32.786晶振参数
常用晶振频率表
1960 MHZ 1575.45 MHZ 1847 MHZ 842.5 MHZ 1842.5 MHZ 315 MHZ 310 MHZ 19.68 MHZ 13.56 MHZ 19.680 MHZ 16.367667 MHZ 16.8 MHZ 19.44 MHZ 15.360 MHZ 9.6 MHZ 12.8 MHZ 24.5535 MHZ 19.8 MHZ 16.368 MHZ 19.680 MHZ 19.2 MHZ 897MHZ 1747 MHZ 898 MHZ 1750 MHZ 897.5 MHZ 1323 MHZ 1964 MHZ19 MHZ 10.250 MHZ 3.575611 MHZ 4.332 MHZ 33 MHZ 36.860 MHZ 49 MHZ 24.6 MHZ 26.800 MHZ 24.0014 MHZ 16 MHZ 15.4 MHZ 15.360 MHZ 14.745 MHZ 13.5 MHZ 56.448 MHZ 9.216 MHZ
32.768khz晶振的匹配电容
32.768khz晶振的匹配电容
32.768khz晶振可以简称为32.768K晶体振荡器，它是一种精确的时钟源，它能够提供准确的时间度量，它的完美的稳定性和准确度使它在很多地方受到了青睐，常用于时间跟踪、功能实施、数据传输等领域。
而且，其原理也非常容易理解，当将一个时钟驱动信号和一个震荡元件联系起来时，它会随着时间进行振荡，从而产生一个准确的时钟周期。
32.768K晶体振荡器不仅有极好的精度，还具有低功耗、低成本、小体积等优点，在时钟电路中流行着，在需要精确控制步进马达，产生低频及定时器应用等，都可以使用这种晶体振荡器。
相关电路中，对应32.768K晶体振荡器需要匹配的电容也就是所谓的旁路电容。
这种电容是用来补偿晶体振荡器内部的电气耦合和电容耦合，以使振荡器的工作量有一定的可调性，使输出电容有合理的封装和调节机制，可以搭建出多种独特的音乐，把旋转运动形成一个音乐的触发发生器。
旁路电容的容量的大小是根据32.768K晶体振荡器实际应用环境进行调整的，一般来说，容量通常是1pF至20pF之间。
除了调节旁路电容，还会根据实际应用专业容量厂家会帮助客户进行其他的调节设置。
在使用时，只需要注意安装和调试时的电容的耐压等等即可。
此外，旁路电容在应用中还有其他的需求，例如阻抗补偿、负压补偿等，它们都可以采用专业厂家及根据实际环境进行调整，以提高晶体振荡器工作效率。
总体来说，32.768K晶体振荡器需要匹配的旁路电容，它的容量一般在1pF至20pF之间，但最终还是要根据实际应用环境来调节最佳值，并且在设置完成后仍需多加注意，以确保其工作效果和稳定性。
晶振频率和对应的应用
晶振频率和对应的应用
晶振频率指的是晶体振荡器的工作频率，一般用赫兹（Hz）
作为单位。
晶振频率决定了振荡器所生成的信号的频率，不同频率的晶振器在不同应用中具有不同的作用。
以下是几种常见的晶振频率和对应的应用：
1. 3
2.768 kHz：这是一种超低频晶振，通常用于实时钟或手表
等需要较低精度时间计量的应用。
2. 4 MHz：这是一种常见的低频晶振，适用于一些低速微控制器、嵌入式系统和传感器等应用。
3. 8 MHz：这是一种适中频率的晶振，常见于较快的微控制器、嵌入式系统和一些通信设备等应用。
4. 16 MHz：这是一种高频晶振，常见于大多数常规微控制器、计算机、通信设备和一些高速数据传输应用。
5. 25 MHz：这是一种较高频率的晶振，适用于某些高性能计
算机、计算设备和一些数据处理应用。
需要注意的是，某种晶振频率适用于特定的应用，但并非所有的应用都必须使用晶振，有些应用也可以使用其他类型的时钟源。
此外，在实际应用中，根据系统要求和设计需求，也可以使用其他频率的晶振。
32.768khz晶振
32.768khz晶振原理摘要:石英晶振是一种高精度、高稳定度的振荡器,是利用石英晶体的压电效应而制成的谐振组件,以取代L C选频电路,频率稳定度高达10-9~10-11,广泛应用于各类电子产品的振荡电路中,如通信系统中的频率发生器等。
作用:为数据处理设备产生时钟信号,提供系统振荡脉冲,稳定频率,选择频率。
本文将对石英晶振的基本特性、稳频条件、及电路设计方面做简单介绍。
一、水晶材料基本特性32.768khz石英晶体振荡器是利用石英晶体(二氧化硅的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件,它的基本构成大致是:从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片,在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚上,再加上封装外壳,就构成了石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、振。
其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、瓷或塑料封装的石英晶体谐振器结构石英晶体在压力作用下产生形变,同时产生电极化。
其极化强度与压力成正比,这种现象就称“正压电效应”。
反之,在电场作用下,晶体产生形变,其形变大小与电场强度成正比,这种现象称“逆压电效应”。
(a)压电效应( b)正压电效应(c)逆压电效应在二十多类具有压电效应的晶体中 ,石英晶体是无线通讯设备中最为满意的材料之一。
它的机械强度高 ,物理化学性能稳定 ,内损耗低等 ,用它制成的器件被广泛用在频率控制和频率选择电路中。
石英片的取向不同 ,其压电特性、性特性和强度特性就不同 ,用它来制造的谐振器的性能也不一样 ,现已发现了几十种有用的切割方式。
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为什么晶振的频率是32.768kHz
为什么晶振的频率是32.768kHz？振荡电路用于实时时钟RTC，对于这种振荡电路只能用32.768KHZ的晶体，晶体被连接在OSC3与OSC4之间而且为了获得稳定的频率必须外加两个带外部电阻的电容以构成振荡电路。
32.768KHZ的时钟晶振产生的振荡信号经过石英钟内部分频器进行15次分频后得到1HZ秒信号，即秒针每秒钟走一下，石英钟内部分频器只能进行15次分频，要是换成别的频率的晶振，15次分频后就不是1HZ的秒信号，时钟就不准了。
32.768K=32768=2的15次方，数据转换比较方便、精确。
绝大多数的MCU爱好者对MCU晶体两边要接一个22pF附近的电容不理解，因为这个电容有些时候是可以不要的。
参考很多书籍，讲解的很少，往往提到最多的是起稳定作用，负载电容之类的话，都不是很深入理论的分析。
问题是很多爱好者不去关心这两个电容，他们认为按参考设计做就行了，本人也是如此，直到有一次一个手机项目就因为这个电容出了问题，损失了几百万之后，才开始真正的考虑这个电容的作用。
其实MCU的振荡电路的真名叫“三点式电容振荡电路”，请参考图片。
晶体，相当于三点式里面的电感，C1和C2就是电容，5404和R1 实现一个NPN 的三极管，大家可以对照高频书里的三点式电容振荡电路。
接下来分析一下这个电路。
5404 必需要一个电阻，不然它处于饱和截止区，而不是放大区，R1 相当于三极管的偏置作用，让5404 处于放大区域，那么5404 就是一个反相器，这个就实现了NPN三极管的作用，NPN三极管在共发射极接法时也是一个反相器。
接下来用通俗的方法讲解一下这个三点式振荡电路的工作原理，大家也可以直接看书。
大家知道一个正弦振荡电路要振荡的条件是，系统放大倍数大于1，这个容易实现，相位满足360°，接下来主要讲解这个相位问题：5404 因为是反相器，也就是说实现了180°移相，那么就需要C1，C2 和Y1 实现180°移相就可以，恰好，当C1，C2，Y1 形成谐振时，能够实现180 移相，这个大家最简单的可以以地作为参考，谐振的时候，C1、C2上通过的电流一样，地在C1、C2 中间，所以恰好电压相反，实现180移相。
32.768k晶振的波形
32.768k晶振的波形
32.768k晶振是一种常见的时钟源，用于许多电子设备中。
它
的波形是一种周期性的方波信号，频率为32.768kHz，即每秒钟振
荡32,768次。
下面我将从多个角度来解释这个波形。
1. 方波信号特点，方波信号是一种具有固定幅值和周期的信号。
它的波形呈现为一个矩形，上升沿和下降沿非常陡峭，信号在高电
平和低电平之间快速切换。
2. 频率和周期，32.768k晶振的频率为32.768kHz，即每秒钟
振荡32,768次。
周期是频率的倒数，因此它的周期为1/32.768kHz，约为30.52微秒。
这意味着波形在每30.52微秒内完成一次完整的
周期性振荡。
3. 幅值，晶振的波形通常具有两个离散的幅值，高电平和低电平。
高电平通常为Vcc（供电电压）或者接近于Vcc，低电平通常为
0V或者接近于0V。
这两个幅值之间的差异决定了信号的幅值。
4. 稳定性，晶振的波形应该具有良好的稳定性，即频率和幅值
应该保持在规定的范围内。
晶振内部的振荡电路和反馈机制能够确
保信号的稳定性，从而提供准确的时钟源。
5. 应用领域，32.768k晶振广泛应用于各种电子设备中，特别是需要精确计时的场合。
例如，手表、计算机、移动电话等设备都需要一个稳定的时钟源来同步各种操作和功能。
总结起来，32.768k晶振的波形是一个周期性的方波信号，频率为32.768kHz，具有固定的高电平和低电平幅值。
它的稳定性对于精确计时非常重要，因此在许多电子设备中被广泛使用。
32.768khz 温补晶振电路
32.768khz 温补晶振电路
32.768kHz温补晶振电路通常由一个晶体振荡器和一些辅助元件组成，其目的是为了稳定地提供32.768kHz的时钟信号。
这个信号广泛应用于各种数字集成电路中，如实时时钟（RTC）等，作为计时基准。
以下是一个基本的32.768kHz温补晶振电路的组成部分：
1. 晶体：核心元件是石英晶体，它具有非常高的Q值，可以产生3
2.768kHz 的振荡频率。
2. 反相器：通常采用CMOS反相器，它为晶体提供偏置，使晶体工作在饱和区，以获得较大的增益。
3. 负载电容：C1和C2是晶体的负载电容，与反相器一起形成一个负阻，为晶体提供振荡所需的能量。
4. 温度补偿电容：C3和C4是温度补偿电容，通常连接到晶体的两个端子，以稳定其振荡频率。
5. 电阻：R1和R2是电阻，用于降低对晶体的驱动能量，防止晶体振坏或出现异常。
6. 反相器：inv2对invl的输出波形进行整形并驱动负载。
在实际应用中，为了确保32.768kHz温补晶振电路的稳定性，通常需要接上一个电容来稳定其振荡频率。
这是因为石英晶体的振荡频率受到外界环境温度、机械振动等因素的影响，容易发生波动和漂移。
通过加入一个适当的电容，可以形成一个谐振回路，使得晶振的振荡频率在一定范围内保持稳定。
此外，32.768kHz温补晶振电路具有体积小、功耗低等优点，被广泛应用于各种小型电子设备中，如腕表、电子计时器、温度计、LCD屏幕驱动器等的时钟电路中。
晶振数据手册标注的负载电容 跟频率
晶振数据手册标注的负载电容跟频率
晶振数据手册标注的负载电容和频率是两个非常重要的参数，在晶振的选择和使用过
程中至关重要。
以下是对这两个参数的详细解释。
1. 负载电容
负载电容是指晶振输出的信号需要接到一个电容上，该电容称为负载电容，用来平衡
输出信号的阻抗，提供适当的相位移动，并抵消系统中的干扰信号。
在晶振数据手册上，
通常会标注一个推荐的负载电容值，这个值的大小与晶振的频率、输出功率以及设备的特
定应用有关。
举个例子，常见的32.768kHz的无源晶振，在数据手册上推荐的负载电容通常是
12.5pF。
这个值是经过仔细计算得出的，通过与晶振的内部电容和电感相匹配，可以达到
最佳的输出波形和最小的相位误差。
如果使用的负载电容过大或过小，都可能导致晶振输
出波形不稳定，从而影响系统的正常工作。
2. 频率
频率是指晶振输出信号的频率，它也是晶振选择的最基本的参数之一。
晶振的频率通
常在数据手册上标注为一个固定值，例如16MHz或32.768kHz。
同样，频率也与晶振内部
的电容和电感有关，由晶振的振荡回路决定。
在使用晶振时，必须确保其频率符合系统的要求，否则会导致应用程序中的时序错误。
在实际应用中，为了确保晶振的输出频率能够满足精度要求，通常需要校准和调整，这可
以通过使用频率计等仪器来实现。
总之，负载电容和频率是晶振数据手册中最重要的参数，它们对设备的性能和可靠性
都有非常大的影响。
在选择和使用晶振时，务必要注意这些参数的适用范围和实际值，以
确保系统的正常工作。
晶振 32.768 压差
晶振32.768kHz的压差一般指的是该晶振在电路中正常工作时，所需要的电压差。
这种晶振常用于实时时钟（RTC）电路中，为RTC提供稳定的时钟信号。
晶振的压差通常由晶振本身的特性以及与之配合使用的电路决定。
如果晶振的压差过大，可能会导致晶振无法正常工作，甚至损坏晶振。
在实际应用中，为了确保晶振的正常工作，需要根据晶振的规格书和电路设计来确定合适的压差。
一般情况下，晶振生产商会在其规格书中明确标注出该晶振所需的压差范围。
在设计电路时，需要根据这个范围来选择合适的电源和电路元件，以确保晶振能够在正常的工作压差下工作。
需要注意的是，不同类型的晶振所需的压差可能会有所不同，因此在选择晶振时需要根据具体的应用需求和电路设计来确定合适的晶振类型。
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32.786晶振参数
一、晶振参数概述
晶体振荡器，或简称晶振，是一个重要的电子元件，主要用于产生振荡频率。
其工作原理基于晶体在受到物理冲击或电场变化时，会产生机械振动，这种振动又会产生电场变化，进而形成电压输出。
晶振的参数是描述其性能和特性的重要指标，对于其应用和选择具有重要意义。
二、晶振的主要参数
1.频率范围：指晶振所能产生的振荡频率范围。
不同的晶振有不同的频率范围，根据应用需求选择合适的频率范围是关键。
2.精度：指晶振的输出频率的准确性。
一般来说，晶振的频率精度越高，其性能越好。
3.温度稳定性：指晶振在温度变化下的频率稳定性。
温度稳定性是衡量晶振性能的重要指标，对于需要高精度频率源的应用尤为重要。
4.负载电容：指晶振在实际应用中所需的最小电容值。
负载电容会影响晶振的输出频率，因此在实际应用中需要特别注意。
5.激励电平：指驱动晶振的电压或电流大小。
过大的激励电平可能会损坏晶振，过小的激励电平则可能导致晶振无法正常工作。
6.输出波形：指晶振输出的信号波形。
一般来说，晶振输出的波形为正弦波或方波。
三、晶振的测试与验证
为了确保晶振的性能和可靠性，需要进行一系列的测试与验证。
这些测试包括但不限于：
1.频率精度测试：通过专用测试设备对晶振的输出频率进行测量，以评估其精度。
2.温度稳定性测试：在不同的温度环境下测试晶振的频率变化情况，以评估其在不同温度下的性能。
3.负载电容测试：测量晶振在不同负载电容下的输出频率，以确定其最佳工作条件。
4.激励电平测试：测量晶振在不同激励电平下的性能表现，以确定其正常工作范围。
5.长期老化测试：长时间运行晶振以评估其性能随时间的退化程度，这是确保晶振可靠性必不可少的环节。
通过以上测试与验证，可以对晶振的性能有一个全面、深入的了解，从而为其应用和选择提供可靠的依据。
四、晶振的应用与选择
晶振的应用非常广泛，如通信、导航、电子测量、自动控制等领域。
在选择晶振时，需要考虑以下因素：
1.应用需求：不同的应用对晶振的性能要求不同，应根据实际需求进行选择。
2.成本：不同性能的晶振价格差异较大，应在满足性能要求的前提下尽量降低成本。
3.尺寸：对于小型化、便携式的应用，应选择尺寸较小的晶振。
4.可靠性：对于高可靠性要求的场合，应选择经过严格测试和验证的晶振。
5.技术支持：选择有良好技术支持和售后服务的晶振供应商，有助于在应用过程中得到及时的技术支持和解决方案。
五、结论
综上所述，晶振参数是衡量其性能和特性的重要指标，对于其应用和选择具有重要意义。
在选择和使用晶振时，应充分考虑其参数和应用需求，以确保系统的稳定性和可靠性。
同时，了解和掌握晶振的测试与验证方法也是非常重要的，这有助于我们更好地评估和选择适合应用的晶振产品。