风华圆片瓷介电容规格

6pF贴片电容0603CG6R0C500NT选型表

声明： 1、本规格书是由风华高科授权代理商－南京南山半导体有限公司自风华高科官方网站下载整理，若有变更，恕不另行通知； 2、本规格书没有足够的空间说明详细电性能参数，仅列明了标准规格，在订购产品之前谨请与风华高科代理商南京南山半导体有限公司确认。 |特性 *具有高电容量稳定性，在-55℃~125℃工作范围内，其温度系数为0±30ppm/℃、0±60ppm/℃*独石结构，具有高可靠性。 *优良的焊接性和耐旱性，适合于回流焊和波峰焊。 |贴片电容封装代号与外形尺寸 L(长)尺寸 1.6±0.1mm W(宽)尺寸0.8±0.1mm T(高)尺寸0.8±0.1mm 电极宽度wb 0.30±0.10mm 公制封装代号 1608英制封装代号 0603

|通用型贴片电容特性曲线 ※ 贴片电容交流特性图 ※C0G 贴片电容温度系数图※X7R 贴片电容温度系数图※Y5V 贴片电容温度系数图※Z5U贴片电容温度系数图※贴片电容偏压特性图※贴片电容器老化特性图

贴片电感样品申请单南山联系资料总机：技术支持：客服：传真：电邮：客户基本资料公司名称网址：联系方式电话：传真：□生产型企业□贸易商收货地址生产产品姓名：职务：□技术□采购□其他联络人电话：手机：电邮：样品明细资料元器件名称型号及封装单机用量申请数量备注预计生产情况预计小批量生产日期：规模生产日期：样品申请日期：样品申请流程 1、请详细、全面、真实填写上列各项。表格不够填写，可自行复制。 Service@https://www.360docs.net/doc/eb2542463.html, 2、请以附件的形式将该文档通过E-mail发送，并请将此单打印盖章后，电邮至：：。 3、公司将根据客户所填信息并综合相关情况，由样品小组负责确定该样品申请单是否执行及如何执行。 4、收到样品申请单并经审核通过后，南京库有现货2个工作日内发出；如需订货，交期3-4周，非常规品顺延1-2周。 5、样品免费，运费到付(一般选择顺丰快递)；样品数量：单个型号5～20pcs，或根据BOM表清单按2～5套提供。 6、说明：接单后，样品小组将努力跟进，但由于原厂生产等环节存有不确定因素，我们无法保证样品数量、型号完全符合要求，也不承诺一定按期交出。跟进记录 □已中止进行□中止原因描述： □已联系客户 □已建议生产□已发送样品/日期□客户已签收/日期

电容器参数大全

电容器电容器通常简称其为电容，用字母C表示。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。定义2：电容器，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成一个电容器。相关公式电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2=QU/2 多电容器并联计算公式：C=C1+C2+C3+…+Cn 多电容器串联计算公式：1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn 三电容器串联 C=(C1*C2*C3)/(C1*C2+C2*C3+C1*C3) 标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量。在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等，换算关系是：1法拉(F)= 1000毫法(mF)＝1000000微法(μF) 1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 μF 1P2= 1n=1000PF 数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇，第三位数宇表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。如：102表示标称容量为1000pF。 221表示标称容量为220pF。 224表示标称容量为22x10(4)pF。在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数宇乘上10的-1次方来表示容量大小。如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=。允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如：一瓷片电容为104J表示容量为μF、误差为±5%。电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005级——±%；F——01级——±1%；G——02级——±2%；J——I 级——±5%；K——II级——±10%；M——III级——±20%。精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。注：用表中数值再乘以10n来表示电容器标称电容量，n为正或负整数。主要参数的意义：标称容量以及允许偏差：目前我国采用的固定式标称容量系列是：E24，E12,E6系列。他们分别使用的允许偏差是+-5% +-10% +-20%。额定电压：在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。常见的电容额定电压与耐压测试仪测量值的关系（ 600V的耐压测试仪测量电压为760V以上550V的耐压测试仪测量电压为715V以上； 500V的耐压测试仪测量电压为650V以上； 450V的耐压测试仪测量电压为585V以上； 400V的耐压测试仪测量电压为520V以上； 250V的耐压测试仪测量电压为325V以上； 200V的耐压测试仪测量电压为260V以上；

贴片电阻规格封装尺寸

贴片电阻规格、封装、尺寸 ChipR Dimensions 、Footprint 简述基本结构分类规格、封装、尺寸额定功率及工作电压阻值,标准阻值标识规格书、生产厂家

命名方法价格、报价创建时间：2005-12-30 最后修改时间：2006-10-29 贴片电阻套件为方便学生、研发人员试验和产品试制，特推出片式电阻系列套件。我们常说的贴片电阻 (SMD Resistor)叫"片式固定电阻器"(Chip Fixed Resistor)，又叫"矩形片状电阻"(Rectangular Chip Resistors)，是由ROHM 公司发明并最早推出市场的。特点是耐潮湿，耐高温，可靠度高，外观尺寸均匀，精确且温度系数与阻值公差小。按生产工艺分厚膜(Thick Film Chip Resistors)、薄膜(Thin Film Chip Resistors )两种。厚膜是采用丝网印刷将电阻性材料淀积在绝缘基体(例如玻璃或氧化铝陶瓷)上，然后烧结形成的。我们通常所见的多为厚膜片式电阻，精度范围±0.5% ~ 10%，温度系数:±50PPM/℃~ ±400PPM/℃。薄膜是在真空中采用蒸发和溅射等工艺将电阻性材料淀积在绝缘基体工艺(真空镀膜技术)制

成，特点是低温度系数(±5PPM/℃)，高精度(±0.01%～±1%)。封装有：0201，0402，0603，0805，1206，1210，1812，2010，2512。其常规系列的精度为5%，1%。阻值范围从0.1欧姆到20M欧姆。标准阻值有E24，E96系列。功率有1/20W、1/16W、1/8W、1/10W、1/4W、1/2W、1W。特性：体积小，重量轻适合波峰焊和回流焊机械强度高，高频特性优越常用规格价格比传统的引线电阻还便宜生产成本低，配合自动贴片机，适合现代电子产品规模化生产使用状况：由于价格便宜，生产方便，能大面积减少PCB面积，减少产品外观尺寸，现在已取代绝大部分传统引线电阻。除一些小厂或不得不使用引线电阻的设计，各种电器上几乎都在使用。目前绝大部分电子产品，以0603、0805器件为主；以手机，PDA为代表的高密度电子产品多使用0201、0402的器件；一些要求稳定和安全的电子产品，如医疗器械、汽车行驶记录仪、税控机则多采用1206、1210等尺寸偏大的电阻。市场状况：目前，在全球的市场份额中，排名依次是台湾、日本、中国、韩国，欧美几乎不再生产。主要的生产厂商几乎都在中国建立生产基地。台湾国巨（Yageo）公司为世界上第一大生产商。日本企业则生产一些如0201、0402、高精度、高电压，具有工艺难度，利润高的系列。台湾及国内工厂则多生产些

通用型贴片电容规格书(选型手册)

【南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】
https://www.360docs.net/doc/eb2542463.html,
MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR
COG/COH
COG
, ,
-55
125
,
0
30ppm/
0
60ppm/
0805
CG
101
J
500
N
T
(PF) ( 0402 0.04 0603 0.06 0805 0.08 1206 0.12 ) 0.02 0.03 0.05 0.06 1.00 1.60 2.00 3.20 ( ) 0.50 0.80 1.25 1.60 CG CH COG NPO COH 100 101 102 10 10
0 1
J G C B D
5.00% 2.00% 0.25PF 0.10PF 0.50PF
10 10 10 10
2
6R3 100 250 500
6.3V 10V 25V 50V
S C N / / T B
WB
W
T
L mm L 0402 0603 0805 1206 1005 1608 2012 3216 1.00 1.60 2.00 3.20 0.05 0.10 0.20 0.30 W 0.50 0.80 1.25 1.60 0.05 0.50 0.10 0.80 0.20 0.80 1.00 1.25 0.20 0.80 1.00 1.25 T WB 0.05 0.25 0.10 0.30 0.20 0.50 0.20 0.20 0.20 0.60 0.20 0.20 0.10 0.10 0.20 0.30
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贴片电阻、贴片电容规格、封装、尺寸

贴片电阻、贴片电容规格、封装、尺寸·功率贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸：英制(inch) 公制 (mm) 长(L) (mm) 宽(W) (mm) 高(t) (mm) a (mm) b (mm) 0201 0603 0.60±0.050.30±0.050.23±0.050.10±0.050.15±0.05 0402 1005 1.00±0.100.50±0.100.30±0.100.20±0.100.25±0.10 0603 1608 1.60±0.150.80±0.150.40±0.100.30±0.200.30±0.20 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.150.50±0.100.40±0.200.40±0.20 1206 3216 3.20±0.20 1.60±0.150.55±0.100.50±0.200.50±0.20 1210 3225 3.20±0.20 2.50±0.200.55±0.100.50±0.200.50±0.20 1812 4832 4.50±0.20 3.20±0.200.55±0.100.50±0.200.50±0.20 2010 5025 5.00±0.20 2.50±0.200.55±0.100.60±0.200.60±0.20 2512 6432 6.40±0.20 3.20±0.200.55±0.100.60±0.200.60±0.20 贴片电阻电容功率与尺寸对应表电阻封装尺寸与功率关系,通常来说: 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 常规贴片电阻(部分) 常规的贴片电阻的标准封装及额定功率如下表：

电容参数资料

电容的型号功能和应用的详细介绍 1. [capacitance；electric capacity]：电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量，非导电体的下述性质:当非导电体的两个相对表面保持某一电位差时（如在电容器中），由于电荷移动的结果，能量便贮存在该非导电体之中定义：电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。电容的符号是C。在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等，换算关系是： 1法拉(F)= 1000毫法(mF)＝1000000微法(μF) 1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。相关公式：一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，即：C=Q/U 但电容的大小不是由Q或U决定的，即：C=εS/4πkd 。其中，ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离， k则是静电力常量。常见的平行板电容器,电容为C=εS/d.（ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离。）

电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2=QU/2 多电容器并联计算公式：C=C1+C2+C3+…+Cn 多电容器串联计算公式：1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn 电容器的型号命名方法第一部分 | 第二部分 | 第三部分 | 第四部分名称 | 材料 | 特征 | 序号电容器 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 C 高频瓷 T 铁电 T 低频瓷 W 微调 I 玻璃 J 金属化符号 Y 釉云母 X 小型 C Z 纸介 D 电压用字母或数字 J 金属化 M 密封 L 纸涤纶 Y 高压

wima电容规格书

Polypropylene (PP) Film and Foil Capacitors for Pulse Applications in PCM 7.5 mm to 15 mm Pulse duty construction Very low dissipation factor Negative capacitance change versus temperature Very low dielectric absorption According to RoHS 2002/95/EC Typical Applications For high frequency applications e.g. Sample and hold Timing LC-Filtering Oscillating circuits Audio equipment Dielectric: Polypropylene (PP) film Capacitor electrodes: Metal foil Internal construction: Encapsulation: Solvent-resistant, flame-retardent plastic case with epoxy resin seal, UL 94 V-0 Terminations: Tinned wire Marking: Colour: Red. Marking: Black. Epoxy resin seal: Yellow. Capacitance range: 100 pF to 0.22 μF (E12-values on request) Rated voltages: 63VDC, 100VDC, 250VDC, 400VDC, 630VDC, 1000VDC Capacitance tolerances: ±20%, ±10%, ±5% Operating temperature range: -55°C to +100°C Test specifications: In accordance with IEC 60384-13 and EN 131800 Climatic test category: 55/100/56 in accordance with IEC Insulation resistance at +20°C: > 5 x 105 M (mean value: 1 x 106 M) Measuring voltage: Ur = 63V: Utest = 50 V/1 min. Ur > 100V: Utest = 100 V/1 min. Dissipation factors at +20°C: tan Test voltage: 2 Ur, 2 sec Maximum pulse rise time: 1000 V/μsec for pulses equal to the rated voltage Dielectric absorption: 0.05% Temperature coefficient: -200 x 10-6/°C (typical) Voltage derating: A voltage derating factor of 1.35% per K must be applied from +85°C for DC voltages and from +75°C for AC voltages. Reliability: Operational life > 300000 hours Failure rate < 5 fit (0.5 x Ur and 40°C) Graphs: Soldering: Mechanical Tests Packing Pull test on leads: 10 N in direction of leads according to IEC 60068-2-21 Vibration: 6 hours at 10...2000Hz and 0.75mm displacement amplitude or 10g in accordance with IEC 60068-2-6 Low air density: Available taped and reeled. Detailed taping information: Example for ordering / Part number:

贴片电容系列材质及规格

贴片电容材质及规格贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格，不同的规格有不同的用途。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。一NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。二X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。三Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。 Z5U电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围+10℃--- +85℃ 温度特性+22% ---- -56% 介质损耗最大4%

电容品牌大全

电容品牌大全（转）电容品牌大全主板厂商惯用电容品牌富士康Rubycon Sanyo 华擎KZG KZE 升技Rubycon 技嘉Rubycon KZG OST 磐正Sanyo OST GSC 微星KZG OST 华硕Nichicon KZG 硕泰克Sanyo Sacon 捷波GSC 七彩虹Taicon 按照Intel主板技术白皮书的介绍，主板CPU插槽附近的滤波电容单个容量最低要求为1000μF。大部分主板上常见电容的容量为2200μF，好的主板采用3500μF甚至更高容量的电容。而在Intel的原装主板上，一般单个电容容量都在3300μF以上，这就是Intel主板极其稳定的重要原因之一。可见“电容决定主板质量”这话一点不假。下面是主要电容品牌的体系图，都是从电容厂商的网站上DOWN下来的，买电容的时候可以参考一下：目前只找到SANYO、nichicon的体系图，其它厂商只提供PDF文档，有兴趣的可以去看： SANYO: www.secc.co.jp/english/index.html nichicon: https://www.360docs.net/doc/eb2542463.html, chemicon: https://www.360docs.net/doc/eb2542463.html, rubycon: https://www.360docs.net/doc/eb2542463.html, teapo: https://www.360docs.net/doc/eb2542463.html,

OST: https://www.360docs.net/doc/eb2542463.html, 总结一下，比较适合主板使用的电容必须是\"Low Impedance & ESR\"、\"Very Low Impedance & ESR\"、\"Ultra Low Impedance & ESR\" 且温度为105C的，Ultra的最好 SANYO:MV-WG、MV-WX、MV-SWG、MB-UWG、MB-EXR等系列 nichicon: H开头的系列,P开头的系列 chemicon: KZE、KZG系列 rubycon: YXF、YXG、ZL、ZLH、MBZ、MCZ系列 teapo: SC、SM、SZ系列 OST: RLP、RLZ系列系列太多了，列举不完。在可选的系列中，再根据PDF的资料，选择寿命比较长的就好了，一般PC 只需在2000小时以上就差不多了，5000小时以上的一是难买，二是贵。还有，就是不要迷信什么音响发烧电容、拆机电容等。这些电容，有的是85C的，有的不是LOW ESR 的，拆机电容有的生产日期距今已有十多年，就算再好也不能用。一句话，适合的才是最好的。电容厂商电容品牌日系名厂Nichicon Rubycon KZG Sanyo KZE Panasonic 二线厂商OST Jackcon Nippon Teapo Taicon 其他厂商Sacon GSC Chocon Fcon 一线电容： Sanyo----三洋电容 Rubycon---红宝石 Nichicon --日系电容 KZG-------日系电容日本化工,Nippon Chemi-con

贴片电容规格及尺寸对照

HOW TO ORDER Technical Data: All technical data relate to an ambient temperature of +25°C Capacitance Range:0.1 μF to 2200 μF Capacitance Tolerance:±10%; ±20% Rated Voltage (V R )?+85°C: 2.54 6.3101620253550Category Voltage (V C )?+125°C: 1.7 2.7 4 71013172333Surge Voltage (V S )?+85°C: 3.3 5.28132026324665Surge Voltage (V S )?+125°C: 2.2 3.45813162028 40 Temperature Range:-55°C to +125°C Reliability:1% per 1000 hours at 85°C, V R with 0.1Ω/V series impedance, 60% confidence level Qualification:CECC 30801 - 005 issue 2EIA 535BAAC Termination Finished: Sn Plating (standard), Gold and SnPb Plating upon request TECHNICAL SPECIFICATIONS CASE DIMENSIONS: millimeters (inches) For part marking see page 127 TAJ Type C Case Size See table above 106 Capacitance Code pF code: 1st two digits represent significant figures 3rd digit represents multiplier (number of zeros to follow) M T olerance K=±10%M=±20% 035 Rated DC Voltage 002=2.5Vdc 004=4Vdc 006=6.3Vdc 010=10Vdc 016=16Vdc 020=20Vdc 025=25Vdc 035=35Vdc 050=50Vdc R Packaging R = 7" T/R (Lead Free since p roduction date 1/1/04) S = 13" T/R (Lead Free since p roduction date 1/1/04) A = Gold Plating 7" Reel B = Gold Plating 13" Reel H = Tin Lead 7" Reel K = Tin Lead 13" Reel NJ Specification Suffix NJ = Standard Suffix — Additional characters may be added for special requirements V = Dry pack Option (selected codes only) ? Generic SMT chip tantalum series ? 6 case sizes available ? Low profile options available COMPONENT

电容参数X5R,X7R,Y5V,COG详解(精)

电容参数：X5R，X7R，Y5V，COG 详解在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R，X7R，Y5V，COG等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。具体来说，就是： X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C 变化为70°C时，电容容量的变化为±15%； Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者 +22%/-82%。对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为 -55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。表4-1 电容的温度与容量误差编码下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在

使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。一、NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO 电容器可选取的容量范围。 NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。二 X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。三 Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。 Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围+10℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -56% 介质损耗最大 4% 四 Y5V电容器 Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。 Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。 Y5V电容器的取值范围如下表所示 Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 -30℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -82% 介质损耗最大 5% 贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。 NPO,X7R及Y5V电容的特性及主要用途 NPO的特性及主要用途属1类陶瓷介质，电气性能稳定，基本上不随时间、温度、电压变化，适用于高可靠、高稳定的高额、特高频场合。特性：电容范围 1pF～0.1uF (1±0.2V rms 1MHz) 环境温度： -55℃～+125℃ 组别：CG 温度特性：0±30ppm/℃ 损耗角正切值： 15x10-4 绝缘电阻：≥10GΩ 抗电强度： 2.5倍额定电压 5秒浪涌电流：≤50毫安

和伸堂电容规格书

1. Scope This specification is applies to Multilayer Ceramic Chip Capacitor(MLCC) for use in electric equipment for the voltage is ranging from 4V to 50V. The series suitable for general electrics circuit, telecommunications, personal computers and peripheral, power circuit and mobile application. (This product compliant with the RoHS.) 2. Parts Number Code (6)Rated Voltage Code Rated Voltage (Vdc) 004 4 007 6.3 010 10 016 16 025 25 035 35 050 50 (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (1)Product Product Code C Multilayer Ceramic Chip Capacitor (3)Temperature Characteristics Code Temperature Characteristic Temperature Range Temperature Coefficient N NPO -55℃~+125℃ 30 ppm/℃ X X7R -55℃~+125℃ ± 15% B X5R -55℃~+85℃ ± 15% R X7S -55℃~+125℃ ± 22% S X6S -55℃~+105℃ ± 22% Y Y5V -30℃~+85℃ +22/-82% Z Z5U +10℃~+85℃ +22/-56% E Y5U -30℃~+85℃ +22/-56% (4)Capacitance unit :pico farads(pF) Code Nominal Capacitance (pF) 5R0 5.0 120 12.0 151 150.0 222 2,200.0 473 47,000.0 224 220,000.0 105 1,000,000.0 106 10,000,000.0 ※. If there is a decimal point, it shall be expressed by an English capital letter R (5)Capacitance Tolerance Code Tolerance Nominal Capacitance B ± 0.10 pF C ± 0.25 pF D ± 0.50 pF F ± 1.00 pF Less Than 10 pF (Include 10 pF) F ± 1.00 % G ± 2.00 % J ± 5.00 % K ± 10.0 % M ± 20.0 % Z +80/-20 % More Than 10 pF (7)Tapping Code Type (2)Chip Size Code Length×Width unit : mm(inch) 0201 0.60× 0.30 (.024× .011) 0402 1.00× 0.50 (.039× .020) 0603 1.60× 0.80 (.063× .031) 0805 2.00× 1.25 (.079× .049) 1206 3.20× 1.60 (.126× .063) 1210 3.20× 2.50 (.126× .098) 1808 4.60× 2.00 (.181× .079) 1812 4.60× 3.20 (.181× .125) 1825 4.60× 6.35 (.181× .250) 2208 5.70× 2.00 (.220× .197) 2211 5.70× 2.80 (.220× .110) 2220 5.70× 5.00 (.220× .197) 2225 5.70× 6.35 (.220× .250)

常用电容器主要参数与特点

常用电容器主要参数与特点 1、标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量。电解电容器的容值，取决于在交流电压下工作时所呈现的阻抗。因此容值，也就是交流电容值，随着工作频率、电压以及测量方法的变化而变化。在标准JISC 5102 规定：铝电解电容的电容量的测量条件是在频率为 120Hz，最大交流电压为（Voltage Root Mean Square，通常指交流电压的有效值），DC bias （直流偏压直流偏置直流偏移直流偏磁）电压为～的条件下进行。可以断言，铝电解电容器的容量随频率的增加而减小。电容器中存储的能量 E = CV^2/2 电容器的线性充电量 I = C （dV/dt）电容的总阻抗（欧姆） Z = √ ［ RS^2 + （XC – XL）^2 ］容性电抗（欧姆） XC = 1/（2πfC）

电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。 2、额定电压在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。 3、绝缘电阻直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻。当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越大越好。电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。 4、损耗电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。

(整理)贴片电容的类型和特点

目录：贴片电容的种类和特点 1 贴片电容基本结构 1 贴片电容 Class 2 EIA代码 2 贴片电容封装尺寸 3 贴片电容生产厂家 4 贴片电容分类 5 NPO电容器 5 X7R电容器 6 Z5U电容器8 Y5V电容器8 Y5V贴片电容容量范围8 贴片电容的种类和特点单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。通常大家所说的贴片电容是指片式多层陶瓷电容 (Multilayer Ceramic Capacitors)，简称MLCC，又叫做独石电容。它是在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次烧结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成的。具有小体积、大容量、Q值高、高可靠和耐高温等优点。同时也具有容量误差较大、温度系数很高的缺点。一般用在噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路。常规贴片电容按材料分为COG(NPO)、X7R、Y5V，常见引脚封装有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010。贴片电容基本结构多层陶瓷电容(MLCC)是由平行的陶瓷材料和电极材料层叠而成。见下图：

电容参数详解

在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R，X7R，Y5V，COG等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。具体来说，就是： X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%； Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。表4-1 电容的温度与容量误差编码下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是A VX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。一：NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05% ，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。二：X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。