霍尔传感器位移特性实验
霍尔效应实验报告 (2)

霍尔效应的研究及利用霍尔效应测磁场实验报告指导老师:姓名:学号:实验日期:一、实验目的1、理解霍尔效应的原理,研究霍尔效应的应用;2、掌握DH4501N型三维亥姆霍兹线圈磁场实验仪的用法;3、利用霍尔效应法测量磁场大小,并且研究亥姆霍兹线圈的磁场分布规律;二、实验仪器DH4501N三维亥姆霍兹线圈磁场实验仪(仪器由信号源和测试架两大部分组成)A.仪器面板为三大部分,见下图(1) 。
(1)实验仪面板图1、励磁电流I M输出:前面板右侧,三位半数显电流表,显示输出电流值I M(A),直流恒流输出可调,接到测试架的励磁线圈,提供实验用的励磁电流。
2、霍尔片工作电流I S输出:前面板左侧,三位半数显电流表,显示输出电流值I S(mA),直流恒流输出可调,用于提供霍尔片的工作电流。
以上两组直流恒源只能在规定的负载范围内恒流,与之配套的“测试架”上的负载符合要求。
若要作它用时需注意。
提醒:只有在接通负载时,恒流源才有电流输出,数显表上才有相应显示。
3、V H、Vσ测量输入:前面板中部,三位半数显表显示输入值(mV),用于测量霍尔片的霍尔电压V H及霍尔片长度L方向的电压降Vσ。
使用前将两输入端接线柱短路,用调零旋钮调零。
提醒:I S霍尔片工作电流输出端与V H、Vσ测量输入端,连接测试架时,与测试架上对应的接线端子一一对应连接(红接线柱与红接线柱相连,黑接线柱与黑接线柱相连)。
励磁电流I M输出端连接到测试架线圈时,可以选择接单个线圈与双个线圈。
接双个线圈时,将两线圈串联,即一个线圈的黑接线柱与另一线圈的红接线柱相连。
另外两端子接至实验仪的I M端。
4、二个换向开关分别对励磁电流I M,工作电流I S进行正反向换向控制。
5、一个转换开关对霍尔片的霍尔电压V H与霍尔片长度L方向的电压降Vσ测量进行转换控制。
B. DH4501N三维亥姆霍兹线圈磁场测试架图(2)三维亥姆霍兹线圈磁场实验仪测试架本测试架的特点是三维可靠调节,见图(2)。
传感器实验指导书

目录目录 (1)实验一金属箔式应变片——单臂电桥性能实验 (3)实验二金属箔式应变片——半桥性能实验 (6)实验三金属箔式应变片——全桥性能实验 (8)实验四直流全桥的应用——电子称实验 (10)实验五移相实验 (11)实验六相敏检波实验 (12)实验七交流全桥性能测试实验 (15)实验八交流激励频率对全桥的影响 (17)实验九交流全桥振幅测量实验 (18)实验十扩散硅压阻式压力传感器的压力测量实验 (19)实验十一差动变压器性能实验 (21)实验十二差动变压器零点残余电压补偿实验 (23)实验十三激励频率对差动变压器特性的影响实验 (24)实验十四差动电感式传感器位移特性实验 (25)实验十五电容式传感器的位移特性实验 (27)实验十六电容传感器动态特性实验 (29)实验十七直流激励时霍尔传感器的位移特性实验 (30)实验十八交流激励时霍尔式传感器的位移特性实验 (31)实验十九霍尔测速实验 (32)实验二十磁电式传感器的测速实验 (33)实验二十一压电式传感器振动实验 (34)实验二十二电涡流传感器的位移特性实验 (36)实验二十三被测体材质、面积大小对电涡流传感器的特性影响实验 (38)实验二十四电涡流传感器转速测量实验 (39)实验二十五电涡流传感器测量振动实验 (40)实验二十六光纤传感器位移特性实验 (41)实验二十七光纤传感器的测速实验 (43)实验二十八光电转速传感器的转速测量实验 (44)实验二十九智能调节仪温度控制实验 (45)实验三十集成温度传感器的温度特性实验 (48)实验三十一铂热电阻温度特性测试实验 (50)实验三十二K型热电偶测温实验 (52)实验三十三E型热电偶测温实验 (55)实验三十四PN结温度特性测试实验 (57)实验三十五气敏(酒精)传感器实验 (59)实验三十六气敏(可燃气体)传感器实验 (60)实验三十七湿敏传感器实验 (61)实验三十八F/V转换实验 (62)实验三十九智能调节仪转速控制实验 (63)实验一 金属箔式应变片——单臂电桥性能实验一、实验目的了解金属箔式应变片的应变效应,单臂电桥工作原理和性能。
用霍尔位置传感器法测量位移有什么优点

用霍尔位置传感器法测量位移有什么优点000霍尔器件具有许多优点,它们的结构牢固,体积小,重量轻,寿命长,安装方便,功耗小,频率高(可达1mhz),耐震动,不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。
霍尔线性器件的精度高、线性度好;霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高(可达μm级)。
取用了各种补偿和保护措施的霍尔器件的工作温度范围宽,可达-55℃~150℃。
按照霍尔器件的功能可将它们分为:霍尔线性器件和霍尔开关器件。
前者输出模拟量,后者输出数字量。
按被检测的对象的性质可将它们的应用分为:直接应用和间接应用。
前者是直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性,后者是检测受检对象上人为设置的磁场,用这个磁场来作被检测的信息的载体,通过它,将许多非电、非磁的物理量例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等,转变成电量来进行检测和控制。
一霍尔器件的工作原理在磁场作用下,通有电流的金属片上产生一横向电位差:这个电压和磁场及控制电流成正比:vh=k╳|h╳ic|式中vh为霍尔电压,h为磁场,ic为控制电流,k为霍尔系数。
在半导体中霍尔效应比金属中显著,故一般霍尔器件是采用半导体材料制作的。
用霍尔器件,可以进行非接触式电流测量,众所周知,当电流通过一根长的直导线时,在导线周围产生磁场,磁场的大小与流过导线的电流成正比,这一磁场可以通过软磁材料来聚集,然后用霍尔器件进行检测,由于磁场与霍尔器件的输出有良好的线性关系,因此可利用霍尔器件测得的讯号大小,直接反应出电流的大小,即:i∞b∞vh其中i为通过导线的电流,b为导线通电流后产生的磁场,vh为霍尔器件在磁场b中产生的霍尔电压、当选用适当比例系数时,可以表示为等式。
霍尔传感器就是根据这种工作原理制成的。
二的应用1霍尔接近传感器和接近开关在霍尔器件背后偏置一块永久磁体,并将它们和相应的处理电路装在一个壳体内,做成一个探头,将霍尔器件的输入引线和处理电路的输出引线用电缆连接起来,构成接近传感器。
传感器与检测技术综合实验 有数据及答案

实验报告本课程名称:传感器与检测技术综合实验指导教师:班级:姓名:学号:2013~2014学年第一学期广东石油化工学院计算机与电子信息学院实验目录实验一金属箔式应变片――单臂电桥性能实验实验二金属箔式应变片――半桥性能实验实验三金属箔式应变片――全桥性能实验实验四金属箔式应变片单臂、半桥、全桥性能比较实验实验五直流激励时线性霍尔传感器的位移特性实验实验六霍尔转速传感器测电机转速实验实验七磁电式转速传感器的测电机转速实验实验八电涡流传感器的位移特性实验实验九光纤传感器的位移特性实验实验十光电转速传感器的转速测量实验实验一金属箔式应变片――单臂电桥性能实验一、实验目的:了解金属箔式应变片的应变效应,单臂电桥工作原理和性能。
二、基本原理:电阻丝在外力作用下发生机械变形时,其电阻值发生变化,这就是电阻应变效应,描述电阻应变效应的关系式为:ΔR/R=Kε式中:ΔR/R为电阻丝电阻相对变化,K为应变灵敏系数,ε=ΔL/L为电阻丝长度相对变化。
金属箔式应变片就是通过光刻、腐蚀等工艺制成的应变敏感元件,通过它转换被测部位受力状态变化。
电桥的作用完成电阻到电压的比例变化,电桥的输出电压反映了相应的受力状态。
对单臂电桥输出电压U o1= EKε/4。
三、需用器件与单元:主机箱(±4V、±15V、电压表)、应变式传感器实验模板、1位数显万用表(自备)。
托盘、砝码、42图1 应变片单臂电桥性能实验安装、接线示意图四、实验步骤:应变传感器实验模板说明:实验模板中的R1、R2、R3、R4为应变片,没有文字标记的5个电阻符号下面是空的,其中4个组成电桥模型是为实验者组成电桥方便而设,图中的粗黑曲线表示连接线。
1、根据图1〔应变式传感器(电子秤传感器)已装于应变传感器模板上。
传感器中4片应变片和加热电阻已连接在实验模板左上方的R1、R2、R3、R4和加热器上。
传感器左下角应变片为R1;右下角为R2;右上角为R3;左上角为R4。
传感器实验报告

实验一 金属箔式应变片——全桥性能实验一、实验目的了解全桥测量电路的优点二、基本原理全桥测量电路中,将受力方向相同的两应变片接入电桥对边,相反的应变片接入电桥邻边。
当应变片初始阻值R1=R2=R3=R4、其变化值1234R R R R ∆=∆=∆=∆时,其桥路输出电压3o U EK ε=。
其输出灵敏度比半桥又提高了一倍,非线性误差和温度误差都得到了改善。
三、实验器材主机箱、应变传感器实验模板、托盘、砝码、万用表、导线等。
四、实验步骤1.根据接线示意图安装接线。
2.放大器输出调零。
3.电桥调零。
4.应变片全桥实验数据记录如下表所示: 重量(g ) 0 20 40 60 80 100 120 140 电压(mv )20.140.160.480.8100.8121.1141.2实验曲线如下所示:分析:从图中可见,数据点基本在拟合曲线上,线性性比半桥进一步提高。
5.计算灵敏度S=U/W ,非线性误差δ。
U=141.2mv , W=140g ; 所以 S=141.2/140=1.0086 mv/g;m∆=0.1786g,y F S=140g,δ=⨯=0.1786/140100%06.利用虚拟仪器进行测量测量数据如下表所示:重量(g)0 20 40 60 80 100 120 140电压(mv)-1.1 19.6 40.4 61.1 81.7 102.4 122.0 142.0 实验曲线如下所示:五、思考题1.测量中,当两组对边电阻值R相同时,即R1=R3,R2=R4,而R1≠R2时,是否可以组成全桥:(1)可以;(2)不可以。
答:(2)不可以。
2.某工程技术人员在进行材料拉力测试时在棒材上贴了两组应变片,能否及如何利用四组应变片组成电桥,是否需要外加电阻。
答:能够利用它们组成电桥。
对于左边一副图,可以任意选取两个电阻接入电桥的对边,则输出为两倍的横向应变,如果已知泊松比则可知纵向应变。
对于右边的一幅图,可以选取R3、R4接入电桥对边,则输出为两倍的纵向应变。
实验报告移相

实验四移相实验一、实验目的了解移相电路的原理和应用。
二、实验仪器移相器、信号源、示波器(自备)三、实验原理由运算放大器构成的移相器原理图如下图所示:图4-1 移相器原理图通过调节Rw,改变RC充放电时间常数,从而改变信号的相位。
四、实验步骤1.将“信号源”的U S100幅值调节为6V,频率调节电位器逆时针旋到底,将U S100与“移相器”输入端相连接。
2.打开“直流电源”开关,“移相器”的输入端与输出端分别接示波器的两个通道,调整示波器,观察两路波形。
3.调节“移相器”的相位调节电位器,观察两路波形的相位差。
4.实验结束后,关闭实验台电源,整理好实验设备。
五、实验报告根据实验现象,对照移相器原理图分析其工作原理。
(1)当两波形的相位差最大时:(2)当两波形的相位差最小时:六、注意事项实验过程中正弦信号通过移相器后波形局部有失真,这并非仪器故障。
实验五相敏检波实验一、实验目的了解相敏检波电路的原理和应用。
二、实验仪器移相器、相敏检波器、低通滤波器、信号源、示波器(自备)、电压温度频率表三、实验原理开关相敏检波器原理图如图5-1所示,示意图如图5-2所示:图5-1 检波器原理图图5-2 检波器示意图图5-1中Ui为输入信号端,AC为交流参考电压输入端,Uo为检波信号输出端,DC为直流参考电压输入端。
当AC、DC端输入控制电压信号时,通过差动电路的作用使、处于开或关的状态,从而把Ui端输入的正弦信号转换成全波整流信号。
输入端信号与AC参考输入端信号频率相同,相位不同时,检波输出的波形也不相同。
当两者相位相同时,输出为正半周的全波信号,反之,输出为负半周的全波信号。
四、实验步骤1.打开“直流电源”开关,将“信号源”U S1 00输出调节为1kHz,Vp-p=8V的正弦信号(用示波器检测),然后接到“相敏检波器”输入端Ui。
2.将直流稳压电源的波段开关打到“±4V”处,然后将“U+”“GND1”接“相敏检波器”的“DC”“GND”。
FD-HY-I霍尔位置传感器法杨氏模量测定仪
仪器使用说明TEACHER'S GUIDEFD-HY-I 霍尔位置传感器法杨氏模量测定仪中国.上海复旦天欣科教仪器有限公司Shanghai Fudan Tianxin Scientific_Education Instruments Co.,Ltd.霍尔位置传感器法杨氏模量测定仪一、概述 固体材料杨氏模量的测量是综合大学和工科院校物理实验中必做的实验之一。
该实 验可以学习和掌握基本长度和微小位移量测量的方法和手段,提高学生的实验技能。
随 着科学技术的发展,微小位移量的测量技术愈来愈先进,为了推动教学仪器和教学内容 的现代化,上海复旦天欣科教仪器有限公司与复旦大学基础物理实验教学中心合作,研 制并生产了杨氏模量实验仪。
该仪器是在弯曲法测量固体材料杨氏模量的基础上,加装 霍尔位置传感器而成的。
通过霍尔位置传感器的输出电压与位移量线性关系的定标和微 小位移量的测量,有利于联系科研和生产实际,使学生了解和掌握微小位移的非电量电 测新方法。
本仪器对经典实验装置和方法进行了改进,不仅保留了原有实验的教学内容,还增 加了霍尔位置传感器的结构、原理、特性及使用方法的了解,将先进科技成果应用到教 学实验中,扩大了学生的知识面,所以本仪器也是经典实验教学现代化的一个范例。
该 实验仪自推出市场以来,经复旦大学和全国几十所高校实验教学使用,一致反映效果很 好。
弯曲法测金属杨氏模量实验仪的特点是待测金属薄板只须受较小的力 F ,便可产生 较大的形变 ∆Z ,而且本仪器体积小、重量轻、测量结果准确度高,本仪器杨氏模量实际 测量误差小于 3%。
二、实验原理 (1) 霍尔位置传感器 在垂直于磁场方向通以电流 I , 则与这二者 霍尔元件置于磁感应强度为 B 的磁场中, 相垂直的方向上将产生霍尔电势差 U H :UH = K ⋅ I ⋅ B(1)(1)式中 K 为元件的霍尔灵敏度。
如果保持霍尔元件的电流 I 不变,而使其在一个均匀 梯度的磁场中移动时,则输出的霍尔电势差变化量为:-1-dB ⋅ ∆Z dZ dB 为常数时, ∆U H 与 ∆Z 成正比。
实验6 霍尔传感器测杨氏模量
实验6 霍尔传感器测杨氏模量杨氏模量是描述固体材料抵抗形变能力的重要物理量,在工程上作为选择材料的依据之一,是工程技术中常用的参数。
利用霍尔位置传感器测量微小位移,可以改进传统粱弯曲法实验中的测量方法,使古老的实验又增添新的技术内容。
而霍尔元件及集成霍尔传感器具有尺寸小、外围电路简单、频响宽、使用寿命长,特别是抗干扰能力强等特点,近年来被广泛应用于物理量的测量、自动控制及信息处理等领域。
【实验目的】1.了解霍尔位置传感器的结构原理、特性及使用方法。
2.学习掌握粱弯曲法测量金属板的杨氏弹性模量。
3.学会确定灵敏度的方法,并确定仪器的灵敏度。
4.掌握逐差法处理数据。
【实验仪器】霍尔位置传感器、霍尔位置传感器输出信号测量仪、游标卡尺、螺旋测微器。
【实验原理】霍尔传感器置于磁感应强度为B 的磁场中,在垂直于磁场的方向通入电流I ,则会产生霍尔效应,即在与这二者相互垂直的方向上将产生霍尔电势:IB K U H H = (5.2.1)其中H K 为霍尔传感器的灵敏度,单位为T mA mV ⋅。
如果保持通入霍尔元件的电流I 不变,而使其在一均匀梯度的磁场中移动,则输出的霍尔电势的变化量为:z dzdBIK U H H ∆=∆ (5.2.2) 其中:z ∆为位移量;dzdB为磁感应强度B 沿位移方向的梯度,为常数。
为了实现上述均匀梯度磁场,选用两块相同的磁铁。
磁铁平行相对而放,即N 极相对放置。
两磁铁之间的空隙内放入霍尔元件,并使此元件平行于磁铁,且与两磁铁的间距相等,即霍尔元件放置两磁铁空隙的中心,如图6.1所示。
若间隙中心截面的中心点A 的磁感应强度为零,霍尔元件处于该处时输出的霍尔电势应为零。
当霍尔元件偏离中心沿Z 轴发生位移,由于磁感应强度不再为零,霍尔元件也就有相应电势输出,其大小可由数字电压表读出。
一般地,将霍尔电势为零时元件所处的位置作为位移参考点。
霍尔电势与位移量之间存在一一对应的关系,当位移量较小时(小于2mm ),对应关系具有良好的线性,如图6.2所示。
4实验指南(YL2100)
目录实验一金属箔式应变片——单臂电桥性能实验 (1)实验二金属箔式应变片——半桥性能实验 (3)实验三金属箔式应变片——全桥性能实验 (4)实验四金属箔式应变片单臂、半桥、全桥性能比较 (5)实验五金属箔式应变片的温度影响实验 (6)实验六直流全桥的应用——电子秤实验 (6)实验七移相器实验 (7)实验八相敏检波器实验 (9)实验九交流全桥的应用——振动测量实验 (10)实验十压阻式压力传感器的压力测量实验 (13)实验十一扩散硅压阻式压力传感器差压测量* (14)实验十二差动变压器的性能实验 (15)实验十三激励频率对差动变压器特性的影响实验 (16)实验十四差动变压器零点残余电压补偿实验 (18)实验十五差动变压器的应用——振动测量实验 (19)实验十六电容式传感器的位移特性实验 (21)实验十七电容传感器动态特性实验 (22)实验十八直流激励时霍尔式传感器的位移特性实验 (23)实验十九交流激励时霍尔式传感器的位移特性实验 (25)实验二十霍尔测速实验* (26)实验二十一磁电式传感器测速实验 (27)实验二十二压电式传感器测量振动实验 (28)实验二十三电涡流传感器位移特性实验 (29)实验二十四被测体材质对电涡流传感器的特性影响实验 (30)实验二十五被测体面积大小对电涡流传感器的特性影响实验 (31)实验二十六电涡流传感器测量振动实验 (31)实验二十七电涡流传感器的应用——电子秤实验 (33)实验二十八电涡流传感器测转速实验* (34)实验二十九光纤传感器的位移特性实验 (34)实验三十光纤传感器测量振动实验 (35)实验三十一光纤传感器测速实验 (36)实验三十二光电转速传感器的转速测量实验 (38)实验三十三 CU50温度传感器的温度特性实验 (39)100热电阻测温特性实验 (40)实验三十四 PT实验三十五热电偶测温性能实验 (42)实验三十六气体流量的测定实验* (43)实验三十七气敏(酒精)传感器实验 (44)实验三十八湿敏传感器实验 (45)实验三十九温度仪表PID控制实验 (45)实验四十外部温度控制实验系统* (47)实验四十一多功能数据采集控制器的使用介绍 (47)实验四十二计算机温度PID控制实验 (50)实验四十三数据采集卡动态链接库调用实验* (52)实验四十四转速PID控制系统 (53)附录一温控仪表操作说明 (55)附录二《微机数据采集系统软件》使用说明 (62)附录三《多功能数据采集系统软件》使用说明 (65)附录四《YL4.1系统软件》使用说明 (67)实验一 金属箔式应变片——单臂电桥性能实验一、实验目的:了解金属箔式应变片的应变效应,单臂电桥工作原理和性能。
霍尔式传感器的直流激励特性
华中科技大学电气与电子工程学院实验教学中心
信号与控制综合实验指导书
实验二十八 霍尔式传感器的直流激励特性
一、
实验目的 了解霍尔式传感器的结构、工作原理,学会用霍尔传感器做静态位移测试。
二、
实验原理
霍尔式传感器是由两个环形磁钢组成梯度磁场和位于梯度磁场中的霍尔元件组成。
当霍尔元件通以恒定电流时,霍尔元件就有电势输出。
霍尔元件在梯度磁场中上、下移 动时,输出的霍尔电势 V 取决于其在磁场中的位移量 X ,所以测得霍尔电势的大小便可 获知霍尔元件的静位移。
三、
实验所需部件 直流稳压电源、电桥、霍尔传感器、差动放大器、电压表、测微头
四、
实验步骤
1.
按图接线,装上测微头,调节振动圆盘上、下位置,使霍尔元件位于梯度磁场中间
位置。
开启电源,调节测微头和电桥 WP ,使差放输出为零。
上、下移动振动台,使差放 正负电压输出对称。
2.
上、下移动测微头各 3.5 ㎜,每变化 0.5 ㎜读取相应的电压值。
并记入下表,做出
V-X 曲线,求出灵敏度及线性。
五、
注意事项
直流激励电压须严格限定在 2V ,绝对不能任意加大,以免损坏霍尔元件。
集学科优势
- 17 -
求改革创新。
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实验14 直流激励时霍尔传感器位移特性实验
141270046 自动化 杨蕾生
一、实验目的:
了解直流激励时霍尔式传感器的特性。
二、根本原理:
根据霍尔效应,霍尔电势UH=KHIB,当霍尔元件处在梯度磁场中运动时,
它的电势会发生变化,利用这一性质可以进展位移测量。
三、需用器件与单元:
主机箱、霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、测微头、数显单元。
四、实验步骤:
1、霍尔传感器和测微头的安装、使用参阅实验九。按图14示意图接线〔实
验模板的输出Vo1接主机箱电压表Vin〕,将主机箱上的电压表量程〔显示选择〕
开关打到2V档。
2、检查接线无误后,开启电源,调节测微头使霍尔片大致在磁铁中间位置,
再调节Rw1使数显表指示为零。
3、以某个方向调节测微头2mm位移,记录电压表读数作为实验起始点;
再反方向调节测微头每增加0.2mm记下一个读数,将读数填入表14。
word
表14
X〔mm〕
V(mv)
作出V-X曲线,计算不同线性X围时的灵敏度和非线性误差。
五、实验须知事项:
1、对传感器要轻拿轻放,绝不可掉到地上。
2、不要将霍尔传感器的激励电压错接成±15V,否如此将可能烧毁霍尔元件。
六、思考题:
本实验中霍尔元件位移的线性度实际上反映的是什么量的变化?
答:本人认为应该是实际的输入、输出与拟合的理想的直线的偏离程度的变化,
当X不同的时候,实际的输出值与根据拟合直线得到的数值的偏离值是不一样
的。
七、实验报告要求:
1、整理实验数据,根据所得得实验数据做出传感器的特性曲线。
实验数据如下:
表9-2
X〔mm〕 0
V(mv)
X〔mm〕
V(mv)
V-X曲线如下:
直流霍尔效应
y = -0.9354x + 1.849
R2 = 0.9998
1
2
3
V(V)
word
〔1〕由上图可知灵敏度为
S=ΔV/Δ
〔2〕由上图可得非线性误差:
当x=1mm时,
×
Δm =Y=V
yFS=V
δf =Δm /yFS×100%=1.256%
当x=3mm时:
Y=×=V
Δm =Y-〔-0.94〕=V
yFS=V
δf =Δm /yFS×100%=0.915%
2、归纳总结霍尔元件的误差主要有哪几种,各自的产生原因是什么,应怎样进
展补偿。
答:〔1〕零位误差。零位误差由不等位电势所造成,产生不等位电势的主要原因
是:两个霍尔电极没有安装在同一等位面上;材料不均匀造成电阻分布不均匀;
控制电极接触不良,造成电流分布不均匀。补偿方法是加一不等位电势补偿电路。
〔2〕温度误差。因为半导体对温度很敏感,因而其霍尔系数、电阻率、霍
尔电势的输入、输出电阻等均随温度有明显的变化,导致了霍尔元件产生温度误
差。补偿方法是采用恒流源供电和输入回路并联电阻。
word
实验15 交流激励时霍尔传感器位移特性实验
一、实验目的:
了解交流激励时霍尔式传感器的特性。
二、根本原理:
交流激励时霍尔式传感器与直流激励一样,根本工作原理一样,不同之处
是测量电路。
三、需用器件与单元:
主机箱、霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、测微头、数显单元、移相器/
相敏检波器/低通滤波器模板、双线示波器。
四、实验步骤:
1、传感器、测微头安装使用同实验九。实验模板接线见如下图
word
2、首先检查接线无误后,合上主机箱总电源开关,调节主机箱音频振动器的
频率和幅度旋钮,用示波器、频率表监测Lv输出频率为1KHz,幅值为4V的峰
--峰值;关闭主机箱电源,再将Lv输出电压〔1KHz、4V〕作为传感器的激励电
压接入图15的实验模板中。
3、合上主机箱电源,调节测微头使霍尔传感器的霍尔片处于两磁钢中点,先
用示波器观察使霍尔元件不等位电势为最小,然后从数显表上观察,调节电位器
Rw1、Rw2使显示为零。
4、调节测微头使霍尔传感器产生一个较大位移,利用示波器观察相敏检波器
输出,旋转移相单元电位器Rw和相敏检波电位器Rw,使示波器显示全波整流
波形,且数显表显示相对值。
5、使数显表显示为零,然后转动测微头记下每转动0.2mm时表头读数,填
入下表。
表15交流激励时输出电压和位移数据
X(mm) 0
V(mv) 0
X(mm)
V(mv)
X(mm)
V(mv)
6、根据表15作出V-X曲线,计算不同量程时的非线性误差。
〔1〕由上图可知灵敏度为
S=ΔV/Δ
〔2〕由上图可得非线性误差:
当x=1mm时,
×
Δm =Y=V
yFS=V
δf =Δm /yFS×100%=0.278%
交流霍尔效应
y = 0.173x - 0.0179
R2 = 0.9961
-0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
00.511.522.533.544.5
X(mm)
V(V)
word
当x=3mm时:
Y=×=V
Δm =Y=V
yFS=V
δf =Δm /yFS×100%=5.25%
实验16 霍尔测速实验
一、实验目的:
了解霍尔转速传感器的应用。
二、根本原理:
利用霍尔效应表达式, UH=KHIB,当被测圆盘上装上N只磁性体时,圆
盘每转一周磁场就变化N次。每转一周霍尔电势就同频率相应变化,输出电势
通过放大、整形和计数电路就可以测量被测旋转物的转速。
三、需用器件与单元:
主机箱、霍尔转速传感器、转动源。
四、实验步骤:
1、根据图16将霍尔转速传感器安装于霍尔架上,传感器的端面对准转盘上
的磁钢并调节升降杆使传感器端面与磁钢之间的间隙大约2~3mm
word
2、首先在接线以前,合上主机箱电源开关,将主机箱中的转速调节电源
2—24V旋钮调到最小〔逆时针方向转到底〕后接入电压表〔显示选择打到20V
档〕监测大约为1.25V;然后关闭主机箱电源,将霍尔转速传感器、转动电源按
图16所示分别接到主机箱的相应电源和频率/转速表〔转速档〕的Fin上。
3、合上主机箱电源开关,在小于12VX围内〔电压表监测〕调节主机箱的
转速调节电源〔调节电压改变电机电枢电压〕,观察电机转动与转速表的显示情
况。
4、从2V开始记录每增加1V相应电机转速的数据〔待电机转速比拟稳定读
取数据〕;画出电机的V—N〔电机电枢电压与电机转速转速的关系〕特性曲线。
实验完毕,关闭电源。
V(V) 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
N(rad/s) 330 540 770 1010 1230 1450 1680 1910 2130 2360 2580
画出电机的V—N特性曲线:
霍尔式
y = 226x - 128.36
R2 = 0.9999
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
02468101214
word
五、思考题:
1、利用霍尔元件测转速,在测量上有否限制?
答:利用霍尔元件测转速时,每当磁感应强度发生变化时霍尔元件就输出一个
脉冲,如果转速过慢,磁感应强度发生变化的周期过长,大于读取脉冲信号的电
路的工作周期,就会导致计数错误。
2、本实验装置上用了6只磁钢,能否用一只磁钢?
答: 可以用一只磁钢, 只是用一只磁钢测量的灵敏度会降低。
实验17 磁电式转速传感器测速实验
一、实验目的:
了解磁电式测量转速的原理。
二、根本原理:
基于磁电感应原理,N匝线圈所在磁场的磁通变化时,线圈中感应电势:
发生变化,因此当转盘上嵌入N个磁棒时,每转一周线圈感应电势产生
N次变化。通过放大、整形和计数电路就可以测量被测旋转物的转速。
三、需用器件与单元:
主机箱、磁电式转速传感器、转动源。
四、实验步骤:
磁电式转速传感器测速实验除了传感器不用接电源外,其余完全与实验16
一样;请按图17和实验16中的实验步骤做实验。实验完毕,关闭电源
word
表17数据记录
V(V) 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
N(rad/s) 400 620 830 1050 1280 1480 1680 1910 2150 2380 2600
磁电式
y = 219.27x - 45.818
R2 = 0.9997
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
02468101214