砷化镓太阳能电池
砷化镓无机非金属材料

砷化镓无机非金属材料
砷化镓是一种重要的无机非金属材料,它由砷和镓两种元素组成,化学式为GaAs。
砷化镓具有许多优异的物理和化学性质,因此在半导体、光电子、太阳能电池等领域得到了广泛的应用。
砷化镓是一种半导体材料,具有优异的电学性能。
它的导电性介于导体和绝缘体之间,可以通过掺杂来改变其导电性质。
此外,砷化镓的载流子迁移率高,电子和空穴的迁移速度都很快,因此在高速电子器件中得到了广泛的应用。
砷化镓是一种优异的光电子材料。
它的能带结构使得它具有优异的光电转换性能,可以将光能转化为电能或者将电能转化为光能。
因此,砷化镓被广泛应用于光电子器件中,如激光器、光电探测器、光电调制器等。
砷化镓还是一种优异的太阳能电池材料。
它的光电转换效率高,可以将太阳能转化为电能。
砷化镓太阳能电池具有高效、稳定、寿命长等优点,因此在太阳能电池领域得到了广泛的应用。
砷化镓作为一种重要的无机非金属材料,具有优异的物理和化学性质,在半导体、光电子、太阳能电池等领域得到了广泛的应用。
随着科技的不断发展,砷化镓的应用前景将会更加广阔。
GaAs

特点(与Si相比)
光电转换效率高: GaAs禁带宽度比 Si大、光谱响应特性和空间太阳 光谱匹配能力亦比Si强,因此转化效率高 可制成薄膜和超薄型太阳电池: GaAs 为直接禁带半导体,光吸收率 高于Si,因此GaAs太阳能电池可制成薄膜型,质量大幅度减小 耐高温性能好 抗辐射性能好
制备技术
国外技术的发展
单结GaAs/Ge太阳能电池
多结GaAs太阳能电池
双结GaAs太阳能电池
三结GaAs太阳能电池
四结GaAs太阳能电池
单结GaAs/Ge 太阳能电池 :为克服GaAs/GaAs太阳电池 单晶材料成本高、机械强度较差,不符合空间电源低 成本、高可靠要求等缺点,1983 年起逐步采用 Ge单晶 替代GaAs制备单结GaAs电池 GaAs/Ge太阳能太阳电池的特点是:具有GaAs/GaAs太 阳能电池的高效率、抗辐照和耐高温等优点, Ge单晶 机械强度高,可制备大面积薄型电池,且单晶价格约 为GaAs的30%。单结GaAs电池结构如图所示
砷化镓LED
目前制作LED都是采用MOCVD外延工艺,以半导体砷化镓材 料作为衬底,外延生长AIGaAs三元或AIGalnP 四元系外延 层结构,可用于制造红、橙、黄光LED。
用于制造LED的砷化镓衬底材料为掺硅的N型低阻材料,为 区别于半绝缘砷化镓材料,一般也可称之为半导体砷化镓 材料。单晶的晶向为(100)偏(111)A面15°,载流子浓度为 10 5~40x /cm3,迁移度大于1500cm2/V·S,位错密度小 于5000/cm2。
神九采用三结砷化镓太阳能电池
砷化镓太阳能充电器
GaAs太阳能电池的发展
GaAs(砷化镓)

• 20世纪50年代,半导体器件的生产主要采用锗单 晶材料,到了60年代,由于硅单晶材料的性能远 远超过锗,因而半导体硅得到了广泛的应用,在
半导体材料中硅已经占据主导地位。大规模集成 电路的制造都是以硅单晶材料为主的,Ⅲ-Ⅴ族化 合物半导体如砷化镓、磷化镓、锑化铟等也越来
越受到人们的重视,特别是砷化镓具有硅、锗所
• 分解的方式在衬底上进行气相沉积(气相外延) ,生
• 长Ⅲ2 Ⅴ族、Ⅱ2 Ⅵ族化合物半导体及其三元、四元化
• 合物半导体薄膜单晶。
• 20 世纪70 年代末,MOCVD 开始用于研制
• GaAs 太阳电池。与L PE 相比,MOCVD 虽然设备
• 成本较高,但具有不可比拟的优越性。
• 3 国外技术的进展 • 3. 1 单结GaAs 太阳电池 • 3. 1. 1 单结GaAs/ GaAs 太阳电池 • 20 世纪70~80 年代,以GaAs 单晶为衬底的单 • 结GaAs/ GaAs 太阳电池研制基本采用L PE 技术生 • 长,最高效率达到21 %。80 年代中期,已能大批量 • 生产面积为2 cm ×2 cm 或2 cm ×4 cm 的GaAs/ • GaAs 电池,如美国休斯公司采用多片L PE 设备,年 • 产3 万多片2 cm ×2 cm 电池,最高效率达19 % ,平 • 均效率为17 %(AM0) ;日本三菱公司采用垂直分离 • 三室L PE 技术,一个外延流程可生产200 片2 cm × • 2 cm GaAs 电池,最高效率达19. 3 % ,平均效率为 • 17. 5 %(AM0) 。此外,国外也用MOCVD 技术研制 • GaAs/ GaAs 太阳电池,美国生产的GaAs/ GaAs 太阳 • 电池,批产的平均效率达到了17. 5 %(AM0) 。 • 3. 1. 2 单结GaAs/ Ge 太阳电池
砷化镓太阳能电池的实际应用

摘自北极星太阳能光伏网
该研究得到国家自然科学基金、中科院知识创新 工程重要方向项目、苏州市科技专项等相关支持 。
图1. 基于高效砷化镓电池的聚光型光伏发电模组
来源:21世纪新能源网
图2. 基于高效砷化镓电池的聚光型光伏 发电系统
来源:21世纪新能源网
神舟九号飞船强大的心脏:太阳能电池和储能系统
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在2008年,全球的砷化镓电池的生产取得突破性的发展,4月,作为砷化 镓生产的全球主要厂家之一SpectroLab,获得350兆瓦,9300万美元 (1000倍聚光)的电站订单。 2007年8月开始,由于聚光技术的采用,砷化镓电池从卫星上的使用转变 为聚光的太阳能发电站的规模应用。为此,Emcore公司花了1000万美 元,将产能增加到目前的每年150兆瓦。 在东亚地区,也有初步的生产推广,2008年5月,韩国电站就接到70兆瓦 ,2800万美元(500倍聚光)的订单。
6月16日18时49分,神舟九号飞船(下称“神九飞船”)发射12分钟后,在浩瀚太 空中成功展开位于两侧的太阳能电池帆板,犹如神九飞船长出的一对美丽翅膀。 事实上,这对太阳能电池帆板,正是神九飞船的“翅膀”,为其遨游太空解,从神一到神七,飞船“翅膀”上 安装的都是晶硅太阳能电池,但神九采 用的三结砷化镓电池,其光电转化效率 可达30%左右,较之以前的晶硅电池, 其光电转化效率提高了50%以上;与之前 同样面积的太阳能帆板相比,其使所发 出的电能也增加了50%以上。
目前市场上的砷化镓电池
产品详情
• 据悉,目前某些国内企业正在从事将三结砷化 镓太阳电池应用于地面的工作,通过减小电池 的面积,用聚光材料把数百倍的太阳光聚焦到 非常小的电池片上,以减少成本;此外还需要安 装对日跟踪装置追随阳光踪迹,在聚光条件下 其理论光电转换效率可达到40%。 • “不过,目前三结砷化镓太阳电池工艺复杂、生 产成本还非常高,还要解决很多问题,所以暂 时难以进入大规模推广阶段。”据孟宪淦透露, 目前三结砷化镓电池的成本高达数千元/瓦,远 高于目前15元/瓦的普通多晶硅电池系统成本。 然而,有业内人士预测,在未来几年,随着生 产技术的持续进步,聚光型砷化镓太阳电池地 面应用成本有望不断下降,并逐渐进入快速发 展阶段。
砷化镓衬底用途

砷化镓衬底用途砷化镓(GaAs)衬底是一种用于制造光电子器件的重要材料。
它具有许多独特的优点,使其在光电领域中得到广泛应用。
以下是砷化镓衬底的一些主要用途:1.光电子器件制造:砷化镓衬底常用于制造半导体激光器、光电二极管、光电晶体管、光电倍增管等光电子器件。
它的直接能隙宽度较大,使其能够在可见光到红外光范围内产生、放大或探测电磁辐射。
与其他半导体材料相比,砷化镓在高频率下有较高的载流子迁移率,表现出更好的高速性能。
2.太阳能电池:由于砷化镓在太阳光谱范围内有较高的吸收率,并且具有较高的电子迁移率,因此它被广泛应用于高效率太阳能电池的制造。
与传统的硅基太阳能电池相比,砷化镓太阳能电池具有更高的转换效率和更好的光伏性能,尤其在高温和弱光条件下表现出更大的优势。
3.光纤通信:砷化镓衬底也被用于制造高速光纤通信器件,如光电调制器、激光调制器和光放大器。
砷化镓材料的宽禁带带来了较高的速度响应,使其能够实现高速光信号的调制和放大,从而提高光纤通信的传输速率和信号质量。
4.雷达和卫星通信:砷化镓衬底的高电子迁移率和宽禁带特性使其适用于雷达系统和卫星通信。
它在高频率下的性能表现优异,能够在较高的工作频率范围内稳定工作,提供更高的传输速率和较低的功耗。
5.模拟电路和微波器件:砷化镓衬底还被广泛应用于模拟电路和微波器件的制造。
由于其高电子迁移率和优异的微波性能,砷化镓器件可以实现更高的工作频率、更低的噪声和更大的功率输出,从而满足高性能通信和雷达系统的需求。
总而言之,砷化镓衬底具有广泛的应用前景,特别是在光电子、太阳能、通信和雷达等领域。
随着技术的不断进步,砷化镓衬底仍然在不断演进和创新,为各种光电器件的发展提供了更多的机会和挑战。
半导体砷化镓

半导体砷化镓
半导体砷化镓是一种常见的III-V族化合物半导体材料。
它由镓和砷元素组成,化学式为GaAs。
砷化镓具有许多优异的电学和光学性能,因此被广泛应用于电子器件和光电器件领域。
砷化镓具有较高的电子迁移率和较大的能带间隙,这使得它在高频电子器件和光电器件中具有独特的优势。
它可用于制造高速场效应晶体管(HEMT)和金属半导体场效应晶体管(MESFET)等高频功率放大器。
此外,砷化镓还可用于制造光电二极管(LED)和激光器等光电器件,其高光电转换效率和快速分子振荡特性使其成为光通信和光存储技术的理想选择。
砷化镓还广泛应用于太阳能电池领域。
由于其较高的吸收系数和较长的载流子寿命,砷化镓太阳能电池具有较高的光电转换效率和较强的抗辐照能力。
此外,砷化镓还可与其他半导体材料组成多接触式太阳能电池,以实现更高效的光电转换。
总之,半导体砷化镓是一种重要的半导体材料,具有广泛的应用前景。
它在电子器件、光电器件和太阳能电池等领域的应用,将推动科学技术的发展,并为人们生活带来更多便利和可能性。
苏州纳米所基于高效砷化镓电池的聚光光伏发电系统获进展
苏州纳米所基于高效砷化镓电池的聚光光
伏发电系统获进展
基于高效砷化镓电池的聚光型光伏发电系统是未来光伏领域的重要发展方向,具有稳定、高效、低成本等诸多优越性。
太阳能光伏发电厂有明显的节能减排效果,同时大大减小了土地使用面积,发电系统所覆盖的土地也可以间歇性的受到光照,不影响当地植被的生存,具有就近就地分散发供电,进入和退出电网灵活的显著特点。
最近,中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所系统集成部设计开发了4*6形式的基于高效砷化镓电池的聚光发电系统,并成功投入实际运行。
模组光电转换效率达到了25%,解决了风沙侵蚀、尘埃进入、水汽渗透等一系列应用难题,克服了500倍聚光比条件下,局部高温制约光电效率提高的问题;系统实现了在日照、全天候、全方位的条件下始终跟踪太阳,跟踪精度达到了±0.1度;攻克了高分子聚光器在日照下易老化、黄化、下沉、破裂的弊端,摸索了具有针对性的砷化镓电池封装工艺,并在模组中引入二次聚光系统增大了系统的接受角,提高了系统的实用性能。
此项工作的顺利实施,推动聚光光伏系统从实验室走向了实际应用环境。
在保障各技术指标的前提下,研究人员破除了一系列工艺、设计问题,为聚光光伏领域的规模化推动夯实了技术基础。
该研究得到国家自然科学基金、中科院知识创新工程重要方向项目、苏州市科技专项等相关支持。
图1. 基于高效砷化镓电池的聚光型光伏发电模组图2. 基于高效砷化镓电池的聚光型光伏发电系统。
利用砷化镓半导体制备高性能光电器件
利用砷化镓半导体制备高性能光电器件砷化镓(GaAs)是一种宽禁带半导体材料,具有优异的光电特性,因此被广泛应用于光电器件的制备。
光电器件是将光能转化为电能或将电能转化为光能的装置,如太阳能电池、光电导板等。
砷化镓半导体在这些器件中发挥着重要的作用。
首先,砷化镓半导体具有优异的光电转换效率。
由于其较宽的能带间隙和高的电子迁移率,砷化镓半导体能够有效地吸收并转换光能。
太阳能电池是一个典型的光电器件,它能够将太阳光中的能量转化为电能。
利用砷化镓半导体制备的太阳能电池具有高效率、稳定性好的特点,成为太阳能利用的重要途径。
其次,砷化镓半导体具有高速度和低功耗的优点。
由于砷化镓半导体在光电转换过程中具有较高的载流子迁移率,它能够实现快速的信号响应。
因此,利用砷化镓半导体制备的光电器件在通信领域有着广泛的应用。
如光纤通信系统中的探测器和放大器都采用了砷化镓半导体材料,它们能够实现高速率的数据传输和低功耗的工作。
此外,砷化镓半导体还可以实现多功能集成。
砷化镓半导体的制备工艺相对成熟,可以实现多种功能的集成。
例如,在光电导板中,砷化镓半导体可以实现光探测和光发射功能的集成,从而实现光电转换的全过程。
这样的器件具有体积小、功耗低的特点,对于光通信和光信息处理领域具有重要意义。
然而,虽然砷化镓半导体有着广泛的应用前景,但还存在一些问题亟待解决。
首先,砷化镓半导体材料成本较高,抬高了光电器件的制造成本。
其次,由于砷化镓半导体材料的热导率较低,长时间高功率工作会使器件发热严重,降低了器件的可靠性。
因此,如何降低材料成本和改善器件的散热性能是当前研究的重点。
为了降低砷化镓半导体材料成本,研究人员正在寻找替代材料。
例如,将砷化镓半导体与其他低成本的半导体材料进行复合制备,可以降低材料成本,同时保持光电转换性能。
此外,还可以通过改进砷化镓半导体材料的生长工艺,降低制备成本。
对于器件散热性能的改善,也有两种方法可供选择。
一种是改进材料的导热性能,例如在砷化镓半导体材料中引入导热增强剂,提高材料的热导率。
砷化镓的制备和使用1
砷化镓的制备和使用1砷化镓的制备和使用1砷化镓(GaAs)是一种重要的半导体材料,具有优异的电子器件性能和光电特性,被广泛应用于光电子器件、微电子器件、太阳能电池等领域。
在下面,我将详细介绍砷化镓的制备方法和使用。
分子束外延法是一种高真空条件下进行外延生长的方法。
首先,在外延衬底上通过热解的方式获得高纯度的砷和镓源,然后利用高温热蒸发使其蒸发,并通过分子束使其束流到达衬底上。
在衬底上,砷和镓会反应生成砷化镓晶格。
通过调整衬底、温度、束流能量等条件,可以控制砷化镓的外延生长速率和晶格结构,从而得到所需的砷化镓薄膜。
金属有机化学气相沉积法是一种将金属有机化合物分解为金属元素,进而通过化学反应生成相应化合物的方法。
具体而言,通过热解有机金属化合物(如TMGa和AsH3)产生金属原子,并通过传递到衬底上并与衬底上的元素反应而生成砷化镓。
与MBE相比,MOCVD方法具有外延层均匀性好、生长速率大等优点。
砷化镓的一种重要应用领域是光电子器件。
由于砷化镓具有直接能隙和高电子迁移率等特点,因此可以用于制造高速、高频率的光电器件。
例如,砷化镓可以制造高功率激光器和光电二极管。
在高功率激光器中,砷化镓作为活动层可以通过载流子的复合获得激光输出;而在光电二极管中,砷化镓作为接收器可以将光信号转化为电信号。
此外,砷化镓还可以应用于微电子器件领域。
砷化镓的高迁移率和噪声特性使其成为高性能射频(RF)器件的理想材料。
例如,砷化镓可以制造高迁移率电子晶体管(HEMT),被广泛用于无线通信领域,如无线基站的低噪声放大器和功率放大器中。
此外,砷化镓还可以用于太阳能电池。
砷化镓太阳能电池具有高效、高稳定性以及较高的能量转换效率,是目前太阳能电池的主要类型之一、通过不同的电池结构和工艺,可以调控砷化镓太阳能电池的能带结构和光吸收性能,从而提高光电转换效率。
总体而言,砷化镓是一种非常重要的半导体材料,具有广泛的应用前景。
通过不同的制备方法和工艺,可以制备出不同结构和性能的砷化镓材料,并应用于光电子器件、微电子器件、太阳能电池等领域。
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分 子“ 电动 车"
据英 国广播公司 ( B ) B C 报道 , 兰科 荷 学家展示 了全球 最小的、 由单个分子制成 的分子 “ 电动 车” 该 “ , 电动车 ” 也有 4个 “ 轮子” 当施加微 弱电流时 , 向前行驶。 , 会 科学家们表示 , 这种分子“ 电动车” 有望应 用 于许 多微 观 领 域 , 比如 把 微 量 药 物 送 到 人体特 定位 置等 。相 关研 究 发表 在 最 新一 期《 自然》 杂志上。 未来任何在纳米尺度工作 的人工运输 装 置和机 器 人 , 可 能 需 要 能 在 一 个 表 面 都 上定 向平移 的分 子。然而, 在设计这种分 子时, 科学家们通常利用光能、 化学能或 电 能来调控该分子 与表 面的互 动 , 研究工作 面 临很 大 障碍 。 荷兰屯特大学的化学家蒂博尔 ・ 贝 库 纳奇领 导 的科研 小 组 通过 将 4个 旋 转 的运 动单元 ( 相当于汽车的4个轮子 ) 附着到一 个 中心 轴 上 , 造 出一 个 可 定 向移 动 的 分 制 子。如果用特别细小 的探针触碰一下该分 子, 为之提供微弱电流, 4个“ 轮子” 就会开 始旋转 , 驱动 整个分子前行。他们 在铜板 表面对分子 “ 电动 车” 进行 了测试 , 结果 显 示, 施加 1 O次电流 , 该分子 “ 电动车” 就可 以行进 6纳米 。 库贝纳奇解释说 , 这辆 “ 电动车” 的工 作原理与很多生物体组织 中天然存在的现 象 类似 。在 机 体 组织 中 , 些 蛋 白质 受 电 有 流刺激后 会变 形 , 而 产 生运 动 , 肉收 缩 从 肌 就 是基 于该 原 理 。在 该 研 究 中 , 加 电 流 施 后, 转子吸收电子 , 会诱导转子 的结构发生 变 化 , 动 该 分 子 在 铜 表 面 移 动 。通 过 改 推 变各运动单元 的旋转运动方 向, 这个 自我 推进 的分子“ 四轮” 结构便能沿随机 的轨迹 运动或优先沿线性轨迹运动。库贝纳奇指 出, 这种设计 为探索更复杂 的分子机 械系 统提供了起点 , 未来科 学家们或许 能对 它 们的运动方向完全进行控制。 不过 , 因为最 新研 究 是 在 一26 的低 2℃ 温和高度真空环境 中完成 的, 这样 的分子 “ 电动 车 ” 用 于 实 际还 很 遥 远 , 务 之 急 应 当 是让其能在正常环境下工作。
砷 化镓 太 阳能 电池
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21 0 第 4期 ( 第 1 3期 ) 1年 总 2
新 型 电 力 电 子 芯 片
由江苏宏微科技有限公 司 自主研发的 大 功 率 超 快 速 软 恢 复 外 延 型 二 极 管 ( R D 芯片和 10 V 10V大功率绝缘 FE ) 20 / 70 栅双极晶体管 (G T 芯片 , 1 IB ) 于 0月 2 5日 顺 利通 过有关 专 家 组鉴 定 。专 家组 一 致 认 为, 该公司自主研制 的非穿通型( P )G N T I— B T芯片和 F E R D芯片, 主要性能指标均达 到国际先进水平 , 中 10 V IB 其 20 T主要性 G 能指标 超 过 了 国 际 同类 产 品 的 先 进 水 平 。 标 志 着我 国新 型 电力半 导 体器 件 从 此走 上 了产业 化 道 路 , 始 追 赶 并 逐 渐 超 越 世 界 开 领先水 平 的新里 程 。 IB G T和 F E R D器件 是 电力 电子装 置 和 系统中的 C U 被国际 电力电子行业公认 P, 为电力电子技术第三次革命最具代表性 的 器件。新 型 电力 电子技术 是 改造传 统工 业、 促进新 型高新 技术产业发展的关键技 术之一 , 可广泛应用于风力发 电系统 、 阳 太 能电源、 航空、 航天等多个领域。 近年来 , 国电力 电子器件 的市场一 我 直保持快速增长的势头。2 1 年预计市场 0 1 销售收入总额将突破 18 60亿元 , 年均增长 率将达到 2 . %。在分立器件 中, 01 大功率 高频新型电力半导体器件 I B 、 D O G T V M S和 FE R D是增 长最快 的器 件 , 增 长速 率 将达 年 到 2 %左 右 。 5 江苏宏微科技 有限公 司副 总裁 、 片 芯 事业部总经理刘利峰介绍 , B I T和 F E G RD 产 品在 国 外 发 达 国家 已 经 成 熟 发 展 了 2 O 余 年 , 我 国一 直 处 于科 学 研 究 和 试 验 样 但 品阶段 , 要参 数 不 能 满 足 工 业 化 的生 产 主 需要 。宏 微 科 技 具 有 自主 知 识 产 权 IB GT 和 FE R D产 品 的产 业 化 生 产 , 仅 打 破 了 不 我国电力电子系统与装置对 国外产品的长 期依 赖 , 少 了我 国 系 统 与 装 置 的生 产成 减 本, 增加我国整机 产品在 国内外市场 的竞 争力, 同时 , 对高污染、 低效率 的传统 工业 进行彻底改造和更新换代 , 减少工业污染 , 提高电能和其它 资源 的使 用效率 , 都起 到 了推动作 用 。
21 0 第 4期 ( 第 1 3期 ) 1年 总 2
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光 学精 密 机 械
源转化效率和提供的电压就越高。外部荧 光是太 阳能电池转化效 率达 到理论最大 值—— 肖克莱 ・ 奎塞尔效率极 限的关键。 对于 单 P n — 结太 阳能电池来说 , 这个最大 值约 为 3 . % 。 35 ” 参与研 究 人 员 欧 文 ・ 勒 解 释 道 , 米 在 太 阳能 电池 的 开路 环境 中 , 电子无 处 可 去 ,衡入射的太阳光。 基于此 , 由亚布鲁诺维契联合创 办的 阿尔塔设备公司使用亚布鲁诺维契早期研 发的单 晶薄膜技术——外延层剥离技术 , 用砷化镓制造出了最高转化效率达 2 .% 84
限。
过去 , 学家们都强调通 过增加太 阳 科 能吸 收光子 的数 量 来 提升 太 阳能 电池 的效
快速提取 出的电子会衰变并释放出 自己的 能量 。 美国能源部下属的劳伦斯伯克利 国家 实验室科学家伊 莱 ・ 亚布鲁诺维契领导 的 研究表明 , 如果这些释放 的能量作 为外部 荧 光排 放 出来 , 阳能 电 池 的 输 出 电压 就 太 会提高。亚布鲁诺维契说 : 我们 的研究表 “ 明, 太阳能电池释放光子 的效率越高 , 能 其