电子工艺复习
《电子技术基础》复习题(模拟)
一、填空题：1—1—1 半导体是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。
常用的半导体单晶材料是硅和锗，还有部分金属与氧、硫、磷、砷等元素组成的氧化物。
1—1—2 利用半导体材料的某种敏感特性，如热敏特性和光敏特性可制成热敏电阻和光敏元件。
1—1—3 在本征半导体中，自由电子浓度等于空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度小于空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度大于空穴浓度。
1—1—4 半导体中的电流是电子电流与空穴电流的代数和。
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的；少数载流子是由本证激发产生的。
1—1—5 使PN结正偏的方法是：将P区接高电位，N区接低电位。
正偏时PN结处于导通状态，反偏时PN结处于截止状态。
1—1—7 反向电压引起反向电流剧增时的PN结处于击穿状态，该状态是稳压二极管的工作状态，是普通二极管的故障状态。
1—1—9 整流二极管的最主要特性是单项导电性，它的两个主要参数是：最大平均整流电流 和 最高反向工作电压 。
1—1—10 在常温下，硅二极管的开启电压(死区电压)约为0.5 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V ；锗二极管的开启电压(死区电压)约为 0.1 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.3 V 。
1—1—11 理想二极管正向导通时，其压降为 0 V , 反向截止时，其中电流为 0 A 。
这两种状态相当于一个 开关 。
1—1—12 稳压二极管工作时，其反向电流必须在WmanW I I ~min 范围内，才能起稳压作用，并且不会因热击穿而损坏。
1—1—13 发光二极管内部 PN 结 ，当外加适当的正向电压时，N 区的自由电子和P 区的空穴在扩散过程中 复合 ，释放的能量以 光 的形式表现出来。
1—1—14 发光二极管按其发光效率的高低可分为 超高亮度 型 高亮度 型和 普通型。
1—1—15 用万用表及R ×100Ω或R ×1K 档测试一个正常二极管时指针偏转角很大，这时可判定黑表笔接的是二极管阳(正) 极，红表笔接的是二极管 阴（负） 极。
(工业电气自动化)电子技术基础(二)课程复习题与答案1
电子技术基础(二)课程复习题及答案一、填空1、本征半导体中有空穴和两种载流子。
自由电子2、半导体有P型和两种类型。
N型3、PN结具有特性。
单向导电4、二极管按结构分有点接触型和接触型。
面5、差动放大电路的电路参数。
对称6、差动放大电路的目的是抑制。
共模信号7、反馈分有正反馈和反馈。
负8、功率放大器按晶体管的工作状态可分为甲类、乙类和功率放大器。
甲乙类9、复合管的类型与组成该复合管的三极管相同。
第一只10、集成功放的内部主要由前置级、中间级和组成。
功率输出级11、集成电路按功能分有数字集成电路和集成电路。
模拟12、过零电压比较器具有极高的。
电压放大倍数13、正弦波振荡器由基本放大电路、、反馈网络和稳幅电路四部分组成。
选频网络14、正弦波振荡器产生自己震荡的条件是有正反馈和。
正反馈量要足够大15、在开关稳压电源中调整管工作于状态。
开关16、逻辑代数又叫代数。
二值布尔17、基本的逻辑运算有逻辑加、逻辑乘、三种。
逻辑非18、卡诺图所有的最小项之和为。
119、数字集成器件民用品标为系列。
7420、集成逻辑门是最基本的。
数字集成器件21、反相器就是实现的器件。
逻辑非22、编码是的逆过程。
译码23、组合逻辑电路的输出状态仅取决于。
当前输入24、最基本的时序逻辑电路有集成计数器、等。
集成寄存器25、计数器按计数步长分有二进制、十进制和。
N进制26、一个触发器可以存放位二进制数。
127、多谐振荡器又称。
方波发生器28、555集成定时器基本应用有多谐振荡器、施密特触发器和。
单稳态触发器29、绝大多数的DAC、ADC均采用工艺。
CMOS30、读写存储简称。
RAM31、只读存储器简称。
ROM二、单选选择题1、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。
DA、二B、三C、四D、五2、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成P型半导体。
BA、二B、三C、四D、五3、在P型半导体中，电子浓度（）空穴浓度。
CA、大于B、等于C、小于D、与温度有关4、在本征半导体中，电子浓度（）空穴浓度。
电子技术基础第1到6章复习习题
模电复习习题一、选择题1.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是A 。
A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化2.大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是A 。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适3.当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的B。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降A 。
A.3dBB.4dBC.5dB4. 多级直接耦合放大电路中，（A）的零点漂移占主要地位。
A) 第一级B) 中间级C) 输出级5. 一个三级放大电路，测得第一级的电压增益为0dB，第二级的电压增益为40dB，第三级的电压增益为20dB，则总的电压增益为（B）A) 0dB B) 60dB C) 80dB D) 800dB6.在相同条件下，多级阻容耦合放大电路在输出端的零点漂移（B ）。
A）比直接耦合电路大B）比直接耦合电路小C）与直接耦合电路基本相同7.要求静态时负载两端不含直流成分，应选( D )耦合方式。
A）阻容B）直接C）变压器D）阻容或变压器8.差动放大电路是为了（C）而设置的。
A) 稳定增益B) 提高输入电阻C）克服温漂D) 扩展频带9. 差动放大电路抑制零点漂移的能力，双端输出时比单端输出时（A ）A) 强B) 弱C）相同10. 在射极耦合长尾式差动放大电路中，eR 的主要作用是（B ）A) 提高差模增益 B ）提高共模抑制比C) 增大差动放大电路的输入电阻 D) 减小差动放大电路的输出电阻11. 差动放大电路用恒流源代替发射极电阻是为了（ A ）。
A ）提高共模抑制比 B ）提高共模放大倍数 C ）提高差模放大倍数 12. 集成运放的输出级一般采用（C ）。
(完整word版)《电工与电子技术》复习题
《电工与电子技术》课程复习题一一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入对应表各中内。
(本大题共20个小题，每小题1分，共20分)1.在线性电路中,多个激励源共同作用时在任一支路中产生的响应，等于各激励源单独作用时在该支路所产生响应的代数和称为（ ）。
( ) .A 。
叠加原理 B. 戴维南定理 C 。
欧姆定律 D 。
基尔霍夫定律2。
以独立节点电压为电路的独立变量，列出KCL 方程，求解电路的方法叫( ） 。
A 。
网孔电压法 B. 节点电压法 C 。
支路电流法 D 。
回路电流法3. 同一电路中的几个正弦量画在同一相量图上的前提条件为（ ） 。
A 。
初相位相同 B. 相位差相同 C 。
频率相同 D 。
大小相等4. 在纯电容交流电路中，以下关系式正确的是（ )。
A. i u X C C -=B.••-=IU X C C C.iU X C C -= D 。
C C X I j U ••-=5.电阻元件的无功功率为（ ）。
A. 0 B 。
1W C. 1War D 。
- 1War6. 电流、电压的参考方向是可以任意选择的。
电流、电压的参考方向一致时，称为（ ）参考方向.A. 非关联 B 。
关联 C. 一致 D 。
相同7。
变压器是根据（ )原理制成的一种静止电器。
A 。
欧姆定律 B.交流电 C.电磁感应 D 。
克希荷夫定律8. 三相异步电动机由定子、( ）和空气隙组成。
A. 定子绕组B。
定子铁心 C. 转子绕组 D. 转子9。
在三相四线制电路中,对称三相电路的中线电流为（）。
A. 0B. 1AC. —1AD. 不确定10.电动机的起动方式有( ）和降压起动。
A。
间接B。
直接C。
变换D。
自耦变压器11。
PN结加正向电压时,空间电荷区将（) 。
A. 变窄B。
基本不变 C. 变宽 D.不确定12。
稳压管的稳压区是其工作在( ) .A. 正向导通B。
反向击穿C。
反向截止D。
数字电子技术基础复习题概念题
1.处理的电子电路是数字电路。
（a）交流电压信号（b）时间和幅值上离散的信号（c）时间和幅值上连续变化的信号（d）无法确定2.用不同数制的数字来表示2004，位数最少的是。
（a）二进制（b）八进制（c）十进制（d）十六进制3.最常用的BCD码是。
（a）5421码（b）8421码（c）余3码（d）循环码4.格雷码的优点是。
（a）代码短（b）记忆方便（c）两组相邻代码之间只有一位不同（d）同时具备以上三者5.两个开关控制一盏灯，只有两个开关都闭合时灯才不亮，则该电路的逻辑关系是。
（a）与非（b）或非（c）同或（d）异或6.已知F=ABC+CD，选出下列可以肯定使F=0的取值（a）ABC=011 （b）BC=11 （c）CD=10 （d）BCD=1117.2004个1连续异或的结果是。
（a）0 （b）1 （c）不唯一（d）逻辑概念错误1.5的5421BCD码是。
2.逻辑表达式中，异或的符号是，同或的符号是。
3.逻辑函数常用的表示方法有、、和。
4.用代数法化简逻辑函数需要一定的和，不容易确定化简结果是否是。
5.用卡诺图化简逻辑函数，化简结果一般是最简式。
1.实体（ENTITY）描述一个设计单元的的信息。
（a）行为、元件及连接关系（b）元件、子程序、公用数据类型（c）名称和端口的引脚等（d）可编译的设计单元2.结构体（ARCHITECTURE）用于描述设计单元的。
（a）行为、元件及连接关系（b）元件、子程序、公用数据类型（c）名称和端口的引脚等（d）可编译的设计单元3.在VHDL语言中，ARCHITECTURE中的语句都是执行的语句。
（a）顺序（b）并行（c）即可顺序也可并行（d）无法确定4.在VHDL程序设计中，下面4个部分，不是可编译的源设计单元。
（a）ARCHITECTURE （b）ENTITY （c）PROCESS （d）PACKAGE5.在VHDL程序中，以下4个部分，可以有顺序执行语句。
（a）结构体（ARCHITECTURE）（b）进程（PROCESS）中的关键词BEGIN前（c）进程（PROCESS）中的关键词BEGIN后（d）程序包（PACKAGE）6.结构体中的变量应在VHDL程序中部分给予说明。
电力电子技术复习题
填空题1.电压型三相桥式逆变电路中，采用180°导电控制方式时，同一相上、下两桥臂控制信号的相位差是_____。
2．GTO 的电流关断增益 。
3.斩波电路中，通过保持开关导通时间不变，而改变开关周期来控制电路的方式称为 。
4. 带阻感负载的三相桥式整流电路中，若︒=60α，则每个开关器件的导通角为 。
5.带电阻负载的三相桥式全控整流电路，晶闸管触发角的移相范围是 。
6. IGBT 是MOSFET 和 的复合，综合了二者的优点。
7. 电流型逆变电路中当交流侧为阻感负载时须提供无功功率， 起缓冲无功能量的作用。
8. 三相桥式可控整流电路中的共阴极组的晶闸管的触发脉冲相位依次互差_________度。
9. 晶闸管断态不重复峰值电压U DSM 和正向转折电压U bo 在数值关系是U DSM U bo 。
10.在PWM 控制电路中，载波比是 。
11. 零开关PWM 电路可以分为零电压开关PWM 电路和 。
12．载波比是指 。
13. 带阻感负载的单相全控桥式整流电路，交流侧电流仅含有 次谐波，且各次谐波有效值和谐波次数成反比。
14. 电网频率为工频时，单相交交变频电路的输出上限频率约为 。
15. 在三相桥式全控整流电路中，电阻性负载，当控制角 时，输出电压波形是断续的。
16. 三相全控桥，带阻感负载，晶闸管两端的电压波形由三段组成，以VT 1为例，这三段电压分别为：导通段、u ab 、 。
17. 交流调功电路是以 为单位控制晶闸管的通断。
18. 换流方式一共有四种，其中只适用于全控型器件的换流方式是 。
19. 将直流电能转换为交流电能且直接供给交流用电负载的逆变电路称为____ ____。
20. 电压型三相逆变电路中，采用 导电控制方式时，同一相上、下两桥臂控制信号的相位差是180°。
21．若晶闸管电流有效值为314A ，则其额定电流为 （不考虑裕量）。
22．电力晶体管GTR 通常采用至少由两个晶体管按照 接法组成的单元结构，同GTO 一样采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成。
电子设备结构与工艺常见电子元器件介绍
SMT电容1
• CHIP电容
– 结构：片式电容通体一色，为土黄色。两端是金属可焊 端。
– 外形尺寸：0805、1206、1210、1812、1825等几种， 其中1206最常用。
– 片式电容无极性。 – 参数识别：D D M T 单位：pF
– 四色环电阻的读数规律： D D M ±T （数字-数字-10的指数误差）
如：黄 紫 棕 金 4 7 101 ±5% = 470Ω±5%
– 五色环电阻的读数规律： D D D M T（数字-数字-数字-10的 指数-误差）
如：红 紫 绿 红 棕 2 7 5 102 ±1% = 27.5KΩ±1%
紫 绿 黑 银 棕 7 5 0 10-2 ±1% = 7.5Ω±1%
用于描述电子元器件的特性参数的数量。主要包括：
a.标称值和标称值系列 b.允许偏差和精度等级 c.额定值和极限值
质量参数
用于度量电子元器件的质量水平。主要包括： 温度系数 噪声电动势 高频特性 可靠性 机械强度 可焊性
三、电子元器件的检验和筛选
外观质量检验 电气性能检验筛选：随机抽样筛选或老化筛
• 代码标记
– 读数规律： D D M±T 或 D D M （PF）
其中标称值D、M用数码表示，误差T用字母表示，单位 为PF。
可用字母“R”表示小数点。
下为误差代码表：
B=±0.1 C=±0.2 D=±
%
5%
0.5%
F=± G=± 2% J=± K=±
1%
5% 10%
M=+80%或 -20%
如:103K=10000 PF ± 10% 306G=30μF± 2%
微电子封装技术总复习
（4）芯片凸点的组成及各部分的作用。
5、典型封装的内部结构图和各组成部分名称：
TO型、DIP型、QFP、BGA、FC、MCM等。
6、封装可靠性分析： （1）铝焊区上采用Au丝键合，对键合可靠 性的影响及解决对策。 （2）塑料封装器件吸潮引起的可靠性问题。 （3）塑料封装器件吸潮引起的开裂问题：开 裂机理、防止措施。
考
1、形式：闭卷。
试
2、题型：
（1）名词术语翻译； （2）填空； （题；
（6）综合题。
• 答疑安排：
• 第十六周星期一下午2：00~4：00 。
• 地点：工学三号馆311。
微电子封装技术总复习
1、微电子封装技术中常用封装术语英文缩写 的中文名称。 主要封装形式：DIP、QFP(J)、PGA、PLCC、
SOP(J)、SOT、SMC/D BGA、CSP、MCM、WLP等。 主要封装工艺技术：WB、TAB、FCB、OLB、 ILB、C4、UBM、SMT等。 不同的封装材料：C、P等。 2、微电子封装的分级。 3、微电子封装的功能。
4、微电子封装技术中的主要工艺方法： （1）芯片粘接。 （2）互连工艺： WB：热压超声焊主要工艺参数、材料； TAB：内、外引线焊接时主要工艺参数、载 带的分类； FCB：工艺方法，各工艺方法的关键技术。 （3）常用芯片凸点制作方法。 电镀法制作芯片凸点有关计算：公式、公式 中各参数的含义、单位、电镀时间的计算。
电力电子技术复习题
填空题填空题1.电压型三相桥式逆变电路中，采用180°导电控制方式时，同一相上、下两桥臂控制信号的相位差是_____。
2．GTO 的电流关断增益的电流关断增益 。
3.斩波电路中，通过保持开关导通时间不变，而改变开关周期来控制电路的方式称为而改变开关周期来控制电路的方式称为 。
4. 带阻感负载的三相桥式整流电路中，若°=60a ，则每个开关器件的导通角为，则每个开关器件的导通角为 。
5.带电阻负载的三相桥式全控整流电路，晶闸管触发角的移相范围是带电阻负载的三相桥式全控整流电路，晶闸管触发角的移相范围是 。
6. IGBT 是MOSFET 和 的复合，综合了二者的优点。
的复合，综合了二者的优点。
7. 电流型逆变电路中当交流侧为阻感负载时须提供无功功率，电流型逆变电路中当交流侧为阻感负载时须提供无功功率， 起缓冲无功能量的作用。
起缓冲无功能量的作用。
8. 三相桥式可控整流电路中的共阴极组的晶闸管的触发脉冲相位依次互差三相桥式可控整流电路中的共阴极组的晶闸管的触发脉冲相位依次互差___________________________度。
度。
度。
9. 晶闸管断态不重复峰值电压U DSM 和正向转折电压U bo 在数值关系是U DSM U bo 。
10.在PWM 控制电路中，载波比是控制电路中，载波比是 。
11. 零开关PWM 电路可以分为零电压开关PWM 电路和电路和 。
12．载波比是指．载波比是指 。
13. 带阻感负载的单相全控桥式整流电路，交流侧电流仅含有带阻感负载的单相全控桥式整流电路，交流侧电流仅含有 次谐波，且各次谐波有效值和谐波次数成反比。
次数成反比。
14. 电网频率为工频时，单相交交变频电路的输出上限频率约为电网频率为工频时，单相交交变频电路的输出上限频率约为 。
15. 在三相桥式全控整流电路中，电阻性负载，当控制角在三相桥式全控整流电路中，电阻性负载，当控制角 时，输出电压波形是断续的。
微电子期末考试复习题(附答案)
1. 光敏半导体、掺杂半导体、热敏半导体是固体的三种基本类型。
( × ) 2．用来做芯片的高纯硅被称为半导体级硅，有时也被称为分子级硅。
(×)电子3. 硅和锗都是Ⅳ族元素，它们具有正方体结构。
( × ) 金刚石结构4．硅是地壳外层中含量仅次于氮的元素。
( × ) 氧5．镓是微电子工业中应用最广泛的半导体材料，占整个电子材料的95％左右。
( × ) 硅6．晶圆的英文是wafer，其常用的材料是硅和锡。
( × ) 硅和锗7．非晶、多晶、单晶是固体的三种基本类型。
( √ )8．晶体性质的基本特征之一是具有方向性。
( √ )9．热氧化生长的SiO2属于液态类。
( × ) 非结晶态10．在微电子学中的空间尺寸通常是以μm和mm为单位的。
( × )um和nm 11．微电子学中实现的电路和系统又称为数字集成电路和集成系统，是微小化的。
( × ) 集成电路12．微电子学是以实现数字电路和系统的集成为目的的。
( × ) 电路13．采用硅锭形成发射区接触可以大大改善晶体管的电流增益和缩小器件的纵向尺寸。
( √ )14．集成电路封装的类型非常多样化。
按管壳的材料可以分为金属封装、陶瓷封装和塑料封装。
( √ )15．源极氧化层是MOS器件的核心。
( × ) 栅极16. 一般认为MOS集成电路功耗高、集成度高，不宜用作数字集成电路。
( × ) 功耗低，宜做17. 反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是迁移率。
( √ )18. 双极型晶体管可以作为放大晶体管，也可以作为开关来使用。
( √ )19. 在P型半导体中电子是多子，空穴是少子。
( × ) 空穴是多子20. 双极型晶体管其有两种基本结构：PNP型和NPN 型。
( √ )21. 在数字电路中，双极型晶体管是当成开关来使用的。
( √ )22. 双极型晶体管可以用来产生、放大和处理各种模拟电信号。
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PYW—MADE 第 1 页 共 1 页 电子工艺复习要点
一、电子工艺概论（P1—P23） 1、（P2）电子制造（electronic manufacture）：广义的电子制造包括电子产品从“市场分析、经营决策、整体方案、电路原理设计、工程结构设计、工艺设计、零部件检测加工、组装、质量控制、包装运输、市场营销直至售后服务”的电子产业链全过程， 也称为“电子制造系统”或“大制造观念”。
2、（P2）工艺：简单说，工艺就是“制造产品的方法和流程”。 经典的工艺定义：劳动者利用生产工具对各种原材料、半成品进行加工和处理，改变它们的几何形状、外形尺寸、表面状态、内部组织、物理和化学性能以及相互关系，最后使之成为预期产品的方法及过程。
3、（P3）（1）电子产品：以电子学和微电子学为理论基础，应用电子、自动化及相关设计技术完成系统设计；而后应用复杂的电子制造技术，通过几十乃至上百道工序，由成千上万的人在要求很高的环境下，应用各种自动化机器设备制造出来的产品。 （2）电子制造工艺：简称“电子工艺”，是指贯穿从设计到制造全过程的一项关键技术。 广义的电子制造工艺，包括“基础电子制造工艺”和“电子产品制造工艺”两部分。 狭义的电子制造工艺，即指“电子产品制造工艺”。 （详见P4图1.1.3）
4、（P4）电子工艺与产业： （1）提高经济效益。工艺方法和手段的改进可以大幅度提高劳动生产率、降低材料消耗。 （2）保证产品质量。产品质量主要取决于“设计质量”和“制造质量”；根据可靠性原理，产品的固有可靠性=设计可靠性*制造可靠性。 （3）促进新产品的研发。企业的创新主要体现在新产品研发水平上。
5、（P5）电子工艺与设计：电子工艺与设计，本来是唇齿相依的关系，设计以制造为目标，制造以设计为依据，二者密不可分。
6、（P5）电子工艺技术发展历程：电子管时代、晶体管和集成电路时代、大规模集成电路时代、系统级（超大规模）集成电路时代。 （详见P6表1.2.1） （1）电子工艺的早期——导线直连技术 （2）电子工艺最伟大的发明——印制电路 （3）电子工艺的发展契机——晶体管的发明 （4）电子工艺起飞引擎——集成电路 （5）电子工艺的大发展——通孔安装技术 （6）电子工艺的现代化基础——元器件微型化 （7）电子工艺的当前主流——表面贴装技术
7、（P12）电子工艺的绿色化：无铅、无卤 PYW—MADE 第 2 页 共 2 页 8、（P19）标准化：对实际与潜在的问题作出统一规定，供共同和重复使用，以在预定领域内获取最佳秩序的活动。 最根本目的是“提高经济效益和社会效益”。
9、（P20）国内标准常识： （1）标准的4个层面：国家标准、行业标准、地方标准、企业标准 （2）强制性标准和推荐性标准 （3）4个层面标准的权威性和严格制度
10、（P21）国际标准： 1）ISO标准：国际标准化组织（International Organization for Standardization） 2）IEC标准：国际电工委员会（International Electro Technical Commission），1906，日内瓦 IEC下设“技术委员会（TC）、分技术委员会（SC）和工作组（WG）” 3）ITU标准：国际电信联盟（International Telecommunication Union）， 始于1865，时称“国际电报联盟”（International Telegraph Union） 4）JTC1标准：ISO与IEC联合组建的第一个标准化技术委员会，编号为1，即ISO/IEC JTC1 （ISO/IEC Joint Technical Committee for Information Technology） 5）IPC标准：美国印刷电路板协会（Institute of Printed Circuit）—> 电子电路互连与封装协会（The Institute for Interconnecting and Packaging Electronic Circuits）—>1998，电子工业连接协会（Association Connecting Electronics Industries） 6）IEEE标准：美国电气与电子工程师协会（Institute of Electrical and Electronics Engineers） 7）EIA标准：美国电子工业协会（Electronic Industry Alliance） 8）MIL标准：美国军用标准（Military Standards） 9）JIS标准：日本工业标准（Japanese Industrial Standards） 10）DIN标准：德国标准化学会认定的国家标准（Deutsches Institut fur Normung） 11）EN：欧盟标准代号
11、（P23）国际化趋势：向国际标准靠拢，采用国际标准。
二、安全用电（P24—P46） 1、（P24）安全用电的三个方面： （1）基本用电安全（电气事故三大类）：人身安全、设备安全、电气火灾（P26） A）人身安全——电击、电伤等直接人身伤害 B）设备安全——错误使用造成设备损坏 C）电气火灾——由电导致的火灾事故
（2）隐性用电安全：电磁干扰、电磁污染（P37） 电磁辐射（electro magnetism radialization）——是指能量以电磁波形式由源发射到空间的物理现象。 A）电磁干扰（electromagnetic interference，EMI）——一般是指电磁辐射对正常工作的电子电气设备产生干扰，引起这些设备发生错误或性能下降的现象。 B）电磁污染（electromagnetic pollute）——是指过量的电磁辐射对环境造成的危害。 PYW—MADE 第 3 页 共 3 页 （3）深层次用电安全：环境、资源、能源 A）环境——电子产品废弃物对环境的危害 B）资源——大量过度生产造成资源浪费 C）能源——电子产品全生命周期耗能造成能源危机和温室效应
2、（P26）触电对人体危害主要有“电伤和电击”。 电伤是由于发生触电而导致的人体外表创伤，通常包括“灼伤、电烙伤、皮肤金属化”； 电击是电流通过人体，严重干扰人体正常生物电流，造成肌肉痉挛（抽筋）、神经紊乱，导致呼吸停止、心脏室性纤颤，严重危害生命。
3、（P26）影响触电危险程度的因素：电流的大小、种类、作用时间，人体电阻 电流对人体的伤害程度（电击强度）：电流*时间
4、（P27）人体触电的主要原因有两种：直接或间接接触带电体以及跨步电压。 单极接触 双极接触 静电接触 跨步电压
5、（P36）电子产品的安全认证： 1）CCC认证：中国强制认证（China Compulsory Certification） 2）UL认证：美国保险商试验所认证（Underwriter Laboratories Inc.） 3）CE认证：欧洲共同市场安全标志（CONFORMITE EUROPEENNE） 4）FCC认证：美国联邦通信委员会（Federal Communications Commission） 5）EMC认证：国际电磁兼容认证 6）GS认证：德国安全认证 7）NF认证：法国认证标志 8）EK认证：韩国安全认证 9）CSA认证：加拿大安全认证 10）BEAB认证：英国安全认证
6、（P40）用电安全技术： （1）接地保护： （2）接零保护： （3）过限保护：过压保护，温度保护，过流保护 （4）智能保护： （5）漏电保护开关（触电保护开关）：电压型，电流型
7、（P45）脱离电源的最有效措施是“拉闸或拔出电源插头”，一要快，二不要使自己触电。 触电急救的关键在于： （1）争分夺秒；（2）应尽可能就地进行；（3）要有耐心，不轻言放弃。 电气消防的主要保护措施： （1）正确选用保护装置； （2）技术保护； （3）选择产品
三、EDA与DFM简介（P47—P72） 1、（P49）EDA：电子设计自动化（Electronic Design Automation），EDA技术是在CAD（Computer Aided Design，计算机辅助设计）、CAM（Computer Aided Manufacturing，计算机辅助制造）、CAT（Computer Aided Testing，计算机辅助测试）和CAE（Computer Aided Engineering，计算机辅助工程）的基础上发展起来的计算机软件系统。 PYW—MADE 第 4 页 共 4 页 （1）狭义的EDA技术：主要指以大规模可编程逻辑器件为设计载体，应用计算机软、硬件工具最终形成“集成电子系统”（integrated electronics system，IES）或专用集成芯片（ASIC）的一门新技术，或称为IES/ASIC自动设计技术。 （2）广义的EDA技术：除了包含狭义的EDA技术，还包括计算机辅助分析（CAA）技术（如 PSPICE，EWB，MATLAB等），印制电路板计算机辅助设计PCB-CAD技术。
2、（P62）DFM：可制造性设计（design for manufacture），是最优化设计中直接与产品制造的可行性、经济性和产品可靠性相关的技术，也是DFX中应用最普及的技术。 DFM技术从行业领域可以分为“集成电路制造DFM”（通常称为芯片级DFM）和“电子组装制造DFM”（通常称为PCB板级DFM）， 分别对应于“半导体行业”和“电子产品制造行业”。 DFM与DFX：DFX是DFM概念的扩展延伸，即包括DFM在内充分考虑各种与制造有关的因素，追求更优化的设计方案，这就是所谓的“最优化设计”。
四、电子元器件（P73—P134） 1、（P73）电子元器件： （1）狭义概念，即电子学中以电原理来界定的，能够对电信号（电流或电压）进行控制的基本单元。 （2）通义概念，即应用电子领域的定义，指具有独立电路功能、构成电路的基本单元。 （3）广义概念，即产品制造领域，指凡是构成电子产品的各种组成部分。
2、（P74）电子元器件的分类： （1）按制造行业划分——元件与器件 A）元件：加工中没有改变分子成分和结构的产品。 B）器件：加工中改变了分子成分和结构的产品，主要是各种半导体产品。 （2）按电路功能划分——分立与集成 （3）按工作机制划分——无源与有源 （4）按组装方式划分——插装和贴装 （5）按使用环境分类——元器件可靠性 民用品（商用品）、工业品、军用品 （6）电子工艺关于元器件的分类：常用器件，常用半导体器件，特种元器件