铜管工艺流程 (文字)
铜管工艺流程
4.3.9 铜管工艺流程
1.铜管安装应符合下列要求:
(1) 管道切割可采用手动或机械切割，不得采用氧气—乙炔火焰切割，切割时，应防止操作不当使管子变形，管子切口的端面应与管子轴线垂直，切口处的毛刺等应清理干净。
(2) 管道坡口加工应采用锉刀或坡口机，不得采用氧气—乙炔火焰切割加工。夹持铜管用的台虎钳钳口两侧应垫以木板衬垫。
2.预制管道时应测量正确的实际管道长度在地面预制后，再进行安装。有条件的应尽量用铜管直接弯制的弯头。多根管道平行时，弯曲部位应一致，使管道整齐美观。
3.管道煨弯不宜热煨、一般外径在108mm以下采用压制弯头或焊接弯头。铜弯管的直边长度应不小于管外径，且不小于30mm。弯管的加工还应根据管道的材质、管径和设计等条件来决定。
4.采用铜管加工补偿器时，应先将补偿器预制成形后再进行安装。采用定型产品套筒式或波纹管式补偿器时，也宜将其与相邻管子预制成管段后再进行安装，特别是选用不锈钢等异种材料需与铜管钎焊连接的补偿器时，一般应将补偿器与铜管先预制成管段后，再进行安装。更多知识可关注微信号：AZPT991
敷设管道所需的支吊架，应按施工图标明的形式和数量进行加工预制。
5.铜管机械连接、焊接连接应符合下列要求:
(1) 铜管钎焊连接前应先确认管材、管件的规格尺寸是否满足连接要求。依据图纸现场实测配管长度，下料应正确。
(2) 钎焊强度小，一般焊口采用搭接形式。搭接长度为管壁厚度的6～8倍，管道的外径D 小于等于28mm时，搭接长度为(1.2～1.5)D(mm)。
(3) 焊接前应对铜管外壁和管件内壁用细砂纸，钢毛刷或含其他磨料的布砂纸擦磨，清除表面氧化物。
(4) 焊接过程中，焊嘴应根据管径大小选用得当，焊接处及焊条应加热均匀。不得出现过热现象，焊料渗满焊缝后应立即停止加热，并保持静止。自然冷却。(5) 铜管与铜合金管件或铜合金管件与铜合金管件间焊接时，应在铜合金管件焊接处使用助焊剂，并在焊接完后，清除管道外壁的残余熔剂。
(6) 覆塑铜管焊接时应剥出长度不小于200mm裸铜管，并在两端缠绕湿布，焊
接完成后复原覆塑层。
(7) 钎焊后的管件，必须在8h内进行清洗，除去残留的熔剂和熔渣。常用煮沸的含10%～15%的明矾水溶液或含10%柠檬酸水溶液涂刷接头处，然后用水冲擦干净。
(8) 焊接安装时应尽量避免倒立焊。
6.铜管采用卡套连接应符合下列规定:
(1) 管口断面垂直平整，且应使用专用工具将其整圆或扩口。
(2) 应使用活络扳手或专用扳手，严禁使用管钳旋紧螺母。
(3) 连接部位宜采用二次装配，当一次完成时，螺母拧紧应从力矩激增点后再旋转1～1/4圈，使卡套刃口切入管子，但不可旋得过紧。
7.铜管冷压连接应符合下列规定:
(1) 应采用专用压接工具。
(2) 管口断面应垂直平整，且管口无毛刺。
(3) 管材插入管件的过程中，密封圈不得扭曲变形。
(4) 压接时，卡钳端面应与管件轴线垂直，达到规定卡压力后再延长1～2S。8.黄铜配件与附件螺纹连接时，宜采用聚四氟乙烯生料带，连接时，应用手拧2～3扣再用板手一次拧紧，不得倒拧，拧紧后应留2～3扣丝扣。
9.各种松套法兰规格应满足设计要求，垫片可采用耐温夹布橡胶板或铜垫片等。法兰连接应采用镀锌螺栓，对称拧紧。
10.支架及管道安装应符合下列要求:
(1)管道穿过墙壁、楼板及埋墙暗装时，应配合土建预留洞、留槽，其留洞、槽尺寸可按以下规定执行:
1)孔洞尺寸宜按管道外径大50～100mm。
2)埋墙暗管墙槽尺寸的宽度可为管道外径加50mm,深度为管道外径加15～
30mm。
3)架空管顶上部的净空不宜小于200mm。更多知识可关注微信号：AZPT991
4)管道穿过地下室或地下构筑物外墙时，应预埋防水套管且应做好防水措施。
5)明管安装，其外壁或保温层外表面与装饰墙面的净距离宜为10～15mm。
6)暗装管道(指地沟、顶棚、管井等)距墙面、柱面的距离应根据管道支架的安装要求和管道的固定要求等条件确定，管道中心距墙面、柱面的距离可按表
4.3.9.10.(1)的数据确定。
7)铜管固定支架间距应符合设计要求。热水管固定支架间距的确定应根据管线伸缩量、伸缩接头允许伸缩量等确定。固定支架宜在变径、分支、接口及穿越承重墙、楼板的两侧等处设置。更多知识可关注微信号：AZPT991
8)铜管的活动支架间距可按表4.3.9.10.(2)确定。
9)管道支架宜采用铜合金制品，当采用钢支架时。管道与支架间应设软隔垫。
10)管道系统安装间歇的敞口处，应及时封堵。
11)管道不得用作吊、拉、攀件使用。
12)支架安装应平整牢固，间距和规格应符合设计要求。管道穿过墙壁及楼板应加钢套管，套管与管道之间缝隙应用阻燃密实材料和防水油膏填实。
11.补偿器安装应符合下列要求:
(1) 方(圆)形补偿器水平安装时，应与管道坡度一致；垂直安装时，高点应有排气装置。
(2) 安装补偿器，应按设计要求做预拉。如设计无要求，套管补偿器预拉伸应符合表4.3.9.11.(2)的要求。方形补偿器预拉长度为其伸长量的一半，安装铜波纹形补偿器时，其直管长度不得小于100mm。
12.阀门安装应符合下列要求:
(1)安装前应检查核对型号规格，是否符合设计要求。检查阀杆和阀盘是否灵活，有无卡阻和外斜现象，阀盘必须关闭严密。
(2)安装前，必须对阀门进行强度和严密性试验，不合格不得进行安装。
13.管道试压应符合下列要求:
(1)应按设计要求进行水压或气密性试验。当设计无要求时，试验压力应为管道系统工作压力的1.5倍，但不得小于0.6MPa。
(2)试验前，对试压管道应采取安全有效的固定和保护措施。管道接头部位应明露。更多知识可关注微信号：AZPT991
(3)水压试验合格后可进行后序土建施工。水压试验时，应作好记录并经监理工程师确认，以备查或存档。
(4)水压试验应按下列步骤进行:
1)将试验管道未端封堵，缓慢注水，同时将管内气体排出。
2)管道系统充满水后，进行严密性检查，达到试验压力后，停止加压，观测10min,压力降不超过0.02MPa；再降到工作压力进行检查，不渗不漏为合格。
14.用于生活饮用水的管道在水压试验合格后，应用清水冲洗、消毒后再用饮用水冲洗，经有关部门检查合格方可使用。
15.设计规定需要保温的管道，其保温施工应在水压试验合格后进行。所用的保温材料品种和厚度，必须符合设计要求，施工方法应符合该保温材料规定的要求。
16.质量要求
Ⅰ主控项目
(1)管材、部件、焊接材料等，型号、规格，质量必须符合设计要求和本章、节的要求。检查方法:检查合格证、验收或试验记录。
(2)阀门的规格、型号和强度、严密性试验及需要做解体检验的阀门，必须符合
设计要求和本章有关规定。
(3)水压试验，必须符合设计要求和本章的有关规定。检查方法:检查分段和系统试验记录。
(4)焊缝表面不得有裂纹、烧穿、结瘤和严重的夹渣、气孔等缺陷。有特殊要求的焊口必须符合有关规定。检查方法:用放大镜观察检查。有特殊要求的焊口，检查试验记录。按系统抽查10%，但不少于5个。
(5)管口翻边表面不得有皱折、裂纹和刮伤等缺陷。检查方法:观察检查。按系统抽查10%，但不少于5个。
(6)脱脂异油的管道、部件、垫片和填料等，脱脂后必须符合设计要求和有关规定。检查方法:检查脱脂记录。按系统全部检查。
(7)弯管表面不得有裂缝、分层、凹坑和过烧等缺陷。检查方法:按系统抽查10%，但不少于3件。
(8)焊缝探伤检查:黄铜气焊焊缝的射线探伤必须按设计或有关规定的数量检验。工作压力在10MPa以上者，必须符合表4.3.9.16.1第2项的规定；工作压力在10MPa以下者，必须符合表4.3.9.16.1第3项的规定。检查方法:检查探伤记录，必要时可按规定检验的焊口数抽查10%。更多知识可关注微信号：AZPT991 (9)焊接机械性能检验:焊接接头的机械性能必须符合表4.3.9.16 2的规定。检查方法:检查试验记录。
(10)管道系统的清洗、吹洗必须按设计要求和有关规定进行。检查方法:检查清洗、吹洗记录。按系统全检。
Ⅱ一般项目
(1)支、吊、托架的安装位置正确、平整、牢固、支架与铜管之间应用石棉橡胶垫软金属垫或木垫隔开，且接触紧密。活动支架的活动面与支承面接触良好，移动灵活。吊架的吊杆应垂直，丝扣完整，防腐良好。检查方法:用手拉动和观察检查。按系统抽查10%，但不少于3件。
(2)管道坡度应符合设计要求和本章的有关规定。检查方法:用水平尺检查。按系统每50m直线管段抽查2段，不足50m抽查一段。
(3)补偿器安装，两臂应平直，不应扭曲，外圆弧均匀。水平安装时，坡度应与管道一致。波纹及填料式补偿器安装的方向应正确。检查方法:观察和用水平尺检查。按系统全部检查。
(4)阀门安装位置、方向应正确，连接牢固、紧密、灵活。有特殊要求的阀门应符合有关规定。检查方法:观察和作启闭检查或检查试验记录。按系统抽查各类阀门抽查10%，但不应少于2个。有特殊要求的阀门应全部检查。
(5)法兰连接应紧密、平行、同轴，与管道中心线垂直。螺栓受力应均匀，并露出螺母2～3扣丝，垫片安装正确。松套法兰管口翻边折弯处为圆角，表面无折皱、裂缝和刮伤。检查方法:用扳手试拧、观察和用尺检查。按系统各抽查10%，
但不应少于3处，有特殊要求的法兰应全部检查。
(6)铜管安装的允许偏差应符合表4.3.9.16.3的规定。
17.应注意的质量问题
(1)铜管的切割、坡口加工必须用冷加工的方法进行。
(2)管材内外表面应光洁、清洁、不应有针孔、裂纹、皱皮、分层、粗糙、拉道、夹杂、气泡等缺陷。黄铜管不得有绿锈和严重脱锌。
(3)铜管的不圆度，不得超过外径的允许偏差。铜管端部应平整无毛刺。铜管内外表面不得有超过外径和壁厚允许偏差的局部凹坑、划伤、压入物、碰伤等缺陷。
(4)翻边连接的管道，应保持同轴，其偏差为:DN≤50mm时，不大于1mm；DN ＞50mm,不大于2mm。
18.成品保护
(1)管材、管件在施工中应妥善保管，应单独堆放，不得混淆损坏。应避免与其他管道等接触。
(2)中断施工时，管口应封堵。再进行安装时要检查管内有无异物。
(3)敷设在地沟内的管道，施工前要清理管沟的杂物；严禁对已安装好的管道踩蹬，并及时盖好地沟盖板。
(4)弯管工作应在螺纹加工后进行，应对螺纹采取保护措施。
(5)安装在墙上、混凝土柱上和地沟内的支架，宜在土建工程施工时配合预留洞或预埋铁件，不宜任意打洞。
(6)管道安装时，应防止管道表面被砂石或其他硬物划伤。
(7)未交工验收前，施工单位要专门组织成品保护人员，24h有人值班。确保安全。更多知识可关注微信号：AZPT991
(8)经酸洗或纯化，或者脱脂合格后的管道，安装前仍应采取有效保护措施。
注:δ为管壁厚度。
表4.3.9.16.3 紫铜、黄铜管道安装工程的允许偏差和检验方法
芯片的制造工艺流程
芯片的制造 半导体产业最上游是IC设计公司与硅晶圆制造公司，IC 设公司计依客户的需求设计出电路图，硅晶圆制造公司则以多晶硅为原料制造出硅晶圆。中游的IC制造公司主要的任务就是把IC设计公司设计好的电路图移植到硅晶圆制造公司制造好的晶圆上。完成后的晶圆再送往下游的IC封测厂实施封装与测试，即大功告成！ (1)硅晶圆制造 半导体产业的最上游是硅晶圆制造。事实上，上游的硅晶圆产业又是由三个子产业形成的，依序为硅的初步纯化→多晶硅的制造→硅晶圆制造。 a硅的初步纯化 将石英砂(SiO2)转化成冶金级硅(硅纯度98%以上)。 b多晶硅的制造 将冶金级硅制成多晶硅。这里的多晶硅可分成两种：高纯度(99.999999999%，11N)与低纯度(99.99999%，7N)两种。高纯度是用来制做IC等精密电路IC，俗称半导体等级多晶硅；低纯度则是用来制做太阳能电池的，俗称太阳能等级多晶硅。 c硅晶圆制造 将多晶硅制成硅晶圆。硅晶圆又可分成单晶硅晶圆与多晶硅晶圆两种。一般来说，IC制造用的硅晶圆都是单晶硅晶
圆，而太阳能电池制造用的硅晶圆则是单晶硅晶圆与多晶硅晶圆皆有。一般来说，单晶硅的效率会较多晶硅高，当然成本也较高。 (2)IC设计 前面提到硅晶圆制造，投入的是石英砂，产出的是硅晶圆。IC设计完成后，产出则是电路图，最后制成光罩送往IC 制造公司，设计就告一段落了！ 不过，要让理工科以外的人了解IC设计并不是件容易的事(就像要让念理工的人了解复杂的衍生性金融商品一样)，作者必需要经过多次外出取材才有办法办到。这里先大概是一下观念，请大家发挥一下你们强大的想像力！ 简单来讲，IC设计可分成几个步骤，依序为：规格制定→逻辑设计→电路布局→布局后模拟→光罩制作。 a规格制定 品牌厂或白牌厂(没有品牌的品牌厂)的工程师和IC设计工程师接触，并开出他们需要的IC的规格给IC设计工程师。讨论好规格后，工程师们就开始工作了！ b逻辑设计 所谓的“逻辑”设计图，就是指它是由简单的逻辑元件构成，而不是由半导体种类电路元件(如二极体、电晶体等)所构成。什么是逻辑元件呢？像是AND Gate(故名思意，两个输入都是1的话，输出才是1，否则输出就是0)，OR Gate(两
完整版高考化学工艺流程题答题规律大总结
高考化学工艺流程题答题规律大总结！一、考点分析 无机化工题实际上是考查考生运用化学反应原理及相关知识来解决工业生产中实际问题的能力。解此类型题目的基本步骤是： ①从题干中获取有用信息，了解生产的产品 ②分析流程中的每一步骤，从几个方面了解流程：A．反应物是什么；B．发生了什么反应；C．该反应造成了什么后果，对制造产品有什么作用。抓住一个关键点：一切反应或操作都是为获得产品而服务。 ③从问题中获取信息，帮助解题。 了解流程后着手答题。对反应条件的分析可从以下几个方面着手： 对反应速率有何影响？对平衡转化率有何影响？对综合生产效益有何影响？如原料成本，原料来源是否广泛、是否可再生，能源成本，对设备的要求，环境保护（从绿色化学方面作答）。二、工业流程题中常用的关键词 原材料：矿样（明矾石、孔雀石、蛇纹石、大理石、锂辉石、黄铜矿、锰矿、高岭土，烧渣），合金（含铁废铜），药片（补血剂），海水（污水） 灼烧（煅烧）：原料的预处理，不易转化的物质转化为容易提取的物质：如海带中提取碘 酸：溶解、去氧化物（膜）、调节pH促进水解（沉淀） 碱：去油污，去铝片氧化膜，溶解铝、二氧化硅，调节pH促进水解（沉淀） 氧化剂：氧化某物质，转化为易于被除去（沉淀）的离子氧化物：调节pH促进水解（沉淀）控制pH值：促进某离子水解，使其沉淀，利于过滤分离 煮沸：促进水解，聚沉后利于过滤分离；除去溶解在溶液中的气体，如氧气趁热过滤：减少结晶损失；提高纯度
三、工业流程常见的操作 （一）原料的预处理 ①粉碎、研磨：减小固体的颗粒度，增大固体与液体或气体间的接触面积，加快反应速率。（研磨适用于有机物的提取，如苹果中维生素C的测定等） ②水浸：与水接触反应或溶解。 ③酸浸：通常用酸溶，如用硫酸、盐酸、浓硫酸等，与酸接触反应或溶解，使可溶性金属离子进入溶液，不溶物通过过滤除去。近年来，在高考题出现了“浸出”操作。在化工生产题中，矿物原料“浸出”的任务是选择适当的溶剂，使矿物原料中的有用组分或有害杂质选择性地溶解，使其转入溶液中，达到有用组分与有害杂质或与脉石组分相分离的目的。 ④灼烧：除去可燃性杂质或使原料初步转化，如从海带中提取碘时的灼烧就是为了除去可燃性杂质，将有机碘转化为碘盐。．
路基土石方工程施工方法和工艺
路基土石方工程施工方法和工艺 土石方填筑施工方案——以机械化作业为主。挖掘机、装载机、自卸车装运,推土机、平地机整平，震动压路机压实;桥台后、涵背采用手扶震动压路机、平板震动器等小型机械压实。为保证施工质量,提高施工效率，加快施工进度,采用“三阶段、四区段、八流程”的作业程序组织施工。 路堑开挖施工方案——路堑开挖前做好堑顶截、排水设施;路堑及站场开挖方式根据地形情况、岩层产状、开挖断面及其长度并结合土石方调配方案确定。土质采用逐层顺坡开挖;平缓地面上短而浅的地段采用全断面开挖;平缓横坡上一般采用横向台阶开挖,较深地段采用分层开挖;土、石质傍山地段采用纵向台阶开挖，边坡较高时要分层开挖。开挖后的路堑按设计及时施作防护和加固工程；硬岩地段采用风动凿岩机、潜孔钻机钻孔,视具体情况分别采用浅孔爆破、深孔爆破二种爆破方法开挖,爆破后石方采用装载机装车,自卸车运输；土质、软岩地段采用挖掘机或装载机挖、装，自卸汽车运输、预留人工开挖层。 基床施工方案——对基床与其以下路堤的分界面和基床底层与表层的分界面，均预压实、整平，并检查核对其高程。路基基床施工工艺流程同路堤填筑。路堑基床施工,须在开挖接近堑底时,鉴别核对土石，然后按基床设计断面测量放线,开挖修整；按设计采取压实、换填、排水等措施。 (1) 基底处理 当地面横坡缓于１：５时,应清除草皮；地面横坡陡于1：5—1:2.5时，原地面开挖台阶，台阶宽度不小于1ｍ；原地面为耕地、松土、浮土的厚度不大于０.3m时，将原地面夯压密实,松土厚度大于0．3m时，将松土翻挖，分层回填压实或采取设计要求的地基加固措施;经过清表后的基底经整平后，采用重型压路机进行碾压三遍。路堤经过沟渠或低洼地段时,应先采取挖排水疏干、挖除淤泥及腐植根茎,待基底晾干后再整平压实。
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芯片设计和生产流程 大家都是电子行业的人，对芯片，对各种封装都了解不少，但是你 知道一个芯片是怎样设计出来的么？你又知道设计出来的芯片是 怎么生产出来的么？看完这篇文章你就有大概的了解。 复杂繁琐的芯片设计流程 芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出必要的IC芯片（这些会在后面介绍）。然而，没有设计图，拥有再强制造能力都没有用，因此，建筑师的角色相当重要。但是IC设计中的建筑师究竟是谁呢？本文接下来要针对IC设计做介绍。 在IC生产流程中，IC多由专业IC设计公司进行规划、设计，像是联发科、高通、Intel等知名大厂，都自行设计各自的IC芯片，提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为IC是由各厂自行设计，所以IC设计十分仰赖工程师的技术，工程师的素质影响着一间企业的价值。然而，工程师们在设计一颗IC芯片时，究竟有那些步骤？设计流程可以简单分成如下。
设计第一步，订定目标 在IC设计中，最重要的步骤就是规格制定。这个步骤就像是在设计建筑前，先决定要几间房间、浴室，有什么建筑法规需要遵守，在确定好所有的功能之后在进行设计，这样才不用再花额外的时间进行后续修改。IC设计也需要经过类似的步骤，才能确保设计出来的芯片不会有任何差错。 规格制定的第一步便是确定IC的目的、效能为何，对大方向做设定。接着是察看有哪些协定要符合，像无线网卡的芯片就需要符合IEEE802.11等规範， 不然，这芯片将无法和市面上的产品相容，使它无法和其他设备连线。最后则是
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高考--工艺流程题(含答案)
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(整理)边坡土方施工工艺
1、编制目的 为保证本次基坑边坡支护工程的质量能满足国家有关技术规范和设计部门所提出的技术要求，同时满足院质量体系文件的要求，使施工过程的每一工序均能在受控状态下按进度和质量目标完成，特编制本工程施工组织设计。 2、适用范围 本施工组织设计适用于本次基坑边坡支护工程施工的全过程。包括前期准备、施工过程的各个工序、资料整理、成果报告、产品验证等各个环节。 3、编制依据 ⑴《广场联合大厦边坡支护设计方案》 ⑵《建筑地基基础设计规范》（GB50007-2002） ⑶《基坑土钉支护技术规程》（CECS96:97） 4、工程概况 该工程为基坑边坡临时性支护。支护基坑边坡上部为杂填土、角砾，下部为基岩，坡体高度m。 5、技术要求及施工工艺 5.1技术要求 保证本次基坑边坡支护工程支护范围内大楼基础施工时的稳定性及和平路、中山路道路的安全性、稳定性。 5.2施工设计方案 根据边坡形态、地层构成、工程特征和上述技术要求，对边坡上部角砾层按连续土钉墙支护，下部基岩部分设计以岩锚支护。详细施工方案及施工程序见设计方案。 5.3施工工艺 5.3.1施工工艺流程 土钉施工工序：人工修理边坡→搭设脚手架→定点放线→打土钉→挂钢筋网→喷射水泥砂浆→土钉压力注浆→拆除脚手架。 锚杆施工工序：人工修理边坡→搭设脚手架→锚杆成孔→钢筋放置→重力注浆→挂钢筋网→喷射水泥砂浆→拆除脚手架。 5.3.2施工现场部署 根据支护施工特点，施工现场部署分两部分，一部分为固定场地，用以堆放材料，做到分类分规格堆放。另一部分为作业场地，该场地随作业面的移动而移动，该场地用以堆放急需用材料、拌料用地、设备停放。 5.3.3人工修理边坡 对明显凹凸不平的坡面进行人工修坡，人工修理有困难的（基岩开挖困难），采用风镐凿平。 为保证支护范围内边坡的稳定性，设计方案要求边坡坡度不应小于1：0.3。 5.3.4土钉施工 ⑴打土钉 边坡按设计要求人工修理后，由技术人员测放土钉钉位。施工中采用土钉机打入3.5×Φ48钢管，孔位中心间距、孔深严格按照设计方案（施工中可根据实际地质情况调整锚杆排数和长度）。打入土钉端部焊接预制锥头，土钉打入部分范围内布设注浆孔，间距0.5m，交错布设。
(完整)高考工艺流程题解题技巧答案
工艺流程题 一、化工流程命题立意及考点 工艺流程是近几年高考的热点，它是传统“无机框图题”的变革与创新。以化工生产为背景，用框图的形式表述生产流程，是化学与生产、生活联系的重要体现，体系全，考点多 核心考点：物质的分离操作、除杂试剂的选择、生产条件的控制、产品分离提纯等。 知识落点：信息方程式书写、化学用语的表达、生产条件的控制、物质的分离等。 能力考查：获取信息的能力、分析问题的能力、表达能力。 二、解题策略 1、工艺流程题的结构 规律是“主线主产品，分支副产品，回头为循环”。 2. 解答基本步骤 （1）读题头，得目的，划原料，明产品，解决“干什么” （2）读题问，逐空填答，用语要规范，解决“怎么写” 三、化工流程常见考点答题套路 (1)增大原料浸出率(离子在溶液中的含量多少)的措施：搅拌、升高温度、延长浸出时间、增大气体的流速(浓度、压强)，增大气液或固液接触面积。 (2)加热的目的：加快反应速率或促进平衡向某个方向(一般是有利于生成物生成的方向)移动。 (3)温度不高于××℃的原因：适当加快反应速率，但温度过高会造成(如浓硝酸)挥发、(如H 2O 2、NH 4HCO 3)分解、(如Na 2SO 3)氧化或促进(如AlCl 3)水解等，影响产品的生成。 (4)从滤液中提取一般晶体(溶解度随温度升高而增大的晶体)的方法：蒸发浓缩(至有晶膜出现)、冷却结晶、过滤、洗涤(冰水洗、热水洗、乙醇洗)、干燥。 (5)从滤液中提取溶解度受温度影响较小或随温度升高而减小的晶体的方法:蒸发浓缩、趁热过滤(如果温度下降，杂质也会以晶体的形式析出来)、洗涤、干燥。 (6)溶液配制、灼烧、蒸发、过滤用到的仪器。 (7)控制某反应的pH 值使某些金属离子以氢氧化物的形式沉淀:调节pH 所用试剂为主要元 原料预处理 除杂、净化 产品分离提纯 反应条件控 原料循环利用 排放物的无害化处理
铜管管件加工工艺标准
铜管管件加工工艺标准 1范围 本标准适用于公司所生产的产品中的铜管管件加工。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标 准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 加工工艺流程 2.1 GB/T 1531-2009 2.2 GB/T 1527-2006 2.3 QB/T 1109-1991 铜及铜合金毛细管 铜及铜合金拉制管 不锈钢、铜管路连接件。 扩口 ■-I f 弯管 去毛刺 T 脱脂 下料 去毛刺 墩台 缩口 扩 口 缩 口 缩 口 弓 管 弓 管 翻 边 翻 边 翻 边 翻 边 扩 口 ￡ ____ ■■■■ 打孔 弯 管 X
4铜管一般要求 4.1 密封冷媒系统要求 管件内部表面清洁、无氧 化、无水、无油等； 4.2 不允许使用带有裂 纹、不圆变形、扭曲、可见砂眼、喷墨（铜管厂检测有缺陷的标记）、发黑（氧化）等缺陷的铜管。 5铜管加工要求总则 5.1 管路的加工按设计图纸进行，形状、尺寸应符合设计要求； 5.2 断口处直径改变应在铜管标准直径的2河内，且断口不允许有飞边，毛刺； 5.3 管件要脱油、去污、无铜屑，内外表面光洁，不许有油污、伤痕、氧化皮； 5.4 焊接过程必须充氮保护，焊后用 2.8~3.0MPa的干燥压缩空气吹净内部。 6铜管下料、去毛刺 6.1 设备及操作要求 6.1.1使用工具：割管刀，有效直尺，定位块根据图纸要求的尺寸和管径，用直量取相应的长度，放置定位块 6.1.2铜管需定位固定后，再用割刀拆下，要保证割口平齐，不变形 6.1.3操作中，不允许戴手套，但去毛刺可以戴手套操作，防止毛线进入铜管。 6.1.4 切割过程中，铜管均匀进给，以保证管口圆滑。 6.1.5 当管径小于（等于）①12mm可多根（不多于10根）一起下料；当管径大于①12mm或长度小于60mm 的铜管必须单独进行下料。 6.1.6 下料后必须对端口去毛刺，去毛刺采用铁丝砂轮机，应根据不同管径调整变频器的大小以控制机转速。具体可见下表1。
土石方施工流程
土石方施工方案 （江西泓鑫泰建筑劳务有限公司提交） 目录 一、编制依据 二、工程概况 三、施工工艺及流程 四、安全及文明施工
一、编制依据： 赣州市E22地块施工图纸 《地基与基础工程施工质量验收规范》GB50202-2002 《建筑工程施工质量验收统一标准》GB50300-2001 《建筑机械使用安全技术规程》JGJ33-2001 《工程地质勘察报告》 二、工程概况 项目图纸待定中，工程概况暂时不明朗。 三、施工工艺及流程 一）土方开挖准备工作： 1、及时把本项目土方开挖及运输上报给政府单位，做好相关审批手续，开工准备。 2、学习和审查图纸： 检查图纸核对平面尺寸和坑底标高，掌握设计内容及各项技术要求、质量要求、熟悉土层地质、水文勘察资料、研究好开挖路线，明确各工种间的配合关系、施工工期要求，并向层层参加施工人员进行安全、技术交底。 3．查勘施工现场： 摸清工程场地以下情况：邻近建筑物、地下基础、管线、电缆坑
基、地面上施工范围内的障碍物和堆积物状况，以及供水、供电、通讯情况、排水系统等，为施工规划和准备提供可靠的资料和数据。 4、清除现场障碍物 将施工区域内所有障碍物，地上和地下管道、电缆、基础等进行拆除。 5．设置测量控制网 1.控制内容为复核建筑物的定位桩、轴线、方位和几何尺寸。 2.根据规划红线，按设计总平面图复核建筑物定位桩，采用经 纬仪及标准钢卷尺进行检查校对。按设计基础平面图对基坑的灰线进行轴线和几何尺寸的复核，并检查方向是否符合图纸的朝向。水准点标高控制点引测在南侧临建墙面上及北侧临建墙面上并妥加保护。挖土过程中定期进行复测，校验控制桩的位置和水准点标高。 3.准备机具、物资及人员： 用3台330型挖土机，2台装载机，50辆运土车，组织并配备土方工程施工所需各专业技术人员、管理人员和技术工人；组织安排好作业班次；制定技术岗位责任制和技术、质量、安全、管理体系。二）土方开挖： 1.先清理地表植物，场地平整（出现的工程量甲方现场工程师签字确认）。 2.现场有大面积的地面硬化（以前老机场跑道）约8000平方米，厚度0.6米（0.3米的混凝土和0.3米水稳层）。需要先用330以上的炮
顶推法施工
顶推法施工 6.7.1 工艺概述 顶推法施工是预先在桥台后面的路堤（或引道）上、亦可在桥梁中部设置预制平台逐段拼装或浇筑桥跨结构，待达到预定强度的设计强度后，安装临时预应力索，用顶推装置逐段通过墩顶滑移装置将梁顶出，安装一段，拼接一段，直至全部就位，全部顶推就位后拆除临时预应力束，安装永久预应力束，拆除滑移装置，安装永久支座，完成预应力连续梁的安装施工。由于不需要使用膺架，可不中断桥下交通，省去大量施工脚手支架，减少高空作业，便于集中管理和指挥，施工安全可靠。顶推法适用于跨越城市、深谷、较大河流、公路、铁路的预应力连续梁结构施工。多用于跨径30～60m 预应力混凝土等截面连续梁架设，顶推法可架设直桥、弯桥，坡桥。 采用顶推法架梁时，梁前端呈悬臂状态，与后部相比断面受力较大。为降低梁前端这种临时架设的断面力，可在梁前端安装导梁，还可以根据现场条件，在桥墩间设置临时支墩以降低架设时梁的断面受力。在中间跨度大，又不能设置临时支墩时，也可用导梁从两侧相对顶推，在跨中连结。 顶推方法主要分为单点顶推和多点顶推两种： 单点顶推方法是把千斤顶等顶推设备设置于1 处——桥台或桥墩上。其它墩上布置滑道，边顶推边使梁滑动的方式，这种方式有用水平、竖向两台千斤顶和用穿心式水平千斤顶配以拉杆两种方法。 多点顶推是在各墩上均设置千斤顶等顶推设备的顶推方式，这种方式可将水平力分散作用于各墩上，对长大桥尤为有利。目前大多使用此种方法。
6.7.2 作业内容 顶推施工作业内容主要如下： 1.施工准备； 2.箱梁节段预制及早期预应力张拉； 3.箱梁节段顶推、导梁拆除； 4.预应力箱梁后期预应力束安装及张拉压浆、前期预应力束拆除； 5.体系转换，包括滑道拆除以及支座安装等。 6.7.3 质量标准及检验方法 《铁路桥涵工程施工质量验收标准》（TB10415-2003） 《高速铁路桥涵工程施工质量验收标准》（TB10752-2010）《铁路混凝土工程施工质量验收标准》（TB10424-2010） 6.7.4 工艺流程图 6.7.5 工艺步骤及质量控制 一、施工准备 1.施工场地
铜管施工工艺
（一）铜管安装操作工艺 １、工艺流程： ２、铜管加工 1）小口径铜管运输储存状态为盘圆，使用前进行调直，调直应先将管内充砂，然后用调直器进行调直。 2）调直过程中注意用力不能过大，不得使管子表面产生凹坑、划痕或粗糙的痕迹。 3）调直后的铜管应清理干净，不应残留砂子。 ３、焊接： 1）D>100mm 铜管采用氧－乙炔焊接，为防止熔液流进管内，焊接时应注意以下几点： A 、对口焊接时内壁齐平，内壁错边量不得超过管壁厚度的10%，且不大于1mm ，也可采用加衬焊环的方法焊接。 B 、不同壁厚的管子、管件组对可按碳钢管的相应规定加工管子坡口，坡口面及其边缘内外侧不小于20mm 范围内的表面，应在焊前采用有机溶剂除去油污，采用机械方法或化学方法清除氧化膜，使其露出金属光泽；焊丝使用前也应用同样方法处理。 2）气焊焊丝的直径约等于管壁厚度，采用一般紫铜丝，气焊熔剂方面采用“CJ301”。焊前把管端和焊丝清理干净，并用砂纸仔细打磨，使管端 不太毛，也不太光。 3）铸铜阀门与铜管连接采用锡焊，一般焊口采用插 接形式，插接长度为管壁厚度的6~8倍；管子的公 称直径（D ）小于25mm 时，插接长度为（1.2~1.5） D ；锡焊后的管件，必须在8小时内进行清洗，除去 残留的熔剂和熔渣，采用煮沸的含10％~15％的明矾 水溶液涂刷接头处，然后用水冲洗擦干。 铜管调直 切割 弯管 压接连焊接 预热和热支架及管道穿 补偿器安阀门安 试压
4）铜管不得采用氧一乙炔焰切割或加工坡口，加工时夹持铜管的虎钳钳口两侧应垫以木板衬垫，以防夹伤管子。 ４、压接 1）D≤100 mm铜管采用从欧洲引进的VIEGA压接 技术，以VIEGA制作的铜压接配件，配合高品质 的铜管，使用专用工具施压咬合固定。 2）管件安装前利用修边器，清除切口内外毛边， 然后将管件转紧，选用对应口径的钳口接到压接工具上，对正角度与正确位置施压即可。3）压接技术与普通焊接技术分析比较 项目压接方式施工法传统(熔)(电)焊施工法 施工工具(充)电式压接机氧气、乙炔、瓦斯桶、灭火器，电焊 设备数套。焊条，电线延长线数百米 工人一般管工熟练管工(须有执照)及管工 安装顺序 与场所 1.可先行组装易于狭小空间 施工 2.配管无方向性可随心所欲 3.无场地限制 1.配管须有顺序焊接 2.受场地及熟练焊工等因素限制 3.尤以管道间施工情形,限可明显比较出 技术无须专精的施工技术,普通 技工可快速进入状态 须专业焊工，施工缓慢（不锈钢管） 传统铅管需熟练老师父施工 施工时间每口依使用机具而定,充电 式约6-7秒电动式2-3秒完 成 焊(熔)接施工前置作业过多浪费工时,每 口作业完成又必须等待管路冷却 调整使用机具施工方便简单试压时须每口做及处理检查,耗时且耗工维修 1.易于检修及抽换方便 2.管线变更容易,管材拆装 容易 须全面断水、放水，再依检修变更处切断 更换，重新焊接油漆管线，变更维修困难安全性不使用火可确保安全焊接(熔接)施工稍有不慎极易引起火灾 卫生安全简易施工降低施工人员之 职业伤害至最低 电焊时有毒铜气体尤以在通风不良之场 所会造成焊接人员吸入有毒铅气体而造 成铅中毒现象 管 材材质不破坏管材结构及表面处 理焊接部因熔接而严重破坏金属组织须再做特别处理
铜管管件加工工艺标准课件
铜管管件加工工艺标准 1 范围 本标准适用于公司所生产的产品中的铜管管件加工。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 2.1 GB/T 1531-2009 铜及铜合金毛细管 2.2 GB/T 1527-2006 铜及铜合金拉制管 2.3 QB/T 1109-1991 不锈钢、铜管路连接件。
4 铜管一般要求 4.1 密封冷媒系统要求管件内部表面清洁、无氧化、无水、无油等； 4.2 不允许使用带有裂纹、不圆变形、扭曲、可见砂眼、喷墨（铜管厂检测有缺陷的标记）、发黑（氧 化）等缺陷的铜管。 5 铜管加工要求总则 5.1 管路的加工按设计图纸进行，形状、尺寸应符合设计要求； 5.2 断口处直径改变应在铜管标准直径的2%以内，且断口不允许有飞边，毛刺； 5.3 管件要脱油、去污、无铜屑，内外表面光洁，不许有油污、伤痕、氧化皮； 5.4 焊接过程必须充氮保护，焊后用2.8~3.0MPa的干燥压缩空气吹净内部。 6 铜管下料、去毛刺 6.1 设备及操作要求 6.1.1 使用工具：割管刀，有效直尺，定位块根据图纸要求的尺寸和管径，用直量取相应的长度，放置 定位块 6.1.2 铜管需定位固定后，再用割刀拆下，要保证割口平齐，不变形 6.1.3 操作中，不允许戴手套，但去毛刺可以戴手套操作，防止毛线进入铜管。 6.1.4 切割过程中，铜管均匀进给，以保证管口圆滑。 6.1.5 当管径小于（等于）Φ12mm，可多根(不多于10根)一起下料；当管径大于Φ12mm，或长度小于60mm 的铜管必须单独进行下料。 6.1.6 下料后必须对端口去毛刺，去毛刺采用铁丝砂轮机，应根据不同管径调整变频器的大小以控制 机转速。具体可见下表1。 表1
IC 芯片设计制造到封装全流程
一、复杂繁琐的芯片设计流程 芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出必要的 IC 芯片(这些会在后面介绍)。然而，没有设计图，拥有再强制造能力都没有用，因此，建筑师的角色相当重要。但是IC 设计中的建筑师究竟是谁呢?本文接下来要针对IC 设计做介绍。 在IC 生产流程中，IC 多由专业 IC 设计公司进行规划、设计，像是联发科、高通、Intel 等知名大厂，都自行设计各自的 IC 芯片，提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为IC 是由各厂自行设计，所以 IC 设计十分仰赖工程师的技术，工程师的素质影响着一间企业的价值。然而，工程师们在设计一颗 IC 芯片时，究竟有那些步骤?设计流程可以简单分成如下。 设计第一步，订定目标 在IC 设计中，最重要的步骤就是规格制定。这个步骤就像是在设计建筑前，先决定要几间房间、浴室，有什么建筑法规需要遵守，在确定好所有的功能之后在进行设计，这样才不用再花额外的时间进行后续修改。IC 设计也需要经过类似的步骤，才能确保设计出来的芯片不会有任何差错。
规格制定的第一步便是确定 IC 的目的、效能为何，对大方向做设定。接着是察看有哪些协定要符合，像无线网卡的芯片就需要符合IEEE 802.11 等规范，不然，这芯片将无法和市面上的产品相容，使它无法和其他设备连线。最后则是确立这颗IC 的实作方法，将不同功能分配成不同的单元，并确立不同单元间连结的方法，如此便完成规格的制定。 设计完规格后，接着就是设计芯片的细节了。这个步骤就像初步记下建筑的规画，将整体轮廓描绘出来，方便后续制图。在IC 芯片中，便是使用硬体描述语言(HDL)将电路描写出来。常使用的 HDL 有Verilog、VHDL 等，藉由程式码便可轻易地将一颗IC 地功能表达出来。接着就是检查程式功能的正确性并持续修改，直到它满足期望的功能为止。 ▲ 32 bits 加法器的Verilog 范例 有了电脑，事情都变得容易 有了完整规画后，接下来便是画出平面的设计蓝图。在IC 设计中，逻辑合成这个步骤便是将确定无误的HDL code，放入电子设计自动化工具(EDA tool)，让电脑将 HDL code 转换成逻辑电路，产生如下的电路图。之后，反覆的确定此逻辑闸设计图是否符合规格并修改，直到功能正确为止。
高考化学工艺流程题
工艺流程图题型突破 1．【2017新课标1卷】（14分） Li4Ti5O12和LiFePO4都是锂离子电池的电极材料，可利用钛铁矿（主要成分为FeTiO3，还含有少量MgO、SiO2等杂质）来制备，工艺流程如下： 回答下列问题： （1）“酸浸”实验中，铁的浸出率结果如下图所示。由图可知，当铁的浸出率为70%时，所采用的实验条件为___________________。 （2）“酸浸”后，钛主要以2 TiOCl 形式存在，写出相应反应的离子方程 4 式__________________。 （3）TiO2·x H2O沉淀及双氧水、氨水反应40 min所得实验结果如下表所示： 温度/℃3035404550
TiO 2·x H 2O 转化 率% 92 95 97 93 88 分析40 ℃时TiO 2·x H 2O 转化率最高的原因__________________。 （4）Li 2Ti 5O 15中Ti 的化合价为+4，其中过氧键的数目为__________________。 （5）若“滤液②”中21(Mg )0.02mol L c +-=?，加入双氧水和磷酸（设溶液体积增加1倍），使3Fe +恰好沉淀完全即溶液中351(Fe ) 1.010mol L c +--=??，此时是否有Mg 3(PO 4)2沉淀生成？ （列式计算）。FePO 4、Mg 3(PO 4)2 的K sp 分别为22241.310 1.010--??、 。 （6）写出“高温煅烧②”中由FePO 4制备LiFePO 4的化学方程式 。 【答案】（1）100℃、2h ，90℃，5h （2）FeTiO 3+ 4H + +4Cl ? = Fe 2+ + 24TiOCl - + 2H 2O （3）低于40℃，TiO 2·x H 2O 转化反应速率随温度升高而增加；超过40℃，双氧水分解及氨气逸出导致TiO 2·x H 2O 转化反应速率下降 （4）4 （5）Fe 3+ 恰好沉淀完全时，c (34 PO -)=225 1.3101.010--??mol·L ?1=1.3×10–17 mol·L ?1 ， c 3(Mg 2+)×c 2(34 PO -)＝(0.01)3×(1.3×10–17)2=1.7×10–40＜K sp ，因此不会 生成Mg 3(PO 4)2沉淀。 （6）2FePO 4 + Li 2CO 3+ H 2C 2O 4 高温 2LiFePO 4+ H 2O ↑+ 3CO 2↑
高考化学工艺流程题汇总
高考化学工艺流程题汇总 （2010安徽）27.（14分） 锂离子电池的广泛应用使回收利用锂货源成为重要课题：某研究性学习小组对废旧锂离子电池正极材料（LiMn2O4、碳粉等涂覆在铝箔上）进行资源回收研究，设计实验流程如下： ⑴第②步反应得到的沉淀X的化学式为。 （1）第②步反应得到的沉淀X的化学式为。 （2）第③步反应的离子方程式 是。 （3）第④步反应后，过滤Li2CO3所需的玻璃仪器 有。 若过滤时发现滤液中有少量浑浊，从实验操作的角度给出两种可能的原因： 、 。 （4）若废旧锂离子电池正极材料含LiNB2O4的质量为18.1 g第③步反应中加入
答案：27、（1）Al(OH)3 （2）4LiMn2O4+O2+4H+=4Li++8MnO2+2H2O （3）漏斗玻璃棒烧杯；滤纸破损、滤液超过滤纸边缘等（其它合理答案均可） （4）或 （2010北京）26.（14分） 某氮肥厂氨氮废水中的氮元素多以NH4+和的形式存在，该废水的处理流程如下： （1）过程Ⅰ：加NaOH溶液，调节pH至9后，升温至30℃，通空气将氨赶出并回收。 ①用离子方程式表示加NaOH溶液的作用：。 ②用化学平衡原理解释通空气的目的：。 （2）过程Ⅱ：在微生物作用的条件下，NH4+经过两步反应被氧化成。两步反应的能量变化示意图如下：
①第一步反应是反应（选题“放热”或“吸热”），判断依据是。 ②1mol NH4+(aq)全部氧化成NO3—(aq)的热化学方程式 是。 （3）过程Ⅲ：一定条件下，向废水中加入CH3OH，将HNO3还原成N2。若该反应消耗32gCH3OH转移6mol电子，则参加反应的还原剂和氧化剂的物质的量之比是。 答案：（14分） （1）①NH4++OH-=== ②废水中的NH3被空气带走，使NH3+H2O D的平衡向正反应方向移动，利于除氨 （2）①放热
顶推法施工工艺
顶推法施工工艺 6.1.1工艺概述 顶推法施工是预先在桥台后面的路堤（或引道）上、亦可在桥梁中部设置预制平台逐段拼装或浇筑桥跨结构，待达到预定强度的设计强度后，安装临时预应力索，用顶推装置逐段通过墩顶滑移装置将梁顶出，安装一段，拼接一段，直至全部就位，全部顶推就位后拆除临时预应力束，安装永久预应力束，拆除滑移装置，安装永久支座，完成预应力连续梁的安装施工。由于不需要使用膺架，可不中断桥下交通，省去大量施工脚手支架，减少高空作业，便于集中管理和指挥，施工安全可靠。顶推法适用于跨越城市、深谷、较大河流、公路、铁路的预应力连续梁结构施工。多用于跨径 30～60m 预应力混凝土等截面连续梁架设，顶推法可架设直桥、弯桥，坡桥。 采用顶推法架梁时，梁前端呈悬臂状态，与后部相比断面受力较大。为降低梁前端这种临时架设的断面力，可在梁前端安装导梁，还可以根据现场条件，在桥墩间设置临时支墩以降低架设时梁的断面受力。在中间跨度大，又不能设置临时支墩时，也可用导梁从两侧相对顶推，在跨中连结。 顶推方法主要分为单点顶推和多点顶推两种： 单点顶推方法是把千斤顶等顶推设备设置于 1 处——桥台或桥墩上。其它墩上布置滑道，边顶推边使梁滑动的方式，这种方式有用水平、竖向两台千斤顶和用穿心式水平千斤顶配以拉杆两种方法。 多点顶推是在各墩上均设置千斤顶等顶推设备的顶推方式，这种方式可将水平力分散作用于各墩上，对长大桥尤为有利。目前大多使用此种方法。 6.1.2作业内容 顶推施工作业内容主要如下： 1.施工准备； 2.箱梁节段预制及早期预应力张拉； 3.箱梁节段顶推、导梁拆除； 4.预应力箱梁后期预应力束安装及张拉压浆、前期预应力束拆除； 5.体系转换，包括滑道拆除以及支座安装等。 6.1.3质量标准及检验方法 《铁路桥涵工程施工质量验收标准》（TB10415-2003） 《高速铁路桥涵工程施工质量验收标准》（TB10752-2010） 《铁路混凝土工程施工质量验收标准》（TB10424-2010） 6.1.4工艺流程图 6.1.5工艺步骤及质量控制 一、施工准备 1.施工场地
高考化学工艺流程题
工艺流程图题型突破 1．【2017新课标1卷】（14分） Li 4Ti 5O 12和LiFePO 4都是锂离子电池的电极材料，可利用钛铁矿（主要成分为FeTiO 3，还含有少量MgO 、SiO 2等杂质）来制备，工艺流程如下： 回答下列问题： （1）“酸浸”实验中，铁的浸出率结果如下图所示。由图可知，当铁的浸出率为70%时，所采用的实验条件为___________________。 （2）“酸浸”后，钛主要以2 4TiOCl -形式存在，写出相应反应的离子方程式__________________。 — （3）TiO 2· x H 2O 沉淀与双氧水、氨水反应40 min 所得实验结果如下表所示： 温度/℃ 30 35 40 45 50 TiO 2·x H 2O 转化率% … 92 95 97 93 88 分析40 ℃时TiO 2· x H 2O 转化率最高的原因__________________。 （4）Li 2Ti 5O 15中Ti 的化合价为+4，其中过氧键的数目为__________________。 （5）若“滤液②”中21(Mg )0.02mol L c +-=?，加入双氧水和磷酸（设溶液体积增加1倍），使3Fe +
恰好沉淀完全即溶液中351(Fe ) 1.010mol L c +--=??，此时是否有Mg 3(PO 4)2沉淀生成 （列式计算）。FePO 4、Mg 3(PO 4)2的K sp 分别为22241.310 1.010--??、。 ； （6）写出“高温煅烧②”中由FePO 4制备LiFePO 4的化学方程式 。 【答案】（1）100℃、2h ，90℃，5h （2）FeTiO 3+ 4H ++4Cl ? = Fe 2++ 2 4TiOCl - + 2H 2O （3）低于40℃，TiO 2· x H 2O 转化反应速率随温度升高而增加；超过40℃，双氧水分解与氨气逸出导致TiO 2· x H 2O 转化反应速率下降 （4）4 （5）Fe 3+恰好沉淀完全时，c (34 PO - )=2251.3101.010--??mol·L ?1=×10–17 mol·L ?1，c 3(Mg 2+)×c 2(34PO -)＝3××10–17)2=×10–40＜K sp ，因此不会生成Mg 3(PO 4)2沉淀。 （6）2FePO 4 + Li 2CO 3+ H 2C 2O 4 高温 2LiFePO 4+ H 2O ↑+ 3CO 2↑ （4）Li 2Ti 5O 15中Li 为+1价，O 为–2价，Ti 为+4价，过氧根(22O -)中氧元素显–1价，设过氧键的 数目为x ，根据正负化合价代数和为0，可知(+1)×2+(+4)×5+(–2)×(15–2x )+(–1)×2x =0，解得：x =4； （5）K sp =c(Fe 3+)×c (34PO -)=×10–2，则c (34PO -)＝ ()sp 3Fe K c +＝×10–17 mol/L ，Q c ＝c 3(Mg 2+)×c 2(34PO -)＝3××10–17)2=×10–40＜×10–24，则无沉淀。 . （6）高温下FePO 4与Li 2CO 3和H 2C 2O 4混合加热可得LiFePO 4，根据电子守恒和原子守恒可得此反应的化学方程式为2FePO 4 + Li 2CO 3+ H 2C 2O 4 高温 2LiFePO 4+ H 2O ↑+ 3CO 2↑。 【名师点睛】工艺流程题，就是将化工生产过程中的主要生产阶段即生产流程用框图形式表示出来， 并根据生产流程中有关的化学知识步步设问，形成与化工生产紧密联系的化工工艺试题。制备类
芯片制作工艺流程
芯片制作工艺流程 工艺流程 1) 表面清洗 晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 2) 初次氧化 有热氧化法生成SiO2 缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力 氧化技术 干法氧化 Si(固) + O2 à SiO2(固) 湿法氧化 Si(固) +2H2O à SiO2(固) + 2H2 干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时，膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚的SiO2膜，需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于OH基在SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应，Si 表面向深层移动，距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出 (d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2)。SiO2膜很薄时，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。 SiO2和Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低，约为10E+10 -- 10E+11/cm –2 .e V -1 数量级。(100)面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。 3) CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 1 常压CVD (Normal Pressure CVD) NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反
高考工艺流程题(含答案)
1. 银铜合金广泛用于航空工业。从切割废料中回收银并制备铜化工产品的工艺如下： （注：Al(OH)3和Cu(OH)2开始分解的温度分别为450℃和80℃） （1）电解精炼银时，阴极反应式为；滤渣A与稀HNO3反应，产生的气体在空气中迅速变为红棕色，该气体变色的化学方程式为。（2）固体混合物B的组成为；在生成固体B的过程中，需控制NaOH的加入量，若NaOH过量，则因过量引起的反应的离子方程式 为。 (3)完成煅烧过程中一个反应的化学方程式：CuO + Al2O3CuAlO2 + ↑（4）若银铜合金中铜的质量分数为63.5%，理论上5.0kg废料中的铜可完全转化为mol CuAlO2，至少需要1.0mol·L-1的Al2(SO4)3溶液L。 (5)CuSO4溶液也可用于制备胆矾，其基本操作是、过滤、洗涤和干燥。 2.石墨在材料领域有重要应用，某初级石墨中含SiO2（7.8%）、Al2O3（5.1%）、Fe2O3（ 3.1%）和MgO（0.5%）等杂质，设计的提纯与综合利用工艺如下： （注：SiCl4的沸点为57.6℃，金属氯化物的沸点均高于150℃） （1）向反应器中通入Cl2前，需通一段时间N2，主要目的是_________________。 （2）高温反应后，石墨中氧化物杂质均转变为相应的氯化物，气体I中的碳氧化物主要为_______________，由气体II中某物质得到水玻璃的化学反应方程式为______________。（3）步骤①为：搅拌、________、所得溶液IV中的阴离子有_______________。
（4）由溶液IV 生成沉淀V 的总反应的离子方程式为___________________，100kg 初级石墨最多可获得V 的质量为___________kg 。 （5）石墨可用于自然水体中铜件的电化学防腐，完成图19防腐示意图，并作相应标注。 3、（2014广州调研）锰是冶炼工业中常用的添加剂。以碳酸锰矿（主要成分为MnCO 3，还含有铁、镍、钴等碳酸盐杂质）为原料生产金属锰的工艺流程如下： 已知25℃，部分物质的溶度积常数如下： 物质 Mn(OH)2 Co(OH)2 Ni(OH)2 MnS CoS NiS K sp 2.1×10-13 3.0×10-16 5.0×10-16 1.0×10-11 5.0×10-22 1.0×10-22 （1）步骤Ⅰ中，MnCO 3与硫酸反应的化学方程式是 。 （2）步骤Ⅱ中，MnO 2在酸性条件下可将Fe 2+离子氧化为Fe 3+，反应的离子方程式是 ，加氨水调节溶液的pH 为5.0-6.0，以除去Fe 3+。 （3）步骤Ⅲ中，滤渣2的主要成分是 。 （4）步骤Ⅳ中，在 （填“阴”或“阳”）极析出Mn ，电极反应方程式为 。 （5）电解后的废水中还含有Mn 2+，常用石灰乳进行一级沉降得到Mn(OH)2沉淀，过滤后再向滤液中加入适量Na 2S ，进行二级沉降。进行二级沉降的目的是 。 碳酸锰矿粉 H 2SO 4 溶浸 滤渣1 Mn 滤渣2 (NH 4)2S 电解 除杂 滤液 除杂 滤液 氨水 MnO 2 Ⅰ ℃ Ⅱ Ⅲ Ⅳ 电解废水