模拟电子技术电子教案第一章半导体二极管及其电路分析教案

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《模拟电子技术》教案(全)

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《模拟电子技术》教案(全)模拟电子技术教案信息工程系目录第一章常用半导体器件第一讲半导体基础知识第二讲半导体二极管第三讲双极型晶体管三极管第四讲场效应管第二章基本放大电路第五讲放大电路的主要性能指标及基本共射放大电路组成原理第六讲放大电路的基本分析^p ^p 方法第七讲放大电路静态工作点的稳定第八讲共集放大电路和共基放大电路第九讲场效应管放大电路第十讲多级放大电路第十一讲习题课第三章放大电路的频率响应第十二讲频率响应概念、RC电路频率响应及晶体管的高频等效模型第十三讲共射放大电路的频率响应以及增益带宽积第四章功率放大电路第十四讲功率放大电路概述和互补功率放大电路第十五讲改进型OCL电路第五章模拟集成电路基础第十六讲集成电路概述、电流电路和有负载放大电路第十七讲差动放大电路第十八讲集成运算放大电路第六章放大电路的反馈第十九讲反馈的基本概念和判断方法及负反馈放大电路的方框图第二十讲深度负反馈放大电路放大倍数的估算第二十一讲负反馈对放大电路的影响第七章信号的运算和处理电路第二十二讲运算电路概述和基本运算电路第二十三讲模拟乘法器及其应用第二十四讲有滤波电路第八章波形发生与信号转换电路第二十五讲振荡电路概述和正弦波振荡电路第二十六讲电压比较器第二十七讲非正弦波发生电路第二十八讲利用集成运放实现信号的转换第九章直流电第二十九讲直流电的概述及单相整流电路第三十讲滤波电路和稳压管稳压电路第三十一讲串联型稳压电路第三十二讲总复习第一章半导体基础知识本章主要内容本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义,工作状态或工作区的分析^p ^p 。

首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。

其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。

然后介绍两种三极管(BJT和FET)的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析^p ^p 方法。

本章学时分配本章分为4讲,每讲2学时。

模拟电子技术(1.13)--第一章半导体二极管及其基本电路-4

模拟电子技术(1.13)--第一章半导体二极管及其基本电路-4
2 )全波整流电路
+
a VD1 +
io +
u2 U2
u1
+
0
_
u22
_
- b VD2
uo U2m
t 0
模 拟电子技术
3 )桥式整流电路
ui
AV1 V2
V3 BV4 RL
uO
ui / V
15
O
t
uO/ V
15
O
t
uO/ V
15
O
t
uO/ V
15
O
t
模 拟电子技术
1. 4 特殊二极管
uo
E 1+Uon
uo
-E2-Uon 0
E1+Uon ui
E1+Uon 0
t
-E 2-Uon
-E2-Uon
(b) 传输特性
(c) 输出波形
模 拟电子技术
1.3.2 二极管在整流电路中的应用
1 )单相半波整流电路
a
VD io
u2 U2m
+
+
+
0
t
u1
u2
RL uo
_
_
b
uo
_
U2m
0
t
模 拟电子技术
2 )并联限幅电路
R
ui
+
VD
u+_D +
Um E+Uon
ui
E
uo
0
t
_
_
(a) 电路图
uo
uo
E+Uon
E+Uon
0 E+Uon ui

电子教案-《模拟电子技术》(第3版_胡宴如)电子教案-ch14 电子课件

电子教案-《模拟电子技术》(第3版_胡宴如)电子教案-ch14 电子课件
第 1 章 半导体二极管及其基本应用
1.4 特殊二极管 1.4.1 稳压二极管 1.4.2 发光二极管与光电二极管 1.4.3 变容二极管
第 1 章 半导体二极管及其基本应用
1.4.1 稳压二极管 二、主要参数
一、伏安特性
1. 稳定电压 UZ
符号
工作条件: 反向击穿
流过规定电流时稳压管 两端的反向电压值。
电学参数: 暗电流,光电流,最高工作电压
光学参数:
光谱范围,灵敏度,峰值波长
三、光电耦合器
实物照片
1.4.3 变容二极管
第 1 章 半导体二极管及其基本应用
利用PN结的电容特性制成的二极管称为变容二极管,反偏 时它的反向电阻很大,近似开路,其容量随加于PN结两端 反向电压的增加而减小。
C /pF uD
1.4.2 发光二极管与光电二极管 一、发光二极管 LED (Light Emitting Diode)
1. 符号和特性
符号
工作条件:正向偏置
特性 i /mA
一般工作电流几十 mA, 导通电压 (1 2) V
2. 主要参数
O 2 u /V
电学参数:I FM ,U(BR) ,IR
光学参数:峰值波长 P,亮度 L,光通量
2. 稳定电流 IZ
越大稳压效果越好,
iZ /mA
小于 Imin 时不稳压。
特性
3. 最大工作电流 IZM
UZ
最大耗散功率 PZM
O IZminuZ/V
P ZM = UZ IZM
IZ
IZ
4. 动态电阻 rZ 几 几十
UZ
IZmax
rZ = UZ / IZ 越小稳压效果越好。
第 1 章 半导体二极管及其基本应用

模拟电子技术教案:半导体二极管

模拟电子技术教案:半导体二极管

模拟电子技术教案:半导体二极管
2.3.3 半导体二极管的参数
半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、最大反向工作电压VRM、反向电流IR、最高工作频率fmax和结电容Cj等。

几个主要的参数介绍如下:
(1) 最大整流电流IF——二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压VBR。

(2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM——为安全计,在实际工作时,最大反工作电压VRM一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。

半导体二极管的参数
(3) 反向电流IR : 在室温下,在规定的反向电压下,一般是最大反向工作电压下的反向电流值。

硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级;锗二极管在微安(μA)级。

(4) 正向压降VF:在规定的正向电流下,二极管的正向电压降。

小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下,约0.6,0.8V;锗二极管约0.2,0.3V。

(5) 动态电阻rd:反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。

显然, rd与工作电流的大小有关,即rd =ΔVF /ΔIF
2.3.4 半导体二极管的温度特性
温度对二极管的性能有较大的影响,温度升高时,反向电流将呈指数规律增加,如硅二极管温度每增加8?,反向电流将约增加一倍;锗二极管温度每增加12?,反向电流大约增加一倍。

另外,温度升高时,二极管的正向压降将减小,每增加1?,正向压降VF(VD)大约减小2mV,即具有负的温度系数。

这些可以从所示二极管的伏安特性曲线上看出。

2.3.5 半导体二极管的型号
国家标准对半导体器件型号的命名举例如下:
二极管符号:
半导体二极管图片。

模拟电子课件第一章_半导体材料及二极管

模拟电子课件第一章_半导体材料及二极管
–10 0 0.2 0.4
–20
I/uA
锗管的伏安特性
图 二极管的伏安特性
ID
UD
-
UD / V
34
1.正偏伏安特性
当正向电压比较小时,正向电流很小,几乎为零。,
相应的电压叫死区电压。
死区电压: 硅二极管为0.5V左右 锗二极管为0.1V左右
i/mA 30
当正向电压超过死区电压后,二极 管导通, 电流与电压关系近似指数关 系。
42
3.二极管的其它主要参数
➢最大平均整流电流 : I F 允许通过的最大正向平均电流 ➢最高反向工作电压 : 最V大R 瞬时值,否则二极管击穿
1
18
半导体中某处的扩散电流 主要取决于该处载流子的浓 度差(即浓度梯度),而与 该处的浓度值无关。即扩散 电流与载流子在扩散方向上 的浓度梯度成正比,浓度差 越大,扩散电流也越大。
图1.6 半导体中载流子的浓度分布
1
19
即:某处扩散电流正比于浓度分布曲线上该点处的斜率
和。
dn( x) dx
dp ( x) dx
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素,即构成 N 型半导体 (或称电子型半导体)。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
1
10
原来晶格中的某些硅原子将 被杂质原子代替。 杂质原子与周围四个硅原子 组成共价键时多余一个电子。 这个电子只受自身原子核吸引, 在室温下可成为自由电子。
5价的杂质原子可以提供电子, 所以称为施主原子。
Problem: N型半导体是否呈电中性?
1
+4
+4
+5
+4
+4
+4

第一章 半导体二极管教案

第一章 半导体二极管教案

乌海市职业技术学校教案傅晓瑞教学内容第一章半导体二极管1-1半导体的基本知识1-2半导体二极管教学目的通过本节内容的学习,能够了解二极管的基本结构、种类、工作原理。

理解二极管的单向导电特性、伏安特性曲线。

教学目标能力(技能)目标知识目标1、学会用万用表判断二极管的质量好坏2、继续学习万用表的使用能力3、能测定二极管的极性1、了解二极管的结构、类型及工作原理2、理解二极管的单向导电性重点难点及解决方法重点:二极管的单向导电性,二极管的伏安特性难点:二极管的伏安特性解决方法:在理论讲授的基础上,让学生通过实验加深,得出必要的结论学时4学时教学教具多媒体教学系统、元件教学方法讲授(PPT)、学生实践操作研究教学过程课程导入提问:二极管的结构、型号、种类及工作原理如何?二极管有哪些应用?这就是本课的教学目标。

教学过程§1-1 半导体的基本知识一、半导体的基本概念1、什么是半导体2、半导体的导电特性3、杂质半导体二、PN 结及其单向导电性1、PN 结2、PN 结的单向导电性1)PN 结加正向电压,PN 结导通。

2)PN 结加反向电压,PN 结截止。

§1-2 半导体二极管一、二极管的结构、符号和分类二、二极管的伏安特性三、二极管的主要参数1.最大整流电流I FM2.最高反向工作电压U RM3.反向电流I R四、二极管的识别与检测使用万用表欧姆档判断二极管的好坏,检测其正负极 硅管锗管死区 导通区截止区反向击穿区 当二极管加正向电压时并不一定能导通,必须是正向电压达到和超过死区电压时,二极管才能导通。

⨯1k∞ 0 当二极管加反向电压时不能导通,但反向电压达到反向击穿电压(很高的反向电压)时,二极管会反向击穿。

模拟电子电路电子课件第一章二极管及其应用

模拟电子电路电子课件第一章二极管及其应用
18
第一章 二极管及其应用
(2)扩散电容 当PN结外加正向电压时,在空间电荷区两侧的扩散区内,少数载流子 的分布会随外加电压的变化而发生改变,形成电容效应,称为扩散电容。 PN结的势垒电容和扩散电容都是非线性电容。PN结的结电容为势垒电 容和扩散电容之和。由于结电容的存在,当工作频率很高时,结电容的影 响就不可忽略,如果工作频率过高,高频电流将主要从结电容通过,这将 会破坏PN结的单向导电性。
38
第一章 二极管及其应用
将交流电转换为直流电称为整流。具有单向导电性的二极管是最常用的 整流元件。
电动自行车充电器
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第一章 二极管及其应用
一、单相半波整流电路
观察半波整流电路波形,实验电路如图所示。
单相半波整流电路 a)原理电路 b)实测半波整流波形
40
第一章 二极管及其应用
二、单相桥式整流电路
PN结外加正向电压
16
第一章 二极管及其应用
(2)PN结外加反向电压 PN结P区接低电位、N区接高电位时,称PN结外加反向电压,又称PN结 反向偏置,简称反偏,如图所示。这时,外电场与PN结内电场方向相同, 内电场被增强,PN结空间电荷区变宽。这使得多数载流子的扩散运动受阻, 但对少数载流子的漂移运动有利,从而形成极小的反向电流,反向电流的 方向由N区指向P区。
26
第一章 二极管及其应用
二极管内部结构示意图 a)点接触型 b)面接触型 c)平面型
27
第一章 二极管及其应用
二、二极管的型号命名
国产二极管的型号命名方法见表。
国产二极管的型号命名方法
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第一章 二极管及其应用
三、二极管的主要参数
不同型号的二极管都有一些技术数据(即参数)作为它合理、安全使用 的依据。二极管的主要参数如下:

模拟电子技术基础 第1章 二极管及其基本电路

模拟电子技术基础 第1章  二极管及其基本电路

第1章 二极管及其基本电路 N型半导体
图1.2 N型半导体的共价键结构
第1章 二极管及其基本电路 P型半导体
本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓、铟等形成 P型半导体,也 称为空穴型半导体。因三价杂质原子与硅原子形成共价键时,缺少一个 价电子而在共价键中留下一个空穴。P型半导体中空穴是多数载流子, 主要由掺杂形成;电子是少数载流子,由热激发形成。空穴很容易俘获 电子,使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。P型半 导体的结构示意图如图1.3所示。
第1章 二极管及其基本电路
本征半导体
本征半导体——完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%, 常称“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。
本征激发 价电子可以挣脱原子核的束缚,而参与导电,成为自由电子。
图1.3 P型半导体共价键结构
第1章 二极管及其基本电路
PN结的行成及其单向导电性
将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体,另一侧掺杂成N型半导体,
在两种半导体的交界面处将形成一个特殊的薄层→ PN结。 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。
载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。
在半导体中,如果载流子浓度分布不均匀,因为浓度差,载流子将 会从浓度高的区域向浓度低的区域运动,这种运动称为扩散运动。
图1.1 本征激发产生电子空穴对
第1章 二极管及其基本电路
N型和P型杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,可使半导体的导电性发生 显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质后的本征半导 体称为杂质半导体。
1、N型半导体
在本征半导体中掺入五价杂质元素,例如磷,可形成 N型半导体,也称 电子型半导体。 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子 形成共价键,而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电 子。N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供;空穴 是少数载流子, 由热激发形成。如图1.2所示。
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1.半导体二极管及其电路分析【重点】半导体特性、杂质半导体、PN结及其单向导电特性。

【难点】PN结形成及其单向导电特性。

1.1 半导体的基本知识1.1.1 半导体的基本知识(1)导电能力对温度的反应非常灵敏。

(2)导电能力受光照非常敏感。

(3)在纯净的半导体中掺入微量的杂质(指其他元素),它的导电能力会大大增强。

1.1.2 本征半导体纯净的半导体称为本征半导体,常用的本征半导体是硅和锗二晶体。

半导体有两种载流子,自由电子和空穴,如果从本征半导体引出两个电极并接上电源,此时带负电的自由电子指向电源正极作定向运动,形成电子电流,带正电的空穴将向电源负极作定向运动,形成空穴电流,而在外电路中的电流为电子电流和空穴电流之和。

1.1.3 杂质半导体1.N型半导体在硅晶体中掺入微量5价元素,如磷(或者砷、锑等),如图所示。

这种半导体导电主要靠电子,所以称为电子型半导体,简称N型半导本。

在N型半导体中,自由电子是多数载流子,而空穴2.P型半导体如果在硅晶体中,掺入少量的3价元素硼(铟、钾等),如图1-5所示。

这种半导体的导电主要靠空穴,因此称为空穴型半导体,有称P型半导体。

P型半导体的空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

结论:N型半导体、P型半导体中的多子都是掺入杂质而造成的,尽管杂质含量很微,但它们对半导体的导电能力却有很大影响。

而它们的少数载流子是热运动产生的,尽管数量很少,但对温度非常敏感,对半导体的性能有很大影响。

1.1.4 PN结及其单向导电特性1.PN结的形成结论:在无外电场或其它因素激发时,PN结处于平衡状态,没有电流通过,空间电荷区是恒定的。

另外,在这个区域内,多子已扩散到对方并复合掉了,好像耗尽了一样,因此,空间电荷区又叫做耗尽层。

2.PN结单向导电性(1)正向特性当PN结外加正向电压(简称正偏),电源正极接P,负极接N,PN结处于导通状态,导电时电阻很小。

(2)反向特性当外加反向电压(简称反偏),电源正极接N,负极接P,PN结处于截止状态结论:PN结正偏时电路中有较大电流流过,呈现低电阻,PN结导通;PN结反偏时电路中电流很小,呈现高电阻,PN结截止,可见PN结具有单向导电性。

内电场空穴电子PN结载流子的运动外加正向电压外加反向电压【重点】二极管伏安特性、二极管主要参数。

【难点】二极管伏安特性。

1.2 半导体二极管1.2.1 二极管的结构PN结两端加上引线,再用外壳封装起来,就构成了半导体二极管。

按制造材料不同有硅二极管和锗二极管。

按用途不同有整流二极管、稳压二极管、发光二极管、光电二极管等。

按功率大小有小功率管、中功率管和大功率管。

按结构不同有点接触型、面接触型和平面型。

1.2.2 二极管的伏安特性二极管的性能可以用伏安特性表示,它是指二极管两端电压u和流过管子的电流i之间的关系。

二极管的伏安特性如图所示。

二极管的伏安特性1.2.3 温度对二极管特性的影响随着温度的升高,二极管的正向导通压降会减小,通常温度每升高1℃时,二极管的正向导通压降将减小2mV左右;二极管的反向饱和电流随着温度升高急剧增大,通常半导体的温度每升高10℃,其反向电流约增加一倍;二极管的反向击穿电压也会随温度升高有所降低。

1.2.4 二极管的主要参数1.最大整流电流I F二极管长期使用时允许流过的最大正向平均电流。

2.最大反向工作电压U R二极管使用时允许承受的最大反向电压。

3.最大反向电流I R二极管加最大反向工作电压时的反向电流。

4.最高工作频率f M1.2.5 二极管选择及使用常识1.型号选择2.种类选择3.参数选择4.使用常识【重点】二极管模型、二极管典型电路分析。

【难点】二极管导通、截止判断。

1.3 二极管应用电路分析1.3.1 二极管模型1.理想模型在正向偏置时,二极管导通,其导通压降为零,相当于开关的闭合;当反向偏置时,二极管截止,电流为零,阻抗为无穷大,相当于开关的断开。

2.恒压降模型二极管在正向导通时,其导通压降为恒定值,且不随电流而变化。

对于硅二极管,导通压降为0.7V ,锗二极管的导通压降为0.3V 。

只有当二极管的电流接近或大于1mA 时,才可以使用恒压降模型。

3.交流小信号模型 用交流电阻等效表示,r d=ImV26。

1.3.2 电路分析1.二极管导通、截止判断 二极管承受正向电压,导通。

二极管采用理想模型分析,则mA 5.22510=-=I V 10=U 二极管采用恒压降模型分析,二极管的正向导通压降取0.7V ,则mA 15.2257.010=--=I 9.3V .7010=-=U2.检波电路利用二极管单向导电性将叠加在高频载波上的低频信号或音频信号检出来。

3.限幅电路a.电路图u o +-二极管检波电路及其波形b.载波信号td. 低频信号利用二极管恒定的导通压降对输入信号进行限幅。

【例】如图所示,U REF =2V ,画出相应的输出电压波形。

解 二极管采用理想模型分析。

如果输入信号u i 大于U REF =2V ,二极管承受正向电压,导通。

此时输出u o =U REF =2V 。

如果输入信号u i 小于U REF =2V ,二极管承受反向电压,截止。

此时输出u o =u i 。

如图中实线。

二极管采用恒压降模型分析(二极管的正向导通压降为0.7V )。

如果输入信号u i 大于U REF +0.7 V =2.7V ,二极管承受正向电压,导通。

此时输出u o =U REF +0.7 V =2.7V 。

如果输入信号u i 小于U REF +0.7 V =2.7V ,二极管承受反向电压,截止,此时输出u o =u i 。

如图中虚线。

4.逻辑运算电路如图u A 、u B 两个输入信号均为3V(高电平),输出为3V(高电平),u A 、u B 两个输入信号有一个为0V (低电平),输出为0V (低电平),实现了与逻辑功能。

测试:普通二极管识别与检测1.观测符号标记2.二极管阳极、阴极及质量检测指针万用表检测:万用表处于电阻挡时,负极,黑表笔为表内电源的正极。

用万用表测量二极管的正、反两次电阻,两次测量中电阻小的那次,黑表笔接的是二极管阳极,红表笔接的是二极管阴极。

两次电阻值相差越大,说明二极管单相导电性越好,两次电阻值均为无穷大,说明二极管内部断路,两次电阻值均为0,说明二极管内部短路。

若两次阻值相差不大,说明管子性能差,为劣质管。

若正向电阻为几千欧,则为硅管,若正向电阻为几百欧,则为锗管。

在测试小功率二极管时一般使用欧姆挡R ×100或R ×1K 挡,以免损坏管子。

数字万用表检测:数字万用表红表笔为表内电源的正极,黑表笔为表内电源的负极。

将数字万用表置电阻挡,两表笔接二极管两引脚,正、反两次读显示值,若两次数值都显示1.,说明二极管内部断路,若两次都显示0.000,则二极管内部短路。

若在工作电路中,将数字万用表置二极管挡,测量二极管压降,显示0.2~0.7V 是二极管正向压降,此时与红表笔相连的是二极管的阳极;若显示数值0.2V 左右,为锗管,显示数值0.5~0.7V ,为硅管。

oa.电路u i tu o tVD 1u A 逻辑运算电路u Bu o【重点】发光二极管、稳压管工作原理。

【难点】特殊二极管的应用。

1.4 特殊二极管1.4.1 稳压二极管稳压二极管是用特殊工艺制造的面结触型硅二极管。

1.稳定电压U Z稳定电压(击穿电压)是稳压管在正常工作下管子的两端电压,它是选择稳压管的主要依据。

2.稳定电流I Z稳定电流是指稳压管正常工作时的最小电流值。

3.动态电阻z r动态电阻是指稳压管在正常工作时,电压变化量与电流变化量之比。

z r 愈小,稳压作用愈好。

4.最大允许耗散功率P ZM它是指稳压管工作时所允许的最大耗散功率。

它等于最大稳定电流与相应的稳定电压乘积,即P ZM =I ZM U Z 。

5.电压温度系数a u它是说明稳定电压值随温度影响的参数。

1.4.2 发光二极管1.发光二极管的分类发光二极管由含镓(Ga )、砷(As )、磷(P )、氮(N )等的化合物制成。

发光二极管按发光颜色分有红色、橙色、黄色、绿色、蓝色、白色,另外有的发光二极管中包含两种或三种颜色的芯片。

根据发光二极管出光处掺或不掺散色剂、有色还是无色,上述各种颜色的发光二极管还可分为有色透明、无色透明、有色散色和无色散色四种类型。

/Va.伏安特性曲线阳极b.符号VD Z发光二极管按出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管等。

按发光二极管的结构分有全环氧封装、金属底座环氧封装、陶瓷底座环氧封装和玻璃封装等结构。

按发光强度和工作电流分普通亮度、高亮度和超高亮度。

2.发光二极管的工作电压发光二极管的工作电压随制造材料不同也不同。

普通红、绿、黄、橙发光二极工作电压约为2V,白色发光管的工作电压通常高于2.4V,蓝色发光管的工作电压通常高于3.3V,发光二极管的工作电流一般为2~25mA。

1.4.3 光电二极管光电二极管又称光敏二极管,在反向电压作用下工作。

光电二极管的管壳上有一个玻璃透镜,以便接受光照。

在没有光照时,光电二极管的反向电流很小,当有光照时,反向电流迅速增大到几十微安,反向电流大小随光照强度的变化而变化,与光照强度成正比。

1.4.4 变容二极管变容二极管利用PN结的电容效应进行工作,结电容的大小与外加电压大小有关,反向电压增大,结电容减小,反向电压减小,结电容变大。

测试:特殊二极管的检测1.稳压二极管的检测从外形上看,金属封装稳压二极管的正极为平面形,负极一端为半圆面形;塑封稳压二极管上印有彩色标记的一端为负极,另一端为正极。

用指针式万用表判别稳压二极管极性与普通二极管相同,即用万用表R×1k挡,正反两次测量稳压二极管的电阻,阻值较小那一次,黑表笔接的是稳压二极管的正极,红表笔接的是稳压二极管的负极。

2.普通发光二极管的检测(1)阳极、阴极的判别一般引脚引线较长者为阳极,较短者为阴极。

如管帽上有凸起标志,靠近凸起标志的引脚为阴极。

(2)阳极、阴极及性能的检测万用表检测:利用具有×10k挡的指针式万用表可以大致判断发光二极管的阳极、阴极及性能好坏。

正常时,二极管正向电阻为几十至200kΩ,反向电阻值为∞。

因此通过测量正反两次电阻就可以判断阳极和阴极。

若测得正向电阻值为0或为∞,反向电阻值很小或为0,则发光二极管损坏。

这种检测方法,不能实质地看到发光二极管的发光情况,因为×10k挡不能提供较大正向电流。

外接电源测量:用3V稳压源或两节串联的干电池及万用表(指针式或数字式皆可)可以较准确测量发光二极管的光、电特性。

按图所示电路连接,如果测得发光二极管电压在1.4~3V之间,且发光亮度正常,说明发光二极管发光正常。

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