半导体材料术语1
3.1 受主acceptor
半导体中的一种杂质，她接受从价带激发的电子，形成空穴导电。
3.2 电阻率允许偏差allowable resistivity tolerance
晶片中心点或晶锭断面中心点的电阻率与标称电阻率的最大允许差值，它可以用标称值的百分数来表示。
3.3 厚度允许偏差allowable thickness tolerance
晶片的中心点厚度与标称值的最大允许差值。
3.4 各向异性anisotropic
在不同的结晶学方向有不同物理特性。又称非各向同性，非均质性。
3.5 各向异性腐蚀anisotropic etch
沿着特定的结晶学方向，呈现腐蚀速率增强的一种选择性腐蚀。
3.6 退火annealing
改变硅片特性的热过程。
3.7 退火片annealing wafer
在惰性气氛或减压气氛下由于高温的作用在近表面形成一个无缺陷（COP）区得硅片。
3.8 脊形崩边apex chip
从晶片边缘脱落的任何小块材料的区域。该区域至少含有2个清晰的内界面，而形成一条或多条清晰交叉线。
3.9 区域沾污area contamination
在半导体晶片上，非有意地附加到晶片表面上的物质，它的线度远大于局部光散射体。区域沾污可以是由吸盘印，手指或手套印迹、污迹、腊或溶剂残留物等形成的晶片表面外来物质。
3.10 区域缺陷area defect
无标准定义，参看延伸的光散射体（3.28.6）
3.11 氩气退火的硅片argon annealed wafer
在氩气气氛下进行高温退火的硅片。
3.12 自掺杂autodoping
源自衬底的掺杂剂掺入到外延层中。自掺杂源可来自衬底的背面、正面以及边缘、反应器中的其它衬片，基座或沉积系统的其它部分。
3.13 背封backseal
在硅片背面覆盖一层二氧化硅或其它绝缘体得薄膜，以抑制硅片中主要掺杂剂向外扩散。
3.14 背面backside
不推荐使用的术语。
3.15 背表面back surface
半导体晶片的背表面，相对于在上面已经或将要制作半导体器件的暴露表面。
3.16 基底衬片base silicon wafer
指SOI片，在绝缘层下面的硅片，支撑着上层的硅薄膜。
3.17 块状结构block structure
参见包状结构（3.27）
3.18 键合界面bonding interface
两种晶片之间的键合面。
3.19 键合硅片bonding wafer
两个硅片键合在一起，中间有绝缘层，这种绝缘层是典型的热生长的二氧化硅。
3.20 弯曲度bow
自由无夹持晶片中位面的中心点与中位面基准面间的偏离。中位面基准面是由指定的小于晶片标称直径的直径圆周上的三个等距离点决定的平面。
3.21 亮点bright point
不推荐的术语。参见局部光散射体（LLS）（3.28.3）。
3.22 埋层buried layer
外延层覆盖的扩散区，又称副扩散层或膜下扩散层。
3.23 埋层氧化物（硅）buried oxide
由氧注入形成的氧化物（氧化硅）层
3.24 埋层氧化(BOX) buried oxide layer
当绝缘层为二氧化硅时，硅片中间的绝缘层。
3.25 载流子浓度carrier density
单位体积的载流子数目。在室温无补偿存在的条件下等于电离杂质的浓度。空穴浓度的符号为p，电子浓度的符号为n。
3.26 半导体材料中的载流子carrier，in semiconductor materials
一种能能携带电荷通过固体的载体。例如，半导体中价带的空穴和导带的电子，又称荷电载流子。
3.27 胞状结构cell structure
来源于晶体生长过程中不匀一性的畸变，也理解为块状结构。
3.28 晶片的表面检查check of wafer surface
3.28.1 扫描表面检测系统（SSIS）scanning surface inspection system
用于晶片整个质量区的快速检查设备。可探测局部光散射体、雾等。也叫颗粒计数器（particle counter）或激光表面扫描仪（laser surface scanner）3.28.2 激光光散射现象laser light-scattering event
一个超出预置阀值的信号脉冲，该信号是由探测器接收到得激光束与晶片表面局部光散射体相互作用产生的。
3.28.3 局部光散射体（LLS）localized light-scatte r
一种独立的特性，例如晶片表面上的颗粒或蚀坑相对于晶片表面的光散射强度，导致散射轻度增加。有时称光点缺陷。尺寸足够的光散射体在高强度光照射下呈现为光点，这些可目视观测到。但这种观察是定性的。观测局部光散射体用自动检测技术，如激光散射作用，在能够区分不同散射强度的散射物这一意义上，自动检测技术是定量的。LLS的存在也未必降低晶片的实用性。
3.28.4 光点缺陷（LPD）light point defect
不推荐的术语，参见局部光散射体（LLS）(3.28.3)。
注2：LPD是通用的术语，它包括类似乳胶球和其他可检测到得表面不平整性。
3.28.5 乳胶球当量（LSE）latex sphere equivalence
用一个乳胶球的直径来表示一个局部光散射体（LLS）的尺寸单位，该乳胶球与局部光散射体（LLS）具有相同的光射量。用“LSE”加到使用的长度单位来表示，例如0.2μmLSE。
3.28.6 延伸光散射体（XLS）extended light scatter
一种大于检查设备空间分辨率的特性，在晶片表面上或内部，导致相对于周围晶片来说增加了光散射强度，有时称为面缺陷。
3.29 半导体工艺中的化学-机械抛光（CMP）chem-mechanical planarization, in semiconductor
利用化学和机械作用去除晶片表面物质，为后续工艺提供镜状表面的一种工艺。
3.30 化学气象沉积（CVD）chemical vapor deposition
半导体工艺的化学气象沉积是一个工艺过程，其控制化学反应制成一个表面薄膜。
3.31 崩边（边缘崩边，周边崩边，周圆缺口，表面崩边）chip（edge chips，peripheral chips，peripheral indents，surface chips）
晶片表面或边缘非有意地造成脱落材料的区域。某些崩边是在晶片加工、测量或检测时，因传递或放置样品等操作引起的。崩边的尺寸由样品的外形的正投影图上所测量的最大径向深度和圆周弦长确定。
3.32 夹痕chuck mark
由机器手、吸盘或条形码读入器引起的晶片表面上的任一物理痕迹。
3.33 解里面cleavage plane
一种结晶学上优先断裂的晶面。
3.34 补偿compensation
除去主掺杂剂浓度的杂质以外的杂质存在引起自由载流子数量的减少。
3.35 补偿掺杂compensation doping
向P型半导体中掺入施主杂质或向N型半导体中掺入受主杂质，以达到反型杂质电学性能相互补偿的目的。
3.36 化合物半导体compound semiconductor
由两种或两种以上的元素化合而成的半导体。如砷化镓、磷化铟、碲化镉等。
3.37 浓度concentration
混合物种少数组分的量对于多数组分的比。
3.38 电导率conductivity
载流子在材料中流动难易的一种度量。符号为σ，单位为（Ω.cm）-1
3.39 导电类型conductivity type
半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性。
3.40 恒定组分区constant composition region
AsGa(1-x) Px外延层中最后生长层的组分，该组分值按设定值保持不变，一般是磷的摩尔百分数，x=0.38
3.41 沾污contaminant，particulate
参见LLS(3.28.3)。
3.42 晶体原生凹坑（COP）crystal originated pit
在晶体生长中引入的一个凹坑或一些小凹坑。当它们与硅片表面相交时，类似LLS。因为在使用SSIS观察时，在一些情况下它们的作用与颗粒类似，因此最初这种缺陷被称为晶体原生颗粒（crystal originated particulate）。总之，现代的SSIS一般能够从颗粒中区分出晶体原生凹坑。当晶体原生凹坑存在时，比偶面清洗或亮腐蚀常常会增大其被观察的尺寸和数量。
3.43 裂纹crack
延伸到晶片表面的解里或断裂，其可能或许没有穿过晶片的整个厚度。
3.44 火山口（弹坑状）crater
平滑中心区域的具有不规则的封闭山脉状得表面结构。
3.45 新月状物crescent
外延沉积后具有平行主轴的结构，其归因于硅衬底表平面的上面或下面的衬底缺陷，参见鱼尾状物（3.89）
3.46 鸦爪crow’s foot
相交的裂纹，在{111}表面上呈类似乌鸦爪的“Y”图样，在{100}表面上呈“+”形的图样。
3.47 晶体crystal
在三维空间中由原子、离子或分子以一周期性图形排列组成的固体。
3.48 晶体缺陷crystal defect
偏离理想晶格点阵中原子有规则的排列。
3.49 晶体指数crystal indices
见密勒指数（3.158）
3.50 结晶学表示法crystallographic notation
用于标示晶体中晶面和晶向的密勒指数的一种符号体系。
晶面（），如（111）
晶面族{ }，如{111}
晶向[ ]，如[111]
晶向族< >，<111>
3.51 晶面crystallographic plane
通过空间点阵中不在同一直线上的三个结点的平面。
3.52 切割cutting
把半导体晶锭切成具有一定形状的工艺。
3.53 损伤damage
单晶样品的晶格缺陷，是一种不可逆转的形变，它因室温下没有后续热处理的表面机械加工引起，像切割，磨削，滚圆，喷砂，以及撞击造成。
3.54 深能级杂质deep-level impurity
一种化学元素，引入半导体中形成一个或多个能级，且它的能级多位于禁带的中央区域，这类杂质称深能级杂质。
3.55 掺杂浓度density of dopant atoms
在一个掺杂半导体中，每单位体积中掺杂剂的数量。
在下列三种情况时：1）半导体没有补偿；2）掺杂原子仅仅是施主或受主之一的单一类型；3）掺杂原子100%被电离，载流子的浓度等于掺杂剂的原子浓度。
3.56 洁净区denuded zone
在硅片的一个特定区域，通常仅仅位于硅片正表面之下，其中氧浓度下降到一个比较低的水平，导致体微缺陷密度（氧沉淀）减少。
3.57 耗尽层depletion layer
可动载流子电荷密度不足以中和施主或受主的净固定电荷密度的区域，又称势垒区、阻挡层或空间电荷层。
3.58 耗尽层宽度depletion width
临近金属-半导体接触的半导体中的一个区域的宽度，该区域内荷电载流子密度不够中和施主或受主的固定电荷密度。
3.59 直径diameter
横穿圆片表面，通过晶片中心点且不与参考面或圆周上其它基准区相交的直线长度。
3.60 扩散层diffused layer
采用固态扩散工艺，将杂质引入晶体，使单质近表面层形成相同或相反导电类型的区域。
3.61 凹坑dimple
晶片表面的一种浅凹陷，具有一个凹面，似球状的外形和倾斜的侧面。在适当的光照条件下，肉眼可见。在抛光初始阶段，晶片浮抛可能诱生这种表面结构。
3.62 污物dirt
半导体晶片上的尘埃，表面污染物，不能用预检查溶剂清洗去除。
3.63 位错dislocation
晶体中的一种线缺陷，它是晶体中已滑移与未滑移区之间边界构成的，或是以伯格斯回路闭合性破坏来表征的缺陷。
3.64 位错排dislocation array
一种位错蚀坑的某一边排列在一条直线上位错组态。
3.65 位错密度dislocation density
单位体积内位错线的长度（cm/cm3）。通常以晶体晶面单位面积上位错蚀坑的数目（个/cm2）来表示。
3.66 位错腐蚀坑dislocation etch pit
在晶体表面的位错应力区域，由择优腐蚀而产生的一种界限清晰、形状规则的腐蚀坑。
3.67 DI晶片DI wafer
由硅多晶、二氧化硅和硅单晶区域组成的一种晶片。
3.68 施主donor
半导体中一种杂质或不完整性，它向导带提供电子形成电子导电。
3.69 掺杂剂dopant
一种化学元素，对元素半导体，通常为周期表中的Ⅲ族或Ⅴ族元素，以痕量掺入半导体晶体中，用以确定其导电类型和电阻率等。
3.70 掺杂条纹环dopant striation rings
硅片表面上由于杂质浓度的局部变化呈现出的螺旋状特征。
3.71 掺杂doping
将特定的杂质加入到半导体中，以控制电阻率等。
3.72 掺杂片doping wafer
经工艺处理已变成含有附加结构，可进入器件加工工艺的半导体基片。
3.73 边缘凸起edge crown
距晶片边缘3.2mm（1/8英寸）处得表面高度与晶片边缘处高度之间的差值。单位为μm。
3.74 边缘去除区域edge exclusion area
晶片的合格质量区和晶片的实际周边之间的区域。该区域或随晶片实际尺寸而变化。
3.75 标称边缘去除（EE）edge exclusion nominal
对标称边缘尺寸硅片，指从合格质量区边界到晶片周边的距离。
3.76 边缘轮廓edge profile
在边缘倒角的晶片上，其边缘经化学或机械加工整形，是对连晶片正面与表面边界轮廓的一种描述。
3.77 倒角edge rounding
晶片边缘通过研磨或腐蚀整形加工成一定角度，以消除晶片边缘尖锐状态，避免在后工序加工中造成边缘损伤。
3.78 外延层的有效厚度effective layer thickness of an epitaxial layer
距正面的深度，在该深度内，净载流子浓度在规定范围内。
3.79 电子导电election conduction
在半导体晶体中，导带中的一种带电载流子，其作用像带负电的自由电子，但通常有稍微不同质量，是n型材料中的多数载流子。
3.80 元素半导体elemental semiconductor
由一种元素组成的半导体。如硅和锗。
3.81 外延层epitaxial layer
在基质衬底上生长的半导体材料单晶薄层，其晶向由衬底决定。
3.82 外延epitaxy
用气相、液相、混合液或混合气体在衬底生长单晶层的工艺。在衬底上生长组分与衬底材料相同的单晶薄层，称同质外延；在衬底上生长与衬底材料组分不同的单晶薄层，称异质外延。
3.83 腐蚀etch
用一种溶液、混合液或混合气体侵蚀薄膜或衬底的表面，有选择地或非选择地去除表面物质。间各向异性腐蚀（3.5），择优腐蚀（3.195）。
3.84 腐蚀坑etch pit
晶片表面上局限于晶体缺陷或应力区处择优腐蚀形成的凹坑。
3.85 腐蚀的多晶硅etched polysilicon
用酸腐蚀去除表面沾污后的多晶硅。
3.86 非本证的extrinsic
（1）导电性的电导率-温度曲线是由掺杂剂原子提供的电子或空穴控制区域。（2）一个过程，例如，像非本征吸除，是由晶片本身以外的因素引起的。
3.87 层错fault
见堆垛层错（3.238）
3.88 基准fiducial
指晶片上的一个平面或切口，以提供其结晶轴的参考位置。
3.89 鱼尾状物fishtails
属于衬底的结构缺陷，外延沉积后的表平面的上面或者下面，沿特定的结晶学方向排列的“尾状物”，参见新月状物（3.45）。
3.90 合格质量区（FQA）fixed quality area
标称边缘除去后所限定的晶片表面中心区域，该区域内各参数指均符合规定的要求。
FQA的边界是距标称尺寸的晶片边缘的所有点。FQA的大小与晶片直径和参考长度偏差无关。为了规定FQA，假定在切口基准位置处晶片标称尺寸的周边是沿着直径等于晶片标称直径的圆周。为规定去除区域，对有切口、激光标志、或处理/夹片装置接触晶片的区域，规定的参数值不适用。
3.91 鳞片flake
从晶片的一面上剥落而从另一面上不剥落材料的区域。在晶片的内部界线为一条长度超过2mm的清晰直线或弧线，且不会延伸到规定的边缘去除区域以外
的晶片处。
3.92 参考面直径flat diameter
很过半导体晶片表面，从参考面中点沿着垂直于参考面的直径，通过晶片中心到相对边缘的圆周的直线长度。参考面直径常与主参考面联系在一起。在主参考面和副参考面相对的情况下，比如125mm的或更小直径的{100}n型晶片，参考面直径的概念不能使用，因为直径垂直参考面，它不能与晶片圆周相交。
3.93 半导体晶片的参考面flat on semiconductor wafer
晶片圆周的一部分被割去，成为弦。见主参考面（3.197）、副参考面（3.217）3.94 外延层的平坦区flat zone，of an epitaxial layer
从正面到净载流子浓度大于或小于外延层得0.25-0.75区域内平均载流子浓度的20%的点的浓度。
3.95 平整度flatness
晶片背表面为理想平面时，例如，晶片背表面由真空吸盘吸附在一个理想、平坦的吸盘上，晶片正表面相对于一规定的基准面的偏差，以TIR或FPD的最大值表示。
晶片的平整度可描述为下面任何一种：
a) 总平整度；
b) 在所有局部区域测量的局部平整度的最大值；
c) 局部平整度等于或小于规定值的局部区域所占的百分数。
3.95.1 焦平面focal plane
与成像系统的光轴垂直且包含成像系统焦点的平面。
成像系统使用的基准平面和焦平面重叠或平行，全视场成像系统使用重叠的总焦平面和基准平面；局部视场成像系统使用局部焦平面和基准平面重合或者使用取代的局部焦平面和总基准平面。若基准平面和焦平面不重合，用焦平面代替基准平面，做一正面局部区域的中心点位于焦平面上。
3.95.2 焦平面偏差（FPD）focal plane deviation
晶片表面的一点平行于光轴到焦平面的距离。
3.95.3 总平整度global flatness
在FQA内，相对于规定基准平面的TIR值或FPD的最大值。
3.95.4 最大的FPD maximum FPD
焦平面偏差中绝对值最大的值。
3.95.5 百分可用区域percent usable area
在FQA内符合规定要求的面积比，以百分数表示，PUA通常是指符合要求的局部平整度区域（包括完整的或全部的）所占的百分数。
3.95.6 基准面reference plane
由以下的一种方式确定的平面：
a) 晶片正表面上指定位置的三个点；
b) 用FQA内的所有点对晶片正表面进行最小二乘法拟合；
c) 用局部区域内的所有的点对晶片正表面进行最小二乘法拟合；
d) 理想的背面（相当于与晶片接触的理想平坦的吸盘表面）。
3.95.7 扫描方向scan direction
在扫描局部平整度计算中顺序扫描次局部区域的方向。局部平整度值可能与扫描方向有关。
3.95.8 扫描局部平整度scanner site flatness
一个局部区域内的次局部区域的TIR或FPD的最大值。一个次局部区域的TIR是在合格质量区内和局部区域内的这个次局部区域的TIR。一个次局部区域的最大FPD是合格质量区和局部区域内这个次局部区域的最大FPD，基准面的计算用到了合格质量区内的次局部区域所有的点。
精度的扫描器局部平整度的测量要求测量点是够接近，足以详细地显示表面形貌。推荐测量扫描局部平整度使用相邻点间隔为1mm或更小些的数据点阵列。
3.95.9 局部区域site
晶片表面上平行或垂直于主定边方向的区域。
3.95.10 局部区域阵列site array
一组邻接的局部区域。
3.95.11 局部平整度site flatness
在FQA内，一个局部区域的TIR或FPD的最大值。
精确的局部平整度测量要求测量邻近的定位点，足以详细地显示表面布局。推荐测量局部平整度利用一组相邻点间隔2mm或更小些的数据点阵列；也可推荐用来计算局部平整度的数据组，其数据取自每个局部区域的拐角处及沿着各局部区域的边界处。这样使得局部区域的有效测量面积等于局部区域的大小。
3.95.12 局部区域的次局部区域subsite, of a site
晶片正表面上的一个矩形区域，LssXWss，与一个特定局部区域有关，次局部区域的中心必须在此局部区域内且矩形的某一部分都在FQA内或落在FQA 的边界上，次局部区域与步进光刻机曝光时的瞬时区域相一致。
3.95.13 总指示读数（TIR）total indicator reading
与基准平面平行的两个平面之间的最小垂直距离。该平面包含了晶片正面FQA内或规定的局部区域内的所有点。
3.95.14 总指示器偏移（TIR）total indicator runout
在硅片正表面，包含位于规定的平整度质量区域或地点的所有点的，相对于参照平面平行的两个平面之间的最小垂直距离。
3.96 悬浮区熔法（FZ）flotation zone method
将晶体垂直固定，在下端放置籽晶，利用熔体的表面张力，在籽晶上方建立熔区，然后以一定的速度垂直向上进行区熔，将晶锭提纯并制成单晶的方法。3.97 四探针four point probe
测量材料电阻率的一种点探针装置，其中一对探针用来通过流经样片的电流，另一对探针测量因电流引起的电势差。
3.98 流动图形缺陷（FPDs）flow pattern defects
在硅片表面用特定腐蚀液Sccco腐蚀剂择优腐蚀显示出的呈流线状的腐蚀痕迹。
3.99 裂痕fracture
见裂纹（3.43）
3.100 正面front side
不推荐使用的术语。
3.101 正表面front surface
半导体硅片的前表面，在上面已经制造或将制造半导体器件的暴露表面。3.102 炉处理硅片furnace wafer
可用于监控热工艺或作为注入的监控，通常只在洁净室使用。
3.103 砷化镓退火GaAs annealed
3.103.1 退火GaAs annealing
将置于炉子中的GaAs加热到特定的温度过程，它是在还原气氛中进行的，退火过程中要设法防止由于升华所造成的材料表面砷As损失。
3.103.2 盖帽退火capped annealing
为防止退火过程中，样品表面As蒸气损失，在GaAs试样表面放置一保护层（通常是氮化硅Si3N4或二氧化硅SiO2作保护层），注意：盖帽方式不同对测试结果有一定的影响。
3.103.3 邻近退火proximity annealing
将GaAs试样置于两个同样GaAs片中间，以此来减少退火时砷蒸气在退火过程中GaAs样品表面砷As的损失。
3.104 镓夹层gallium inclusion
结合到表面结构中的一种分凝的富镓微滴。在晶体生长工艺结束时，通常由于砷的蒸汽压不足或由镓与某些近于饱和的掺杂剂络合产生的。
3.105 渐变区graded region
用于起始生长的GaAs
（1-x）
P x外延层，其在生长过程中外延层的组分由GaAs
渐变为GaAs
（1-x）P x。该层得目的是尽可能减少GaAs衬底与GaAs
（1-x）
P x外延
层间的晶格失配。
3.106 晶粒间界grain boundary
固体内，一晶粒与另一晶粒相接触的界面，简称晶界。该界面上的任何一点至少构成两个晶向差大于1度的晶格点阵。
3.107 吸除gettering
使杂质在晶片特定区固定，以获得表面洁净区的工艺过程。
3.108 电阻率梯度gradient，resistivity
也常常被称为径向电阻率梯度redial resistivity gradient（RRG）不推荐使用的术语。
3.109 半导体晶片的沟槽groove，in semiconductor wafer
通常为半导体晶片上的一种抛光时没有完全去除的、残存的、边缘光滑的浅划伤。
3.110 霍尔系数hall-coefficient
见霍尔效应（3.111）。
3.111 霍尔效应hall-effect
若对通电的样品施加磁场，由于罗伦磁力的影响，在与电流与磁场的垂直方向上有横向电势差产生，该效应称为霍尔效应。所产生的横向电场为霍尔电场。霍尔电场的大小与磁感应强度及电流密度成正比。比例系数R E称为霍尔系数，其计算公式为：
R E=±γ/ne
试中，“+”、“-”号分别对应空穴导电和电子导电，γ是一个与散射机构、样品温度、能带结构及磁场强度有关的因子。n为载流子浓度，e为电子电荷。单位为m3/C。
3.112 霍尔迁移率hall-mobility
霍尔系数和电导率的乘积。（R Eσ），与迁移率有相同的量纲，通常将这个量叫做霍尔迁移率，用μE表示：
μE=|R Eσ|
3.113 手刻标记hand scribe mark
为了识别晶片，一般在晶片的背面比如用金刚石刻刀，手工刻在晶片表面的任何标记。
3.114 雾haze
由表面形貌（微粗糙度）及表面或近表面高浓度的不完整性引起的非定向光散射现象。
由于一群不完整性的存在，雾是一个群体效果；引起雾的个别的这种类型的不完整性不能用眼或其它没有放大的光学检测系统很容易辨别。对于一个颗粒计数器（SSIS），雾可引起本底信号及激光光散射现象，它和来自硅片表面得光散射，两者共同组成信号。它是由一个光学系统收集的，由入射通量归一化的总散射光通量。
3.115 重掺杂heavy doping
半导体材料中掺入的杂质量较多，通常硅单晶中杂质浓度大于1018cm3，为重掺杂。
3.116 异质外延heteroepitaxy
见3.82。
3.117 HF缺陷HF defect
在氢氟酸液中浸蚀一段时间后缀饰的SOI层中的缺陷。
3.118 空穴hole
半导体价带结构中一种运动空位，其作用就像一个正有效质量的带正电荷的电子一样。在P型半导体材料中，空穴为多数载流子。
3.119 同质外延homoepitaxy
见3.82。
3.120 水平法horizontal crystal growth method
沿着水平方向生长单晶体的一种方法。
3.121 氢退火的硅片hydrogen annealed wafer
在氢气气氛下进行高温退火的硅片。
3.122 亲水性hydrophilic
对水有很强的亲和力，可湿润的。
3.123 疏水性hydrophobic
对水完全不具亲和力，不可湿润的。
3.124 疏水性表面hydrophobic surface
晶片接触角大于60度，例如：原始外延的，或用HF-或HMDS（六甲基乙硅烷（hexamethyldislazane））处理过得表面。
3.125 嵌入磨料颗粒imbedded abrasive grain(cmbedded)
表面嵌入的磨料细粒，磨料微粒机械地强制嵌入半导体表面。
3.126 杂质浓度impurity concentration
单位体积内杂质原子的数目。
3.127 杂质富集impurity concentration
在生长重掺杂单晶时，如果杂质在晶体中的分凝系数K远远小于1时，在晶体的尾部，由于熔体杂质浓度过高，组分过冷而使杂质局部富集，当晶体中杂质浓度超过其固溶度时发生的杂质析出现象。
音响专业术语中英对照
专业音频术语中英文对照 A ＡAC ａutomａtiｃ ampltiｕdｅ control 自动幅度控制 AＢ AB制立体声录音法?Aｂeyaｎｃd 暂停,潜态 A-B repeat A-B重复?ABS absolｕte 绝对得,完全得，绝对时间 AＢＳaｍerican burｅａｕ oｆｓtanda rd 美国标准局?ABＳＳ auｔｏｂlａnk seｃrion ｓｃanning 自动磁带空白部分扫描Ａbsｔi mｅ绝对运行时间?A、ＤEＦ audiｏ dｅfeａｔ音频降噪,噪声抑制,伴音静噪 ADJ ａdj eｃｔｉve 附属得,附件?AＤＪ Aｄjust 调节 ＡDJ ａcｏｕｓｔｉｃｄｅlay lｉnｅ声延迟线 Admiｓsiｏn 允许进入,供给 ADP acouｓｔiｃｄaｔa ｐroceｓsoｒ音响数据处理机 ＡＤP(T) adaptｅr 延配器，转接器ＡDRES autｏmatｉｃｄynamic ranｇｅ ｅxpansion systｅm?动态范围扩展系统 A ＤRM ａnａlｏg tｏdigｉtal remastｅr 模拟录音、数字处理数码唱盘 ADS ａudio distribution system 音频分配系统 A、DUB aｕｄio dｕbbiｎｇ配音,音频复制,后期录音 AＤV ａdvance 送入，提升,前置量?ADV adｖersuｍ对抗 ADＶ advance r 相位超前补偿器?Ａｄvｅｎｔuｒｅ惊险效果 AE audio erasing 音频(声音)擦除 AE auxｉｌiａry eqｕipｍeｎt 辅助设备Aerｉａｌ天线 ＡＥＳaudio engineeｒing soｃieｔｙ美国声频工程协会ＡF audｉo fｉdelity 音频保真度?AF audio frｅquencｙ音频频率 AFC aｃtive fieｌd conｔrｏｌ自动频率控制?AＦC automatiｃfrｅquenｃｙ coｎtｒol 声场控制 Ａffricaｔe 塞擦音?AＦL ａside ｆａde lｉsten 衰减后(推子后)监听 A-fadｅr 音频衰减 ＡFM advancｅ freｑuency moｄulａtion 高级调频 AFS acoｕstｉｃ feedｂａｃｋ sｐea ｋer 声反馈扬声器 AFＴ automaｔｉc fiｎｅ tuning 自动微调 AＦＴAＡS advancｅｄｆast ｔime aｃousti ｃaｎaｌｙｓｉs ｓysteｍ?高级快速音响分析系统 Afｔer 转移部分文件 Aftergloｗ余辉，夕照时分音响效果 Agａin st 以……为背景 AGC ａｕtomａtic gaｉn contrｏl 自动增益控制AHＤaudｉｏhigｈ densｉtｙ音频高密度唱片系统 AI aｄvanced intｅgrateｄ预汇流ＡI amplｉfier inｐｕt 放大器输入 AI artificｉaｌ intellｉｇence 人工智能AI azｉmuｔh iｎdi cator 方位指示器 A－IN 音频输入 A－INSEL aｕｄｉo ｉnput sｅleｃtiｏn 音频输入选择 Alarm 警报器 ALC ａutomatic level cｏntｒoｌ自动电平控制?AＬC autｏmａtic lｏａd ｃontroｌ自动负载控制
钟表中英文对照术语表
钟表中英文对照术语表，希望对各位表迷有所帮助 10J - 10天动力储备 Abbreviation for 10 days power reserve in the Patek Philippe typology.在百达翡丽而言是“10 days power reserve - 10天动力储备”的缩写。 24H - 24小时表盘 Abbreviation for "24-hour dial", in the Patek Philippe typology.在百达翡丽而言是“24-hour dial - 24 小时表盘”的缩写。 Amplitude - 摆幅
Measurement in degrees of the movement of a balance and spring assembly: amplitude is the angle between the position of equilibrium and its maximum elongation.测量摆轮游丝装置的摆动角度：摆幅即是游丝装置的平衡位置与最大距角之间的角度。 Analogue - 指针式时间显示 Refers to time display using hands.指采用指针来显示时间。 Aperture - 视窗、孔径
Dial opening revealing the indications provided on discs rotating under the dial.表盘上的开孔，可看见表盘下的转盘的显示信息。 Applique - 镶刻 Raised numeral or hour-marker, applied to or riveted to the dial. At Patek Philippe, appliques are always in gold and are sometimes diamond-set.固定在表盘上的凸起数字或时间刻度。百达翡丽钟表的镶刻通常用金打造，有时亦会镶嵌钻石。 Appropriage - 抛磨修整 An activity carried out by the Grand Complications workshop. The watchmakers themselves perform certain finishing operations such as polishing steel parts or
北京科技研究生半导体材料导论复习题
1、半导体材料有哪些特征？ 答：半导体在其电的传导性方面，其电导率低于导体，而高于绝缘体。 （1）在室温下，它的电导率在103~10-9S/cm之间，S为西门子，电导单位，S=1/ρ（Ω. cm) ；一般金属为107~104S/cm，而绝缘体则<10-10，最低可达10-17。同时，同一种半导体材料，因其掺入的杂质量不同，可使其电导率在几个到十几个数量级的范围内变化，也可因光照和射线辐照明显地改变其电导率；而金属的导电性受杂质的影响，一般只在百分之几十的范围内变化，不受光照的影响。 （2）当其纯度较高时，其电导率的温度系数为正值，即随着温度升高，它的电导率增大；而金属导体则相反，其电导率的温度系数为负值。 （3）有两种载流子参加导电。一种是为大家所熟悉的电子，另一种则是带正电的载流子，称为空穴。而且同一种半导体材料，既可以形成以电子为主的导电，也可以形成以空穴为主的导电。在金属中是仅靠电子导电，而在电解质中，则靠正离子和负离子同时导电。 2、简述半导体材料的分类。 答：对半导体材料可从不同的角度进行分类例如： 根据其性能可分为高温半导体、磁性半导体、热电半导体； 根据其晶体结构可分为金刚石型、闪锌矿型、纤锌矿型、黄铜矿型半导体； 根据其结晶程度可分为晶体半导体、非晶半导体、微晶半导体， 但比较通用且覆盖面较全的则是按其化学组成的分类，依此可分为：元素半导体、化合物半导体和固溶半导体三大类。 3、化合物半导体和固溶体半导体有哪些区别。 答：由两个或两个以上的元素构成的具有足够的含量的固体溶液，如果具有半导体性质，就称为固溶半导体，简称固溶体或混晶。固溶半导体又区别于化合物半导体，因后者是靠其价键按一定化学配比所构成的。固溶体则在其固溶度范围内，其组成元素的含量可连续变化，其半导体及有关性质也随之变化。 4、简述半导体材料的电导率与载流子浓度和迁移率的关系。 答：s = nem 其中： n为载流子浓度，单位为个/cm3; e 为电子的电荷，单位为C（库仑），e对所有材料都是一样，e=1.6×10-19C 。 m为载流子的迁移率，它是在单位电场强度下载流子的运动速度，单位为cm2/V.s； 电导率s的单位为S/cm(S为西门子）。 5、简述霍尔效应。 答：将一块矩形样品在一个方向通过电流，在与电流的垂直方向加上磁场(H)，那么在样品的第三个方向就可以出现电动势，称霍尔电动势，此效应称霍尔效应。 6、用能带理论阐述导体、半导体和绝缘体的机理。 答：按固体能带理论，物质的核外电子有不同的能量。根据核外电子能级的不同，把它们的能级划分为三种能带：导带、禁带和价带（满带）。 在禁带里，是不允许有电子存在的。禁带把导带和价带分开，对于导体，它的大量电子处于导带，能自由移动。在电场作用下，成为载流子。因此，导体载流子的浓度很大。 对绝缘体和半导体，它的电子大多数都处于价带，不能自由移动。但在热、光等外界因素的作用下，可以使少量价带中的电子越过禁带，跃迁到导带上去成为载流子。 绝缘体和半导体的区别主要是禁的宽度不同。半导体的禁带很窄，（一般低于3eV），绝缘体的禁带宽一些，电子的跃迁困难得多。因此，绝缘体的载流子的浓度很小。导电性能很弱。实际绝缘体里，导带里的电子不是没有，并且总有一些电子会从价带跃迁到导带，但数量极少。所以，在一般情况下，可以忽略在外场作用下它们移动所形成的电流。但是，如果外场很强，束缚电荷挣脱束缚而成为自由电荷，则绝缘体就会被“击穿”而成为导体。 7、什么是本征半导体和杂质半导体？ 答：当半导体主要是靠热激发产生载流子时，导电称为本征导电，这种半导体称为本征半导体，其特点是自由电子数等于空穴数。另一种导电机制是靠电活性杂质形成的载流子导电，这种导电称为杂质导电，这种半导体称为杂质
鞋业(类)常用术语中英文对照
鞋业（类）常用术语中英文对照 --－欧维思品牌鞋业折扣店 --https://www.360docs.net/doc/d414163698.html, 目录 第一章：Stage 阶段………………………………P2-P10 第二章技术……………………………P7-P15 第三章鞋型转移……………………………P16-P17 欧维思品牌鞋业折扣店招商加盟网--https://www.360docs.net/doc/d414163698.html,- 1 -
第一章：Stage 阶段 ----欧维思品牌鞋业折扣店https://www.360docs.net/doc/d414163698.html, I.3.1. Two main sections in Dev. Division 开发的两大部分： 1. Development section: explain more in process of new models to make samples in order to introduce market to achieve qty. 开发部分：此部分着重于新型体的样品制作，以便可介绍给客户来争取一定数量的订单。 https://www.360docs.net/doc/d414163698.html,mercialization section: explain more in process of technical after it was developed with Fitting test and Wear test to ensure that all products meet consumers’ expectations in terms of Fitting, Comfort and Performance. 技术部分：开发转移到技术部门，此阶段着重于在开发阶段完成试穿测试, 确保产品在试穿/舒适/功能方面可满足客户的要求后进行的技术工作。 I.3.2. Development Stages 开发阶段 I.3.2.1. PPR: Pre Prototype Review 初始线条评估 1st stage to review all sample products Internally by customer ( Marketing,designer,L.O) For performance shoes, we have Fitting and Wear Test Sample to be sent. * The topics of review are : 1. Material 2. Quality 3. Performance 4. Price 5. Color 6. Design 7. Forecast 客人内部（市场销售、设计师、本地客人）对于新鞋型第一阶段之评估。 对于功能性鞋型，我们要寄Fitting test &Wear test试穿样品。 此时检查要点如下： 1、材料 2、品质 3、功能 4、价格 5、颜色 6、设计 7、订单预测 I.3.2.2. PFR:Prototype Final Review 最后线条评估 Final stage to review all sample shoes before introducing the products to the customers. At this time, all key points should be finally decided (Pattern / Design, Color,Price, Material (should be released), etc.). The result of Fitting Test should be considered for PPR meeting as a basic. 在全部新鞋型介绍给客户前之最后检查阶段，此时所有要点均需做出最后确定，如：纸版、设计、颜色、价位、材料（必须是通过了测试）等等。 寄出试样鞋时需附上试穿报告。此时的试穿结果是PPR 会议之基本考量点。 I.3.2.3. SMS1:Salesman Sample 1 销样一 欧维思品牌鞋业折扣店招商加盟网--https://www.360docs.net/doc/d414163698.html,- 2 -
机床术语中英文对照表汇总
常用机床术语中英文对照 机床中英文对照表 （您可以使用CTRL+F来查找） （1）：按英文字母排序 3-Jaws indexing spacers 三爪、分割工具头 A.T.C.system 加工中心机刀库 Aluminum continuous melting & holding 连续溶解保温炉furnaces Balancing equipment 平衡设备 Bayonet 卡口 Bearing fittings 轴承配件 Bearing processing equipment 轴承加工机 Bearings 轴承 Belt drive 带传动 Bending machines 弯曲机 Blades 刀片 Blades,saw 锯片 Bolts,screws & nuts 螺栓,螺帽及螺丝 Boring heads 搪孔头 Boring machines 镗床 Cable making tools 造线机 Casting,aluminium 铸铝 Casting,copper 铸铜 Casting,gray iron 铸灰口铁 Casting,malleable iron 可锻铸铁 Casting,other 其他铸造 Casting,steel 铸钢 Chain drive 链传动
Chain making tools 造链机 Chamfer machines 倒角机 Chucks 夹盘 Clamping/holding systems 夹具/支持系统 CNC bending presses 电脑数控弯折机 CNC boring machines 电脑数控镗床 CNC drilling machines 电脑数控钻床 CNC EDM wire-cutting machines 电脑数控电火花线切削机CNC electric discharge machines 电脑数控电火花机 CNC engraving machines 电脑数控雕刻机 CNC grinding machines 电脑数控磨床 CNC lathes 电脑数控车床 CNC machine tool fittings 电脑数控机床配件 CNC milling machines 电脑数控铣床 CNC shearing machines 电脑数控剪切机 CNC toolings CNC刀杆 CNC wire-cutting machines 电脑数控线切削机Conveying chains 输送链 Coolers 冷却机 Coupling 联轴器 Crimping tools 卷边工具 Cutters 刀具 Cutting-off machines 切断机 Diamond cutters 钻石刀具 Dicing saws 晶圆切割机 Die casting dies 压铸冲模 Die casting machines 压铸机 Dies-progressive 连续冲模 Disposable toolholder bits 舍弃式刀头 Drawing machines 拔丝机
半导体材料导论结课复习题
半导体材料复习题 1、半导体材料有哪些特征？ 答：半导体在其电的传导性方面，其电导率低于导体，而高于绝缘体。 （1）在室温下，它的电导率在103~10-9S/cm之间，S为西门子，电导单位，S=1/ρ（Ω. cm) ；一般金属为107~104S/cm，而绝缘体则<10-10，最低可达10-17。同时，同一种半导体材料，因其掺入的杂质量不同，可使其电导率在几个到十几个数量级的范围内变化，也可因光照和射线辐照明显地改变其电导率；而金属的导电性受杂质的影响，一般只在百分之几十的范围内变化，不受光照的影响。 （2）当其纯度较高时，其电导率的温度系数为正值，即随着温度升高，它的电导率增大；而金属导体则相反，其电导率的温度系数为负值。 （3）有两种载流子参加导电。一种是为大家所熟悉的电子，另一种则是带正电的载流子，称为空穴。而且同一种半导体材料，既可以形成以电子为主的导电，也可以形成以空穴为主的导电。在金属中是仅靠电子导电，而在电解质中，则靠正离子和负离子同时导电。 2、简述半导体材料的分类。 答：对半导体材料可从不同的角度进行分类例如： 根据其性能可分为高温半导体、磁性半导体、热电半导体； 根据其晶体结构可分为金刚石型、闪锌矿型、纤锌矿型、黄铜矿型半导体； 根据其结晶程度可分为晶体半导体、非晶半导体、微晶半导体， 但比较通用且覆盖面较全的则是按其化学组成的分类，依此可分为：元素半导体、化合物半导体和固溶半导体三大类。 3、化合物半导体和固溶体半导体有哪些区别。 答：由两个或两个以上的元素构成的具有足够的含量的固体溶液，如果具有半导体性质，就称为固溶半导体，简称固溶体或混晶。固溶半导体又区别于化合物半导体，因后者是靠其价键按一定化学配比所构成的。固溶体则在其固溶度范围内，其组成元素的含量可连续变化，其半导体及有关性质也随之变化。 4、简述半导体材料的电导率与载流子浓度和迁移率的关系。 答：s = nem 其中： n为载流子浓度，单位为个/cm3; e 为电子的电荷，单位为C（库仑），e对所有材料都是一样，e=1.6×10-19C 。 m为载流子的迁移率，它是在单位电场强度下载流子的运动速度，单位为cm2/V.s； 电导率s的单位为S/cm(S为西门子）。 5、简述霍尔效应。 答：将一块矩形样品在一个方向通过电流，在与电流的垂直方向加上磁场(H)，那么在样品的第三个方向就可以出现电动势，称霍尔电动势，此效应称霍尔效应。 6、用能带理论阐述导体、半导体和绝缘体的机理。 答：按固体能带理论，物质的核外电子有不同的能量。根据核外电子能级的不同，把它们的能级划分为三种能带：导带、禁带和价带（满带）。 在禁带里，是不允许有电子存在的。禁带把导带和价带分开，对于导体，它的大量电子处于导带，能自由移动。在电场作用下，成为载流子。因此，导体载流子的浓度很大。 对绝缘体和半导体，它的电子大多数都处于价带，不能自由移动。但在热、光等外界因素的作用下，可以使少量价带中的电子越过禁带，跃迁到导带上去成为载流子。 绝缘体和半导体的区别主要是禁的宽度不同。半导体的禁带很窄，（一般低于3eV），绝缘体的禁带宽一些，电子的跃迁困难得多。因此，绝缘体的载流子的浓度很小。导电性能很弱。实际绝缘体里，导带里的电子
飞机专业术语(英汉对照)
1、the airframe 机身,结构 2、The front (fore) part 前部 3、The rear (aft) part 后部 4、port 左旋(舵) 5、starboard 右旋(舵) 6、the inboard engine or inboards 内侧发动机 7、the outboard engine or outboards 外侧发动机 8、the nose 机头 9、the belly 腹部 10、the skin 蒙皮 11、the windscreen or windshield 风挡 12、the wing 机翼 13、the trailing edge 机翼后缘 14、the leading edge 机翼前缘 15、the wing tip 翼尖 16、the control surface 操纵面 17、ailerons 副翼 18、flaps (inboard flap,outboard flap,leading edge flaps) 襟翼（内侧襟翼，外侧襟翼，前缘缝翼） 19、spoilers (inboard\outboard spoiler)(spoiler down\up) 阻力板，扰流板（内、外侧扰流板）（扰流板放下、打开） 20、slats 缝翼 21、elevators (elevator control tab) 升降舵（升降舵操纵片） 22、rudder (rudder control tab) 方向舵（方向舵操纵片）
23、flap angle 襟翼角 24、flap setting 襟翼调整 25、the full flap position 全襟翼位置 26、a flapless landing 无襟翼着陆 27、the landing gear 起落架 28、stabilizer 安定面 29、the nose wheel 前轮 30、gear locked 起落架锁定 31、the wheel well 起落架舱 32、the wheel door 起落架舱门 33、a tyre 轮胎 34、to burst 爆破 35、a deflated tyre 放了气的轮胎 36、a flat tyre 走了气的轮胎 37、a puncture 轮胎被扎破 38、to extend the flaps (to retract the flaps) 放下襟翼（收上襟翼） 39、gear extention (gear retraction) 起落架放下（起落架收上） 40、The gear is jammed. 起落架被卡死。 41、The flaps are jammed. 襟翼被卡死。 42、the emergency extention system 应急放下系统 43、to crank the gear down 摆动放下起落架 44、the brakes 刹车
常用金融术语(中英对照)
熟练掌握名目繁多金融术语除了是专业人士的必修课外，在金融渗透、人人参与投资的时代，了解一些常用的金融术语也对普通投资者们大有益处。本文就为你详细列举了一些常用的可中英文对照的金融术语，帮助你了解生活中的金融。 金融 资产组合(Portfolio):指投资者持有的一组资产。一个资产多元化的投资组合 通常会包含股票、债券、货币市场资产、现金以及实物资产如黄金等。 证券投资(Portfolio Investment) :国际收支中、资本帐下的一个项目，反映资 本跨国进行证券投资的情况，与直接投资不同，后者涉及在国外设立公司开展业务，直接参与公司的经营管理。证券投资则一般只是被动地持有股票或债券。 投资组合经理(Portfolio Manager):替投资者管理资产组合的人，通常获授权 在约定规范下自由运用资金。共同基金的投资组合经理负责执行投资策略，将资金投资在各类资产上。 头寸(Positio n):就证券投资而言，头寸是指在一项资产上做多(即拥有)或做空(即借入待还)的数量。 总资产收益率(ROTA):资产收益率是企业净利润与平均资产总额地百分比，也 叫资产回报率(ROA)，它是用来衡量每单位资产创造多少净利润的指标。其计 算公式为：资产收益率二净利润/平均资产总额X 100% ；该指标越高，表明企业 资产利用效果越好，说明企业在增加收入和节约资金使用等方面取得了良好的效果，否则相反。 整批交易(Round Lot Trade):指按证券和商品在市场最普遍的交易单位(例如 100股为一单位)进行的交易。 交易回合(Round Turn):指在同一市场上通过对两种证券或合约一买一卖，或 一卖一买的交易两相抵消。通常在计算手续费时会提及交易回合。
半导体器件导论_4
《半导体器件导论》 第4章载流子输运和过剩载流子现象 例4.1 计算给定电场强度下半导体的漂移电流密度。T＝300K时，硅的掺杂浓度为N d＝106cm，N a＝0。电子和空穴的迁移率参见表4.1。若外加电场强度ε＝35V cm ?，求漂移电流密度。 【解】 因为N d＞N a，所以在室温下，半导体是n型的。若假设掺入杂质完全电离，则 n≈N d=1016cm?3 少数载流子空穴的浓度为 P=n i 2 n =(1.5×1010) 2 1016 =2.25×104cm?3 既然n?p，漂移电流密度 J drf=e(μn n+μp p)ε≈eμn nε 因此 J drf=(1.6×10?19)(1350)(1016)(35)=75.6A cm2 ? 【说明】 在半导体上施加较小的电场就能获得显著的漂移电流密度。这个结果意味着非常小的半导体器件就能产生mA量级的电流。 例4.2 确定硅在不同温度下的电子和空穴迁移率。利用图4.2分别求出以下两种情况载流随机热速度增加子的迁移率。 (a) 确定(i)N d＝1017cm?3，Τ＝150℃及（ii）N d＝1016cm?3，Τ＝0℃时的电子迁移率。 (b) 确定(i)N a＝1016cm?3，Τ＝50℃及（ii）N a＝1016cm?3，Τ＝150℃时的空穴迁移率。【解】 由图4.2可知： （a）（i）当N d＝1017cm?3，Τ＝150℃时，电子迁移率μn≈500cm2V?s ?； （ii）当N d＝1016cm?3，Τ＝0℃时，电子迁移率μn≈1500cm2V?s ?。 （b）（i）当N a＝1016cm?3，Τ＝50℃时，空穴迁移率μp≈380cm2V?s ?； （i）当N a＝1017cm?3，Τ＝150℃时，空穴迁移率μp≈200cm2V?s ?。 【说明】 由本例可见，迁移率随温度升高而降低。 例4.3 为了制备具有特定电流—电压特性的半导体电阻器，试确定硅在300K时的掺杂浓度。考虑一均匀受主掺杂的条形硅半导体，其几何结构如图4.5所示。若外加偏压为5V时，电流为2mA，且电流密度不大于J drf＝100A cm2 ?。试确定满足条件的截面积、长度及掺杂浓度。 图4.6 硅中电子浓度和电导率与温度倒数的关系曲线（引自S ze[14]） 【解】 所需截面积为
房务部专业术语中英文对照
房务部：Rooms Division 前厅部：Front Office 客房部：Housekeeping 大堂副理：Assistant Manager 宾客关系主任：Guest Relation Officer 前台：Front Desk 接待处：Reception/Check-in 收银处：Cashier/Check-out 领班：Captain 主管：Supervisor 班次负责人：Shift Leader 商务中心：Business Center 客房服务代表：Guest service agent(接待和收银合并之后的前台人员的称呼)简称GSA 电话总机：Switch Board 接线员：Operator 预订处：Room Reservation 礼宾服务处：Concierge 大厅服务处：Bell Service 金钥匙：Golden Key 行政楼层：Executive Floor 行政酒廊：Executive Lounge 行李生：Bellman 迎宾员：Doorman 夜审：End of Day /Night auditor 2．前厅服务项目专业术语介绍 入住：Check-in 退房：Check-out 外币兑换：Foreign Currency Exchange 问询：Information 接送机服务：Pick up service 叫醒服务：Wake up call 请勿打扰服务：DND Do not disturbed 失物招领：Lost and Found 国内直拨和国际直拨电话：DDD and IDD Domestic Direct Dial and International Direct Dial对方付费电话：Collect Call 3．前厅常用物品术语介绍： 住宿登记单：Registration card 欢迎卡：Welcome card 订房凭证：Voucher 交接本：log book 信封：Envelope 房卡钥匙：Room key 安全保管箱：Safe Deposit Box 客房统计和出售率统计的术语 预离房：Expected Departure 预抵房：Expected Arrival
计算机算法常用术语中英对照
第一部分计算机算法常用术语中英对照 Data Structures 基本数据结构Dictionaries 字典Priority Queues 堆Graph Data Structures 图Set Data Structures 集合Kd-Trees 线段树Numerical Problems 数值问题Solving Linear Equations 线性方程组Fourier变换Bandwidth Reduction 带宽压缩Matrix Multiplication 矩阵乘法Satisfiability 可满足性Determinants and Permanents 行列式Linear Programming 线性规划Matching 匹配Constrained and Unconstrained Optimization 最值问题Clique 最大团Cryptography 密码Random Number Generation 随机数生成Shortest Path 最短路径recursion递归Factoring and Primality Testing 因子分解/质数判定Searching 查找Sorting 排序Arbitrary Precision Arithmetic 高精度计算Calendrical Calculations 日期 Discrete Fourier Transform 离散Combinatorial Problems 组合问题 Median and Selection 中位数Generating Permutations 排列生成 Generating Subsets 子集生成Generating Partitions 划分生成 Generating Graphs 图的生成Job Scheduling 工程安排 Graph Problems -- polynomial 图论-多项式算法Connected Components 连通分支Topological Sorting 拓扑排序Minimum Spanning Tree 最小生成树Transitive Closure and Reduction 传递闭包Network Flow 网络流 Eulerian Cycle / Chinese Postman Euler回路/中国邮路 Edge and Vertex Connectivity 割边/割点Independent Set 独立集 Drawing Graphs Nicely 图的描绘Drawing Trees 树的描绘 Planarity Detection and Embedding 平面性检测和嵌入Vertex Cover 点覆盖 Graph Problems -- hard 图论-NP问题Traveling Salesman Problem 旅行商问题Hamiltonian Cycle Hamilton回路Graph Partition 图的划分 Vertex Coloring 点染色Edge Coloring 边染色 Graph Isomorphism 同构Steiner Tree Steiner树 Feedback Edge/Vertex Set 最大无环子图Computational Geometry 计算几何 Convex Hull 凸包Triangulation 三角剖分 V oronoi Diagrams V oronoi图Nearest Neighbor Search 最近点对查询Range Search 范围查询Point Location 位置查询 Intersection Detection 碰撞测试Bin Packing 装箱问题 Medial-Axis Transformation 中轴变换Polygon Partitioning 多边形分割Simplifying Polygons 多边形化简Shape Similarity 相似多边形 Motion Planning 运动规划Maintaining Line Arrangements 平面分割Minkowski Sum Minkowski和Set and String Problems 集合与串的问题 Set Cover 集合覆盖Set Packing 集合配置 Approximate String Matching 模糊匹配Text Compression 压缩 DP—Dynamic Programming动态规划Longest Common Substring 最长公共子串Shortest Common Superstring 最短公共父串String Matching 模式匹配 Finite State Machine Minimization 有穷自动机简化
专业术语中英文对照表
语文课程与教学论 名词术语中英文对照表 the Chinese Course and Teaching and Learning Theory in Chinese and English Teaching materials editing teaching materials /Chinese Teaching Materials /edit teaching materials /Uniformed Chinese Teaching Materials /Experimental Teaching Materials /Mother Tongue Teaching Materials /Teaching Materials of the New Course *textbook *reading book *teaching reference book *exercises book *studying plan Technology /Educational Technology /Modern Educational Technology /Educational Technology in Chinese Teaching /multi-media technology /net technology /cloud serving technology *white board *net meeting *chat room *blog Teaching Basic Theory of the Teaching teaching aim teaching task teaching objective teaching model teaching tactics teaching principle teaching program teaching reform teaching case Courseware teaching resources teaching experiment /mother tongue teaching A Term List of 1. 教材（ JC ） 教材编写 /语文教材 /编写教材 / 统编教材 /实验教材 /母语教材 /新课程教材 * 课本 * 读本 * 教学参考书（教参） * 练习册 *学案 2. 技术（ JS ） / 教育技术 /现代 教育技术 /语文 教育技术 /多媒 体技术 / 网络 技术 /云服务技 术 * 白板 *网 络会议 *聊天室 * 博克 3. 教学 （JX ） 教学基本理论 教学目的 教学 任务 教学目标 教学模式 教学 策略 教学原则 教学大纲 教学 改革 教学案例 教学课件 教学 资源 教学实验 /母语教学
电气专业术语中英文对照
一．电气名词 Electric items 二．线路（母线、回路）Lines (Bus , circuits) 三．设备 Equipments 四．保护、继电器 Protection , relays 五．电气仪表 Electric instruments 六．防雷 Lightning protection 七．接地 Grounding , earthing 八．室、所 Room , Substation 九．电修车间设备 Equipments of electric repair 十．材料 Material 十一．图名 Drawings , diagrams 十二．表头 Tables 十三．标准图词汇 Terms from standard DWG 一．电气名词 Electric items 交（直）流 Alternating (direct) current 短路电流 Short-circuit current 起始次暂态短路电流 Initial subtransient short-circuit current 冲击电流 Impulse current 稳态短路电流 Steady state short-circuit current 临界电流 Critical current 切断电流 Rupturing current 熔断电流 Blow-out current 故障电流 Fault current 计算电流 Calculating current 极限有限电流 Limit effective current 过电流 Over current 逆电流 Inverse current 整定电流 Setting current 额定电流 Rated current 电流密度 Current density 短路电流最大有效值 Maximum effective value of short-circuit current 高压 High-voltage , High-tension 低压 Low-voltage , Low-tension 计算电压 Calculating voltage 激磁电压 Exciting voltage 冲击电压 Impulse voltage 临界电压 Critical voltage 残留电压 Residual voltage 击穿电压 Puncture voltage 脉动电压 Pulsating voltage 供电电压 Supply voltage 电力电压 Power voltage
常用保险术语(中英对照版本)
常用保险术语 保险费率 premium rate 单位保险金额应该收取的保险费。 损失 loss 非故意的、非预期的和非计划的经济价值的减少或灭失。通常分为直接损失和间接损失。 损失程度 loss severity 保险标的可能遭受的损失的严重程度。 直接损失 direct loss 由风险事故导致的财产本身的损失。 间接损失 indirect loss 由直接损失引起的额外费用损失、收入损失和责任损失等无形损失。 保险 insurance 投保人根据合同约定，向保险人支付保险费，保险人对于合同约定的可能发生的事故因其发生所造成的财产损失承担赔偿保险金责任，或者当被保险人死亡、伤残、疾病或者达到合同约定的年龄、期限时承担给付保险金责任的商业保险行为。 财产保险 property insurance 以财产及其有关利益为保险标的的保险。 企业财产保险 commercial property insurance 以单位、团体所有或占有的在指定地点的财产及其有关利益为保险标的的财产保险。 营业中断保险 business interruption insurance 以单位因停产、停业或经营受影响而面临的预期利润的减少及必要的费用支出为保险标的的财产保险。 机器损坏保险 machinery breakdown insurance 以各类已安装完毕并投入运行的机器为保险标的财产保险。 货物运输保险 cargo insurance 以运输途中的货物为保险标的保险。 海上货物运输保险 ocean marine cargo insurance 以通过海上运输方式运输的货物作为保险标的的保险。 陆上货物运输保险 inland transit insurance 以通过陆上运输方式运输的货物为保险标的的保险。
电影专业术语 中英对照
电影专业术语中英文对照 A Above-the-line 线上费用 A-B roll A-B卷 AC 交流电 Academy ratio 学院标准画框比 Adaptation 改编 ADR editor ADR 剪辑师 Aligator clamp=gaffer grip 固定灯具的弹簧夹，又称鳄鱼夹 Ambient Sounds 环境音 Amp 安培 Amplification 信号放大 Amplitude 振幅 Analog 模拟 Anamorphic lens 变形镜头 Aperture 光圈 Answer Print 校正拷贝 Arc 摄像机的弧度运动 Art director 艺术指导 Aspect ratio 画框比 Atmosphere sound 气氛音 Attack 起音 Audio board 调音台 Audio mixer 混音器，混音师 Automatic dialogue replacement 自动对白补录 Automatic focus 自动对焦 Automatic gain control 自动增益控制 Automatic iris 自动光圈(少用) Axis of action 表演轴线 B Back light 轮廓光 Background light=Scenery light 场景光 Balance 平衡 Balanced 平衡电缆 Barndoor 遮扉（灯具上的黑色金属活动板，遮光用的） Barney 隔音套 Base 片基（用来附着感光乳剂的胶片基底） Base plate 底座（固定灯的） Baselight level 基本亮度 Batch capturing 批次采集 Below-the-line 线下费用 Bidirectional 双向麦克风 Bit depth 位元深度（在数字声音中每次取样的数目，通常是8，12,16）