模电重点章节
模电第六章知识点总结
模电第六章知识点总结一、运算放大器（Operational Amplifier，简称Op Amp）1. 运算放大器的基本概念：运算放大器是一种主要用于进行信号放大、滤波、比较、积分等运算的集成电路。
它具有高输入阻抗、低输出阻抗、大增益、高共模抑制比和宽带宽等特点。
2. 运算放大器的基本结构：运算放大器通常由一个差分放大器和一个输出级组成。
差分放大器提供了高增益和高输入阻抗，而输出级则提供了低输出阻抗和大功率放大。
3. 运算放大器的理想特性：理想的运算放大器具有无穷大的输入阻抗、零的输入偏置电压、无穷大的增益、无限带宽和零的输出阻抗。
4. 运算放大器的实际特性：实际的运算放大器会受到限制，例如有限的共模抑制比、有限的带宽、输入偏置电压和温度漂移等。
5. 运算放大器的虚短片段模型：运算放大器可以用虚短片段模型来进行分析，其中将输入端和输出端分别连接到地和反馈节点，其他端口则可以忽略。
6. 运算放大器的常见应用：运算放大器常用于反馈放大电路、比较器电路、积分电路、微分电路、滤波电路等。
7. 运算放大器的反馈模式：运算放大器的反馈模式主要包括正反馈和负反馈。
负反馈可以稳定放大器的增益和频率特性，而正反馈则会增加放大器的增益和非线性失真。
二、电压比较器1. 电压比较器的基本概念：电压比较器是一种将两个电压进行比较，并输出相应逻辑电平的集成电路。
它通常具有高增益、快速响应和高输出驱动能力等特点。
2. 电压比较器的工作原理：电压比较器通过将两个输入电压进行比较，当一个电压高于另一个电压时，输出为高电平；反之则为低电平。
3. 电压比较器的应用：电压比较器广泛应用于电压检测、开关控制、信号处理、电压测量和触发器等领域。
总结：模电第六章主要介绍了运算放大器和电压比较器的基本概念、工作原理、特性和应用。
掌握这些知识点，可以为我们设计和分析各种电路提供基础。
同时，对于提高我们的工程能力和电子技术水平也是非常有用的。
模电期末复习提纲
期末复习提纲一、复习大纲：第一章绪论1.基本要求1．了解信号、频谱、模拟电路与数字电路等一些基本概念。
2．理解电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的基本概念，理解放大电路的模型。
3．掌握放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、通频带等主要性能指标。
2.重点：电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的输入电阻、输出电阻、增益及每种电路的应用场合第二章运算放大器1.基本要求1）了解集成运放电路的组成及成为线性电路的条件。
2）熟练掌握运用虚短和虚断的概念来分析基本运放电路。
3）熟练掌握比例、加减、积分运算电路。
2.重点：虚短和虚断的概念，理想运放所组成的电路的分析方法，并结合比例、加减、积分运算电路理解如何分析。
（大题出题点）。
第三章二极管及其基本电路1.基本要求1．了解本征半导体、空穴及其导电作用，2．理解P型半导体和N型半导体中的多子与少子及其决定因素以及与本征半导体导电的区别3．了解PN结的形成，掌握PN的单向导电性和V-I特性，理解PN结的反向击穿现象4．了解半导体二极管的结构，掌握它的V-I特性曲线。
5．掌握二极管的正向V-I特性建模，并会分析和计算由二极管组成的不同电路。
（P78-P81这4点应用）6．掌握稳压管工作特性，并分析常用的稳压电路，了解其它的特殊二极管。
2.重点：二极管V-I特性，二极管电路的分析与计算（出中大题点）。
第四章双极结型三极管及其放大电路基础1.基本要求1．了解BJT结构，理解电流分配与放大作用，各极电流间的关系，掌握BJT的输入、输出特性曲线和主要参数。
注意αβ的定义式及其应用2．理解共射极放大电路的工作原理。
3．理解用图解法来分析放大电路的静态工作点和动态工作情况。
（注意静态工作点设置与失真问题）4．掌握用小信号模型法分析共射电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。
5．理解温度对静态工作点的影响，掌握射极偏置电路能稳定Q点的工作原理。
6．理解用小信号模型来分析共集电极电路和共基极电路的分析，并能对三种基本组态电路进行比较。
模电第1章复习精简版
第一章
半导体器件
价电子
(a) 硅、锗原子结构 最外层电子称价电子 4 价元素
+4
惯性核
4 价元素的原子常常用 + 4 电荷的正离子和周围 4 个价电子表示。
(b) 简化模型
图 1-1 原子结构及简化模型
第一章
半导体器件
2）
本征半导体的原子结构
完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导 体称为本征半导体。
带负电的自由电子 带正电的空穴
2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现， 称为 电子 - 空穴对。
3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 表示，显然 ni = pi 。 4. 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又 不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动会达到 平衡，载流子的浓度就一定了。 5. 载流子的浓度与温度密切相关（它随着温度的升 高，基本按指数规律增加）。
I / mA
60 40 死区 20 电压
0 0.4 0.8 U / V
正向特性
第一章
半导体器件
I / mA
–50 –25
– 0.02
2. 反向特性 二极管加反向电压，反 向电流很小； 当电压超过零点几伏后， 反向电流不随电压增加而增 大，即饱和；
0U / V
反向饱 和电流
– 0.04
反向特性
如果反向电压继续升高，大到一定数值时，反向电 流会突然增大；
(a)N 型半导体
(b) P 型半导体
杂质半导体的的简化表示法
第一章
半导体器件
1.2 半导体二极管
1）PN 结的形成
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另 一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了 一个特殊的薄层，称为 PN 结。
模电重点
p298的例题8.3p295的集成电路同步计数器p293的同步二进制计数器（必考）（基本原题）！！！p280例题8.2（必考）p274 的jk触发器（基础知识）P260的7.23(每年都考！！原题！！！)P253的例题7.8卡诺图p185 的公式（必考）p169的5.2（桥式整流电路）p13 1的Rc整流电路第三章的反馈P79的2.4和2.5P65共模抑制比第二章的基本放大电路的静态分析与动态分析第一章的几种二极管和进制转换亲爱的，遇到不懂的千万不要问我，因为学姐也不懂。
作为一个数电模电只学了一天半的人，只能感谢我们可敬可爱的老爷爷给我们画了题～～～看在我辛辛苦苦的翻箱倒柜找到我的书，又一字一字的敲下来的份上一定要好好复习喔～～～愿你也会取得一个很棒的成绩，加油～～～小诺O(∩_∩)O******以下是我们那年主要考点（未必适用于每一年，不过大题背背无妨，背公式背计算背结果囧）1、1.3稳压二极管（大题）整流，滤波，稳压的作用P1602、2.2三极管放大电路（大题）画微变等效电路，P38-41过程+例题2.2.2共发射极例题2.12.5差分放大电路差膜，共膜，共膜抑制比2.6功率放大电路甲型，乙型，甲乙型3、3.2放大电路中的反馈（大题）例题，反向比例，同向比例，加法电路，减法电路，P1073.2.5负反馈的影响4、5.4稳压电路5.4.1稳压管稳压电路P160例5.35、6.4逻辑函数的简化（大题）作业题P199，最简表达式，与非、与或非…6、7.4逻辑函数（大题）138译码器，四选一，八选一，P249P251P250图7.66图7.69例7.6例7.77.5冒险现象冒险现象情况7、8.4计数器8.4.2同步计数器（大题）同步二进制：T'型jk触发器，状态真值表（求次态），状态图（用二进制）8、9存储器9.2.3RAM扩展位扩展，字扩展，芯片数/L=总容量/每片芯片容量*总字长/每片字长,ROM、D-ROM、S-RAM是什么******以下是我们那年的重点（这个就还适用）1、选择题2、填空题3、二极管：PN结，P、N半导体，扩散漂移电流，二极管导通条件，导通后波形，稳压二极管，二极管并联（端电压高，抢先导通）4、三极管：单级、共射极为重点，分雅诗，共射极单管三极管，单管放大器，三级与三种状态的工作关系，Re、Ce带，微变等效电路的静动态参数，放大电路反馈，直流稳压电源（全波整流，接反），交->直->整->虑->稳，震荡的起振条件和平稳条件5、逻辑函数：公式法，卡诺图，与非门（逻辑符号）时序电路CD或jk触发器，T、T'触发器，特征方程，分析计数器，状态图表计数器：用芯片设计各进制触发器6、存储器：无大题第一章1.5不要但是可能会有一道选择填空第二章2.3 2.5 2.6 2.7不要第三章3.4.3 3.4.4 .3.4.5 3.5不要第四章只要4.1.2 4.1.3第七章7.4.3不要10 11章不看再说说重点部分啊可能出大题的第一章第二章课后题作业的都要看你都要看利用虚短虚段做题这第四章就是那个平衡条件会考填空吧第五章就是课后题前四道第六章的化简6.4第七章7.2 7.4第八章8.2.2 8.4.3第九章填空选择吧就这些。
模电重点知识总结(1-3章)
分析指标：IBQ、ICQ、VCEQ 分析方法：图解法、估算法、大信号等效 分析指标： rbe、gm、rce、ib、ic
交流分析法
分析方法：图解法、小信号等效电路法
图解分析法
图解法 直流分析 利用三极管的输入、输出特性曲线与管外电路所 确定的负载线，通过作图的方法进行求解 优点：便于直接观察 Q 点位置是否合适，输出信号 波形是否会产生失真 要求：已知三极管特性曲线和管外电路元件参数
共发射极
IC
电路模型 IB IC
C B
直流简化电路模型
IB 0
CBLeabharlann IC 0CIB
B E
T
E
VBE
E
+ -
E
E
E
混合 型小信号电路模型
若考虑rbb、忽略rbc影响，整理后即可得出混合 型电 路模型。 ib r c b c ic
b IEQ过大rbe过小 时，才考虑rbb
bb
3kΩ
V2 + 9V D1 A
VAO O
V1 + 6V
3kΩ V2 +
+ VAO -
VAO也等于 - V1= - 6V
9V -
O
例2.在0≤t≤10ms内，画出图中所示电路输出电压vO（t） 的波形。①二极管是理想的②使用恒压模型
R1 200Ω D 5V
vI + （ t） -
①将D两端断开,求vD R2 v I + vD 5 0.2v I 5 R1 R2 R2 vO （t） v <0V,0.2V -5<0时,V <25V,D截 50Ω -
vI
（t） -
-
模电章节复习要求
低通、高通、带通、带阻
有源滤波电路的主要性能指标
Aup、 Au 、 fP等。
单片机原理及应用
华侨电大工学电电子工教电学子部教学部
qwLin
复习1
本章重点：
模拟电子技术
1. 比例、求和及积分电路的综合运算。
2.有源滤波电路的基本概念(二阶低通滤波电路)。
本章应掌握：
1. 比例、求和、积分等运算电路的工作原理和分析方法。 2.模拟乘法器的原理和应用。 3. 有源滤波电路的组成原理及应用。
3. 理想集成运算放大电路（IC）的性能指标。
本章应掌握：
1.集成运算放大电路的电路组成和各部分的作用。
2.电流源电路的工作原理、特点。
3. 主要指标参数的物理意义和使用。
单片机原理及应用
华侨电大工学电电子工教电学子部教学部
qwLin
复习1
模拟电子技术
第5章 放大电路的频率响应
本章主要内容：
1. 放大电路对信号频率的适应程度，即信号频率对放大倍 数的影响。
2.掌握串联反馈式稳压电路的工作原理及电路分析计算方 法。
3. 了解三端集成稳压器的应用。
本章应掌握：
1.直流电源的组成和各部分作用。 2.半波、桥式整流电路的工作原理，输出平均电压、电流
的估算。
3.滤波电路的原理，输出平均电压的估算。 4.稳压管稳压电路的工作原理及特点，限流电阻R的估算。 5.串联型稳压电路的工作原理，输出调节电压的估算。 6.三端稳压器的工作原理及应用
电流源为运放各级提供合适的静态电流、作有源负载，以 提高运放增益。
镜像电流源、比例电流源、微电流源、加射极输出器的电 流源、威尔逊电流源、多路电流源
模电重点知识点总结
模电重点知识点总结模拟电路是电子工程中非常重要的一部分，它是将模拟信号转化为数字信号的基础，是许多电子设备中必不可少的一部分。
本篇文章总结了模拟电路的重点知识点，其中包括基本概念、运算放大器、放大器的基本电路、滤波器以及反馈电路。
一、基本概念模拟电路学科的基础是电子学，模拟电路是在电子学的基础上发展出来的。
模拟电路是使用模拟信号（即具有连续变化的信号）来进行处理和传输的电路系统，模电电路学科的重点是模型的构建和研究。
模型是为了研究和分析电路行为而建立的，包括元器件模型和电路模型两大类。
电路模型是把现实电路抽象成一种理想化的形式，以便于计算机分析和求解。
元器件模型可以在真实电路中被观测到，并用来构建电路模型。
在电子电路中，元件是构成电路的基本单元。
其中，二极管、晶体管、场效应管、放大器、集成电路等元件是模拟电路中最基本的元件。
同时，电阻、电容、电感等被用来构建各种基本电路。
二、运算放大器运算放大器是模拟电路中非常基本的元件，它的主要作用是放大电压。
它由电路图中两个输入端、一个输出端，以及一些内部元件所组成。
其中，反馈元件是运算放大器重要的特征，因为它对运算放大器的电路行为产生了显著的影响。
反馈可以使放大器的放大增益更加稳定，但如果反馈网络设计不当，可能会引起放大器的振荡。
运算放大器有两种输入方式：一种是差分输入，一种则是单端输入。
差分输入的两个输入端之间的电压差是放大器输入信号的一部分。
当放大器的两个输入端的信号相同时，差分输入电路可以过滤掉这些信号的共同部分，只保留差异部分。
而单端输入则是将输入信号连接到放大器的一个输入端，将另一个端子地接。
如果输入信号与地之间有电压差，则放大器将按比例返回这个电压信号。
三、放大器的基本电路放大器是模拟电路中最为基本的电路之一，并且有其他电路中无法替代的作用。
放大器的主要功能是将输入信号变大，并将其输出到一个外部负载。
其中常用的放大器电路有：共射放大（cs）电路、共基放大（cb）电路、共集电极放大（ce）电路、差分放大器等。
模电知识点总结讲义
模电知识点总结讲义第一部分：基本概念1. 电子元件电子元件是指能处理信息的基本部件，包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。
- 电阻：用于限制电流或降低电压的元件。
- 电容：用于储存电荷或储存能量的元件。
- 电感：用于储存磁场能量或阻碍电流变化的元件。
- 二极管：用于整流、开关、放大等功能的元件。
- 晶体管：用于放大、开关、稳压等功能的元件。
2. 电路电路是由电子元件连接而成的路径，用于传输电流或信号。
- 直流电路：电流方向不变的电路。
- 交流电路：电流方向时而正时而负的电路。
- 数字电路：用于处理数字信号的电路。
- 模拟电路：用于处理模拟信号的电路。
3. 电路分析电路分析是指根据电路中元件的特性和连接关系，计算电压、电流等参数的过程。
- 基尔霍夫定律：电路中各节点的电流代数和为零。
- 欧姆定律：电流与电压成正比，电阻是电压和电流的比值。
- 诺顿定理：任意线性电路均可用一个等效的电压源和串联电阻来替代。
- 戴维南定理：任意线性电路均可用一个等效的电流源和并联电阻来替代。
4. 信号处理信号是指传输信息的载体，信号处理是对信号进行增强、滤波、调制等操作的过程。
- 放大器：用于增强信号幅度的电路。
- 滤波器：用于去除或增强特定频率的电路。
- 调制器：用于将低频信号调制到高频载波上的电路。
第二部分：放大器1. 放大器类型- 基本放大器：包括共射、共集、共底极等类型。
- 差分放大器：用于抑制共模信号的放大器。
- 电压跟随器：用于输出跟随输入信号的放大器。
2. 放大器设计- 选型：根据放大器的功率、频率、噪声等性能要求选择适当的器件。
- 偏置：通过电阻、电容等元件来设置放大器工作点。
- 反馈：通过串联或并联的电阻、电容等元件来控制放大器的增益、带宽等性能。
3. 放大器应用- 信号放大：用于将传感器输出的微弱信号放大到可测量范围。
- 信号传输：用于增强信号以便传输到远处或驱动加载。
第三部分：滤波器1. 滤波器类型- 低通滤波器：允许低频信号通过，阻断高频信号。
模电知识点总结
第一章绪论1.掌握放大电路的主要性能指标：输入电阻，输出电阻，增益，频率响应，非线性失真2.根据增益，放大电路有那些分类：电压放大，电流放大，互阻放大，互导放大第二章预算放大器1.集成运放适合于放大差模信号2.判断集成运放2个输入端虚短虚断如：在运算电路中，集成运放的反相输入端是否均为虚地。
3.运放组成的运算电路一般均引入负反馈4.当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。
5.根据输入输出表达式判断电路种类同相：两输入端电压大小接近相等，相位相等。
反相：虚地。
第三章二极管及其基本电路1.二极管最主要的特征：单向导电性2.半导体二极管按其结构的不同，分为面接触型和点接触型3.面接触型用于整流。
点接触型用于高频电路和数字电路4.杂质半导体中少数载流子浓度只与温度有关5.掺杂半导体中多数载流子主要来源于掺杂6.在常温下硅二极管的开启电压为0.5伏，锗二极管的开启电压为0.1伏7.硅二极管管压降0.7伏，锗二极管管压降0.2伏8.PN结的电容效应是势垒电容,扩散电容9.PN结加电压时,空间电荷区的变化情况正向电压:外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱内电场,扩散加剧反向电压:外电场使空间电荷区变宽,加强内电场,阻止扩散运动进行10.当PN结处于正向偏置时,扩散电容大.当PN结反向偏置时,势垒电容大11.稳压二极管稳压时,工作在反向击穿区.发光二极管发光时,工作在正向导通区12.稳压管称为齐纳二极管13.光电二极管是将光信号转换为电信号的器件,它在PN结反向偏置状态下运行,反向电压下进行,反向电流随光照强度的增加而上升14.如何用万用表测量二极管的阴阳极和判断二极管的质量优劣?用万用表的欧姆档测量二极管的电阻,记录下数值,然后交换表笔在测量一次,记录下来.两个结果,应一大一小,读数小的那次,黑表笔接的是阳极,红表笔接的是阴极.这个读数相差越多,二极管的质量越好.当两个读数都趋于无穷大时,二极管断路.当两个读数都趋于零时,二极管短路第四章双极结型三极管及放大电路1.半导体三极管又称双极结型三极管,简称BJT是放大器的核心器件2.采用微变等效电路求放大电路在小信号运用时,动态特性参数3.晶体三极管可以工作在:放大区,发射结正偏,集电极反偏饱和区,发射结集电极正偏截止区,发射结集电极反偏4.NPN,PNP,硅锗管的判断5.工作在放大区的三极管，若当Ib 以12Aμ增大到22Aμ时，Ic从1mA变为2mA，β约为1006.直流偏置电路的作用是给放大电路设置一个合适的静态工作点，若工作点选的太高——饱和失真。
模电总结知识点复习资料大全
模电总结知识点复习资料大全第一章节半导体二极管的基本原理一.半导体的基础知识讲解1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性定理*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析算法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路算法?直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型?微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。