8英寸功率半导体分立器件
半导体监管体制、行业主要法律法规及政策
半导体监管体制、行业主要法律法规及政策
1、行业监管体制
半导体行业的管理体制是国家产业宏观调控下的市场调节机制，国家主管部门制定产业发展规划、发展政策，对行业进行宏观调控，行业协会对行业进行自律规范管理。
行业的主管部门是国家发改委、工信部以及全国半导体设备和材料标准化技术委员会。
行业自律管理机构为中国半导体行业协会。
中国半导体行业协会是半导体行业的自律规范组织，协会将会员分为六类，包括集成电路类、集成电路设计类、封装与测试类、半导体分立器件类、半导体支撑类、MEMS类。
具体行业管理体制如下：
2、行业的主要法律法规及政策
随着我国经济的持续高速发展，半导体制造行业对国民经济增长的推动作用越来越明显，半导体技术的发展及广泛应用极大地推动了科学技术进步和社会经济发展，为国家重点支持的行业。
近年来，国家相关部委出台了一系列的关于支持半导体制造行业结构调整、产业升级、促进下游应用市场消费、规范行业管理以及促进区域经济发展的政策法规。
行业主要的法律、法规和产业政策如下：。
20120210 士兰分立器件产品介绍
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芯片产能 (pcs) 40K/M 4K/M 50K/M 4K/M 0.1K/M 2K/M 18K/M 5.5K/M 2K/M 8K/M
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S-RinTM 表示采用了比前几代高压HVDMOS更小尺寸的GR环的新一代士兰 VDMOS器件。
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S-RinTM 系列高压VDMOS同时采用了优化后的条形元胞结构。 控制和调节J-FET注入的深度和浓度来改善Rdson 参数.
Silan 士兰微电子 分立器件产品封装 • • • • • •
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目前,已在士兰集成芯片厂完成建立了分立器件产品封装净化厂房 (主要针对高压 MOS管/FRD/SBD等产品) 2011年3月开始批量封装FRD/SBD产品; 2011年7月开始批量封装HVMOS产品; 目前批量生产的封装形式有TO-220-3L/TO-220F-3L/TO-3PN这3种; 后续会根据具体需求有计划的增加TO-252-2L/TO-251-3L/ TO-263-2L/TO-262-3L等; 目前封装厂的产能已扩展到15KK/M; 我们正在成都建立功率半导体封装基地用来扩展更大产能和降低成本.
重大专项申报指引
附件12018～2019年“第三代半导体材料与器件”重大专项申报指南根据省委和省政府有关工作部署，结合国家和省“十三五”科技创新规划确定的目标、任务和重点领域，以国家战略和广东产业发展需求为牵引，按照全链条部署、一体化推进思路和专项实施方案的要求，瞄准国际最前沿，集中力量联合研发关键核心技术，制定行业标准，取得若干标志性成果，特制定2018～2019年度第三代半导体材料与器件重大专项申报指南。
2018～2019年度指南共设置7个专题，每个申报项目需要覆盖专题全部内容，均需产学研联合申报，采用竞争性评审、无偿资助方式。
专题一：6-8英寸4H-SiC衬底产业化关键技术研究（专题编号：0126）研究内容：面向SiC电力电子器件和微波器件的需求，研制出高质量6-8英寸n型和半绝缘SiC衬底，突破制约SiC衬底成品率的关键技术，形成我国具有自主知识产权的6-8英寸低缺陷高品质SiC衬底产业化制备成套关键技术。
开展6-8英寸SiC温场精确控制技术和扩径生长技术研究；突破位错、微管、夹杂物等缺陷降低技术；开展6-8英寸SiC单晶材料杂质控制技术、电阻率控制技术及电阻率均匀性控制技术研究；开发6-8英寸SiC单晶生长工艺及晶体批量切、磨、抛加工技术。
考核指标：通过本项目的实施，形成高质量n型6-8英寸SiC 衬底年产能达到5万片；形成半绝缘6-8英寸SiC衬底年产能达到4万片；6-8英寸SiC材料品质达到国际先进水平，形成6件技术标准，申请发明专利20项，发表有国际影响力高水平论文10篇，引进3个以上高精尖团队。
具体指标如下：①6英寸SiC材料:SiC单晶材料直径≥6英寸；衬底微管密度≤0.5个/cm2；n型衬底电阻率≤30 mΩꞏcm，半绝缘衬底电阻率≥1×107Ωꞏcm；衬底总腐蚀坑密度≤5000个/cm2；衬底翘曲度(Warp)≤45μm；衬底弯曲度（|bow|）≤25 μm；衬底总厚度变化（TTV）≤15 μm；衬底局部厚度变化（LTV）≤5 μm；衬底表面粗糙度≤0.2nm （测量面积：10μm×10μm）；X射线半峰宽≤60＂。
IGBT是什么？
IGBT是什么？作者：海飞乐技术时间：2017-04-13 16:00IGBT是什么？IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，所以它是一个有MOS Gate的BJT晶体管，可以简单理解为IGBT是MOSFET和BJT的组合体。
MOSFET主要是单一载流子(多子)导电，而BJT是两种载流子导电，所以BJT的驱动电流会比MOSFET 大，但是MOSFET的控制级栅极是靠场效应反型来控制的，没有额外的控制端功率损耗。
所以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的优点组合起来的，兼有MOSFET的栅极电压控制晶体管(高输入阻抗)，又利用了BJT的双载流子达到大电流(低导通压降)的目的 (Voltage-Controlled Bipolar Device)。
从而达到驱动功率小、饱和压降低的完美要求，广泛应用于600V以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
图1IGBT实物图左图IGBT模块，右图IGBT管IGBT有什么用？绝缘栅双极晶体管（IGBT）是高压开关家族中最为年轻的一位。
由一个15V高阻抗电压源即可便利的控制电流流通器件从而可达到用较低的控制功率来控制高电流。
IGBT就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。
IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。
IGBT有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移（半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因），本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。
芯片制造-半导体工艺制程实用教程-学习笔记
5、集成电路中器件的尺寸（特征图形尺寸－微米）和数量时 IC 发展的两个共同标志。集
同享有集成电路的专利；
4、集成电路（integrated circuit） 平面技术（planar technology） Kilby&Noyce 共
3、每个芯片中只含有一个器件的器件称为分立器件（晶体管、二极管、电容器、电阻器）
8、成本降低和性能提高这两个因素推动了固态电子在产品中的实用；据估计到 2008 年全 世界工业生产的晶体管将达到每个人 10 亿个；
9、电子工业可分为两个主要部分：半导体和系统（产品），涵盖印刷电路板制造商； 半导体产业由两个主要部分组成：一部分是制造半导体固态器件和电路的企业，生产过程 称为晶圆制造（wafer fabrication）,在整个行业有三种类型的芯片供应商，一种是集设计、制 造、封装和市场销售为一体的公司；另一种是做设计和晶圆市场的公司，他们从晶圆工厂购买 芯片；还有一种是晶圆代工厂，它们可以为顾客生产多种芯片 10、固态器件的制造阶段： 材料准备－晶体生长与晶圆准备－晶圆制造（前线工艺 FEOL 和后线工艺 BEOL）－封装 二氧化硅（沙子）－含硅气体－硅反应炉－多晶硅 11、场效应管（FET）；金属氧化物（MOS）；氧化掩膜；平面技术；外延； 12、1963 年塑封在硅器件上的使用加速了价格下滑，绝缘场效应管（IFET），互补型 MOS （CMOS）电路； 13、接触光刻机（contact aligner）、投射光刻机、离子注入机、电子束（E-beam）机、 膜版步进式光刻机（Stepper） 14、工业控制的技术竞争：自动化、成本控制、工艺特性化与控制、人员效率 15、国家技术发展路线图（National Technology Roadmap for Semiconductor，NTRS）
方正投资4.5亿美元深圳建8英寸芯片生产线
．，
项
目投资额将 达
4
5
．
亿美元 ，
建 成后芯 片月产量
达 5 万片。
作为深圳市大力 支持发展 的重大项 目， 方正 微 电子
)0 6 年 1 0 月 建 成 投 产 的 6 英 寸 芯 片 生 产 线建 设 进 展 顺
。
，
预计 2 0 0 8 年月产芯 片量 将超 过 2 万 片 。
据透露 ，
方
微 电子着手兴建 的投 资规模 巨大 的 8 英寸芯 片生产 线
目，将有力地带动深圳及全
国彩
电 、
P
C
等整机及M
P
3
、
P4 、
DVD 、
手机 等消费类 电子 产业 的发展 。
中芯 国际 为 S p a n s i o n 生 产 6 5 m M ir r o r B it @ 产品
S P a n s i o n 日前 宣 布 ， 将 向 中芯 国 际转 让 6 5 纳 M ir r o r B i t 。 技术 ， 用于 其在 中国 的 3 0 0 毫 米 晶 圆代工 服 参 中芯 国 际与 S p a n s i o n 还 签 署 了一 项 初步谅 解 备忘 录 ， 将 权 中芯 国际为 中国的与 内容 发布相 关的产 品应用市 场制造 销 售 9 0 纳米 、 6 5 纳 米 以及 将 来 的 S p a n s i o n Q M i r r o r B i t 。 u 产 品 ， 从 而使 中芯 国 际进 入 特 定 的 闪存 细分 市 场 。
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部亚 太 区总裁。 据悉 ， 霍尼 韦尔位于上海 的亚 太技术 中心 目
士兰微电子 半导体分立器件 简介
常规参数 电流/电压
8A / 600V 8A / 650V 8A / 500V 10A / 600V 10A / 650V 12A / 600V 12A / 650V 13A / 500V
导通电阻（Rdson） 典型值 最大值
0.9 Ω ----------0.61 Ω --1.2 Ω 1.4 Ω 0.9 Ω 0.8 Ω 1.0 Ω 0.7Ω 0.8 Ω 0.52 Ω
士兰微电子在其第二条芯片生产线建成之后开展了高压MOSFET的研 发，目前已经历了三代工艺，每一代产品都具有鲜明的技术特征。 每一代的产品都伴随着各项指标的优化以及芯片成本的降低。 士兰微电子的高压MOS成品管就是内置了士兰最新一代S-RinTM系列高 压MOS管芯片的产品，在封装外形上均有S-Rin标识。 将在2009年上半年推出第四代高压VDMOS产品，冠以F-CellTM系列。
士兰微电子发展半导体器件芯片的优势
利用0.8微米先进的芯片生产线，研发的效率和工艺的稳定性得到大幅度的改善。 工艺生产线上工艺加工手段和分析测量设备、仪器齐备，有利于新工艺方案的 实施和问题的判断。 技术研发力量充实，有助于研发队伍的持续和稳定。有机会大幅度缩小与世界 先进水平的差距。
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HV-MOS HV-MOS
照明方案
逆变器MOS
开关电源
电子镇流器
稳压电源
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2009-12-22
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半导体晶圆简介介绍
03
半导体晶圆的应用领域
半导体晶圆的应用领域
• 半导体晶圆是半导体工业的基础材料，它是由高纯度的硅材料 制成的圆形薄片。晶圆在半导体制造过程中扮演着关键角色， 它是制造各种半导体器件的基础。下面将介绍半导体晶圆在不 同应用领域的作用。
04
半导体晶圆产业现状与趋 势
半导体晶圆产业现状与趋势
• 半导体晶圆是半导体产业的核心基础材料，用于制造各种集成电路、分立器件、传感器等，是现代电子信息产业的重要基 石。下面将对半导体晶圆产业现状与趋势进行详细介绍。
半导体晶圆简介介绍
汇报人： 日期:
目 录
• 半导体晶圆概述 • 半导体晶圆的分类与特点 • 半导体晶圆的应用领域 • 半导体晶圆产业现状与趋势
01
半导体晶圆概述
半导体晶圆的定义
定义
半导体晶圆，又称硅晶圆，是由 高纯度的单晶硅材料制成的圆形 薄片，其表面经过特殊处理后， 可用于制造各种半导体器件。
直径约为101.6mm ，曾经广泛应用于早 期集成电路生产。
6英寸晶圆
直径约为152.4mm ，目前仍是部分领域 的主流生产晶圆尺寸 。
8英寸晶圆
直径约为203.2mm ，是当前集成电路生 产的主流尺寸之一。
12英寸晶圆
直径约为304.8mm ，是目前最大尺寸的 半导体晶圆，用于高 集成度、高性能芯片 生产。
半导体晶圆的特点
高纯度
表面平整
半导体晶圆需要具有极高的纯度，以确保 制造的芯片具有稳定的电气性能。
晶圆表面需要非常平整，以便在制造过程 中精确控制各层结构的尺寸和形状。
缺陷少
一致性好
晶圆中的缺陷会严重影响芯片性能，因此 要求晶圆具有较低的缺陷密度。
华润战略地图
华润微电子有限公司组长：B11050315杨福振组员：B11050301曹新雨B11050302何琦B11050303姜琰B11050305李泽洲B11050306刘雷雷B11050307牛珂B11050309沈剑桥B11050310田晓盟B11050311仝亮B11050312王福凯B11050343高启智一、公司背景华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的高科技企业，亦是中国本土规模和影响力最大的综合性微电子企业之一，自2004年起连续被国家工业和信息化部评为中国电子信息百强企业。
公司以振兴民族微电子产业为己任，聚焦于模拟与功率半导体等领域，矢志成为具有包容文化、创新精神、良好业绩和行业领导地位的中国半导体领军企业，为建设和谐、效率社会提供卓越品质的产品和系统解决方案。
公司业务包括集成电路设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试及分立器件，目前拥有6-8英寸晶圆生产线4条、封装生产线2条、掩模生产线1条、设计公司4家，为国内唯一拥有齐全半导体产业链的企业。
在规模增长的同时，公司注重社会责任，持续开展环境保护和节能减排工作。
获江苏省人民政府颁发的“十一五”“节能工作先进集体”，获无锡市颁发“资源节约型、环境友好型”二型社会企业称号，连续四年获《长三角地区环境行为等级评定》评为最高等级“绿色”企业。
二、发展战略华润微电子矢志成为中国内地领先的模拟半导体公司，利用中国在全球制造业中的显著地位及其蓬勃发展的国内市场，华润微电子已成为中国消费类电子行业中主要的模拟集成电路及分立器件供应商。
华润微电子的策略是利用中国制造平台的成本优势以及华润微电子的战略性伙伴所提供的技术优势，从而实现股东价值的最大化。
三、企业文化（一）公司使命通过协同配套的专业化发展，为客户提供最具竞争力的半导体产品和服务，满足消费类电子市场需求，让华润芯进入中国的每一个家庭，使华润微电子成为中国一流的微电子企业，实现股东价值和员工价值最大化。
8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法
8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法作者：王肖波来源：《中国新技术新产品》2019年第09期摘要：作为半导体硅器件和集成电路中经常会使用的一种基础功能的材料，硅外延片的性能非常优越，是我国电子信息技术产业发展过程中经常会用到的材料。
半导体器件薄层硅外延片在半导体中的应用范围非常广泛，其在半导体器件中担任的主要是电路功能。
该文就8英寸薄层硅外延片的均匀性控制进行研究，希望能够在一定程度上提高8英寸薄层硅外延片的质量。
关键词：8英寸硅外延片；薄层外延；外延层厚度中图分类号：TN304 文献标志码：A随着近几年我国集成电路产业的飞速发展，8英寸电子计算机技术发展速度也在不断加快，在一定程度上促进了我国电子信息技术的发展。
我国对8英寸集成电路的市场需求非常大，导致现在我国生产的8英寸硅外延材料经常会出现无法满足国际市场需求的情况，严重阻碍了我国电子信息市场的发展。
近几年抛光片经常会出现厚度和电阻率无法控制的情况，对我国集成电路的发展造成非常大的影响。
1 工艺实验1.1 外延设备采用ASM公司的E2000型单片外延炉进行工艺实验。
石英腔体水平放置，内置可旋转的石墨基座，基座中心和4个边缘分别有热偶进行温度探测和控制。
每次生长1片，工艺气体由腔体前法兰进入，后法兰流出。
1.2 实验过程原材料使用8英寸掺磷（P）杂质衬底作为实验用衬底，电阻率为0.00135 Ω·cm～0.0015 Ω·cm，生长用硅源为三氯氢硅（SiHCl3，简称TCS）。
外延层厚度w=4.0μm，电阻率ρ=0.2Ω·cm。
2 结果与分析2.1 外延层厚度的均匀性控制在进行8英寸薄层外延片制备的过程中，其外延片的厚度经常会受到制作过程中生产温度和气流分布的影响。
相关人员将在其制备的过程中，主要研究生长温度和气流变化对外延片本身厚度造成的影响。
在进行8英寸薄层外延片制备的时候，相关人员要对不同温度和气流变化下的8英寸薄层外延片的质量进行研究，在进行实验的过程中，相关人员设定的温度一般为1 160 ℃、1 140 ℃、1 120 ℃、1 110 ℃，在进行实验的过程中，相关人员要对外延片的厚度进行严格的测试，并且在进行测试的过程中，相关人员还要设置中心点，在对其的厚度进行测量的时候，围绕着中心点对21个测量点进行测量。
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8英寸功率半导体分立器件
摘要：
I.引言
- 介绍8英寸功率半导体分立器件
II.8英寸功率半导体分立器件的特性
- 定义和分类
- 材料和制造工艺
- 性能和应用
III.8英寸功率半导体分立器件的市场分析
- 市场规模和增长
- 主要生产商和竞争格局
- 行业趋势和挑战
IV.8英寸功率半导体分立器件的国产化进展
- 国产替代的背景和意义
- 国产化进程和成果
- 国产化面临的挑战和解决方案
V.结论
- 总结8英寸功率半导体分立器件的特点和市场情况- 展望未来发展趋势和机遇
正文：
I.引言
随着科技的进步和工业化的发展，半导体器件在现代电子设备中扮演着越来越重要的角色。
在众多半导体器件中，8英寸功率半导体分立器件作为一种关键元器件，广泛应用于新能源汽车、充电系统、轨道交通、智能电网、新能源发电、航空航天及武器装备等领域。
本文将围绕8英寸功率半导体分立器件，介绍其特性、市场情况和国产化进展。
II.8英寸功率半导体分立器件的特性
A.定义和分类
8英寸功率半导体分立器件，是指采用8英寸（200mm）晶圆制造的功率半导体器件。
根据器件结构和功能，可分为二极管、晶体管、场效应管等。
B.材料和制造工艺
8英寸功率半导体分立器件主要采用硅、硅锗等材料，通过光刻、刻蚀、离子注入等工艺制造。
制造过程中，需要控制杂质、缺陷、晶格振动等，以保证器件的性能。
C.性能和应用
8英寸功率半导体分立器件具有较高的功率处理能力、较快的开关速度和较低的导通电阻。
因此，在高压、高频、大功率应用场景中具有优势。
III.8英寸功率半导体分立器件的市场分析
A.市场规模和增长
根据相关数据统计，全球8英寸功率半导体分立器件市场规模呈现稳定增长态势，预计未来几年将继续保持增长。
B.主要生产商和竞争格局
全球8英寸功率半导体分立器件市场主要由欧美、日本等地区的企业占据
主导地位，如英飞凌、安森美、东芝等。
近年来，我国企业逐渐崛起，但市场份额仍相对较低。
C.行业趋势和挑战
随着新能源汽车、智能电网等领域的快速发展，对8英寸功率半导体分立器件的需求将持续增长。
同时，技术创新、生产成本、供应链稳定性等方面也是行业面临的挑战。
IV.8英寸功率半导体分立器件的国产化进展
A.国产替代的背景和意义
我国8英寸功率半导体分立器件主要依赖进口，国产化对于提高我国电子产业自主创新能力、保障国家信息安全具有重要意义。
B.国产化进程和成果
近年来，我国企业在8英寸功率半导体分立器件领域取得了一定的技术突破，部分产品已实现国产替代。
但整体来看，国产化率仍较低，仍有大量市场空间等待挖掘。
C.国产化面临的挑战和解决方案
国产化面临的主要挑战包括技术研发、生产设备、原材料供应等方面。
为解决这些问题，需要加大研发投入、引进国外先进技术、加强产业链上下游合作等。
V.结论
综上所述，8英寸功率半导体分立器件在现代电子领域具有重要地位，市场规模稳步增长。
我国在8英寸功率半导体分立器件国产化方面已取得一定成果，但仍面临诸多挑战。