新型SiOC陶瓷前驱体的合成及性能
碳化硅陶瓷的制备工艺和性能研究

碳化硅陶瓷的制备工艺和性能研究碳化硅陶瓷是一种高性能陶瓷材料,它具有许多优异的性能,如高硬度、高耐磨性、高抗腐蚀性和高温稳定性等。
这些优异的性能使碳化硅陶瓷成为重要的工业材料,被广泛应用于航空、航天、船舶、电子、机械等领域。
本文将围绕碳化硅陶瓷的制备工艺和性能进行研究。
一、碳化硅陶瓷的制备工艺1. 原料选择与预处理制备碳化硅陶瓷的原料主要有碳素和硅源。
碳素选用的主要有石墨、太空热解炭等,硅源则有二氧化硅、硅酸及其盐酸等。
在选择原料时,需要考虑原料的纯度、颗粒度、分布、比例等因素,并针对原料的特性做出相应的预处理,如研磨、筛选、混合等。
2. 成型工艺碳化硅陶瓷的成型工艺主要有四种,分别是压制法、注塑法、挤出法和成型造型法。
其中,压制法是最常用的一种成型方法,它包括干压法和湿压法两种,前者适用于制备密实的块体或棒材,后者适用于制备具有较高粘结力的薄膜或管材。
注塑法则适用于制备形状复杂的零部件,挤出法则适用于制备长丝、异形管和板材等。
成型造型法则可以将原料直接制成所需形状,常用于制备复杂的结构件。
3. 热处理工艺碳化硅陶瓷的热处理工艺包括热压缩、热处理和气相热解三种方法。
其中,热压缩被广泛用于制备密实的碳化硅材料,其工艺是将成型后的坯体放入高温高压下热处理,使其晶粒细化,形成高硬度的碳化硅陶瓷。
热处理则是将成型后的坯体放入高温处进行热肥,使其形成均匀的晶粒和致密的组织结构。
气相热解则是将碳素、硅源放入炉内,经过高温热解,生成碳化硅陶瓷。
二、碳化硅陶瓷的性能研究1. 物理性能碳化硅陶瓷具有较高密度、较高硬度、高抗压强度和高质量的特点。
它的热导率约为金属的三倍左右,热膨胀系数小,因此在高温下具有优异的热冲击性。
其断裂韧性和抗拉强度也相对较高。
此外,由于碳化硅陶瓷中Si-C键的共价性,其化学稳定性及抗氧化性也很高。
2. 磨损性能碳化硅陶瓷具有良好的耐磨性能,这是由于其微硬度和韧性之间的平衡作用所致。
实验表明,碳化硅陶瓷与钢材的耐磨性相当,具有良好的抗磨、抗切削性能,因此常用于制造高速切削工具、模具和轴承等。
硅氧烷中加二茂铁热解制备SiOC(Fe)陶瓷

硅氧烷中加二茂铁热解制备SiOC(Fe)陶瓷李亚利;劳浔;梁田;余方云;苏冬【摘要】以二茂铁为金属前驱体,以聚硅氧烷为硅氧碳陶瓷前驱体,将二茂铁加入聚硅氧烷中,经混合、成型、交联、热解制得SiOC (Fe)陶瓷材料.结果表明,通过二茂铁与聚硅氧烷的混合、交联和热解,可将Fe引入SiOC陶瓷网络,制备出铁均匀分散于硅氧碳网络的SiOC (Fe)磁性陶瓷,形成金属/硅氧碳陶瓷复合材料.研究了铁金属前驱体与硅氧烷的复合行为、混合前驱体的成型和交联行为,研究了热解含铁聚硅氧烷制备SiOC (Fe)陶瓷的形成、结构和磁性能.【期刊名称】《天津大学学报》【年(卷),期】2013(046)006【总页数】4页(P516-519)【关键词】SiOC(Fe)陶瓷;二茂铁;前驱体热解工艺【作者】李亚利;劳浔;梁田;余方云;苏冬【作者单位】天津大学材料科学与工程学院先进陶瓷及加工技术教育部重点实验室,天津300072;天津大学材料科学与工程学院先进陶瓷及加工技术教育部重点实验室,天津300072;天津大学材料科学与工程学院先进陶瓷及加工技术教育部重点实验室,天津300072;天津大学材料科学与工程学院先进陶瓷及加工技术教育部重点实验室,天津300072;天津大学材料科学与工程学院先进陶瓷及加工技术教育部重点实验室,天津300072【正文语种】中文【中图分类】TQ174.75前驱体陶瓷是由聚合物前驱体交联和热解形成的具有非晶网络结构的新型陶瓷材料,该类材料具有优异的高温性能和导电导热等物理性能,可用于发展高温结构材料和新型功能材料[1].利用前驱体法制备陶瓷材料的分子可设计性,可将活性功能相以分子途径引入陶瓷前驱体,使其均匀分散于前驱体陶瓷网络,发展具有电、磁、气敏等特性的新型纳米复合功能材料[2-3].2000年,Ozin等[4]以二茂铁基聚硅烷为前驱体,通过交联成型和热解,制得具有磁性的前驱体陶瓷,证明了向陶瓷前驱体网络中引入活性功能相,可赋予前驱体陶瓷特殊功能性能.聚硅氧烷是常见的含硅聚合物,对其热解可形成由Si、O和C原子构成的非晶网络结构的硅氧碳陶瓷.硅氧碳陶瓷由于在硅氧网络中结合了碳原子,较传统的氧化硅材料具有高的热稳定性,并具有导电性[5].用硅氧烷制备硅氧碳陶瓷的一个过程优势是可采用液相的聚硅氧烷前驱体对其进行液相成型,通过交联和热解制备成型的硅氧碳陶瓷体,为液相分散制备均匀纳米复合材料提供了理想的途径.有研究将金属合金粉末(二硅化钼[6]、硅化铁[7])或金属前驱体(钴苯甲酸[8]、钛酸丁酯[9-10])加入(聚)硅氧烷或硅溶胶凝胶,经交联和热解制备含金属(M)的SiOC陶瓷材料(SiOC(M),M=Mo、Fe、Co、Ti等),通过在SiOC陶瓷网络中引入金属,提高SiOC陶瓷的热稳定性、抗氧化性和抗热震性,并赋予SiOC陶瓷磁性能和催化吸附等功能特性.Biasetto等[7]将FeSi粉加入含有机造孔剂的聚硅氧烷前驱体,经成型热解可具有软磁性能的SiOC(Fe)泡沫陶瓷,可用于再生微波吸收器和过滤器等.为发展具有结构和功能应用前景的金属复合硅氧碳陶瓷材料,本研究以二茂铁为金属铁的前驱体,以可交联的液相聚硅氧烷为硅氧碳陶瓷的前驱体,通过金属前驱体与陶瓷前驱体的混合、成型、交联和热解制备出SiOC(Fe)磁性陶瓷材料,研究了铁金属前驱体与硅氧烷的混合、前驱体的成型和交联以及热解制得的SiOC(Fe)陶瓷的结构、相组成,测试了SiOC(Fe)陶瓷的磁性能.合成硅氧碳陶瓷前驱体的原料为聚氢硅氧烷(PHMS,浙江三泰有机硅材料厂)和环四硅氧烷(D4Vi,浙江三门千虹实业有限公司).硅氧碳前驱体PHMS和D4Vi在加热和金属催化剂的作用下,通过PHMS中Si—H键和D4Vi中Si—CH=CH2的硅氢β加成反应,使线性PHMS与环状D4Vi交联,形成具有三维网络结构的聚硅氧烷凝胶.以铂络合物(Pt[(ViMe2Si)2O][ViMe2SiOSiMe2OH],含Pt0.3%,浙江铂络合物有限公司)为PHMS和D4Vi交联的催化剂.所用的铁前驱体二茂铁[(C5H5)2Fe]为棕红色粉末,分析纯,购自天大科威有限公司.将PHMS(12.5,g)和D4Vi(12.5,g)按质量比1∶1于烧杯内磁力搅拌混合30,min,加Pt催化剂(0.25,g),磁力搅拌混合均匀,加入二茂铁(0.50,g,2.0%),磁力搅拌30,min,形成二茂铁均匀分散于聚硅氧烷的混合液,将混合液注入特氟纶模具,置于烘箱中加热至60,℃保温3,h,再加热至80,℃保温3,h,进行成型交联,得到二茂铁均匀分散于聚硅氧烷交联体,将其脱模后放入石英管式炉,通氩气,以5,℃/min升温至1,400,℃热解1,h后,降至室温,制得含铁的硅氧碳(SiOC(Fe))陶瓷体.按以上条件和方法,一同制备了不加二茂铁的纯聚硅氧烷交联体,以研究铁的加入对聚硅氧烷交联体热解行为的影响.在热解制备SiOC(Fe)陶瓷过程中,按以上热解条件在1,200,℃对含铁聚硅氧烷交联体进行了热解,以研究铁的加入对SiOC(Fe)陶瓷结晶相的影响.为研究含铁交联体的热解行为,用热重分析仪(TGA,Nietzsche STA4,492,Waldkraiburg,升温速率为5,℃/min,流动氩气保护)分析了含二茂铁聚硅氧烷交联体和纯聚硅氧烷交联体的热解行为.用扫描电子显微镜(SEM,XL30,Philips)观察了SiOC(Fe)陶瓷体的表面和断面.将SiOC(Fe)陶瓷体磨成粉,用X射线衍射仪(XRD,D/max 2,500v/pc,Rigaku,CuKα射线)分析了材料的相组成.以SiOC(Fe)陶瓷粉,用振动样品磁强计(VSM,PPMS-9,Quantum Design,测试温度300,K)分析得到SiOC(Fe)陶瓷的磁滞回线,分析了SiOC(Fe)陶瓷的磁性能.将二茂铁加入PHMS和D4Vi的混合液,通过混合能形成均匀稳定的二茂铁和聚硅氧烷的分散液(图1(a)),呈橘色.含二茂铁、PHMS和D4Vi的混合液稳定,经过长时间静置未见分相.将含二茂铁的聚硅氧烷分散液倒入模具加热进行固化交联.图1(b)是将二茂铁加入聚硅氧烷经60,℃/3,h~80,℃/3,h加热形成的含二茂铁聚硅氧烷交联体的照片.聚硅氧烷/二茂铁交联体均匀、透明、呈橘色,成型的圆片形状规则、无裂纹,这表明聚硅氧烷/二茂铁分散液在成型和交联过程中保持稳定,二茂铁能以小尺度均匀分散于聚硅氧烷交联网络中,其存在不影响聚硅氧烷交联形成连续的交联网络.用热重分析仪对聚硅氧烷/二茂铁交联体在高温作用下的热解行为进行了研究,作为对比,还研究了纯聚硅氧烷的热解行为.图2为加二茂铁的聚硅氧烷交联体和纯聚硅氧烷交联体在氩气中的TGA曲线.聚硅氧烷/二茂铁交联体表现为4个阶段的失重:100~200,℃失重2%;200~500,℃失重1%;500~800,℃失重16%;800~1,400,℃失重1%.其中,500~800,℃范围对应聚硅氧烷的无机化阶段.在1,200,℃,总失重20%,对应SiOC(Fe)陶瓷的陶瓷产率为80%,表明向聚硅氧烷中加二茂铁在一定程度上能提高硅氧碳陶瓷的产率.聚硅氧烷/二茂铁交联体的3阶段热解行为类似于无二茂铁的纯聚硅氧烷交联体的热解行为,表明加二茂铁不影响聚硅氧烷的主要热解行为.扫描电镜观察热解含二茂铁聚硅氧烷制备的SiOC(Fe)陶瓷表面(图3(a)),见到大量均匀分布的球状颗粒,直径在500,nm左右.对比同条件下纯聚硅氧烷热解形成的硅氧碳陶瓷,表面光滑,未见颗粒相(图3(b)),由此推测这些小颗粒相的生成与引入聚硅氧烷的铁有关.EDX分析球状颗粒的组成,Si原子含量为51.20%,C 为32.59%,O为16.00%,Fe为0.21%,表明该球状颗粒为含铁的SiOC陶瓷颗粒.扫描电镜观察SiOC(Fe)陶瓷断面(图4),断面结构致密、均一;EDX分析元素组成,Si、O、C元素的含量与表面大致相同,检测到Fe含量为0.35%,表明在聚硅氧烷中加入二茂铁通过交联和热解可制备致密的含铁的陶瓷材料.X射线衍射分析不同温度下热解含二茂铁聚硅氧烷制备的SiOC(Fe)陶瓷的相结构.图5是1,400,℃热解含二茂铁聚硅氧烷制备的SiOC(Fe)陶瓷的X射线衍射谱.在2θ=23°有一宽峰,对应SiO2相的(100)晶面(PDFC Card No.29~0085);在2θ=35.8°,60.1°,72.1°有明显的衍射峰,对应β-SiC相的(111)、(220)和(311)晶面(PDFC Card No.29~1129).这些光谱结果表明高温热解含铁聚硅氧烷制备的SiOC(Fe)陶瓷主要含β-SiC和SiO2结晶相.由图5可见,1,400,℃热解制备的SiOC(Fe)陶瓷的β-SiC的衍射峰较宽,表明SiOC(Fe)陶瓷中的碳化硅的晶粒度较小.根据β-SiC的(111)峰的半高宽和Scherer公式,算得SiOC(Fe)陶瓷中的β-SiC晶粒度为5.69,nm,为纳米晶体.铁的加入会促使β-SiC和SiO2相的生成温度降低.在1,200,℃热解的SiOC(Fe)陶瓷的XRD谱中可以看到明显的β-SiC衍射峰,表明β-SiC相在1,200,℃就已经形成(见图5).对比不加二茂铁的硅氧碳陶瓷(见图6),1,200,℃热解样品为无定形态,只有当热解温度为1,400,℃以上时,硅氧碳与游离碳发生碳热反应才形成SiO2相与β-SiC相,这表明,铁的加入促使SiOC网络重排,使得β-SiC和SiO2相的生成温度降低,因此可以抑制高温阶段发生碳热反应造成的失重,提高硅氧碳陶瓷的热稳定性.在热解制备的SiOC(Fe)陶瓷的XRD谱中未见铁的衍射峰,可能是由于加入聚硅氧烷中的铁量过少导致的.在聚硅氧烷中加入的二茂铁量质量分数为2.0%,1,400,℃热解制备的SiOC(Fe)陶瓷的含铁摩尔分数仅为0.3%.虽然在SiOC(Fe)陶瓷中只含微量的铁,但陶瓷仍表现出明显的铁磁性.图7为热解含二茂铁聚硅氧烷制备的SiOC(Fe)陶瓷的磁滞回线,由该磁滞回线测得陶瓷的饱和磁化强度Bs=0.258,8,A·m2/kg,剩余磁化强度Br=0.037,7,A·m2/kg,矫顽力Hc= 2,650.72 A/m 33.31,Oe,结果表明,铁的引入可以赋予硅氧碳陶瓷磁性能.以二茂铁为金属前驱体,以聚硅氧烷为陶瓷前驱体,通过二茂铁与聚硅氧烷的混合、交联成型,可形成完整、均匀、透明的凝胶体.向聚硅氧烷中加入铁不影响聚硅氧烷的主要热解行为,一定程度上有助于提高陶瓷的产率.热解后得到的SiOC(Fe)陶瓷结构致密,含有β-SiC纳米晶相,具有明显的铁磁性,且较纯硅氧碳陶瓷有更好的热稳定性.【相关文献】[1] Colombo P,Mera G,Riedel R,et al. Polymer-derived ceramics:40 years of research and innovation in advanced ceramics[J]. Journal of the American Ceramic Society,2010,93(7):1805-1837.[2] Riedel R,Harshe R,Balan C. Amorphous Si(Al)OC ceramic from polysiloxanes:Bulk ceramic processing,crystallization behavior and applications[J]. Journal of the European Ceramic Society,2004,24(12):3471-3482.[3] Soraru G D,Babonneau F,Maurina S,et al. Sol-gel synthesis of SiBOC glasses[J]. Journal of Non-Crystalline Solids,1998,224(2):173-183.[4] Ozin G A,Maclachlan M J,Ginzburg M,et al. Shaped ceramics with tunable magnetic properties from metal-containing polymers[J]. Science,2000,287 (5457):1460-1463.[5] Soraru G D,Modena S,Guadagnino E,et al. Chemical durability of silicon oxycarbide glasses[J]. Journal of the American Ceramic Society,2002,85(6):1529-1536. [6] Bergero L,Sglavo V M,Soraru G D. Processing and thermal shock resistance of a polymer-derived MoSi2/SiCO ceramic composite[J]. 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碳化硅陶瓷及制备工艺

碳化硅陶瓷性能及制造工艺碳化硅(SiC)陶瓷,具有抗氧化性强,耐磨性能好,硬度高,热稳定性好,高温强度大,热膨胀系数小,热导率大以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。
因此,已经在石油、化工、机械、航天、核能等领域大显身手,日益受到人们的重视。
例如,SiC陶瓷可用作各类轴承、滚珠、喷嘴、密封件、切削工具、燃汽涡轮机叶片、涡轮增压器转子、反射屏和火箭燃烧室内衬等等。
SiC陶瓷的优异性能与其独特结构密切相关。
SiC是共价键很强的化合物,SiC中Si-C键的离子性仅12%左右。
因此,SiC强度高、弹性模量大,具有优良的耐磨损性能。
纯SiC不会被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等碱溶液侵蚀。
在空气中加热时易发生氧化,但氧化时表面形成的SiO2会抑制氧的进一步扩散,故氧化速率并不高。
在电性能方面,SiC具有半导体性,少量杂质的引入会表现出良好的导电性。
此外,SiC还有优良的导热性。
SiC具有α和β两种晶型。
β-SiC的晶体结构为立方晶系,Si 和C分别组成面心立方晶格;α-SiC存在着4H、15R和6H等100余种多型体,其中,6H多型体为工业应用上最为普遍的一种。
在SiC的多种型体之间存在着一定的热稳定性关系。
在温度低于1600℃时,SiC以β-SiC形式存在。
当高于1600℃时,β-SiC 缓慢转变成α-SiC的各种多型体。
4H-SiC在2000℃左右容易生成;15R和6H多型体均需在2100℃以上的高温才易生成;对于6H-SiC,即使温度超过2200℃,也是非常稳定的。
SiC中各种多型体之间的自由能相差很小,因此,微量杂质的固溶也会引起多型体之间的热稳定关系变化。
现就SiC陶瓷的生产工艺简述如下:一、SiC粉末的合成:SiC在地球上几乎不存在,仅在陨石中有所发现,因此,工业上应用的SiC粉末都为人工合成。
目前,合成SiC粉末的主要方法有:1、Acheson法:这是工业上采用最多的合成方法,即用电将石英砂和焦炭的混合物加热至2500℃左右高温反应制得。
多孔SiC陶瓷的制备与应用

多孔SiC陶瓷的制备与应用
多孔SiC陶瓷是一种具有特殊结构和优异性能的材料,广泛应用于催化剂载体、过滤器、电介质、热障涂层等领域。
本文将介绍多孔SiC陶瓷的制备方法和应用。
多孔SiC陶瓷的制备方法有多种,常见的包括模板法、泡沫法、聚合物法等。
模板法是最常用的制备方法之一。
它的原理是利用模板材料,如泡沫镍、泡沫钛等,通过化学气相沉积(CVD)或浸渍-烧结法制备多孔SiC陶瓷。
在制备过程中,首先将模板材料浸泡在SiC前驱体溶液中,让其充分浸渍。
然后,利用CVD或烧结技术,将SiC前驱体转化为SiC 陶瓷。
通过高温处理,将模板材料烧蚀掉,留下多孔的SiC陶瓷。
多孔SiC陶瓷具有许多优异的性能,使其在各个领域得到广泛应用。
多孔结构赋予多孔SiC陶瓷较大的比表面积和孔隙度,使其具有良好的吸附性能和催化性能。
多孔SiC陶瓷常用作催化剂的载体,用于吸附废气中的有害物质或催化反应。
多孔SiC陶瓷具有优异的过滤性能,可用作高温气体的过滤器。
在高温环境下,多孔SiC陶瓷能有效过滤掉细颗粒和有害物质,保护设备和环境。
多孔SiC陶瓷还可用作电介质材料。
其高温稳定性和低电介质损耗使其适用于电子设备和高温电容器。
多孔SiC陶瓷还可用作热障涂层材料,能有效抵御高温和氧化介质的侵蚀,用于涡轮发动机等高温环境中。
多孔SiC陶瓷的制备与应用

多孔SiC陶瓷的制备与应用
多孔SiC陶瓷是一种具有高温、高强度和抗氧化性能的陶瓷材料。
其制备方法多种多样,但主要包括凝胶注模法、泡沫模板法和脱模复合法等。
凝胶注模法是通过将预先合成好的凝胶注入到模具中,使其固化后形成多孔SiC陶瓷。
这种方法可以获得具有高孔隙率和均匀孔径分布的多孔陶瓷材料。
泡沫模板法是将金属泡沫作为模板,将SiC前驱体浸渍到泡沫模板中,然后进行烧结,最后通过酸蚀去除泡沫模板,形成多孔SiC陶瓷。
这种方法可以获得具有高开孔率和可控
孔径的多孔陶瓷材料。
脱模复合法是利用有机和无机两种材料的互溶性和相容性,在多孔有机材料中浸渍有
机硅前驱体,形成复合膜,然后通过热解和烧结过程,将有机材料和有机硅转化为SiC。
最后通过酸蚀去除有机材料,形成多孔SiC陶瓷。
多孔SiC陶瓷具有许多优良的性能,因此在各个领域都有广泛的应用。
在高温环境下
具有良好的耐热性能,可以用于高温炉窑、高温传感器和热电回收设备等;由于具有较高
的强度和硬度,可以用于制备耐磨耗的零部件,如轴承和刀具等;多孔SiC陶瓷还具有良
好的化学稳定性和生物相容性,在化学和生物领域具有潜在的应用前景。
陶瓷前体聚合物

H
H
([Si]HN)2
[Si] N
B
N
[Si] (NH[Si])2
H
BB HN H
[Si] (NH[Si])2 H
[Si]
H N
HH [Si]
[Si] B
H N
[Si]
N H [Si]
N [Si] H
HB
BH
H
N
H
[Si]
[Si]
NN H [Si] H
39
聚硼硅碳烷
——硼吖嗪和硅氮烷寡聚物脱氢和脱硅氢缩合
H H Si(CH3)3
N
N
H
B
H
-H2
H
H H3CH2C B N B CH2CH3
N
N
H
B
H
Si N N Si(CH3)3HHBHNNH
H3CH2C B N B CH2CH3
+ Si N N H
HHH
N
N
H
B
H
副产物
N H Si(CH3)3
B
B
H3CH2C
N
CH2CH3
H
可纺丝聚硼硅碳氮烷
42
聚硼硅碳氮烷
H
H
B
H
N
N
H
HN
Si N
B
B
N
H
Me3Si HN H
H
SiMe3
H
H
H
B
H
N
N
H
B
N
N
H
H
H
B
B
H
B
H
N
N
H N
H
B
SiC多孔陶瓷的研究与制备
SiC 多孔陶瓷的研究与制备摘要:SiC 多孔陶瓷是一种具有重要应用前景的新型材料。
其独特的性能和广泛的应用范围使得其备受关注。
本文以SiC 多孔陶瓷的研究和制备为主题,介绍了该材料的构成原理、研究现状和制备方法。
首先,介绍了SiC 多孔陶瓷的基本概念和特性,包括其优异的耐磨、高温、化学稳定性和较低的热膨胀系数等特性。
然后,接着介绍了SiC 多孔陶瓷的研究现状和应用领域。
最后,详细介绍了SiC 多孔陶瓷的制备方法,包括膜法、模板法、泡沫法、喷雾干燥法等,同时分析了各种制备方法的优缺点。
关键词:SiC 多孔陶瓷;研究现状;制备方法一、SiC 多孔陶瓷的基本概念和特性SiC 多孔陶瓷是一种由SiC (碳化硅)制成的多孔性材料。
它具有以下特点:1.良好的耐磨性:SiC 多孔陶瓷具有优异的耐磨性,主要是因为SiC 具有良好的硬度和耐腐蚀性。
此外,它还能够抵抗化学腐蚀和高温氧化。
2.高温性能:SiC 多孔陶瓷具有卓越的高温性能,能够在1000℃以上的高温下保持稳定性能,因此被广泛应用于高温领域。
3.化学稳定性:SiC 多孔陶瓷能够抵抗多种化学介质的侵蚀,并且不会发生化学反应。
4.较小的热膨胀系数:SiC 多孔陶瓷是一种低热膨胀系数的材料,因此可以防止由于温度变化引起的结构变形。
综合来看,SiC 多孔陶瓷具有众多优良的性能,因此有着广泛的应用前景。
二、SiC 多孔陶瓷的研究现状SiC 多孔陶瓷已成为国际上研究的热点之一,目前研究该材料的学者们主要集中在以下几个方面:1.制备方法:目前,制备SiC 多孔陶瓷的方法比较多,主要有膜法、模板法、泡沫法、喷雾干燥法等。
各种制备方法各有优缺点,需要综合考虑。
2.材料结构与性能:研究该材料结构与性能之间的关系,以深入了解SiC 多孔陶瓷的物理化学特性。
3.应用领域:由于SiC 多孔陶瓷具有优良的性能,因此在各种领域都有着广泛的应用前景。
目前研究该材料应用领域的研究主要集中在过滤和催化等方面。
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新型SiOC陶瓷前驱体的合成及性能吴纪全王丁王秀军李永明徐彩虹
(中国科学院化学研究所,北京100190)
文摘采用四甲基四乙烯基环四硅氧烷(TMTVS)与四甲基环四硅氧烷(TMS)通过阳离子开环聚合反应制备了含si—H及Si--CH-一-CH:官能团的聚硅氧烷。用红外、核磁、凝胶渗透色谱及热重分析对该聚硅氧烷进行了表征,结果表明其结构与设计相吻合,其分子量、黏度及si—H、Si--CH—CH:的比例可以通过改变原料比例来调节。这种新型聚硅氧烷用作SiOC陶瓷前驱体具有低黏度、高陶瓷产率等特点。关键词聚硅氧烷,陶瓷前驱体,SiOC
SynthesisandPropertiesInvestigationofNewPrecursorforSiOCCeramicWuJiquanWangDingWangXiujunLiYongmingXu
Caihong
(InstituteofChemistry,ChineseAcademyofSciences,Beijing100190)
AbstractPolysiloxanescontainingSi—HandSi--CH—CH2weresynthesizedbycationicring-openingpoly—
merizationof1,2,3,4一tetramethyl-1,2,3,4一tetravinylcyclotetrasiloxaneand1,2,3,4-tetramethylcyclotetrasiloxane.
Thepolysiloxaneswerecharacterizedbyfouriertransferinfraredspectrometer,nuclearmagneticresonance,gelperme—
ationchromatography,andhermogravimetricanalyses.Theresultsindicatedthepolymershavedesignedstructure,
theirmolecularweight,viscosities,andtheratiosofSi—HtoSi--CH—CH2couldbeadjustedbychangingthera—
tioofrawmaterials.Thenewpolysiloxaneshavelowviscosityandhighceramicyield.
KeywordsPolysiloxane,Ceramicprecursor,SiOC
O引言利用聚合物前驱体转化法制备陶瓷材料(PDCs)…,首要的一步是设计合成具有优良加工性和高陶瓷产率的聚合物前驱体。采用聚硅氧烷陶瓷前驱体制备的SiOC陶瓷具有优良的力学性能旧’31、较高的热稳定性H。51及化学稳定性¨1,与制备SiCN,特别是SiC陶瓷所需要的前驱体聚硅氮烷、聚硅碳烷相比,聚硅氧烷陶瓷前驱体具有成本低的突出优势。聚硅氧烷前驱体分子结构的多样性与热解加工工艺的调控相结合,使得si、C、O的元素组成与价键连接方式可在很宽的范围内调控,进而设计得到具有不同性质的SiOC陶瓷Ho。常规线性聚硅氧烷,如甲基硅油和硅橡胶,由于高温易发生成环降解而不能作为SiOC陶瓷前驱体。一些商用的硅树脂,如甲基硅树脂、乙烯基硅树脂、苯基硅树脂,理论上都可以作为SiOC陶瓷前驱体。然而具有较高陶瓷产率的硅树脂由于具有较高的支化度和体型结构,室温下往往为固体或需要有一定溶剂才能保证一定的储存期,给一些应用带来了不便。将甲基乙烯基硅氧烷环体与甲基氢硅氧烷环体、含氢硅油与甲基乙烯基硅氧烷环体"o或乙烯基硅油与含甲基氢硅氧烷环体进行混合交联固化、再经过惰性气氛热解来制备SiOC陶瓷,可以部分克服硅树脂体系的不足,但加工过程中小分子环体的挥发是很难避免的一个问题。Shen等人19o报道了一种通过氯硅烷水解制备的含有si—H、si—Ph或Si--CH=CH2的共聚物,是一种很好的SiOC陶瓷聚合物前驱体,同时可通过控制热解温度制备得到具有高玻璃化温度的耐高温树脂材料,但在水解缩聚反应制备该前驱体过程中容易产生一些支化结构,会增加黏度和降低储
收稿13期:2012—08—28基金项目:国家自然科学基金(50973114),科技部(2010CB934705,2012CB933200)资助作者简介:吴纪全,1986年出生,硕士,研究方向为基于聚合物前驱体的微纳孔材料通讯作者:徐彩虹,研究员,博士生导师,主要从事元素有机聚合物设计合成及应用研究。E-mail:caihong@iccas.ac.cn
宇航材料工艺http://www.yhclgy.con2013年第2期
万方数据存稳定性,同时使用氯硅烷原料易导致产物中残留氯,从而限制其在微电子封装等领域的应用。受前述工作的启发,本文利用混合硅氧烷环体进行阳离子开环聚合制备了含si—H及Si--CH—CH:的线性聚硅氧烷,以用作SiOC陶瓷前驱体。该前驱体官能团比例可以通过调整原料比例方便调节,且兼具低黏度、高陶瓷产率、良好的储存稳定性等特点,克服了上述硅树脂、混合环体及水解共聚物体系的不足。1实验1.1主要原料四甲基四乙烯基环四硅氧烷(TMTvS),四甲基二乙烯基二硅氧烷(TMDVS),吉林好友工贸有限公司;四甲基环四硅氧烷(TMS),润禾化工有限公司;三氟甲基磺酸,阿法埃莎化学试剂公司。1.2聚硅氧烷前驱体的合成合成聚硅氧烷(PSO)的反应式如下:
H接亨+i,Si善-O,/一试/蟛1/一十嘣乒七
将TMS、TMTVS按一定摩尔比加入到三口烧瓶中,机械搅拌下加入引发剂三氟甲基磺酸(1wt%o~1.5wt%c),搅拌均匀后加热升温至(65±3)cC,并保温反应5—6h,将封端剂TMDVS加入到反应体系中,反应一段时间至体系黏度无明显变化,结束反应。待温度降至室温后,向体系通人足量的氨气,于140~150。C下真空减压蒸馏除去低沸物,经G3砂芯漏斗过滤,得到具有一定黏度的无色透明液体。1.3结构表征凝胶渗透色谱(GPC)分析:采用Waters公司的1515型凝胶色谱仪测定,四氢呋喃为溶剂,聚苯乙烯为标准,测试温度为25℃。黏度:采用BrookField公司的HADV一Ⅱ型黏度计测定,测试温度为28℃。红外光谱:采用Bruker公司的Tensor一27型傅里叶红外光谱仪。热重分析:采用日本精工的S11EX—STARTG/DTA6300热重分析仪于氮气气氛下测定。核磁分析(NMR):采用BrukerAvavce400液体核磁共振波谱仪。2结果和讨论2.1PSO的表征通过调整硅氧烷环体TMS、TMTVS以及TMDVS的摩尔比,合成了一系列分子量不同的PSO。图l为TMS、TM,IvS、TMDVS三者比例为1.2:1:0.013时所合成线性聚硅氧烷PSO的核磁共振氢谱图,6位于5.98和5.84处的峰为Si--CH-m--CH,的特征峰,4.71处的峰为Si—H的特征峰。图2为所合成的线性PSO及其交联固化产物PSO—cured的红外光谱图。交联前样品谱图中,2160em。1处为Si—H的伸缩振动峰,1600em‘1为Si--CH-一CH2中C—C的伸缩振动吸收峰,960—52一em‘1处也为Si--CH—CH2的吸收峰;3020和3060
cm。1处为Si--CH=CH:中C—H的吸收峰。由于实验过程中摩尔投料比si—H>Si--CH—CH:,交联以后Si--CH=CH,基本反应完全,si—H还有一部分没有反应,这从图2曲线中也能表现出来。PSO—cured的红外光谱图中,1600、960、3
020及3
060
em’1处的Si--CH—CH:特征吸收峰几乎全部消失,而2160em。1处的Si—H的吸收峰依然存在,但强度
已经较交联前明显减弱。
7.06.56.o5.55.04.54.03.53.0
6
图1PSO的1HNMR谱图Fig.11HNMRspectraofPSO
35UJ300025002000150010005()0
wavenumber/cm一1图2PSO交联前后的红外光谱图Fig.2Fr—IRspectraofuncuredandcuredPSO2.2PSo黏度和分子量的表征一系列线性PSO的分子量和黏度测量结果如表l所示。可以看出,通过调整TMDVS的比例,可以调节PSO的分子量及黏度,另外还可以通过改变TMS、宇航材料工艺http://www.yhclgy.com2013年第2期
万方数据TMTVS比例来调节PSO中Si—H、的比例。Si--CH—CH23结论
表1PSO分子量及黏度Tab.1Molecularweightsandviscositiesofpolysiloxanes
PSOR1’Mo/S·mol~M./g·mol~Mp/g·mol一1黏蘑’/n她·s
注:1)R代表TMS、TMTVS、TMDVS的摩尔投料比;2)黏度测试条件为25℃。2.3PsO的热重分析图3中的两条曲线分别为PSO交联前后的TGA曲线,可以看出,PSO交联前后热失重曲线差别较大。交联前的线性PSO有两个失重台阶:第一个失重台阶(<300℃),主要是小分子的挥发导致的失重,在400—500℃有一平台,550℃之后的失重台阶主要伴随的是低聚物的裂解以及整个PSO的陶瓷化过程,到1000℃时陶瓷产率为78.5%;对于交联后具有三维网络结构的PSO—cured,其失重曲线主要有一个失重台阶,550。C之前伴有微量的小分子挥发,失重明显少于未交联的线性PSO,5500C以后伴随一些低聚物的裂解及整个交联网络的陶瓷化过程。10000C时陶瓷化产率高达84.4%,比交联前提高约6%。
temperature/"C图3PSO交联前后的TG图(氮气,lO。C/min)Fig.3TGofuncuredandcuredPSOundernitrogen(10。C/min)
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采用含有反应性官能团(Si—H,Si--CH—CH:)的硅氧烷环体进行阳离子开环聚合,通过调整原料比例,可以方便地得到官能团比例、分子量可调的线性PSO,该线性PSO具有较低的黏度和良好的储存稳定性。由于其同时含有大量的Si—H和Si--CH—CH:,因而在加热及催化剂作用下易交联固化,具有高陶瓷产率,固化前后其陶瓷产率分别为78.5%和84.4%。参考文献[1]ColomboP,GabrielaM,RalfRiedelR,eta1.Polymer
—derivedceramics:40years
ofresearchandinnovationinad·
vancedceramics[J].J.Am.Ceram.Soc.,2010,93:1805[2]MoysanC,RiedelR,HarsheR,eta1.Mechanical