能量。
在质子辐照功率半导体的过程中，需要考虑到辐照剂量和辐照时间等参数的控制。
辐照剂量过高可能会导致半导体材料的永久性损伤，而辐照时间过长也会对材料产生不利影响。
因此，在实际操作中需要进行精确的控制，以确保半导体材料在辐照过程中得到最佳的性能提升。
质子辐照功率半导体的过程中，需要对半导体材料的结构和性能进行详细的分析和研究。
通过对辐照前后半导体材料的性能变化进行比较，可以评估质子辐照对半导体的影响。
同时，还可以通过对辐照后的材料进行进一步的处理和优化，以实现半导体材料性能的最大提升。
质子辐照功率半导体不仅可以应用在半导体器件的制造过程中，还可以在空间科学、医疗技术等领域发挥重要作用。
通过对质子辐照的深入研究和应用，可以推动半导体材料领域的发展，为相关技术的进步提供有力支持。
总的来说，质子辐照功率半导体是一种非常重要的技术手段，可以有效提升半导体材料的性能和稳定性。
随着科技的不断发展，质子辐照技术将会在更多领域得到应用，并为相关行业的发展带来新的机遇和挑战。
希望通过持续的研究和实践，能够进一步完善质子辐照功率半导体技术，为人类社会的发展做出更大的贡献。
矿产
矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。
如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。
㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。
(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。
如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。
对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。
二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。
2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。
㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。
2、矿产品价格稳定性及变化趋势。
三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。
2、矿区矿产资源概况。
3、该设计与矿区总体开发的关系。
㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。
2、矿床开采技术条件及水文地质条件。
电子辐照对开关电源中功率双极晶体管损耗的影响
采用电子辐照工艺方法简单， 成本很低， 辐照后将使得开关晶体管的反向击穿电压增大， 使开关晶体管的可靠性增加， 特征频率基本不变， 其缺点是电流放大系数降低， 在大功率应用时可能会无法正常导通， 因此主要应用于中小功率开关电路中。而横向PNP钳位型开关晶体管对电流放大系数基本没有影响， 由于在侧面增加了一个pn 结， 所以晶体管面积和结电容会增加， 减小了晶体管的特征频率， 但不能提高反向击穿电压， 可以应用在双极数字电路和中小功率开关电路中。5 结论本文采用了10MeV 电子辐照来降低开关晶体管的下降延时， 以此来降低开关晶体管的关断损耗， 在较低交流输入电压下使得开关电源效率得到了提高，但在较高交流输入电压下由于变压器寄生电容充电造成导通损耗过大及关断阶段集电极电流“尾巴”的存在， 使得系统效率没有改善。由于电子辐照使得导通损耗和通态损耗增加， 因此只有采用合适的电子辐照剂量才能使系统效率得到最大的提高。采用合适的电子辐照剂量的开关晶体管与采用横向PNP钳位型晶体管的开关电源系统效率基本相同。
表2 四组APT13003E在充电器系统中各个阶段的损耗分析
从表2中可以看出， 在85 V 交流输入电压下，辐照之后的APT13003E 比未辐照的APT13003E 的关断延时有了大幅的减小， 因此关断损耗大幅的减小， 如辐照为10 kGy的管子的关断损耗减小为未辐照管子的1 /6; ； 饱和压降随辐照剂量的增加而增加， 因此通态损耗随辐照剂量的增加而增加。开通损耗、通态损耗的增加与关断损耗的减小是一对矛盾， 因此必须选择合适的辐照剂量， 才能使开关晶体管总的损耗最小。而在264 V输入电压下， 辐照后关断损耗只有较小幅度的减小， 因此总损耗基本不变， 系统效率也没有改善。， 它在高温下漏电较小， 能得到较好的Trade-off关系，电流放大系数基本不变， 目前得到了越来越多的应用， 如吉林华微电子股份有限公司研发的产品3DD13003A 就采用了这种结构。
电子辐照对功率半导体器件电学参数的影响
电子辐照对功率半导体器件电学参数的影响一’一26—0确功獬最{/’上海微电子技术和应用1994年第4期电子辐照对功率半导体器件电学参数的影响许志祥上海整流器总厂,摘要本文详细地介绍了一些有关复合中心,少子寿命等的基本概念,然后叙述电子辐照对各种功率半导体器件电参数的影响.众多的功率半寻体器件本质上是利用少子运动的器件.器件的各电学参数与其少子寿命有着密切的关系.器件性能的好坏,在很大程度上依赖于对少子寿命的合理控制.而电子辐照的一个突出优点就是能精确控制少子寿命从而达到精确控制各半寻体器件电参数的目的,真正起到了对半寻体器件”辐射加工”的作用.为便于理解辐射对各半寻体器件电学参数的影响,本文主要介绍少子寿命,复合中心及其辐照与它们的关系.一,一些基本的物理概念1.少手寿命,本文所讨论的半寻体器件包括二极管,三极管及晶闸管等.而由一个PN结构成的二极管是其它半寻体器件的基础.由其导出的少子寿命概念适用于其它半导体器件.当PN结上加正向偏压时,在N区产生了一定数目的多余的非平衡少子(空穴)AP.当正向偏压去掉后,这些非平衡的少子逐渐减少.非平衡少子浓度△P在单位时间单位体积内的减小率满足下式:=K.AP(1)当△PN区的多子(电子)浓度少得多时,K为常数.设t=O时,AP(t)=AP(O)积分(1)式得lAP(t)=AP(0)exp(一kt)(2)少子寿命就是非平衡少子的平均生存时间,因此订,T=△P(t)/d△p(¨(3).把(2)式代入(3)式得3下=1/K,则(2)武可写成3△P㈩=AP(o)exp(一÷)(4)由此可见,少子寿命是一种统计平均值,它表示非平衡少子浓度由初始值AP(0)减少到△P(0)/e的时间.2.复合中心蠢27一实验发现,一块纯度和晶体完整性非常好的半导体硅,非平衡少子寿命往往长达几毫秒甚至几百毫秒.在这种情况下,非平衡载流子是靠导带电子直接跃迁到价带,与价带中的空穴发生复合才逐渐复合的,这种复合叫直接复合.发生直接复合的条件是,复合前后的电子和空穴要同时满足动量和能量守僵,对半导体硅来说,这一条件是很难同时满足的.所以发生直接复合几率极少,因此少子寿命很长.同样一扶半寻体硅,经电子辐照后,少子寿命明显缩短.这是因为辐照会在半寻体硅中产生缺陷,电子和空穴通过这些缺陷会加速复合,这种复合叫间接复合,这些能促进电子和空穴复合的缺陷叫复合中心.该缺陷会在禁带中形成深能级.为简单起见,只讨论N型硅中只有一种深能级的,情况,此时复合中心的复合过程可用Shockley-Read-Ha11(SRH)模型来分析t该复合中心只能处于一种状态,即带负电状态或呈中性状态.因此可发生四种过程:A:处于中性状态的复合中心从寻带俘获电子而带负电荷.B:电子从复合中心发射到寻带,复合中心呈中性状态.C:中性状态的复合中心从价带俘获电子而带负电.D:带负电的复合中心俘获空穴而呈中性状态.对N型硅中的空穴浓度远比电子小的所谓小注入情况,通过复杂计算可得少子寿命为:百-≈.(5)式中dP,UP分别表示复合中心对空穴的俘获截面和空穴的热运动速度.(5)式表示,Nt个复合中心基本上填满了电子,一旦空穴出现在复合中心的俘获截面内就被复合掉.这就是说,上述四个过程,占主要的只有A,D-个过程.对N型硅来说,缺陷要起复合中心作用,先决条件是它先要填满电子.填满电子的复合中心对空穴(少子)产生静电吸引作用,从而加强了对少子的俘获能力.一旦复合中心俘获一个空穴便变成中性状态.由于N型硅中电子浓度很大,中性状态的复合中心又会填满电子,这种过程不断重复进行,致使N型硅中的少子很快复合掉.缺陷能否起复合中心作用,首先与缺陷能级位置有关,其次与环境温度,缺陷对少子和多子的俘获截面等有关.当半寻体器件的杂浓度一定后,在一定温度下,费米能级位置一定,如果缺陷能级位置越靠近禁带中央,这表明缺陷能级越处在费米能级下方,因此缺陷能级上占有电子几率就越多.然而费米能级位置El=2.3(KT)I~()+Et,式中EI 为本征能级位置(对硅EI=0.55ev),ND为多子浓度,Ni为本征载流子浓度.由于Nt随温度升高而迅速增大,使lg().)随温度升高而大大减小.最终’使(KT)与)的乘积减小.所以随温度升高,费米能级位置逐渐趋近禁带中央,缺陷能级与费米能级之间的距离随着减小,缺陷能级上占有电子几率也随着减少.另外俘获截面也随温度升高而下降.所有这些因素使得随温度升高器件的少子寿命变长.3.少子寿命与辐照注量关系少子寿命与辐照注量(单位面积所接收的电子数)满足如下关系式{一上:K击(6)t百O’一28一式中T.,T分别为辐照前后的少子寿命,西为注量lK为辐照损伤系数,它与电子能量,辐照温度,器件制造工艺及缺陷性质等都有关.如果辐照注量足够大,使K 西》÷,则÷≈’n’K4,这表示辐照后的少子寿命主要取决于辐照注量而与辐照前器件的少子寿命无关.所以只要精确控制辐照注量,就能精确控制与少子寿命有关的电学参数. =,电子辐照对半导体器件电学参数的影响电子辐照在半寻体硅中产生的缺陷会使少子寿命缩短多子浓度减少,而且缺陷对载流子要产生散射作用,从而使载流子的迁移率及电寻率减小,电子辐照对器件电学性能的影响主要就是通过上述这些物理量的改变而引起的’1.二极管(1)反向恢复时间电子辐照会缩短少子寿命,由(4)式可见,的蒯,会明显加速少子的消失速度,从而明显的缩短二极管的反向恢复时间t.因此.二极管经电子辐照后,工作频率可大大提高.(2)正向压降正向压降Vf----.式中A为结面积,w为基区宽度,I.为正向电流,由于基区电寻率a与辐照注量西中满足关系:a=a.e-’’,其中a为常数,a.为初始电寻率.经辐照a会下降.因此辐照会使正向压降略有增加.(3)反向漏电流反向漏电流I主要由空间电荷区的本征激发引起的.I:.式中,x为空间电荷区宽度,q为单位电荷量,Nt为本征载流子浓度,电子辐照使少子寿命缩短,从而引起反向漏电流增大.’(4)反向击穿电压,二极管的反向击穿电压的近似表达式为:VB≈5.3×10.(ND)一首.通过辐照所产生的复合中心浓度设为N’.,由于复合中心基本上填满了多子,因此多子浓度将由ND减少为(ND—NI).与此相应,VB也略会增加.有学者通过严密计算指出,电压增加只能发生在约lOs时间内,如时间太长,则空间电荷区内被复合中心俘获的多子受强电场的作用而逐渐被清除掉,复合中心也由带负电变为中性,因此载流子浓度仍恢复为ND,反向击穿电压VB也恢复原来值.另外二极管经辐照后反向漏电流会增别为空穴和电子的扩散长度.扩散长度L与扩散系数D的关系式为:K=x/DL,由于辐照使下降而使L减小,从而引起,r及B鬻减小,结果使0’减小.当然共发射极电流放大系数B也减小.’(2)正向饱和压降当三极管处在深饱和状态时,饱和压降VCES,-~Imrs,式中Im是集电极最大电流,r.是集电极串联电阻.辐照后由于多数载流子浓度ND减少,使r增加,因此VCES会增加.(3)反向击穿电压三极管是由两个PN结构成的三端器件,因此其反向击穿电)-/{BVCEO涂与单个PN结的击穿电)J~,BVCBO有关外,还与反映PN结相互作用强弱的电流放大系数有关:BVCEO=器.辐照后,三极管的电流放大倍数B及BVcB.都会减少,B下降使BVcEO增加,而BVcBo下降使BVcEo下降.实验指出,一般来说BVcEo鄙略有增加.(4)反向漏电流三极管的反向漏电流ICEO=(1+I~)ICBO.辐照后会使二极管的反向漏电流ICBO增大,但由于放大倍数B下降,因此辐照后反向漏电流的变化不大.(5)上升时间,下降时间及贮存时间辐照后,由于三极管的,B下降,少子寿命缩短及集电区的串联电阻增』JⅡ,最终使三极管的上升时间t.增加,下降时间t.ff贮存时问t.都缩短些.?(6)势垒电容辐照后,多子浓度减少,发射结及集电结的空间电荷区宽度瞬时增大.因此发射结和集电结势垒电容瞬时下降.3.晶闸管所谓晶闸管,它是由硅单晶制成,包括三个或更多PN结,能从断态转入通态,或由通态转入断态的双-稳态半寻体器件的总称.自从1957年美国通用电气公司制造出第一只可控硅以来,至今已派生出许多新型器件,这些器件,这些器件形成了一个大家族——晶闸管.目前可控硅(或称普通晶闸管)仅是晶闸管的一个组成部分.(1)快速晶闸管A,关断时间晶闸管的关断时间toll=ln(,式中IF,IH分别为晶闸管的通态电流及维持电流.辐照使少子寿命下降,IH增加,所以辐照使关断时间明显缩短,从而使晶闸管的工作频率大大提高.B,正向压降结构一定的晶闸管,正向压降Vl与,//的倒数成正比,辐照后,由于下降,因此--一30?-一Vl会增加.C,反向转折电压反向转折电压(击穿电压)VBR≈VB(1—0【.)彳,它与单个PN结的雪崩击穿电压VB及反映各PN结相互作用强弱的电流放大系数0【t有关.辐照使Ve及0【t都下降.实验指出,辐照后一般使VBR略有增加.】=l,反向漏电流反向漏电流I,=,Ico~-个PN结的反向漏电流,辐照使Ic0及0【t都减小.实验指出,辐照后一般I,略有增加.E,维持电流晶闸管的维持电流I是少子寿命的灵敏函数,辐照后使百下降,从而使IH明显增大.F,门极电流及门极电压辐照使电流放大系数0【减少,因此辐照后晶闸管的门极电流及门极电压都增大,(2)双向晶闸管双向晶闸管换向能力的限制是实际使用中的一个突出问题,为了提高器件的换向能力,就要防止二个反并联晶闸管的载流子的扩散.为此必须使双向晶闸管隔离区中的少子寿命大大缩短.把一定厚度的重金属,例如钽,钨等按隔离区的形状开槽,辐照时只有开槽的地方电子才能通过,其它地方电子被重金属阻挡住.通过辐照可使隔离区的少子寿命降低几个数量级,因而提高器件的换向能力.也就提高了器件的等级合格率.(3)可关断晶闸管可关断晶闸管国外是八十年初才有商品出售,国内尚处于批量试制阶段.与普通晶闸管不同,可关断晶闸管的门极加负脉冲可使导通的晶闸管关断,关断条件是关断增益B...≤Ot:/(0【l+0【2—1),式中0【l及0【2是二个等效电流放大系数.为了便于关断,必须使可关断晶闸管处于临界寻通状态.导通时晶闸管的饱和程度愈临界,其积累的载流子愈少,愈有利关断.辐照能精确控制可关断晶管的电流放大系数0’t及0【,如果辐照后使(0【.+0【.)÷1,便满足关断条件.4.特种器件对结型场效应器件,MOS器件,集成电路等,常用电子辐照来改变器件的各电学参数.电子辐照可用于MOS器件,CMOS~,CCD一电荷耦合器件,PIN硅光电二极管的核辐射加固研究.电子辐照在半导体器件中产生缺陷,这些缺陷可能有助于消除器件的噪声,因此辐照可作噪声研究. EffectsofelectronirradiationOilelectricalparameters ofpowersemiconductordevicesxuzhixiang(ShanghaiGeneralRectifierPlant)AbstractThisarticieintroducesindetail?ThebasicthoryOnrecombinati.nceatreaadmia oritycerrierlife.Them,effectofelectronirradiationOnelectricalparametersofpoworsemicol~ ductordevicesaredecr.1bed.。
电子辐照对开关电源中功率双极晶体管损耗的影响
电子辐照对开关电源中功率双极晶体管损耗的影响摘要：开关电源具有功率转换效率高、稳压范围宽、功率体积比高、重量轻等特点，广泛应用于手机充电器、笔记本电脑适配器等消费类电子产品。
如何降低开关电源的损耗越来越受到人们的关注。
然而，在系统级优化开关电源效率，使其提高约1%已变得非常困难。
关键词：电子辐照；开关电源；功率双极晶体管；开关晶体管；关断损耗功率损耗是开关电源总损耗中最主要的损耗之一。
采用10mev电子辐照降低了功率双极晶体管的还原延迟。
在典型的充电器开关电源中，功率双极晶体管在85V交流输入电压下的总损耗降低了42%，系统效率提高了2.1%。
一、电子辐照实验电子辐照能在硅中引入多种深能级，这些能级将根据其在禁带中的位置，对电子空穴俘获截面的大小以及能级密度的大小等均对非平衡载流子的复合起贡献，从而引起少子寿命、载流子浓度的降低，因此影响了与少子寿命有关的一些参数，如晶体管的开关时间、电流放大系数(hFE)等。
实验中我们把未经封装的功率双极晶体管APT13003E圆片分为四组，其中第一组作为对照组，不做辐照处理，其余三组经过10MeV的电子辐照，辐照剂量分别为5kGy、10kGy、15kGy，辐照完成后，经过200℃2h的高温退火处理，然后四组圆片经过封装后成为成品。
表1是四组晶体管的FT测试结果。
表1 四组APT13003E的FT测试结果从表1中我们可以看到，经过辐照后，储存时间ts随着辐照剂量的增大有很大幅度的减小，下降时间tf有所减小，上升时间tr有所增加;电流放大系数随着辐照剂量的增加而下降;饱和压降和击穿电压HBVceo随辐照剂量的增大而增大。
二、系统测试结果将四组不同的APT13003E开关晶体管放入同一个使用BCD半导体公司研发的AP3765充电器系统中，该充电器的功率是3W，输入交流电压范围是85V～264V，输出直流电压是5V。
图1所示为85V、115V、230V和264V交流输入电压下，使用电子辐照后的APT13003E与常规的APT13003E在输出负载电流分别是0.15A、0.30A、0.45A、0.60A(即25%、50%、75%、100%负载)下的系统平均效率增加值。
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矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。
如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。
㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。
(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。
如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。
对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。
二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。
2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。
㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。
2、矿产品价格稳定性及变化趋势。
三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。
2、矿区矿产资源概况。
3、该设计与矿区总体开发的关系。
㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。
2、矿床开采技术条件及水文地质条件。