《电力电子技术》第1章课后习题答案教学文案
《电力电子变流技术》课后习题及答案
《电力电子变流技术》课后习题及答案第一章 晶闸管1、使晶闸管导通的条件是什么？答：晶闸管承受正向阳极电压，且门极与阴极间也承受正向电压时才能正常导通。
2、单相正弦交流电源，电压有效值为220V ，晶闸管和负载电阻串联，试计算晶闸管实际承受的正反向电压最高是多少？考虑晶闸管的安全裕量，其额定电压应如何选择？ 答：晶闸管实际承受正向电压的最高值为：2×220=312V ，承受反向电压的最高值为： 2×220=312V 。
考虑晶闸管的安全裕量，其额定电压为：（2~3）2×220=624~936V第二章 单相可控整流电路 1、具有续流二极管的单相半波晶闸管整流电路，对发电机励磁组供电。
绕组的电阻为5Ω，电感为0.2H ，励磁直流平均电流为10A ，交流电源为220V ，计算晶闸管和续流二极管的电流有效值，并指出其电压额定。
答：对于带续流二极管的单相半波电感性负载电路，输出电压平均值计算公式与电阻性负载一致。
已知励磁绕组直流平均电流d I =10A ，根据公式RU I d d =，可得： V U d 50= 再利用公式2cos 145.02a U U d +=，可得 00101.0991999910022045.022045.010045.045.02cos 22≈==-=⨯⨯-=-=U U U a d 求得：090≈a则：0009090180=-=-=απθT00027090180=+=+=απθD由于Ω=Ω⨯⨯⨯==8.622.05014.322d d fL L πω，所以为大电感负载，各电量分别计算如下：晶闸管的平均值电流：A A I I d dT 5.2103609018036018000000=⨯-=⨯-=α 晶闸管的有效值电流：A A I I d T 5102136018000=⨯=⨯-=α 续流二极管的平均值电流：A A I I d dD 5.7104336090180000=⨯=⨯+= 续流二极管的有效值电流：A A A I D 6.810231036090180000=⨯=⨯+= 晶闸管的额定电压为：V V U Tn 936~6242202)3~2(=⨯=2、上述电路中，当00=α和045=α时，试计算晶闸管和续流二极管的电流平均值和有效值。
《电力电子技术》王兆安第五版课后答案章
2.4. 图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各 波形的电流最大值均为Im，试计算各波形的电流平均值Id1、 Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。
0
4
2
045 4 Nhomakorabea2 0 2
2
a)
b)
c)
图1-43
2. 2使晶闸管导通的条件是什么？
答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压， 并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。
2.3维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶 闸管由导通变为关断？
答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持 晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的 作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即 降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
电工电子技术第一章课后题答案(矿大版)
第1章 电路的基本概念和基本定律本章的主要任务是学习电路的基本概念、基本物理量和基本定律，为掌握电路的分析计算方法奠定必要的基础。
本章基本要求(1) 正确理解理想电路元件、电路模型的概念；(2) 正确理解电流、电压的参考方向的概念，并掌握电流、电压参考方向的使用；(3) 计算元件或电路的功率，并判别元件或电路是吸收功率还是发出功率； (4) 掌握理想元件的电压与电流关系式；(5) 掌握基尔霍夫定律（KCL 和KVL ）的应用；(6) 了解电路的三种工作状态：额定工作状态、过载工作状态和欠载工作状态。
理解电气器件、设备的额定值。
本章习题解析1－1 试求图1－1所示电路的电压U ab 和U ba 。
图1－1解 (a)电压U 的参考方向如图所示，已知U ＝10V ，故有 10==U U ab V10-=-=-=U U U ab ba V (b)直流电压源的电压参考方向如图所示，故有 5=ab U V 5-=-=ab ba U U V1－2 根据图1－2所示的参考方向和电压、电流的数值确定各元件电流和电压的实际方向，并计算各元件的功率，说明元件是吸收功率还是发出功率。
(a)(b)(c)(d)图1－2解 (a)因为电流为＋2mA ，电压为＋5V ，所以电流、电压的实际方向与参考方向相同。
电阻元件的功率为101010102533=⨯=⨯⨯==--UI P mW电阻元件的电压与电流取关联参考方向，计算结果P >0，说明电阻元件吸收功率。
(b)因为电流、电压随时间t 按照正弦规律变化，所以当电流i >0、电压u >0时，它们的实际方向与参考方向一致；当电流i <0、电压u <0时，它们的实际方向与参考方向相反。
电阻元件的功率为)(s i n )s i n ()s i n (t t t ui p ωωω255=⨯==W电阻元件的电压与电流取关联参考方向，计算结果p >0，说明电阻元件吸收功率。
电力电子技术(王兆安第五版)课后习题答案
通；12V1不能维持饱和导通而关断。
GTO之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO与普通晶闸 管在设计和工艺方面有以下几点不同：l)GTO在设计时2较大，这样晶
体管V2控制灵敏，易于GTC关断；2)GTO导通时1 2的更接近于I，普通晶闸管1 2^5，而GTO则为1 2 1.05,GTO勺饱和程度不深，接 近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件；3)多元集成结构
电力电子技术答案
2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐 受高压和大电流的能力？ 答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流 的有效面积增大，显着提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。低掺杂N区由于 掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区
m189.48A
b)I
I
m20.6741
232.90代
Id2O.5434]
m2126.56A
c)I
m=2I=314
I
1I
Im3
d3=4
78.5
2-6GH和普通晶闸管同为PNPN吉构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管 不能答：GTO和普通晶阐管同为PNPN吉构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体 管VI、V2,分别具有共基极电流增益1和2，由普通晶阐管的分析可得，
1以晶闸管VT2为例。当VT1导通时，晶闸管VT2通过VT与2个变压器二次绕组并联， 所以VT2承受的最大电压为2..2U2。
2当单相全波整流电路与单相全控桥式整流电路的触发角相同时，对于电阻负载：
电力电子技术最新版配套习题答案详解第7-8章
目录第1章电力电子器件 (1)第2章整流电路 (4)第3章直流斩波电路 (20)第4章交流电力控制电路和交交变频电路 (26)第5章逆变电路 (31)第6章PWM控制技术 (35)第7章软开关技术 (40)第8章组合变流电路 (42)第7章软开关技术1．高频化的意义是什么？为什么提高开关频率可以减小滤波器的体积和重量？为什么提高关频率可以减小变压器的体积和重量？答：高频化可以减小滤波器的参数，并使变压器小型化，从而有效的降低装置的体积和重量。
使装置小型化，轻量化是高频化的意义所在。
提高开关频率，周期变短，可使滤除开关频率中谐波的电感和电容的参数变小，从而减轻了滤波器的体积和重量；对于变压器来说，当输入电压为正弦波时，U=4.44.f.N.B.S，当频率f提高时，可减小N、S参数值，从而减小了变压器的体积和重量。
2．软开关电路可以分为哪几类？其典型拓扑分别是什么样子的？各有什么特点？答：根据电路中主要的开关元件开通及关断时的电压电流状态，可将软开关电路分为零电压电路和零电流电路两大类；根据软开关技术发展的历程可将软开关电路分为准谐振电路，零开关PWM电路和零转换PWM电路。
准谐振电路：准谐振电路中电压或电流的波形为正弦波，电路结构比较简单，但谐振电压或谐振电流很大，对器件要求高，只能采用脉冲频率调制控制方式。
零电压开关准谐振电路的基本开关单元零电流开关准谐振电路的基本开关单元零开关PWM电路：这类电路中引入辅助开关来控制谐振的开始时刻，使谐振仅发生于开关过程前后，此电路的电压和电流基本上是方波，开关承受的电压明显降低，电路可以采用开关频率固定的PWM控制方式。
零电压开关PWM电路的基本开关单元零电流开关PWM电路的基本开关单元零转换PWM电路：这类软开关电路还是采用辅助开关控制谐振的开始时刻，所不同的是，谐振电路是与主开关并联的，输入电压和负载电流对电路的谐振过程的影响很小，电路在很宽的输入电压范围内并从零负载到满负载都能工作在软开关状态，无功率的交换被消减到最小。
电工电子技术第一章习题答案
10A
4Ω
5Ω
此时有： I3 =10A*4Ω /（2Ω +4Ω +5Ω ）=40/11A
（4）保留 4V 理想电压源，其余部分按理想电压源短路，理想电流源开路处置，由此 可得下图： I4 2Ω + 4V 5Ω 4Ω
由于上图不能形成电流，故 I4 =0. 综合以上，利用叠加定理： IX =I1 +I2 +I3 +I4 =20/11A-45/11A+40/11A+0=15/11A=1.364A 1-16.试求如图电路中的电流 I。 3Ω 1A 4Ω 20Ω 16V + 8Ω 解：利用戴维南定理 （1） 首先求等效电阻 R0 ，将理想电压源视为短路，理想电流源视为开路，如下图： R0 3Ω U1 3Ω
2Ω I1 4Ω + 20V 5Ω
此时通过整个电路的电流 I1 可得 I1 =20V/（2+4+5） Ω =20/11A （2）保留 5A 理想电流源，此电流方向与正方向相反，其余部分按理想电压源短路，理 想电流源开路处置，得下图： I2 2Ω
4Ω
5A
5Ω
此时可得： I2 =（-5）A*9Ω /（2 Ω +4Ω +5Ω ）=-45/11A （3）保留 10A 理想电流源，电流方向与正方向一致，其余部分按理想电压源短路，理想电 流源开路处置，得下图： I3 2Ω
此时通过整个电路的电流i1可得i120v2452011a2保留5a理想电流源此电流方向与正方向相反其余部分按理想电压源短路理想电流源开路处置得下图
电工电子技术第一章习题答案
1-1.电路如题所示，求图中的 u,i 或 R。
解：(a)电压与电流同向，则 R=
电子电力课后习题答案(王兆安 第五版).
电子电力课后习题答案（王兆安 第五版）机械工业出版社第一章 电力电子器件1.1 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或者U AK >0且U GK >01.2 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
1.3 图1－43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3。
解：a) I d1=Im 2717.0)122(2Im )(sin Im 214≈+=⎰πωπππtI 1=Im 4767.021432Im )()sin (Im 2142≈+=⎰πϖπππwt d tb) I d2=Im 5434.0)122(2Im )(sin Im 14=+=⎰wt d t ππϖπI 2=Im6741.021432Im 2)()sin (Im 142≈+=⎰πϖπππwt d tc) I d3=⎰=20Im 41)(Im 21πωπt dI 3=Im 21)(Im 21202=⎰t d ωππ1.4.上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a) I m135.3294767.0≈≈IA, I d1≈0.2717I m1≈89.48A b) I m2,90.2326741.0A I≈≈I d2A I m 56.1265434.02≈≈c) I m3=2I=314 I d3=5.78413=m I1.5.GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能?答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶阐管的分析可得，121=+αα是器件临界导通的条件。
《电工电子技术》(曹建林) 习题详解：第1章
第1章习题详解四、分析计算题 1、答案：VB=0VVA=1×2+5=7V 2、答案：根据KCL 、KVL 可列方程如下： I1+I2=7I1×1-I2×2+10-5=0 解方程可得I1=3（A ），I2＝4（A ） 则U=10- I2×2=10- 4×2=2（V ） 3、答案：在电路图上标出各支路电流的参考方向，如图所示，选取绕行方向。
应用KCL 和KVL 列方程如下0321=-+I I I13311E R I R I =+ 23322E R I R I =+代入已知数据得0321=-+I I I 1510531=+I I 65101032=+I I解方程可得I1=-7/4（A ），I2＝33/8（A ），I3＝19/8（A ）。
4、答案：（1）先计算18V 电压源单独作用时的电流和电压，电路如图所示。
61218=+='I (A) 661=⨯='U (V)（2）再计算6A 电流源单独作用时的电流和电压，电路如图所示。
26121=⨯+=''I (A) 162263636=⨯++⨯⨯=''U (V) 图4-4（3）两电源同时作用的电流和电压为电源分别作用时的叠加。
426=-=''-'=I I I (A) 22166=+=''+'=U U U (V)5、 答案：（1）先计算开路电压，如下图。
UOC=-1×16+1=-15(V) （2）再求等效电阻Rab将恒压源和恒流源除去，得电路如图。
Rab=1(Ω)（3）由戴维南定理可知，有源二端网络等效为一个电压源，如图。
35154115-=-=+-=I (A) U =4I =4×(3-)=-12(V)6、答案：（1）根据叠加定理，当单独作用时，短路，则=-IR1，即5=-（-1）R1所以可求得 R1=5(Ω)（2）当单独作用时，短路，则//=I（R1// R2），即20=5（5// R2）所以可求得 R2=20(Ω)7、答案：利用戴维南定理(1)求等效电阻0R130213R RR RR R⨯=++6124612⨯=++8=Ω(2)求端口开路电压OCU1212612120.54612612OCU U U⨯⎛⎫=+=⨯+⨯+⎪++⎝⎭8412V=+=利用戴维南得原理图：所以12184OCO LUi AR R===++8、答案：S闭合时：V A=6VV B=-3VV C=0VS断开时：V A=V B=6VV C=9V9、答案：对a列KCL方程：I-I1-I2=0得I2=4mA对左回路列KVL：6×3+2I3－4×1=0得I3=-7mA A4=13mA A5=－3mA10、答案：对电路进行等效变换可得到下图根据上图电路可列出：6.75R/(3+6+R)=U所以可求得R=18(Ω)。
电力电子课后习题解答(重庆理工大学).doc
第1章2、使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：u AK>0且u GK>0。
4. 图2-27 中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。
第2章3．单相桥式全控整流电路，U2＝100V，负载中R＝2Ω，L值极大，当 ＝30°时，要求：①作出u d、i d、和i2的波形；②求整流输出平均电压U d、电流I d，变压器二次电流有效值I2；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
6、晶闸管串联的单相半控桥（桥中VT1、VT2为晶闸管），电路如图3-12所示，U2=100V，电阻电感负载，R=2Ω，L 值很大，当a=60 时求流过器件电流的有效值，并作出u d、i d、i VT、i D的波形。
解：u d、i d、i VT、i D的波形如下图：7. 在三相半波整流电路中，如果a相的触发脉冲消失，试绘出在电阻性负载和电感性负载下整流电压u d的波形。
解：假设α= 0°，当负载为电阻时，u d的波形如下：9、三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法，a、b 两相的自然换相点是同一点吗？如果不是，它们在相位上差多少度？答：三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法，a、b 两相之间换相的的自然换相点不是同一点。
它们在相位上相差180°。
11. 三相半波可控整流电路，U2=100V，带电阻电感负载，R=5Ω，L值极大，当α=60°时，要求：①画出u d、i d和i VT1的波形；②计算U d、I d、I dT和I VT。
12、在三相桥式全控整流电路中，电阻负载，如果有一个晶闸管不能导通，此时的整流电压u d波形如何？如果有一个晶闸管被击穿而短路，其他晶闸管受什么影响？答：假设VT1不能导通，整流电压u d波形如下：假设VT1被击穿而短路，则当晶闸管VT3或VT5导通时，将发生电源相间短路，使得VT3、VT5也可能分别被击穿。
电力电子课后答案
第一章电力电子器件1.1使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲） 或者 U AK >0 且 U GK >01.2维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流， 即维持电流。
1.3图1 - 43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形， 各波形的电流最大值均为 Im1 —1I3「202Im 2d(t) 2Im1.4.上题中如果不考虑安全裕量 ，问100A 的晶阐管能送出的平均电流 Id1、Id2、Id3各为多少?这时,相应的电流最大值Im1,Im2,Im3 各为多少？解:额定电流|T （AV）=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知解:a)1 Id1= 一2Im sin( t)d( t)1) 0.2717Imb)I1 =讣7(ImS"2t) d(wt)Im 3 10.47671mId2=lIm sin td(wt)4四倚1) 0.5434Im12= (Imsin t)2d(wt) 岑V 42 \40.6741Imc)1 1Id3=厂 02Imd ( t) 4Im试计算各波形的电流平均值I d1,|d2,|d3与电流有效值I 1, I 2 , I 3町 b) c)a)Im1329.35A,Id10.2717Im1 89.48A0.4767I232.90A,Id20.5434Im2 126.56Ab)Im20.6741c)Im3=2I=314Id31=—Im3 78.541.5. GT0和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？答:GTO和普通晶阐管同为PNPN结构,由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管VI、V2，分别具有共基极电流增益1和2，由普通晶阐管的分析可得， 1 2 1是器件临界导通的条件。
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1.1 晶闸管导通的条件是什么？由导通变为关断的条件是什么？
答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：uAK>0且uGK>0。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶
闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导
通的晶闸管关断。
1.2 晶闸管非正常导通方式有几种？
（常见晶闸管导通方式有5种，见课本14页，正常导通方式有：门级加触发电压和光
触发）
答：非正常导通方式有：
(1) Ig=0，阳极加较大电压。此时漏电流急剧增大形成雪崩效应，又通过正反馈放大漏电
流，最终使晶闸管导通；
(2) 阳极电压上率du/dt过高；产生位移电流，最终使晶闸管导通
(3) 结温过高；漏电流增大引起晶闸管导通。
1.3 试说明晶闸管有那些派生器件。
答：晶闸管派生器件有：（1）快速晶闸管，（2）双向晶闸管，（3）逆导晶闸管，（4）光
控晶闸管
1.4 GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？
答:GTO和普通晶闸管同为 PNPN 结构,由 P1N1P2 和 N1P2N2 构成两个晶体管V1、V2
分别具有共基极电流增益 α1 和α２，由普通晶闸管的分析可得，α1 + α 2 = 1 是器件
临界导通的条件。α1 + α 2＞1 两个等效晶体管过饱和而导通； α1 + α 2＜1 不能维
持饱和导通而关断。 GTO 之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为 GTO 与普通晶
闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：
1） GTO 在设计时 α 2 较大,这样晶体管 T2 控制灵敏,易于 GTO 关断;
2)GTO 导通时 α1 + α 2 的更接近于 l,普通晶闸管 α1 + α 2 ≥ 1.5 ,而 GTO 则为
α1 + α 2 ≈ 1.05 ，GTO 的饱和程 度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了
有利条件;
3)多元集成结构使每个 GTO 元阴极面积很小, 门极和阴极间的距离大为缩短,使得 P2 极
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区所谓的横向电阻很小, 从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
1.5 GTO为何要设置缓冲电路？并说明其作用。
答：GTO设置缓冲电路的目的是：降低浪涌电压；抑制du/dt和di/dt；减少器件的开关损耗；
避免器件损坏和抑制电磁干扰；提高电路的可靠性。
1.6 简要说明大功率晶体管BJT与小功率晶体管作用有何不同。
答：大功率晶体管耐压高，电流大，开关特性好，主要工作在开关状态。小功率晶体管用于
信息处理，注重单管电流放大系数，线性度，频率响应以及噪声和温漂等性能参数。
1.7 如何防止电力MOSFET因静电感应引起的损坏？
答：电力MOSFET 的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。MOSFET的输入电容是低泄
漏电容，当栅极开路时极易受电干扰而充上超过20的击穿电压，所以为防止MOSFET 因
静电感应而引起的损坏，应注意一下几点：
（1） 一般不用时讲其三个电极短接；
（2） 装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须 接地； （3） 电
路中，栅、源极间长并联齐纳二极管以防止电压过高；
（4） 漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。
1.8 IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
答：IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT
的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，
这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动
电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值
和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度
要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电
路简单。
1.9 全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？
答：全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压，du/dt或过电流和di/dt，减
小器件的开关损耗。
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1.10 试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
答：对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下表：
器 件 优 点 缺 点
IGBT
开关速度高，开关损耗小，具有耐脉
冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电
压，电流容量不及GTO
GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存
在二次击穿问题
GTO 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力
很强
电流关断增益很小，关断时门极
负脉冲电流大，开关速度低，驱
动功率大，驱动电路复杂，开关
频率低
电 力 MOSFET 开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简
单，工作频率高，不存在二次击穿问
题
电流容量小，耐压低，一般只适
用于功率不超过10kW的电力电
子装置
1.11 晶闸管串、并联使用时应注意哪些问题？采取什么措施？
（1）.晶闸管串联需注意均压问题，分为静态均压和动态均压两种。
对于静态均压，主要是由于各个器件漏电阻不同引起不均压问题。采取措施为，首先
应选用特性比较一致的器件进行串联，同时给每个晶闸管并联均压电阻。电阻阻值需均衡考
虑，一方面使均压电阻大大小于晶闸管的漏电阻，另一方面也要避免均压电阻过小造成其上
损耗过大。
对于动态均压，主要是由于串联器件在开通和关断过程中时间参数不一致而引起的过
电压问题。采取措施为，第一，为各个晶闸管并联阻容电路；第二，各晶闸管触发开通时间
差尽量小。
（2）晶闸管并联需注意的问题为均流问题。由于并联的各个晶闸管在导通状态时的伏安特
性各不相同，却有相同的端电压，因而通过并联器件的电流是不等的。采取的所示为，为了
使并联器件的电流均匀分配，除了选用特性比较一致的器件进行并联外，还可采用串联电阻
法和串联电感等均流措施。
1.12 晶闸管并联时，有几种引起电流不平衡的原因？如何抑制？(见1.11)