微电子连接技术的相关研究
点胶工艺技术分析及其在微电子中的应用
点胶工艺技术分析及其在微电子中的应用第一章：引言点胶是一种广泛应用于微电子生产的关键工艺技术，其在芯片封装、模组制作、电子组件组装等方面都有重要的应用。
准确的点胶对于微电子产品的品质、性能和稳定性都有着至关重要的影响。
因此，在微电子领域，点胶工艺技术的研究和发展具有重要的意义。
本文将从点胶工艺技术的基础知识开始，介绍点胶的相关知识和原理，包括点胶设备的选择、胶水的特性、点胶头的选择等内容。
接着，将讨论点胶工艺的优化方法，如点胶过程的参数优化、接颗粒形状优化等。
最后，将介绍点胶工艺技术在微电子生产中的应用，如芯片封装、模组制作、电子组件组装等方面。
本文将系统地探讨点胶工艺技术的相关知识，以期为微电子生产提供一定的参考价值。
第二章：点胶工艺基础知识2.1 点胶的定义和原理点胶是指使用胶水点缀在工件表面或定位点上，从而达到连接、封装和固定等目的的工艺技术。
其主要原理是通过控制点胶头的移动轨迹和速度来在工件表面或定位点上点胶，将胶水在点胶头下表面与工件表面之间自动挤出，从而达到连接、封装和固定的目的。
2.2 点胶的设备选择点胶机是实现点胶过程的关键设备，常见的点胶机有手持式点胶器、桌面式点胶机、自动点胶机等。
在选择点胶设备时，需要考虑到产量、点胶的精度和稳定性等因素。
另外，还需要根据具体的生产需求选择相应的点胶机型号。
2.3 胶水的特性胶水的特性包括黏度、流动性、胶水颗粒形状等。
其中黏度是影响点胶精度和稳定性的重要因素，需要根据生产需求选择不同的胶水黏度。
另外，胶水的流动性、颗粒形状等也对点胶过程有着重要的影响。
2.4 点胶头的选择点胶头是实现点胶过程的关键组成部分，其选择需要考虑到胶水的黏度、点胶头尺寸、形状、工作压力等因素。
在选择点胶头时，需要根据实际需求进行选择。
第三章：点胶工艺的优化方法3.1 点胶过程的参数优化点胶过程中，参数的优化对于点胶精度和稳定性的提高具有重要的意义。
参数优化的主要包括点胶头的移动速度、点胶头的压力、胶水的挤出速度等。
微电子技术发展趋势及未来发展展望
微电子技术发展趋势及未来发展展望论文概要：本文介绍了穆尔定律及其相关内容，并阐述对微电子技术发展趋势的展望。
针对日前世界局势紧张，战争不断的状况，本文在最后浅析了微电子技术在未来轻兵器上的应用。
由于这是我第一次写正式论文，恳请老师及时指出文中的错误，以便我及时改正。
一．微电子技术发展趋势微电子技术是当代发展最快的技术之一，是电子信息产业的基础和心脏。
微电子技术的发展，大大推动了航天航空技术、遥测传感技术、通讯技术、计算机技术、网络技术及家用电器产业的迅猛发展。
微电子技术的发展和应用，几乎使现代战争成为信息战、电子战。
在我国，已经把电子信息产业列为国民经济的支拄性产业。
如今，微电子技术已成为衡量一个国家科学技术进步和综合国力的重要标志。
集成电路(IC)是微电子技术的核心，是电子工业的“粮食”。
集成电路已发展到超大规模和甚大规模、深亚微米(0.25μm)精度和可集成数百万晶体管的水平，现在已把整个电子系统集成在一个芯片上。
人们认为：微电子技术的发展和应用使全球发生了第三次工业革命。
1965年，Intel公司创始人之一的董事长Gorden Moore在研究存贮器芯片上晶体管增长数的时间关系时发现，每过18～24个月，芯片集成度提高一倍。
这一关系被称为穆尔定律(Moores Law)，一直沿用至今。
穆尔定律受两个因素制约，首先是事业的限制(business Limitations)。
随着芯片集成度的提高，生产成本几乎呈指数增长。
其次是物理限制(Physical Limitations)。
当芯片设计及工艺进入到原子级时就会出现问题。
DRAM的生产设备每更新一代，投资费用将增加1.7倍，被称为V3法则。
目前建设一条月产5000万块16MDRAM的生产线，至少需要10亿美元。
据此，64M位的生产线就要17亿美元，256M位的生产线需要29亿美元，1G位生产线需要将近50亿美元。
至于物理限制，人们普遍认为，电路线宽达到0.05μm时，制作器件就会碰到严重问题。
微电子封装与组装中的微连接技术的进展
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第 38 卷
第9 期
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精 密 连 接 与 微 缀 连 接 技术
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微电子技术发展的新领域
微电子技术发展的新领域随着科技不断发展，微电子技术也在不断的向前发展，涉足了许多新的领域。
本文将会分享一些最新的微电子技术的应用领域。
第一个应用领域是可穿戴设备。
随着智能手机的普及，人们对于便携的设备的需求也越来越大。
可穿戴设备，如智能手表、智能眼镜、智能服装等，由于具有轻便、高效、流行等诸多特点，成为了当前的热门发展方向。
微电子技术的应用是必不可少的。
例如，用微电子技术将传感器集成到手表中，以掌握人体运动情况、心率等生理参数，从而实现生理健康监测、健身指导等功能。
同时，可穿戴设备的价格也越来越低，让更多人可以享受到高科技的便利。
第二个应用领域是智能家居。
在智能家居系统中，所有家居设备都可以通过微电子技术实现连接，从而实现互联互通的功能。
例如，通过智能手机或语音识别技术可以控制家居设备的开关与调节，如调节灯光亮度，温度、湿度的控制等。
智能家居提供了更加便捷、智能化的生活体验，将来会成为人们日常生活的重要组成部分。
第三个应用领域是自主驾驶汽车。
自主驾驶汽车依靠微电子技术，实现了以传感器为核心的多种功能。
例如利用激光雷达、摄像头、超声波等传感器，实现自动驾驶、行车辅助、智能交通规划、自动泊车等功能。
未来自主驾驶汽车将会成为智能城市建设重要的基础设施之一，它将与其他智能设备相互关联，实现更加安全、高效、智能的交通运输系统。
第四个应用领域是物联网。
物联网是由各种设备、传感器等物品相互连接组成的一个消费级与商业级的网络系统。
物联网的主要作用是实现设备互连、数据互通，进而满足人们对于信息、动力和安全上的需求。
微电子技术的应用是物联网实现的关键技术。
例如，微电子芯片可以将传感器与各种设备进行联系，让它们可以相互通信，使得物联网达到顺畅的传递信息的目的。
以上所述是最新的微电子技术的应用领域。
今后，这些领域有望会持续扩展和深入发展，给人们的生活带来更多便捷。
微纳电子技术的应用前景与挑战
微纳电子技术的应用前景与挑战近年来，随着科技的不断进步和人们对信息处理能力的需求不断上升，微纳电子技术的发展成为了热门话题。
微纳电子技术以其独特的优势和广泛的应用领域，成为了科技领域的一颗明星。
本文将探讨微纳电子技术的应用前景和挑战，并分析其可能带来的影响。
首先，让我们来了解一下微纳电子技术究竟是什么。
微纳电子技术是一种研究微米、纳米尺度下电子、光子、力学等现象和器件制备技术的综合学科。
它的出现，极大地推动了电子器件的迷你化和集成化。
例如，微电子芯片的出现使得计算机的体积大幅减小，同时提供了更高的计算速度和更低的能耗。
纳米技术的应用则使得材料具备了新颖的性质和优异的性能，比如超材料可以引导电磁波传播，纳米材料可以运用于超越摩尔定律的新一代芯片。
可以说，微纳电子技术的应用前景是非常广阔的。
一方面，微纳电子技术在信息处理领域有着巨大的应用前景。
随着物联网和人工智能技术的迅猛发展，云计算、大数据、人脑连接等需求不断增长。
而唯有通过微纳电子技术的发展，才能满足这些需求。
微纳电子技术不仅可以使计算机更加小巧，还可以提高计算性能和能源利用效率。
此外，微纳器件的制造技术也可以应用于传感器和检测器等领域，提供了更精确和高灵敏的数据采集和处理能力。
尤其是在医疗领域，微纳电子技术的应用可以实现医学检测的个性化、无创和即时化。
另一方面，微纳电子技术也在能源领域有着广泛的应用前景。
能源紧缺和环境污染日益严重的背景下，人们对清洁、高效的能源技术的需求迫在眉睫。
而微纳电子技术提供了许多可能的解决方案。
例如，纳米能源材料的研发可以提高太阳能电池的效率，提供更廉价和清洁的能源来源。
微纳电子技术还可以促进智能电网、储能技术等新能源设施的高效管理和运营。
此外，通过微纳电子技术的进展，还可以实现能源的自主生产和分布式供应，增强能源供给的可靠性和韧性。
然而，微纳电子技术的应用也面临着一些挑战。
首先，微纳尺度下操作和控制的困难是一个重要因素。
微电子技术新领域——神奇的碳纳米管
微电子技术新领域——神奇的碳纳米管金刚石和石墨被认为是仅有的两类碳的固体形态。
直至1985年发现了以碳60为代表的富勒烯、从而令碳结构研究格外引人关注；碳60可由石墨碳棒电弧放电来合成，人们收集碳灰而忽略了放电后阴极上产生的沉积物。
1991年，日本筑波NEC研究室内科学家首次在电子显微镜里观察到有奇特的、由纯碳组成的纳米量级的线状物。
此类纤细而颀长的分子就是众所周知的碳纳米管石墨只有层状结构，可以看做是由原子纸堆叠而成。
若将这样的原子纸卷成管形状，就是碳纳米管。
虽然现在对于碳原子为什么会凝聚而成管状，还没有令人信服的解释。
碳纳米管有许多优异的性能，如超高的反弹性、抗张强度和热稳定性等。
被认为将在微型机器人、抗撞击汽车车身和抗震建筑等方面有着极好的应用前景。
但是碳纳米管的第一个获得应用的领域是电子学领域、近年来，它已成为微电子技术领域的研究重心。
石墨是介乎导休和绝缘体之间的半导体材料：在石墨层里，有个决定着它的全部导电性的特殊电子态，即费米点。
在卷成管状后，只有1/3的碳纳米管由于有正确的直径和扭曲度能够把费米点包含在它允许的能级里，它们才是真正的具有金属性的纳米导线。
剩下的2/3的纳米管是半导体，也就是说和硅那样，如果不外加能景〔例如用光或外加电压使电子从价带跳到导带）电流是很难通过的。
所需能量决定于价带和导带之间的宽度，即所谓的半导休的能隙或禁带宽度。
正是因为半导体材料有此能级结构，而且不同材料或同类材料纤经过掺杂后，有不同的禁带宽度，才会有类型繁多的电子器件。
碳纳米管的禁带宽度可以从0（像金属）一直增长到和硅相当，当然也可在中间的某个位置上。
现在还没有任何其他的材料在调制其性能时，能够像碳纳米管那样地做到随心所欲。
碳纳米管在电子电路技术里，原则上可以起到和硅相同的作用，而硅和其他半导体材料在分子级上都无法工作。
目前已经能够把芯片上的晶体管的临界大小做到200纳米以下（宽度大约为400个原子），但是器件进一步微型化却困难重重。
微电子期末实验报告
微电子期末实验报告实验目的本次实验的目的是通过设计和制作一片微电子芯片，学习和理解微电子器件的工作原理和制造过程，加深对微电子技术的认识和应用。
实验器材与原材料本实验涉及的器材和原材料如下：1. 纯净的硅晶圆2. 光刻机和曝光药水3. 溅射沉积设备4. 热氧化炉5. 电子束曝光设备6. 快速退火设备7. 电子显微镜8. 电阻计和电压源实验步骤及结果1. 硅晶圆的制作：首先，我们取出一块纯净的硅晶圆，将其放入热氧化炉中进行氧化处理，形成一层氧化硅薄膜。
然后，使用电子束曝光设备制作图案掩膜，在光刻机上对硅晶圆进行曝光，形成所需的图案。
最后，使用溅射沉积设备，在硅晶圆上沉积金属薄膜，形成导线和电极。
2. 芯片的制作：通过以上步骤，我们成功地制作了一片微电子芯片。
接下来，我们使用快速退火设备对芯片进行处理，使金属导线与硅基底良好地结合在一起。
然后，使用电阻计和电压源对芯片进行测试，确保芯片的电特性符合设计要求。
3. 电子显微镜的观察：为了进一步研究芯片的结构和性能，我们使用电子显微镜对芯片进行观察。
通过电子显微镜的放大和成像功能，我们可以清晰地看到芯片的微观结构和导线的连接情况。
实验结果分析通过实验步骤中的制作和测试过程，我们得到了一片功能正常的微电子芯片。
我们通过电阻计和电压源测量了芯片的电阻和电压特性，并与设计要求进行了比较。
实验结果表明，芯片的电特性符合预期，并且各个部件之间的连接良好，没有出现导线断裂或短路等问题。
通过电子显微镜的观察，我们进一步研究了芯片的微观结构。
观察结果显示，芯片表面的导线和电极均呈现出光滑的表面，金属导线与硅基底之间有良好的结合。
这表明我们在制作过程中注意了各个步骤的控制和操作，确保了芯片的质量和稳定性。
实验总结与心得体会通过本次实验，我们学习和理解了微电子器件的制造过程和性能测试方法。
我们通过制作一片微电子芯片，加深了对微电子技术的认识和了解。
实验过程中，我们学会了使用各种微电子器材和原材料，掌握了光刻、溅射和退火等工艺步骤，并学会了使用电阻计和电压源等测试仪器。
微连接结构与工艺
第一章微连接结构与工艺1、序言当前，全世界都在加速信息化的进程，科技、经济、军事无不依赖信息化。
随着人类社会信息化步伐的加快，电子微连接技术作为先进制造技术的重要组成部分已成为当代科学技术的前沿领域之一。
随着近年来产品的小型化趋势，微连接已经成为最关键的技术前提。
微连接是电子封装及互连的重要部分，但实际上涵盖更广的领域，对于制造其他更多的小型器件、装置和系统尤为关键。
如医学内置物制造、传感器和换能器、电池以及光电子器件等。
微连接是一个广义的术语，定义很宽松而且大多数与传统的焊接或连接相关。
微连接最早的定义是以被连接对象的尺寸为准则，一般100微米以下的可以被称为微连接。
还可以通过其他方式来定义微连接。
有的时候可以根据使用设备、被连接的材料，甚至是焊缝尺寸等定义微连接。
例如，常规电阻焊大多数应用在汽车车身和家电组装中的钢或铝合金的连接上，板厚或者丝的直径通常超过0.5mm，然而电阻微焊接主要用在精细器件和装置制造中非铁金属材料的连接上面，板厚或丝的直径大约在20~400μm之间，如电池、印刷电路板、继电器、传感器、安全气囊、散射屏和医疗装置等。
因此大多数微连接都是相对于宏观尺寸来说明的，也就是说还有纳米连接、微米连接的说法。
很多微连接或微焊接过程可以追溯到20实际50年代，从电阻焊开始，相继开发了热压丝焊、超声丝焊、以及热超声丝焊，出现了电子束焊接，它可以适用于宏观和微观。
随着微电子、医疗、航空航天和国防工业的发展，很多微连接工艺和技术应运而生。
微连接具有非常重要的作用。
尽管很多连接工艺和应用被认为是很成熟的，但由于产品持续小型化趋势，微连接技术面临很多挑战。
例如，在MEMS封装和互连中，单独的电器、机械、流体和光学元件需要被连接或者耦合到宏观的外部环境中。
后者将产生传感器技术中独特的问题：一方面，微系统需要被保护以防止外部机械的损坏和腐蚀；另一方面，又要被暴露在足够多的外部环境中，以获得真实确凿的物理化学数据。
焊接——微连接技术
微连接技术一、微连接技术中的压焊方法在微连接技术中，压焊方法主要用于微电子器件中固态电路内部互连接线的连接，即芯片(表面电极，金属化层材料主要为Al)与引线框架之间的连接。
按照内引线形式，可分为丝材键合、梁式引线技术、倒装芯片法和载带自动键合技术。
1．丝材健合（wire-bonding）这种方法把普通的焊接能源（热压、超声或两者结合）与健合的特殊工具及工艺（球-劈刀法、楔-楔法）相结合，形成了不同的健合方法，从而实现了直径为10～200μm的金属丝与芯片电极－金属膜之间的连接。
（1）丝材热压键合这是最早用于内引线键合的方法。
热压键合是通过压力与加热，使接头区产生典型的塑性变形。
热量与压力通过毛细管形或楔形加热工具直接或间接地以静载或脉冲方式施加到键合区。
该方法要求键合金属表面和键合环境的洁净度十分高。
而且只有金丝才能保证键合可靠性，但对于Au-Al内引线键合系统，在焊点处又极易形成导致焊点机械强度减弱的“紫斑”缺陷。
（2）丝材超声波键合超声波键合是在材料的键合面上同时施加超声波和压力，超声波振动平行于键合面，压力垂直于键合面。
该方法一般采用Al或Al合金丝，既可避免Au丝热压焊的“紫班”缺陷和解决Al-Al系统的焊接困难，又降低了生产成本。
缺点是尾丝不好处理，不利于提高器件的集成度，而且实现自动化的难度较大，生产效率也比较低。
（3）丝球焊丝材通过空心劈刀的毛细管穿出，然后经过电弧放电使伸出部分熔化，并在表面张力作用下成球形，然后通过劈刀将球压焊到芯片的电极上。
该方法一般采用Au丝。
近年来，国际上一直寻求采用Al丝或Cu丝替代Al丝球焊，到80年代，国外Cu丝球焊已在生产中应用。
国内研制的Cu丝球焊装置，采用受控脉冲放电式双电源形球系统，并用微机控制形球高压脉冲的数、频率、频宽比以及低压维孤时间，从而实现了对形球能量的精确控制和调节，在氩气保护条件下确保了Cu丝形球质量。
2．梁引线技术（beam-lead）采用复式沉积方式在半导体硅片上制备出由多层金属组成的梁，以这种梁来代替常规内引线与外电路实现连接。
详细阐述控制塌陷芯片连接技术。
详细阐述控制塌陷芯片连接技术。
控制塌陷芯片连接技术（C4）是一种微电子封装技术，用于将芯片连接到散热器或电路板上。
C4技术是一种复杂的过程，涉及到许多步骤。
首先，芯片需要被准确地定位和定向。
这通常通过使用吸盘定位器或显微镜进行完成。
一旦芯片被定位，就需要将其与散热器或电路板上的连接点对齐。
连接点通常是由铜或其他导体材料制成的小球，称为焊球。
焊球会被预先布置在散热器或电路板上，然后通过加热融化，将芯片连接到焊球上。
这种联接方式称为球栅阵列（BGA）连接。
在C4技术中，焊球的大小通常只有几微米，因此需要使用高精度设备来操作。
一旦焊球被熔化，就需要冷却和固化，以确保芯片与散热器或电路板之间的连接牢固可靠。
除了BGA连接之外，C4技术还可以使用其他类型的连接方式，如焊盘或焊线。
无论使用哪种连接方式，C4技术的目的都是确保芯片与外部电路之间的可靠连接，并提供优异的散热性能。
总的来说，C4技术是一种重要的微电子封装技术，可以为各种应用提供高效、高可靠性的芯片连接解决方案。
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微电子连接技术的相关研究
一、微电子封装的进展历程及其连接技术的应用
1.进展历程
在20世纪80年月以后，以外表安装类型的四边引线封装为主
的外表安装技术快速进展。它转变了传统的插装形式，器件通过再流
技术进行焊接，由于再流焊接过程中焊锡熔化时的外表张力产生自对
准效应，降低了对贴片精度的要求，同时再流焊接代替了波峰焊，也
提高了组装良品率。此阶段的封装类型如塑料有引线片式裁体〔PLCC〕、
塑料四边引线扁平封装〔PQFP〕、塑料小形状封装〔PSOP〕以及无引
线四边扁平封装等。
2.球栅阵列封装
20世纪90年月，随着集成技术的进步、设备的改良和深亚微
米技术的使用，硅单芯片集成度不断提高，对集成电路封装要求更加
严格，I/0引脚数急剧增加，功耗也随之增大。为满意进展的需要，
在原有封装品种基础上，又增加了新的品种——球栅阵列封装，简称
BGA。其采纳小的焊球作为元件和基板之间的引线连接。这种BGA突
出的优点包括：
〔1〕电性能更好：BGA用焊球代替引线，引出路径短，削减
了引脚寄生效应；
〔2〕封装密度更高：由于焊球是整个平面排列，因此对于同
样面积，引脚数更高。
〔3〕BGA的节距与现有的外表安装工艺和设备完全相容，安
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装更牢靠；
〔4〕由于钎料熔化时的外表张力具有“自对准”效应，避开
了传统封装引线变形的损失，大大提高了组装成品率；
〔5〕BGA引脚坚固；
〔6〕焊球引出形式同样适用于多芯片组件和系统封装。
3.芯片尺寸封装
1994年9月，日本三菱电气公司讨论出一种芯片面积/封装面
积=1：1.1的封装结构.其封装形状尺寸只比裸芯片大一点点。也就
是说，单个IC芯片有多大，封装尺寸就有多大，从而诞生了一种新
的封装形式，命名为芯片尺寸封装，简称CSP。
CSP是整机小型化、便携化的结果。它定义为封装后尺寸不超
过原芯片的l-2倍或封装后面积不超过裸片面积的1.5倍。倒装焊和
引线键合技术都可以用来对CSP封装器件进行引线。它具有更突出的
优点：
〔1〕近似芯片尺寸的超小型封装；
〔2〕爱护裸芯片；
〔3〕便于焊接、安装和修整更换。
二、微电子焊接及徽连接技术
1.微电子焊接讨论的重要性
通过对微电子元器件制造和电子设备组装进行分析可发觉，产
品的最终质量会受到多种客观因素的影响，其中影响最为直接的就是
连接技术。在规模较大的集成电路中最少有几十个焊点同时存在，多
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达数百个，但巨型计算机的印刷线路板上最多可到达上万个焊点。
这些焊点假如有一个存在时效现象就会导致整个元器件或者
整机消失停止工作的现象。依据相关调查和统计我们可以发觉，焊点
失效在电子元器件或电子整机的全部故障缘由中所占比例高达60%，
这可在肯定程度上说明焊接技术在电子工业生产技术中作为最薄弱
的环节存在。
2.芯片焊接技术
〔1〕引线键合技术
芯片I/o焊盘和对应的封装体上的焊盘用细金属丝一一连接
起来就是引线键合技术的实质与目标，留意在实际连接过程中一次只
能连接一根。采纳超声波焊将一根细引线分别键合到IC键合区和对
应的封装或基板键合区上是实际进行引线键合工作的主要内容，留意
其直径一般为25纳米。敏捷性较强是这种工艺的'明显特征与优势，
在利用上述技术进行工作时还需要得到热压、热超声和超声方法的支
撑。
用高压电火花使金属丝端部形成球形是在实际进行热压键合
和热超声键合时首先需要满意的条件，这也是其还称之为球楔键合的
主要缘由。在实际进行加热加超声波时主要针对金属丝以及焊接点进
行，接触面会在这一过程中呈现出一种塑性变形的现象，这不仅会对
界面的氧化膜造成破壞，同时也是导致其消失活性化现象的主要缘由。
〔2〕载带自动键合技术
载带自动焊〔TAB〕是一种将IC安装和互连到柔性金属化聚合
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物载带上的IC组装技术。载带内引线键合到IC上，外引线键合到常
规封装或PWB上，整个过程均自动完成。为适应超窄引线间距、多引
脚和薄形状封装要求.载带自动键合〔TAB〕技术应用越来越普遍。虽
然载带价格较贵，但引线间距最小可到达150纳米，而且TAB技术比
较成熟，自动化程度相对较高，是一种高生产效率的内引线键合技术。
〔3〕倒装芯片键合技术
倒装芯片键合技术是目前半导体封装的主流技术，是将芯片的
有源区面对基板键合。在芯片和基板上分别制备了焊盘，然后面对面
键合.键合材料司‘以是金属引线或载带，也可以是合金钎料或有机
导电聚合物制作的凸焊点。倒装芯片键合引线，焊凸点直接与印刷线
路板或其它基板焊接，引线电感小，信号问窜扰小.信号传输延时短，
电性能好，是互连巾延时最短、寄生效应最小的一种互连方法。
3.再流焊
所谓的再流焊就是通过加热使预置的钎料膏或钎料凸点重新
熔化即再次流淌，润湿金属焊盘外表形成坚固连接的过程。常用的再
流焊热源有红外辐射、热风、热板传导和激光等。
再流焊温度曲线的建立是再流焊技术中一个特别关键的环节。
根据焊接过程各区段的作用，一般将其分为预热区、保温区、再流区
和冷却区等4段。预热过程的目的是为了用一个可掌握的速度来提高
温度，以削减元件和板的任何热损坏。
目前再流焊工艺中比较成熟的是热风再流焊和红外再流焊。随
着免清洗和无铅焊接的要求。消失了氮气焊接技术。适应无铅焊接的
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耐高温再流焊成为该技术重要的进展方向。
结语：
在微电子封装技术方面经受了双列直插、四方扁公平阶段。目
前球栅阵列封装已经成为主流产品，如今芯片尺寸封装和多芯片组件
也在蓬勃进展。今后微电子封装将连续向高性能、高牢靠性、多功能、
小型化、薄型化、便携式及低本钱方向进展，相关的连接技术也必需
符合这种进展趋势。在所使用的封装材料方面有金属、陶瓷、塑料，
而低本钱的塑料是应用的主要方向。